JPS6386585A - 半導体レ−ザ出力制御装置 - Google Patents
半導体レ−ザ出力制御装置Info
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- JPS6386585A JPS6386585A JP23208686A JP23208686A JPS6386585A JP S6386585 A JPS6386585 A JP S6386585A JP 23208686 A JP23208686 A JP 23208686A JP 23208686 A JP23208686 A JP 23208686A JP S6386585 A JPS6386585 A JP S6386585A
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- JP
- Japan
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- circuit
- semiconductor laser
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005070 sampling Methods 0.000 abstract description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06825—Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Dot-Matrix Printers And Others (AREA)
- Laser Beam Printer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明はレーザプリンタ、レーザファックス等に用いら
れる半導体レーザの出力を安定化させる半導体レーザ出
力制御装置に関する。
れる半導体レーザの出力を安定化させる半導体レーザ出
力制御装置に関する。
（従来技術）
従来半導体レーザ出力制御装置としては半導体レーザの
光出力を光検出回路で検出してコンパレータで基準値と
比較し、この結果によりアップダウンカウンタをアップ
カウント又はダウンカウントさせてそのカウント値に応
じた電流を半導体レーザに流すものが知られている。ま
た半導体レーザの光出力を光検出器で検出して誤差増幅
器で基準値との誤差を増幅し、その出力をタイミング信
号によりサンプルホールドしてその出力により半導体レ
ーザを駆動するものが提案されている。
光出力を光検出回路で検出してコンパレータで基準値と
比較し、この結果によりアップダウンカウンタをアップ
カウント又はダウンカウントさせてそのカウント値に応
じた電流を半導体レーザに流すものが知られている。ま
た半導体レーザの光出力を光検出器で検出して誤差増幅
器で基準値との誤差を増幅し、その出力をタイミング信
号によりサンプルホールドしてその出力により半導体レ
ーザを駆動するものが提案されている。
しかし後者では半導体レーザが点灯していない時にサン
プルホールド回路がサンプルモードになると、半導体レ
ーザに過大な電流が流れて半導体レーザが劣化してしま
う。
プルホールド回路がサンプルモードになると、半導体レ
ーザに過大な電流が流れて半導体レーザが劣化してしま
う。
（目 的）
本発明は上記欠点を除去し、半導体レーザを劣化させる
ことなく常に安定に制御することができる半導体レーザ
出力制御装置を提供することを目的とする。
ことなく常に安定に制御することができる半導体レーザ
出力制御装置を提供することを目的とする。
（構 成）
本発明は光検出回路、誤差増幅器、サンプルホールド回
路、半導体レーザ駆動回路、保護回路及び初期値設定回
路を有し、半導体レーザの光出力を光検出回路で検出し
て誤差増幅器で基準値との誤差を増幅する。そしてこの
誤差増幅器の出力信号をサンプルホールド回路でタイミ
ング信号によりサンプルホールドしてその出力信号に応
じて半導体レーザ駆動回路で半導体レーザを駆動し、保
護回路により光検出回路の出力信号が所定値以下の時に
上記タイミング信号を禁止し、さらに初期値設定回路に
より回路系のリセット信号が発生してから所定時間後に
光検出回路の出力信号にかかわらずサンプルホールド回
路をサンプルモードにする。
路、半導体レーザ駆動回路、保護回路及び初期値設定回
路を有し、半導体レーザの光出力を光検出回路で検出し
て誤差増幅器で基準値との誤差を増幅する。そしてこの
誤差増幅器の出力信号をサンプルホールド回路でタイミ
ング信号によりサンプルホールドしてその出力信号に応
じて半導体レーザ駆動回路で半導体レーザを駆動し、保
護回路により光検出回路の出力信号が所定値以下の時に
上記タイミング信号を禁止し、さらに初期値設定回路に
より回路系のリセット信号が発生してから所定時間後に
光検出回路の出力信号にかかわらずサンプルホールド回
路をサンプルモードにする。
次に図面を参照しながら本発明の実施例について説明す
る。
る。
第１図は本発明の実施例を示す。
半導体レーザ１は１ノーザプリンタ等に光源として用い
られるものであり、その後方に出射される光出力がフォ
トダイオード２により検出される。
られるものであり、その後方に出射される光出力がフォ
トダイオード２により検出される。
このフォ１−ダイオード２と増幅器３は光検出回路を構
成し、フォトダイオード２は半導体レーザ１の光出力に
比例した電流を発生してこの電流が増幅器３により電圧
に変換される。増幅器３の出力信号は誤差増幅器４で基
準電圧Ｖｒｅｆとの誤差が増幅されてサンプルホールド
回路５でタイミング信号によりサンプルホールドされ、
半導体レーザ駆動回路６がサンプルホールド回路５の出
