JPH06101568B2 - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
- Publication number
- JPH06101568B2 JPH06101568B2 JP61238616A JP23861686A JPH06101568B2 JP H06101568 B2 JPH06101568 B2 JP H06101568B2 JP 61238616 A JP61238616 A JP 61238616A JP 23861686 A JP23861686 A JP 23861686A JP H06101568 B2 JPH06101568 B2 JP H06101568B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- pressure
- container
- sensitive chip
- fixed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】 本発明は、ひずみゲージを形成したシリコン感圧ダイヤ
フラムチップとひずみゲージに接続された増幅回路など
の付帯回路を構成する厚膜配線回路とを同一容器内に収
容した半導体圧力センサに関する。
フラムチップとひずみゲージに接続された増幅回路など
の付帯回路を構成する厚膜配線回路とを同一容器内に収
容した半導体圧力センサに関する。
半導体圧力センサの一般的な基本構造として、第２図に
示すように、ダイヤフラム部にひずみゲージを形成した
シリコン感圧チップ１を、近似的に等しい熱膨張係数を
もつパイレックスガラスやシリコン等からなる台座２の
上に固着し、金属容器底部31を貫通する導圧管４の上に
固定するものが知られている。これは温度変化、例えば
−40〜120℃の温度範囲において容器との熱膨張係数の
相違による歪が感圧ダイヤフラムチップ１に加わり、ダ
イヤフラム部を変形させてあたかも測定圧力が導圧管４
を介してダイヤフラムに加わって変形させた場合と同等
の出力信号を生ずるのを防ぐためである。従って、導圧
管４も台座２に熱膨張係数の近い材料からなる必要があ
る。増幅回路などの付帯回路は、容器底部31に固着され
たアルミナ基板５の上の厚膜配線回路６として構成され
てひずみゲージとアルミニウム等の導線７によって接続
され、出力は出力端子61により容器外に取り出される。
チップ１および配線基板５は底部31と蓋部32よりなる容
器３の内部空間に収容されている。 しかし、このような半導体圧力センサは、台座が必要な
こと、それに伴ってシリコン感圧チップ１と台座２間，
台座２と導圧管４の間の気密な固着を確保する必要があ
ること、また容器内に付帯回路基板を挿入しなければな
らぬことなど、構造および組立が複雑化する欠点があっ
た。
示すように、ダイヤフラム部にひずみゲージを形成した
シリコン感圧チップ１を、近似的に等しい熱膨張係数を
もつパイレックスガラスやシリコン等からなる台座２の
上に固着し、金属容器底部31を貫通する導圧管４の上に
固定するものが知られている。これは温度変化、例えば
−40〜120℃の温度範囲において容器との熱膨張係数の
相違による歪が感圧ダイヤフラムチップ１に加わり、ダ
イヤフラム部を変形させてあたかも測定圧力が導圧管４
を介してダイヤフラムに加わって変形させた場合と同等
の出力信号を生ずるのを防ぐためである。従って、導圧
管４も台座２に熱膨張係数の近い材料からなる必要があ
る。増幅回路などの付帯回路は、容器底部31に固着され
たアルミナ基板５の上の厚膜配線回路６として構成され
てひずみゲージとアルミニウム等の導線７によって接続
され、出力は出力端子61により容器外に取り出される。
チップ１および配線基板５は底部31と蓋部32よりなる容
器３の内部空間に収容されている。 しかし、このような半導体圧力センサは、台座が必要な
こと、それに伴ってシリコン感圧チップ１と台座２間，
台座２と導圧管４の間の気密な固着を確保する必要があ
ること、また容器内に付帯回路基板を挿入しなければな
らぬことなど、構造および組立が複雑化する欠点があっ
た。
本発明は、上記の欠点を除きシリコン感圧チップを支持
するための台座を使用することなく、単純な構造で高精
度の半導体圧力センサを提供することを目的とする。
するための台座を使用することなく、単純な構造で高精
度の半導体圧力センサを提供することを目的とする。
本発明は、絶縁性炭化珪素セラミックからなる基板の開
口部上に感圧チップが固着され、付帯回路を構成する厚
膜配線回路が該基板上に形成され、容器の底部と前記基
板との間の熱膨張係数を有する環状スペーサを介して容
器底部に平面的に該基板が固着され、容器底部の開口部
に導圧管が固着され、スペーサに囲まれた空間及び前記
基板の開口部からなるシリコン感圧チップの裏面に測定
圧力が導かれる空間を有するもので、配線基板が台座を
兼ねることにより上記の目的が達成される。
口部上に感圧チップが固着され、付帯回路を構成する厚
膜配線回路が該基板上に形成され、容器の底部と前記基
板との間の熱膨張係数を有する環状スペーサを介して容
器底部に平面的に該基板が固着され、容器底部の開口部
に導圧管が固着され、スペーサに囲まれた空間及び前記
