JPS6388870A - 受光装置 - Google Patents
受光装置Info
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- JPS6388870A JPS6388870A JP61233999A JP23399986A JPS6388870A JP S6388870 A JPS6388870 A JP S6388870A JP 61233999 A JP61233999 A JP 61233999A JP 23399986 A JP23399986 A JP 23399986A JP S6388870 A JPS6388870 A JP S6388870A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/13—Optical detectors therefor
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- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
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- H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
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- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
以Ｆの順序に従って本発明を説明する。
Ａ、産業上の利用分野
Ｂ６発明の概要
Ｃ１従来技術［第５図、第６図］
ａ、技術的背景［第５図］
ｂ、従来例［第６図］
００発明か解決しようとする問題点
［第７図乃至第１Ｏ図］
Ｅ６問題点を解決するための′［段
Ｆ１作用
Ｇ、実施例「第１図乃至第４図」
ａ、構成［第１図］
ｂ、製造方法［第２図］
Ｃ０特性［第３図、第４図］
Ｈ３発明の効果
（Ａ、産業上の利用分野）
本発明は受光装置、特に複数の受光素子によって形成さ
れた一つの受光領域を有する受光装置に関する。
れた一つの受光領域を有する受光装置に関する。
（Ｂ、発明の概要）
本発明は、複数の受光素子によって形成された一つの受
光領域を有する受光装置において、受光素１間上に入射
した光に対する感度を良好にするため、 各受光素ｆ−間−ににも透光性被膜を形成したものであ
る。
光領域を有する受光装置において、受光素１間上に入射
した光に対する感度を良好にするため、 各受光素ｆ−間−ににも透光性被膜を形成したものであ
る。
（Ｃ，従来技術）［第５図、第６図］
（ａ、技術的背景）［第５図］
コンパクトディスクプレイヤにはディスクの信号面に形
成されたビットの有無を検出する光ピツクアップか信号
読取装置として用いられる。
成されたビットの有無を検出する光ピツクアップか信号
読取装置として用いられる。
光ピツクアップはレーザから発射したレーザビームをデ
ィスクの信号面に照射して信号、つまりピットの有無に
よって変調された反射光を得てそれを受光装置によって
受光することにより信号の読み取りを行うものである。
ィスクの信号面に照射して信号、つまりピットの有無に
よって変調された反射光を得てそれを受光装置によって
受光することにより信号の読み取りを行うものである。
第５図はその光ピツクアップに用いられる受光装置の
例を示す平面図である。
例を示す平面図である。
この受光装置は３つの受光領域を有し、第１の受光領域
Ｐ１は４個のフォトダイオードＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄを近接し
て配置してなり、該受光領域Ｐ１にてピッ］・の有無で
変調されたレーザビームを受光し、ｒ？声信号の再生に
供すると共にフォーカスサーボにも供する。第２の受光
領域Ｐ２はフォトダイオードＥからなり、受光領域Ｐ３
はフォトダイオードＦからなる。このフォトダイオード
Ｅ、Ｆからなる第２、第３の受光領域Ｐ２、Ｐ３は２つ
の副ビームを検出してトラッキングを行う役割を果す。
Ｐ１は４個のフォトダイオードＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄを近接し
て配置してなり、該受光領域Ｐ１にてピッ］・の有無で
変調されたレーザビームを受光し、ｒ？声信号の再生に
供すると共にフォーカスサーボにも供する。第２の受光
領域Ｐ２はフォトダイオードＥからなり、受光領域Ｐ３
はフォトダイオードＦからなる。このフォトダイオード