力信号に応じた電流で半導体レーザ１を変調信号により
駆動する。よって半導体レーザ１の駆動電流が基準電圧
Ｖｒｅｆに応じた値に安定化されて半導体レーザ１の光
出力が一定に制御され、かつ半導体レーザ１が変調信号
によりオン／オフされる。この変調信号はゲート７及び
オア回路８を通してサンプルホールド回路５にタイミン
グ信号（ザンプル信号）として加えられ、また増幅器３
の出力信号は比較器９で所定のスレッシュレベルＶＴＩ
＋と比較されてこのスレッシュレベルＶＴＩ＋ 以下か
否かが判定される。比較器９の出力信号はゲート７に加
えられ、半導体レーザ１の光出力が所定値以下で増幅器
３の出力信号がスレッシュレベルＶ Ｔ Ｒ以下の時に
はゲート７がオフして上記タイミング信号が禁止される
ことによりサンプルホールド回路５のサンプルが禁止さ
れる。このため半導体レーザ１が点灯していない時には
サンプルホールド回路５のサンプルが禁止されて半導体
レーザ１には過大な電流が流わなくなり、半導体レーザ
１が劣化しなくなる。
成し、フォトダイオード２は半導体レーザ１の光出力に
比例した電流を発生してこの電流が増幅器３により電圧
に変換される。増幅器３の出力信号は誤差増幅器４で基
準電圧Ｖｒｅｆとの誤差が増幅されてサンプルホールド
回路５でタイミング信号によりサンプルホールドされ、
半導体レーザ駆動回路６がサンプルホールド回路５の出
力信号に応じた電流で半導体レーザ１を変調信号により
駆動する。よって半導体レーザ１の駆動電流が基準電圧
Ｖｒｅｆに応じた値に安定化されて半導体レーザ１の光
出力が一定に制御され、かつ半導体レーザ１が変調信号
によりオン／オフされる。この変調信号はゲート７及び
オア回路８を通してサンプルホールド回路５にタイミン
グ信号（ザンプル信号）として加えられ、また増幅器３
の出力信号は比較器９で所定のスレッシュレベルＶＴＩ
＋と比較されてこのスレッシュレベルＶＴＩ＋ 以下か
否かが判定される。比較器９の出力信号はゲート７に加
えられ、半導体レーザ１の光出力が所定値以下で増幅器
３の出力信号がスレッシュレベルＶ Ｔ Ｒ以下の時に
はゲート７がオフして上記タイミング信号が禁止される
ことによりサンプルホールド回路５のサンプルが禁止さ
れる。このため半導体レーザ１が点灯していない時には
サンプルホールド回路５のサンプルが禁止されて半導体
レーザ１には過大な電流が流わなくなり、半導体レーザ
１が劣化しなくなる。
また初期値設定回路１０は回路系のリセット信号（電源
投入により発生して回路系をリセットするリセット信号
）が発生してから所定時間後にタイミング信号を発生し
、このタイミング信号はオア回路８を通ってサンプルホ
ールド回路５をサンプルモードとする。
投入により発生して回路系をリセットするリセット信号
）が発生してから所定時間後にタイミング信号を発生し
、このタイミング信号はオア回路８を通ってサンプルホ
ールド回路５をサンプルモードとする。
第２図は初期値設定回路１０の一例を示す。
Ｄフリップフロップ１１．１２及びアンド回路１３は上
記回路系のリセット信号の立下りでパルスを発生し、こ
のパルスによりフリップフロップ１４がセツトされて上
記変調信号によりフリップフロップ１４がリセットされ
る。このフリップフロップ１４の出力信号がオア回路８
を介してサンプルホールド回路５ヘタイミング信号とし
て送られる。
記回路系のリセット信号の立下りでパルスを発生し、こ
のパルスによりフリップフロップ１４がセツトされて上
記変調信号によりフリップフロップ１４がリセットされ
る。このフリップフロップ１４の出力信号がオア回路８
を介してサンプルホールド回路５ヘタイミング信号とし
て送られる。
第３図は初期値設定回路１０の他の例を示す。
ワンショット回路１５は上記回路系のリセット信号の立
下りによりワンショットのパルスを発生し、このパルス
がオア回路８を介してサンプルホールド回路５にタイミ
ング信号として送られる。
下りによりワンショットのパルスを発生し、このパルス
がオア回路８を介してサンプルホールド回路５にタイミ
ング信号として送られる。
第４図は本発明の他の実施例を示す。
この実施例は上記実施例において初期値設定回路１６を
比較器９とゲート７との間に設けたものである。初期値
設定回路１６は例えば第５図に示すようにカウンタ１７
、ブリップフロップ１８及びオア回路１９で構成される
。カウンタ１７は上記回路系のリセット信号によりセッ
トされ、クロックを所定数カウントすると、出力信号を
生ずる。フリップフロップ１３はカウンタ１７の出力信
号の立上りでセットされ、比較器９の出力信号によりセ
ットされる。
比較器９とゲート７との間に設けたものである。初期値
設定回路１６は例えば第５図に示すようにカウンタ１７
、ブリップフロップ１８及びオア回路１９で構成される
。カウンタ１７は上記回路系のリセット信号によりセッ
トされ、クロックを所定数カウントすると、出力信号を
生ずる。フリップフロップ１３はカウンタ１７の出力信
号の立上りでセットされ、比較器９の出力信号によりセ
ットされる。
このフリップフロップ１３及び比較器９の出力信号がオ
ア回路１９を介してゲート７に加えられ、増幅器３の出
力信号がスレッシュレベルＶ Ｔ Ｈ以下でない時及び
フリップフロップ１８のセット時にはゲート７が開いて
変調信号がサンプルホールド回路５に加えられる。
ア回路１９を介してゲート７に加えられ、増幅器３の出
力信号がスレッシュレベルＶ Ｔ Ｈ以下でない時及び
フリップフロップ１８のセット時にはゲート７が開いて
変調信号がサンプルホールド回路５に加えられる。
第６図は初期値設定回路１６の他の例を示す。
ワンショット回路２０は上記回路系のリセット信号の立
下りでパルスを発生してこのパルスと比較器９の出力信
号がオア回路２１を介してゲート７に加えられる。