基板の開口部からなるシリコン感圧チップの裏面に測定
圧力が導かれる空間を有するもので、配線基板が台座を
兼ねることにより上記の目的が達成される。
第１図は本発明の一実施例を示し、第２図と共通の部分
には同一の符号が付されている。この場合、シリコン感
圧チップ１は、容器３内に収容されたSiCセラミックか
らなる基板８の上に接着され、感圧チップ１に設けられ
たダイヤフラムの裏側空間は基板８の開口部81に通じて
いる。SiCセラミックは、例えば、雑誌「日経エレクト
ロニクス」1984年９月24日号（第352号）265〜294ペー
ジに記載されているように高絶縁性で高熱伝導率を有
し、単結晶SiCと異なり、熱膨張係数がシリコンとほと
んど等しい。基板８は、金属容器底部31の上に、熱膨張
係数がSiCセラミックと容器金属との中間にある金属、
例えばNi−Fe合金からなる環状のスペーサ９を介してろ
う付けされる。基板８のシリコン感圧チップ１の周囲に
は厚膜印刷による配線が設けられ、増幅回路などの付帯
回路が厚膜配線回路６として構成されており、チップ１
とアルミニウム導線７によって接続されている。導圧管
４は容器底部31に固着され、スペーサ９に囲まれた空
間,SiCセラミック基板８の開口部81を介してチップダイ
ヤフラムの裏面に測定圧力を導く。この導圧管４は、第
２図の場合と異なり熱膨張係数を特に留意する必要はな
い。
には同一の符号が付されている。この場合、シリコン感
圧チップ１は、容器３内に収容されたSiCセラミックか
らなる基板８の上に接着され、感圧チップ１に設けられ
たダイヤフラムの裏側空間は基板８の開口部81に通じて
いる。SiCセラミックは、例えば、雑誌「日経エレクト
ロニクス」1984年９月24日号（第352号）265〜294ペー
ジに記載されているように高絶縁性で高熱伝導率を有
し、単結晶SiCと異なり、熱膨張係数がシリコンとほと
んど等しい。基板８は、金属容器底部31の上に、熱膨張
係数がSiCセラミックと容器金属との中間にある金属、
例えばNi−Fe合金からなる環状のスペーサ９を介してろ
う付けされる。基板８のシリコン感圧チップ１の周囲に
は厚膜印刷による配線が設けられ、増幅回路などの付帯
回路が厚膜配線回路６として構成されており、チップ１
とアルミニウム導線７によって接続されている。導圧管
４は容器底部31に固着され、スペーサ９に囲まれた空
間,SiCセラミック基板８の開口部81を介してチップダイ
ヤフラムの裏面に測定圧力を導く。この導圧管４は、第
２図の場合と異なり熱膨張係数を特に留意する必要はな
い。
本発明によれば、シリコンとほとんど等しい熱膨張係数
をもつSiCセラミックからなる絶縁性基板上にシリコン
感圧チップを固着すると共に、この基板を付帯回路を構
成する厚膜配線回路基板として用い、また容器底面にス
ペーサを介して平面的に固着することにより、台座の省
略が可能となり、構造が単純になり、さらに導圧管の材
料の制限がなくなるなど、高精度で信頼性の高い半導体
圧力センサの構造として極めて有効である。
をもつSiCセラミックからなる絶縁性基板上にシリコン
感圧チップを固着すると共に、この基板を付帯回路を構
成する厚膜配線回路基板として用い、また容器底面にス
ペーサを介して平面的に固着することにより、台座の省
略が可能となり、構造が単純になり、さらに導圧管の材
料の制限がなくなるなど、高精度で信頼性の高い半導体
圧力センサの構造として極めて有効である。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来の半
導体圧力センサの断面図である。 1:シリコン感圧チップ、3:容器、31:容器底部、4:導圧
管、6:厚膜配線回路、7:導線、8:SiCセラミック基板。
導体圧力センサの断面図である。 1:シリコン感圧チップ、3:容器、31:容器底部、4:導圧
管、6:厚膜配線回路、7:導線、8:SiCセラミック基板。
Claims (1)
- 【請求項１】ひずみゲージを形成したダイヤフラムを有
するシリコン感圧チップとひずみゲージに接続された付
帯回路を構成する厚膜配線回路とが同一容器内に収容さ
れるものにおいて、絶縁性炭化珪素セラミックからなる
基板の開口部上に感圧チップが固着され、厚膜配線回路
が該基板上に形成され、前記容器の底部と前記基板との
間の熱膨張係数を有する環状スペーサを介して容器底部
に平面的に該基板が固着され、容器底部の開口部に導圧
管が固着され、スペーサに囲まれた空間及び前記基板の
開口部からなるシリコン感圧チップの裏面に測定圧力が
導かれる空間を有することを特徴とする半導体圧力セン
サ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61238616A JPH06101568B2 (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61238616A JPH06101568B2 (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 半導体圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6393163A JPS6393163A (ja) | 1988-04-23 |