Ｅ、Ｆからなる第２、第３の受光領域Ｐ２、Ｐ３は２つ
の副ビームを検出してトラッキングを行う役割を果す。
ところで、上記第１の受光領域Ｐ１は非点収差法による
フォーカス検出を行うために近接して配置した４つのフ
ォトダイオ−）：’Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄにより構成されてい
るのであり、４１点収差法はシリンドリカルレンズを用
いてレーザビームをｑｔ一方向にのみ集光し、フォーカ
ス状態ではビームスポットが真円になり、デフォーカス
状態でビームスポットが楕円になり、ディスクが近ずぎ
るときと遠すぎるときとで楕円の長軸の向きが９０°異
なることを利用しており、矩形の受光領域Ｐ１の対角線
Ｉ−に配置されたフォトダイオードＡとＣとの、そして
フォトダイオードＢとＣとの出力の和どうしを比較する
ことによりビームスポットが真円あるいはどの方向に長
い楕円であるかを検出している。
フォーカス検出を行うために近接して配置した４つのフ
ォトダイオ−）：’Ａ、Ｂ、Ｃ，Ｄにより構成されてい
るのであり、４１点収差法はシリンドリカルレンズを用
いてレーザビームをｑｔ一方向にのみ集光し、フォーカ
ス状態ではビームスポットが真円になり、デフォーカス
状態でビームスポットが楕円になり、ディスクが近ずぎ
るときと遠すぎるときとで楕円の長軸の向きが９０°異
なることを利用しており、矩形の受光領域Ｐ１の対角線
Ｉ−に配置されたフォトダイオードＡとＣとの、そして
フォトダイオードＢとＣとの出力の和どうしを比較する
ことによりビームスポットが真円あるいはどの方向に長
い楕円であるかを検出している。
（ｂ、従来例）［第６図］
第６図はそのような光ピツクアップ用受光装置の従来の
断面構造を拡大して示すものであり、この断面のイ装置
は第５図の６−６線にあたる。第６図においで、ａはＮ
＋型のシリコン半導体基板、ｂは該基板ａ表面上に形成
されたｎ−型半導体層、Ｃは゛ｒ導体層すの表面上に形
成されたＳ ｉ Ｏ２からなるフィールド絶縁膜（膜厚
７０００人）、ｄは該フィールド絶縁膜Ｃを選択的にエ
ツチングすることにより形成されたフォトダイオード形
成用窓部、ｅは該窓部ｄを通じて半導体層す表面部にＰ
型不純物を拡散することにより形成されたＰ＋型半導体
領域で、第６図における左側の丁−導体領域ｅ （Ａ）
がフォトダイオード八を構成するＰ＋型半導体領域、同
図における右側のｔ導体領域ｅ （Ｂ）がフォトダイオ
ードＢを構成するＰ型半導体領域である。
断面構造を拡大して示すものであり、この断面のイ装置
は第５図の６−６線にあたる。第６図においで、ａはＮ
＋型のシリコン半導体基板、ｂは該基板ａ表面上に形成
されたｎ−型半導体層、Ｃは゛ｒ導体層すの表面上に形
成されたＳ ｉ Ｏ２からなるフィールド絶縁膜（膜厚
７０００人）、ｄは該フィールド絶縁膜Ｃを選択的にエ
ツチングすることにより形成されたフォトダイオード形
成用窓部、ｅは該窓部ｄを通じて半導体層す表面部にＰ
型不純物を拡散することにより形成されたＰ＋型半導体
領域で、第６図における左側の丁−導体領域ｅ （Ａ）
がフォトダイオード八を構成するＰ＋型半導体領域、同
図における右側のｔ導体領域ｅ （Ｂ）がフォトダイオ
ードＢを構成するＰ型半導体領域である。
ｆはＰ型−゛ｒ導体領域ｅ形成用の窓部ｄに形成された
Ｓ ｉ ０２１ｆ！Ｊ （膜ＪＷ ２００ ＯＡ ）、
ｇ ハフ イールド絶縁膜Ｃ及び５ｉＯ２１１Ｑｆ上
に全面的に形成されたナイトライド１漠（ＩＩＱ厚３０
００〜４０００人）である。
Ｓ ｉ ０２１ｆ！Ｊ （膜ＪＷ ２００ ＯＡ ）、
ｇ ハフ イールド絶縁膜Ｃ及び５ｉＯ２１１Ｑｆ上
に全面的に形成されたナイトライド１漠（ＩＩＱ厚３０
００〜４０００人）である。
上記ナイトライド膜ｇは、自身ｇと窓部ｄを覆う約２０
００人の厚さのＳ ｉ Ｏ２１ｒＱ ｆによって無反射
条件を満たす透光性液ＨＱ ｈを構成するために形成し
たものであり、ナイトライドｌｌｌ２ｇは約３０００〜
４０００人の膜厚にすると約２０００人の５ｉ０２膜ｆ
とで無反射条件を満たす透光性被膜りを形成することか
できる。従って、窓部ｄ内に入射された光はそのナイト
ライド膜ｇと５ｉ０２膜ｆとからなる透光性被膜りを透
過して半導体領域ｅからなるフォトダイオードＡ、Ｂ等
によって受光される。尚、フォトダイオード間上には７
０００人のフィールド絶縁膜Ｃか存在し、そのトにナイ
トライド膜ｇがイｆ、在しているか、７０００人のフィ
ールド絶縁１１（ｃと３０００〜４０００人のナイトラ
イド膜ｇからは無反射条件を満たさない被膜、即ち、反
射＋１１被１１Ｑｌか形成される。従って、フォトダイ
オードＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄ同上に入射した光は反射性被膜ｉ
にＪ−って反射され、フォトダイオードＡ、Ｂ、Ｃ１Ｄ
によって受光されることはない。
００人の厚さのＳ ｉ Ｏ２１ｒＱ ｆによって無反射
条件を満たす透光性液ＨＱ ｈを構成するために形成し
たものであり、ナイトライドｌｌｌ２ｇは約３０００〜
４０００人の膜厚にすると約２０００人の５ｉ０２膜ｆ
とで無反射条件を満たす透光性被膜りを形成することか
できる。従って、窓部ｄ内に入射された光はそのナイト
ライド膜ｇと５ｉ０２膜ｆとからなる透光性被膜りを透
過して半導体領域ｅからなるフォトダイオードＡ、Ｂ等
によって受光される。尚、フォトダイオード間上には７
０００人のフィールド絶縁膜Ｃか存在し、そのトにナイ
トライド膜ｇがイｆ、在しているか、７０００人のフィ
ールド絶縁１１（ｃと３０００〜４０００人のナイトラ
イド膜ｇからは無反射条件を満たさない被膜、即ち、反
射＋１１被１１Ｑｌか形成される。従って、フォトダイ
オードＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄ同上に入射した光は反射性被膜ｉ
にＪ−って反射され、フォトダイオードＡ、Ｂ、Ｃ１Ｄ
によって受光されることはない。
（Ｄ、発明が解決しようとする問題点）［第７図乃至第
１０図］ どころで、コンパクトディスクプレイヤにおいてはジッ
タが問題になっていた。このジッタとは第７図に示すよ
うな受光領域Ｐ１で検出されたＲＦ（、’ｉ号のゼロク
ロス点のずれのことをいう。即ち、受光領域Ｐ１で検出
されたＲＦ信号の波形は第７図に示すようなアイパター
ンと称される波形になり、時間軸」二に所定の時間間隔
をおいて存在１−るセロクロス点でゼロクロスしなけれ
ばならないようになっており、どのゼロクロス点でゼロ
クロスするかによってビットの長さが判断できる。
１０図］ どころで、コンパクトディスクプレイヤにおいてはジッ
タが問題になっていた。このジッタとは第７図に示すよ
うな受光領域Ｐ１で検出されたＲＦ（、’ｉ号のゼロク
ロス点のずれのことをいう。即ち、受光領域Ｐ１で検出
されたＲＦ信号の波形は第７図に示すようなアイパター
ンと称される波形になり、時間軸」二に所定の時間間隔
をおいて存在１−るセロクロス点でゼロクロスしなけれ
ばならないようになっており、どのゼロクロス点でゼロ
クロスするかによってビットの長さが判断できる。
ところが、実際にはアイパターンが本来ゼロクずへきゼ
ロクロス点からずれた点でゼロクロスしてしまい読取り
性能が低下してしまうという問題があった。第８図は第
７図における１つのセロクロス部■を拡大して示すジッ
タの説明図であり、実線が本来あるべきパターンを示し
、破線が実際のパターンを示すものであり、本来ゼロク
ロスすべきゼロクロス点と実際のゼロクロス点とのずれ
△ｔをジッタと称する。そして、このジッタ△ｔが大き
くなる程光ピックアップの読取り性能が低下するのでこ
のジッタ△ｔを小さくする必要がある。ジッタ△ｔはコ
ンパクトディスクの加Ｆ粒度が低い頃は非常に大きかっ
たか、加工精度の著しい向１−により比較的小さくなり
、現在の加工精度の不充分さに起因するジッタはもはや
なくなったとまでいわれている。しかし、ジッタが完全
になくなったわけではない。そこで、ジッタを０にずべ
く研究を進めたところ受光領域Ｐ１における光学特性が
ジッタと関連性を４１することが判明した。この点につ
いて説明すると次のとおりである。
ロクロス点からずれた点でゼロクロスしてしまい読取り
性能が低下してしまうという問題があった。第８図は第
７図における１つのセロクロス部■を拡大して示すジッ
タの説明図であり、実線が本来あるべきパターンを示し
、破線が実際のパターンを示すものであり、本来ゼロク
ロスすべきゼロクロス点と実際のゼロクロス点とのずれ
△ｔをジッタと称する。そして、このジッタ△ｔが大き
くなる程光ピックアップの読取り性能が低下するのでこ
のジッタ△ｔを小さくする必要がある。ジッタ△ｔはコ
ンパクトディスクの加Ｆ粒度が低い頃は非常に大きかっ
たか、加工精度の著しい向１−により比較的小さくなり
、現在の加工精度の不充分さに起因するジッタはもはや
なくなったとまでいわれている。しかし、ジッタが完全
になくなったわけではない。そこで、ジッタを０にずべ
く研究を進めたところ受光領域Ｐ１における光学特性が
ジッタと関連性を４１することが判明した。この点につ
いて説明すると次のとおりである。
受光領域に入射されるところのＲＦ信号により変調され
たレーザビームは、低い周波数成分がヒームスボッ］・