下りでパルスを発生してこのパルスと比較器９の出力信
号がオア回路２１を介してゲート７に加えられる。
（効 果）
以上のように本発明によれば半導体レーザの光出力を光
検出回路で検出して誤差増幅器で基準値との誤差を増幅
しその出力をサンプルホールド回路でタイミング信号に
よりサンプルホールドしてその出力に応じて半導体レー
ザ駆動回路で半導体レーザを駆動する半導体レーザ出力
制御装置において、上記光検出回路の出力信号が所定値
以下の時に」１記タイミング信号を禁止する保護回路と
、回路系のリセット信号が発生してから所定時間後に上
記光検出回路の出力信号にかかわらず上記サンプルホー
ルド回路をサンプルモードとする初期値設定回路とを設
けたので、半導体レーザを劣化させることなく安定に制
御することができる。
検出回路で検出して誤差増幅器で基準値との誤差を増幅
しその出力をサンプルホールド回路でタイミング信号に
よりサンプルホールドしてその出力に応じて半導体レー
ザ駆動回路で半導体レーザを駆動する半導体レーザ出力
制御装置において、上記光検出回路の出力信号が所定値
以下の時に」１記タイミング信号を禁止する保護回路と
、回路系のリセット信号が発生してから所定時間後に上
記光検出回路の出力信号にかかわらず上記サンプルホー
ルド回路をサンプルモードとする初期値設定回路とを設
けたので、半導体レーザを劣化させることなく安定に制
御することができる。
第１図は本発明の一実施例を示すブロック図。
第２図及び第３図は初期値設定回路の各側を示すブロッ
ク図及びタイミングチャー１〜、第４図は本発明の他の
実施例を示すブロック図、第５図及び第６図は初期値設
定回路の各側を示すブロック図及びタイミングチャート
である。 Ｉ・・・・半導体レーザ、２，３・・・・光検出回路、
４・・・・誤差増幅器、訃・・・サンプルホールド回路
、６・・・・半導体レーザ駆動回路、７，９・・・・保
護回路、１０．１６・・・・初期値設定回路。
ク図及びタイミングチャー１〜、第４図は本発明の他の
実施例を示すブロック図、第５図及び第６図は初期値設
定回路の各側を示すブロック図及びタイミングチャート
である。 Ｉ・・・・半導体レーザ、２，３・・・・光検出回路、
４・・・・誤差増幅器、訃・・・サンプルホールド回路
、６・・・・半導体レーザ駆動回路、７，９・・・・保
護回路、１０．１６・・・・初期値設定回路。
Claims (1)
- 半導体レーザの光出力を検出する光検出回路と、この光
検出回路の出力信号と基準値との誤差増幅を行う誤差増
幅器と、この誤差増幅器の出力信号をタイミング信号に
よりサンプルホールドするサンプルホールド回路と、こ
のサンプルホールド回路の出力信号に応じて上記半導体
レーザを駆動する半導体レーザ駆動回路と、上記光検出
回路の出力信号が所定値以下の時に上記タイミング信号
を禁止する保護回路と、回路系のリセット信号が発生し
てから所定時間後に上記光検出回路の出力信号にかかわ
らず上記サンプルホールド回路をサンプルモードとする
初期値設定回路とを具備する半導体レーザ出力制御装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23208686A JPS6386585A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 半導体レ−ザ出力制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23208686A JPS6386585A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 半導体レ−ザ出力制御装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6386585A true JPS6386585A (ja) | 1988-04-16 |
Family
ID=16933779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23208686A Pending JPS6386585A (ja) | 1986-09-30 | 1986-09-30 | 半導体レ−ザ出力制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6386585A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008021907A (ja) * | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Texas Instr Japan Ltd | 発光素子駆動装置 |
| JP2011243697A (ja) * | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 半導体レーザー保護回路 |
-
1986
- 1986-09-30 JP JP23208686A patent/JPS6386585A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008021907A (ja) * | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Texas Instr Japan Ltd | 発光素子駆動装置 |
| JP2011243697A (ja) * | 2010-05-17 | 2011-12-01 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | 半導体レーザー保護回路 |
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