| JPH06101568B2 true JPH06101568B2 (ja) | 1994-12-12 |
Family
ID=17032813
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61238616A Expired - Lifetime JPH06101568B2 (ja) | 1986-10-07 | 1986-10-07 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06101568B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017223643A (ja) * | 2016-06-14 | 2017-12-21 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
| WO2017217150A1 (ja) * | 2016-06-14 | 2017-12-21 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
| CN114112120A (zh) * | 2021-11-12 | 2022-03-01 | 南京英锐创电子科技有限公司 | 传感器封装结构及方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55138609A (en) * | 1979-04-16 | 1980-10-29 | Hitachi Ltd | Semiconductor displacing transducer |
| JPS608209Y2 (ja) * | 1983-06-23 | 1985-03-22 | 年雄 杉原 | 雌ねじ体 |
| JPS6239078A (ja) * | 1985-08-14 | 1987-02-20 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体圧力センサ |
-
1986
- 1986-10-07 JP JP61238616A patent/JPH06101568B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6393163A (ja) | 1988-04-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08178778A (ja) | 半導体圧力検出装置 | |
| EP0336437A3 (en) | Pressure sensing transducer employing piezoresistive elements on sapphire | |
| JPS6341080A (ja) | 半導体加速度センサ | |
| US6169316B1 (en) | Semiconductor pressure sensor including sensor chip fixed to package by adhesive | |
| JPH07103837A (ja) | 物理量検出センサ | |
| JPH0119528B2 (ja) | ||
| JPS61217733A (ja) | 圧力検出器 | |
| US5133215A (en) | Pressure transmitter assembly having sensor isolation mounting | |
| JPH05507358A (ja) | 内燃機関の燃焼室内の圧力を検出するための圧力センサ | |
| JPS581548B2 (ja) | 薄膜ストレンゲ−ジ変換器 | |
| JPH06101568B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH0814517B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS63195537A (ja) | 絶対圧形半導体圧力センサ | |
| JPS594868B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPS5826237A (ja) | 圧力センサ | |
| JP2643029B2 (ja) | 半導体圧力センサ装置 | |
| JPS5936835B2 (ja) | 半導体圧力・差圧伝送器 | |
| JP2512220B2 (ja) | 複合機能形センサ | |
| JPS6157826A (ja) | 圧力変換器 | |
| JPH01185424A (ja) | 絶対圧形半導体圧力センサ | |
| JPS6239078A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPH10160602A (ja) | 半導体式圧力センサ | |
| JPS5828754B2 (ja) | 圧力−電気変換装置 | |
| JPH02218171A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JPS6312178A (ja) | 圧力検出器 |