の中心部により多く分布し、高い周波数成分がビームス
ポットの周縁部により多く分布し、そして、その周縁部
に分布する高い周波数成分がジッタを生ゼしぬる性質を
有していることが判明した。
たレーザビームは、低い周波数成分がヒームスボッ］・
の中心部により多く分布し、高い周波数成分がビームス
ポットの周縁部により多く分布し、そして、その周縁部
に分布する高い周波数成分がジッタを生ゼしぬる性質を
有していることが判明した。
力、受光領域Ｐ１における感度分布は第９図に示すよう
に中心部Ｏでは０になり、それから離れると所定の感度
を持つようなパターンになり、そして、従来においては
中心部における感度が０ないしはそわに近い非常に低い
領域、即ち、不感領域の幅が広かった。つまり、低い周
波数成分のビームを受ける中心部に不感領域が比較的広
く存在していた。そのため、周波数感度特性は第１Ｏ図
に示すように低い周波数帯域、即ち低域で感度が大きく
落ちてしまうパターンになってしまう。従って、イ８号
全体に占めるジッタを起こす高い周波数成分の割合が比
較的大きく、このことがジッタをより小さくすることの
大きな妨げになっていた。
に中心部Ｏでは０になり、それから離れると所定の感度
を持つようなパターンになり、そして、従来においては
中心部における感度が０ないしはそわに近い非常に低い
領域、即ち、不感領域の幅が広かった。つまり、低い周
波数成分のビームを受ける中心部に不感領域が比較的広
く存在していた。そのため、周波数感度特性は第１Ｏ図
に示すように低い周波数帯域、即ち低域で感度が大きく
落ちてしまうパターンになってしまう。従って、イ８号
全体に占めるジッタを起こす高い周波数成分の割合が比
較的大きく、このことがジッタをより小さくすることの
大きな妨げになっていた。
本発明はこのような問題点を解決すべく為されたもので
あり、１つの受光領域を構成する複数の受光素子の間の
部分に入射された光に対する感度を向Ｊ−させることを
目的と′４−る。
あり、１つの受光領域を構成する複数の受光素子の間の
部分に入射された光に対する感度を向Ｊ−させることを
目的と′４−る。
（Ｅ、問題点を解決するだめのＬ段）
本発明受光装置は上記問題点を解決するため、一つの受
光領域を構成する各受光素７間上にも透光性被膜を形成
してなることを特徴とする。
光領域を構成する各受光素７間上にも透光性被膜を形成
してなることを特徴とする。
（Ｆ、作用）
本発明受光装置によれば、受光素子間１−に入射された
光もそこで反射されることなく透光子′Ｆ被被膜通って
各受光素子の隣接する相丁受光素ｒ側の部分に入射され
得る。従って、丼受光素ｒ−間１−に入射される光に対
する感度を向トさせることができる。
光もそこで反射されることなく透光子′Ｆ被被膜通って
各受光素子の隣接する相丁受光素ｒ側の部分に入射され
得る。従って、丼受光素ｒ−間１−に入射される光に対
する感度を向トさせることができる。
（Ｇ、実施例）［第１図乃１１第４図］以ド、本発明受
光装置を図示実施例に従って詳細に説明する。
光装置を図示実施例に従って詳細に説明する。
（ａ、構成）［第１図］
第１図は本発明受光装置の一つの実施例を示す断面図で
ある。
ある。
図面において、１はｎ＋型のシリコン半導体基板、２は
該゛れ導体基板１トに形成されたｎ−型の゛ト導体層、
３は受光領域Ｐ１と他の受光領域とを遮ぎるｎ＋型半導
体領域、４はフォトダイオードを構成するＰ型の半導体
領域で、４（Ａ）がフォトダイオードＡを、４（Ｂ）が
フォトダイオードＢを、４（Ｅ）がフォトダイオードＥ
を、４（Ｆ）がフォトダイオードＦを構成している。
該゛れ導体基板１トに形成されたｎ−型の゛ト導体層、
３は受光領域Ｐ１と他の受光領域とを遮ぎるｎ＋型半導
体領域、４はフォトダイオードを構成するＰ型の半導体
領域で、４（Ａ）がフォトダイオードＡを、４（Ｂ）が
フォトダイオードＢを、４（Ｅ）がフォトダイオードＥ
を、４（Ｆ）がフォトダイオードＦを構成している。
上記を導体領域３及び４は半導体層２の表面部にＰ型不
純物を選択的に拡散することにより形成されたものであ
る。５は受光領域Ｐ１を構成するフォトダイオードＡと
フォトダイオードＢとの間の部分である。
純物を選択的に拡散することにより形成されたものであ
る。５は受光領域Ｐ１を構成するフォトダイオードＡと
フォトダイオードＢとの間の部分である。
６は半導体層２表面に直接且つ全面的に形成された５１
０２ｇで、２０００人の厚さを有している。７は該５ｉ
ｎ２膜６上に全面的に形成されたナイトライド１１ｑで
、３０００〜４０００人の１漠Ｊ１ノを有している。上
記５ｉｎ２膜６とナイトライド膜７は無反射条件を満た
す透光性被膜を構成し、この透光性被膜が受光装置の表
面に全面的に形成されている。従って受光領域Ｐ１を構
成するフォトダイオードＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄ （Ｃ，Ｄは第
１図に現われないので第５図参照のこと）１−だけでな
く、各フォトダイオード間５１−も透光性被膜６．７に
よって被覆されており、この点で各フォトダイオード上
しか透光性液１１Ｑ ｈで覆われていない第６図に示し
た受光装置とは全く異なっている。
０２ｇで、２０００人の厚さを有している。７は該５ｉ
ｎ２膜６上に全面的に形成されたナイトライド１１ｑで
、３０００〜４０００人の１漠Ｊ１ノを有している。上
記５ｉｎ２膜６とナイトライド膜７は無反射条件を満た
す透光性被膜を構成し、この透光性被膜が受光装置の表
面に全面的に形成されている。従って受光領域Ｐ１を構
成するフォトダイオードＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄ （Ｃ，Ｄは第
１図に現われないので第５図参照のこと）１−だけでな
く、各フォトダイオード間５１−も透光性被膜６．７に
よって被覆されており、この点で各フォトダイオード上
しか透光性液１１Ｑ ｈで覆われていない第６図に示し
た受光装置とは全く異なっている。
（ｂ、製造方法）［第２図］
第２図（Ａ）乃至（Ｅ）は第１図に示した受光装置の製
造方法の一例をに栓類に示すものである。
造方法の一例をに栓類に示すものである。
（Ａ）表面にｎ−型半導体層２が形成されたｎ＋型半導
体基板１を用意し、゛ｉ導体層２の表面部に加熱酸化に
より５ｉｎ２からなるフィールド絶縁膜８を形成した後
該フィールド絶縁膜８をフォトエツチングで選択的に除
去することによりフォトダイオード形成用の窓部９を形
成する。第２図（Ａ）は窓部９形成後の状態を示す。
体基板１を用意し、゛ｉ導体層２の表面部に加熱酸化に
より５ｉｎ２からなるフィールド絶縁膜８を形成した後
該フィールド絶縁膜８をフォトエツチングで選択的に除
去することによりフォトダイオード形成用の窓部９を形
成する。第２図（Ａ）は窓部９形成後の状態を示す。
（Ｂ）次に、ｆＺ記窓部９を通じて半導体層２の表面部
にＰ型不純物を拡散してフォトダイオード４を形成する
。１０はその拡散の際窓部９の表面に形成されたＳ ｉ
Ｏ２ＴＩＱ、である。第２図（Ｂ）は拡散処理により
フォトダイオード４を形成した後の状態を示す。
にＰ型不純物を拡散してフォトダイオード４を形成する
。１０はその拡散の際窓部９の表面に形成されたＳ ｉ
Ｏ２ＴＩＱ、である。第２図（Ｂ）は拡散処理により
フォトダイオード４を形成した後の状態を示す。
（Ｃ）次に、第２図（Ｃ）に示すように半導体層２上の
フィールド絶縁膜８、Ｓ ｉ Ｏ２膜１０をずべて除去
する。
フィールド絶縁膜８、Ｓ ｉ Ｏ２膜１０をずべて除去
する。
（Ｄ）その後、加熱酸化により第２図（Ｄ）に示すよう
にｔ導体層２表面上に２０００人の膜厚の５ｉｎ２膜６
を形成する。
にｔ導体層２表面上に２０００人の膜厚の５ｉｎ２膜６
を形成する。
（Ｅ）しかる後、ＣｖＤにより第２図（Ｅ） に示すよ
うにＳｉＯ２膜６上に３０００〜４０００人の膜厚を有
するナイトライド膜７を形成することによって第１図に
示すような受光装置を得ることができる。
うにＳｉＯ２膜６上に３０００〜４０００人の膜厚を有
するナイトライド膜７を形成することによって第１図に
示すような受光装置を得ることができる。
尚、半導体領域３は半導体領域４の形成のＩ）ηまたは
後に半導体領域４の形成工程と同じような工程で形成す
ることができるのて特に説明はしなかった。
後に半導体領域４の形成工程と同じような工程で形成す
ることができるのて特に説明はしなかった。
（ｃ、特性）［第３図、第４図１
第１図に示すような受光装置は前述のとおり受光領域Ｐ
１を構成する各フォ］・ダイオード間５上にも無反射条
件を満たす透光性被膜６．７が形成されているので、フ
ォトダイオード間５１−に入射された光もその被膜６．
７で反射されることなくその被膜６．７を通り受光領域
Ｐｉを構成する各フォトダイオードＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄの互
いに隣接するダイオード側の部分に入射し、そこで受光
される。従って、受光領域Ｐ１の中心部０（第５図参照
）における感度が上昇し、その結果、第３図に示すよう
な感度分布を得ることができる。この感度分布を第９図
に示した従来の受光装置の感度分布と比較すると中心部
Ｏにるいて感度が低ドしている部分の幅が非常に狭くな
っており、中心部Ｏ（１近に入射した光も受光されるこ
とが明らかである。従って、受光領域Ｐ１の周波数感度
特性は第４図に小ずようになり、第１０図に示した従来
の受光装置のそれとは低周波帯域における感度低下かな
いという点で異なっている。従って、受光領域Ｐ１にお
いて検出したＲＦ信号に占める高域成分の割合が従来の
場合と比較して少なくなり、延いてはジッタが小さくな
る。
１を構成する各フォ］・ダイオード間５上にも無反射条
件を満たす透光性被膜６．７が形成されているので、フ
ォトダイオード間５１−に入射された光もその被膜６．
７で反射されることなくその被膜６．７を通り受光領域
Ｐｉを構成する各フォトダイオードＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄの互
いに隣接するダイオード側の部分に入射し、そこで受光
される。従って、受光領域Ｐ１の中心部０（第５図参照
）における感度が上昇し、その結果、第３図に示すよう
な感度分布を得ることができる。この感度分布を第９図
に示した従来の受光装置の感度分布と比較すると中心部
Ｏにるいて感度が低ドしている部分の幅が非常に狭くな
っており、中心部Ｏ（１近に入射した光も受光されるこ
とが明らかである。従って、受光領域Ｐ１の周波数感度
特性は第４図に小ずようになり、第１０図に示した従来
の受光装置のそれとは低周波帯域における感度低下かな
いという点で異なっている。従って、受光領域Ｐ１にお
いて検出したＲＦ信号に占める高域成分の割合が従来の
場合と比較して少なくなり、延いてはジッタが小さくな
る。
即ち、本発明受光装置を光ピツクアップの受光装置に適
用することによってジッタを小さくすることができるの
である。実際には本発明の適用の結果ジッタの規格につ
いてマージンが増え、その結果歩留りが３％以」二も向
上するという形で効果か現われている。
用することによってジッタを小さくすることができるの
である。実際には本発明の適用の結果ジッタの規格につ
いてマージンが増え、その結果歩留りが３％以」二も向
上するという形で効果か現われている。
尚、透光性被膜は必ずしも受光装置の全面に形成するこ
とは必要ではなく、受光領域Ｐｌ上と受光領域Ｐ ２
にと受光領域Ｐ３−トにのみ透光性被膜を形成するよう
にしても良い。また、透光性被膜は無反射条件を満たし
、透光性を有すれば必ずしもナイトライド膜と５ｉ０２
膜との二層構造にしなければならないということはない
。
とは必要ではなく、受光領域Ｐｌ上と受光領域Ｐ ２
にと受光領域Ｐ３−トにのみ透光性被膜を形成するよう
にしても良い。また、透光性被膜は無反射条件を満たし
、透光性を有すれば必ずしもナイトライド膜と５ｉ０２
膜との二層構造にしなければならないということはない
。
（Ｈ，発明の効果）
以上に述べたように、本発明受光装置は、ｒ７いに分離
された複数の受光素子によって形成された一つの受光領
域を有する受光装置において、上記各受光素子間上にも
透光性被膜を形成してなることを特徴とする。
された複数の受光素子によって形成された一つの受光領
域を有する受光装置において、上記各受光素子間上にも
透光性被膜を形成してなることを特徴とする。
従って、本発明受光装置によれば、受光素子間上に入射
された光もそこで反射されることなく透光性被膜を通っ
て各受光素ｒに入射される。依って、各受光素ｒ−間に
入射される光に対する感度を向上させることができる。
された光もそこで反射されることなく透光性被膜を通っ
て各受光素ｒに入射される。依って、各受光素ｒ−間に
入射される光に対する感度を向上させることができる。
第１図は本発明受光装置の一つの実施例を、Ｒず断面図
で、第２図は（Ａ）乃至（Ｅ）は受光装置の製造方法の
一例を工程順に示す断面図、第３図は本発明により得る
ことができた感度外イａ特性を示す感度分布曲線図、第
４図は本発明により得ることがてきた周波数感度特性を
承す周波数感度時＋１曲線図、第５図は技術的背景を説
明するための受光装置の・Ｅ面図、第６図は受光装置の
従来における断面構造を示す断面図、第７図乃至第１０
図は発明が解決しようとする問題点を説明するためのも
のて、第７図はアイパターンを示す波形図、第８図は第
７図のゼロクロス部分を拡大して示すジッタの説明図、
第９図は従来の感度分布を示す感度分布曲線図、第１０
図は従来の周波数感度特性を示す周波数感度特性曲線図
である。 符−号の説明 Ｐｌ・・・受光領域、 ４ （Ａ、Ｂ）・・・受光素子、 ５・・・受光素子間、 ６．７・・・透光性被膜。 〜 メ Ｖ ０寸 ■の寸 〆一−ｌ−１
で、第２図は（Ａ）乃至（Ｅ）は受光装置の製造方法の
一例を工程順に示す断面図、第３図は本発明により得る
ことができた感度外イａ特性を示す感度分布曲線図、第
４図は本発明により得ることがてきた周波数感度特性を
承す周波数感度時＋１曲線図、第５図は技術的背景を説
明するための受光装置の・Ｅ面図、第６図は受光装置の
従来における断面構造を示す断面図、第７図乃至第１０
図は発明が解決しようとする問題点を説明するためのも
のて、第７図はアイパターンを示す波形図、第８図は第
７図のゼロクロス部分を拡大して示すジッタの説明図、
第９図は従来の感度分布を示す感度分布曲線図、第１０
図は従来の周波数感度特性を示す周波数感度特性曲線図
である。 符−号の説明 Ｐｌ・・・受光領域、 ４ （Ａ、Ｂ）・・・受光素子、 ５・・・受光素子間、 ６．７・・・透光性被膜。 〜 メ Ｖ ０寸 ■の寸 〆一−ｌ−１
Claims (1)
- （１）互いに分離された複数の受光素子によって形成さ
れた一つの受光領域を有する受光装置において、 上記各受光素間上にも透光性被膜を形成してなることを
特徴とする受光装置
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61233999A JP2757985B2 (ja) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | 受光装置とその製造方法 |
| US07/095,237 US4837429A (en) | 1986-10-01 | 1987-09-11 | Photodetector for use with an optical recording medium |
| KR1019870010325A KR960008578B1 (ko) | 1986-10-01 | 1987-09-17 | 수광장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61233999A JP2757985B2 (ja) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | 受光装置とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6388870A true JPS6388870A (ja) | 1988-04-19 |
| JP2757985B2 JP2757985B2 (ja) | 1998-05-25 |
Family
ID=16963966
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61233999A Expired - Lifetime JP2757985B2 (ja) | 1986-10-01 | 1986-10-01 | 受光装置とその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4837429A (ja) |
| JP (1) | JP2757985B2 (ja) |
| KR (1) | KR960008578B1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01248676A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Matsushita Electron Corp | 光半導体装置 |
| JPH02183573A (ja) * | 1989-01-10 | 1990-07-18 | Matsushita Electron Corp | 光半導体装置 |
| JPH04180269A (ja) * | 1990-11-14 | 1992-06-26 | Sharp Corp | 回路内蔵受光素子 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63311630A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-20 | Csk Corp | カ−ド型光記録媒体用光検出器 |
| NL8901629A (nl) * | 1989-06-28 | 1991-01-16 | Philips Nv | Stralingsgevoelige halfgeleiderinrichting en uitlees- of schrijfeenheid bevattende een dergelijke stralingsgevoelige halfgeleiderinrichting. |
| JP2795528B2 (ja) * | 1990-07-25 | 1998-09-10 | パイオニア株式会社 | 信号検出装置 |
| US5215928A (en) * | 1990-09-07 | 1993-06-01 | Sony Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device for optical pick-up |
| JP2861340B2 (ja) * | 1990-09-07 | 1999-02-24 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
| JP2705326B2 (ja) * | 1991-02-19 | 1998-01-28 | 日本電気株式会社 | 光磁気ヘッド装置 |
| US6243131B1 (en) | 1991-05-13 | 2001-06-05 | Interactive Pictures Corporation | Method for directly scanning a rectilinear imaging element using a non-linear scan |
| JPH0818093A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Sony Corp | 半導体受光素子及び半導体装置並びにそれらの作製方法 |
| JP2731115B2 (ja) * | 1994-07-14 | 1998-03-25 | シャープ株式会社 | 分割型受光素子 |
| US20090245068A1 (en) * | 2008-03-31 | 2009-10-01 | Panasonic Corporation | Optical pickup device and optical disc drive |
Citations (3)
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| JPS55151375A (en) * | 1979-05-14 | 1980-11-25 | Pioneer Electronic Corp | Photoelectric converter |
| JPS5748275A (en) * | 1980-07-07 | 1982-03-19 | Philips Nv | Radiation sensitive semiconductor device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4488163A (en) * | 1981-01-19 | 1984-12-11 | Westinghouse Electric Corp. | Highly isolated photodetectors |
-
1986
- 1986-10-01 JP JP61233999A patent/JP2757985B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-09-11 US US07/095,237 patent/US4837429A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-09-17 KR KR1019870010325A patent/KR960008578B1/ko not_active IP Right Cessation
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| JPH01248676A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-04 | Matsushita Electron Corp | 光半導体装置 |
| JPH02183573A (ja) * | 1989-01-10 | 1990-07-18 | Matsushita Electron Corp | 光半導体装置 |
| JPH04180269A (ja) * | 1990-11-14 | 1992-06-26 | Sharp Corp | 回路内蔵受光素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4837429A (en) | 1989-06-06 |
| KR880005696A (ko) | 1988-06-30 |
| KR960008578B1 (ko) | 1996-06-28 |
| JP2757985B2 (ja) | 1998-05-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |