JPH0260074B2 - - Google Patents
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- JPH0260074B2 JPH0260074B2 JP59085517A JP8551784A JPH0260074B2 JP H0260074 B2 JPH0260074 B2 JP H0260074B2 JP 59085517 A JP59085517 A JP 59085517A JP 8551784 A JP8551784 A JP 8551784A JP H0260074 B2 JPH0260074 B2 JP H0260074B2
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- semiconductor laser
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 84
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 14
- 238000013139 quantization Methods 0.000 claims description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
- G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体レーザの制御装置、とくに半
導体レーザをパルス変調させた時のピーク出力の
安定化に関するものである。
導体レーザをパルス変調させた時のピーク出力の
安定化に関するものである。
従来の半導体レーザの制御装置として、半導体
レーザを記録信号で直接変調し、回転する円盤状
記録媒体に穴をあけてゆくことにより、記録を行
なう、追記型光デイスク装置における、半導体レ
ーザの制御装置がある。
レーザを記録信号で直接変調し、回転する円盤状
記録媒体に穴をあけてゆくことにより、記録を行
なう、追記型光デイスク装置における、半導体レ
ーザの制御装置がある。
この代表的なもの同一出願人による出願（特願
昭57−34903）がある。この従来例においては、
半導体レーザとともに、同一パツケージ中に装着
された、光検出器を使つて、半導体レーザの出力
を常時モニタし、パルス変調しない時は、その
まゝの出力を、パルス変調する時は、ボトム出力
モニタ電圧をピーク検知回路またはサンプルホー
ルド回路を使つて、取り出し規定のボトム出力に
相当する基準電圧（VB）とを比べて、半導体レ
ーザの駆動電流をフイードバツク制御する構成と
なつている。
昭57−34903）がある。この従来例においては、
半導体レーザとともに、同一パツケージ中に装着
された、光検出器を使つて、半導体レーザの出力
を常時モニタし、パルス変調しない時は、その
まゝの出力を、パルス変調する時は、ボトム出力
モニタ電圧をピーク検知回路またはサンプルホー
ルド回路を使つて、取り出し規定のボトム出力に
相当する基準電圧（VB）とを比べて、半導体レ
ーザの駆動電流をフイードバツク制御する構成と
なつている。
しかしながら、上記構成では、パルス変調する
時は、そのボトム出力側しか制御していないた
め、ピーク出力が半導体レーザの特性の温度ある
いは経年変化の影響を受けて変動することにな
る。半導体レーザは、この温度・経年変化によ
り、発振しきい値と、量子化効率が大きく変化す
る。このうち発振しきい値の温度・経年変化によ
る半導体レーザの出力変化を最小限にすることが
上記従来例の目的である。第１図は従来の半導体
レーザの制御装置の動作を説明するレーザ出力特
性図であり、半導体レーザの駆動電流対半導体レ
ーザ出力特性を示したものである。図において矢
印Ｇは発振しきい値の変化により半導体レーザ出
力特性が曲線Ａより曲線Ｂに変化したことを示
す。また矢印Ｈは量子化効率の変化により上記特
性が曲線Ｂより破線で示される曲線Ｃに変化した
ことを示す。VBはボトム出力、VPはパルス変調
された時のピーク出力、VRは変調パルス振巾、
RLは半導体レーザの負荷抵抗を示している。上
記従来の半導体レーザの制御装置では、半導体レ
ーザ出力特性が曲線Ａから曲線Ｂに変化した時
に、半導体レーザの駆動電流をａからｂに移動さ
せることにより、ボトム出力を安定化し、かつ第
１図に示されるように変調パルス振幅（VR）が
一定であつても量子化効率が変化しない限り、ピ
ーク出力の変化もまた最小限に押えられることを
利用し、間接的にピーク出力の安定化もなされて
いた。しかしながら量子化効率が変化すれば、変
化分に対応するだけピーク出力が変化することな
る。
時は、そのボトム出力側しか制御していないた
め、ピーク出力が半導体レーザの特性の温度ある
いは経年変化の影響を受けて変動することにな
る。半導体レーザは、この温度・経年変化によ
り、発振しきい値と、量子化効率が大きく変化す
る。このうち発振しきい値の温度・経年変化によ
る半導体レーザの出力変化を最小限にすることが
上記従来例の目的である。第１図は従来の半導体
レーザの制御装置の動作を説明するレーザ出力特
性図であり、半導体レーザの駆動電流対半導体レ
ーザ出力特性を示したものである。図において矢
印Ｇは発振しきい値の変化により半導体レーザ出
力特性が曲線Ａより曲線Ｂに変化したことを示
す。また矢印Ｈは量子化効率の変化により上記特
性が曲線Ｂより破線で示される曲線Ｃに変化した
ことを示す。VBはボトム出力、VPはパルス変調
された時のピーク出力、VRは変調パルス振巾、
RLは半導体レーザの負荷抵抗を示している。上
記従来の半導体レーザの制御装置では、半導体レ
ーザ出力特性が曲線Ａから曲線Ｂに変化した時
に、半導体レーザの駆動電流をａからｂに移動さ
せることにより、ボトム出力を安定化し、かつ第
１図に示されるように変調パルス振幅（VR）が
一定であつても量子化効率が変化しない限り、ピ
ーク出力の変化もまた最小限に押えられることを
利用し、間接的にピーク出力の安定化もなされて
いた。しかしながら量子化効率が変化すれば、変
化分に対応するだけピーク出力が変化することな
る。
そこで、このような半導体レーザのピーク出力
の制御をフイードバツク制御でやろうとすると、
パルス変調を開始する度に、引き込み動作が必要
となり、その整数時間はパルス変調する期間に比
べて無視できない大きさになる。また、整定時間
を短かくしようとすると変調開始時にピーク出力
が大きく変動するため、例えば、光デイスク装置
に用いた場合、良好な記録・再生ができない等の
問題が生じるため、上記整定時間を短かくするこ
とができなかつた。
の制御をフイードバツク制御でやろうとすると、
パルス変調を開始する度に、引き込み動作が必要
となり、その整数時間はパルス変調する期間に比
べて無視できない大きさになる。また、整定時間
を短かくしようとすると変調開始時にピーク出力
が大きく変動するため、例えば、光デイスク装置
に用いた場合、良好な記録・再生ができない等の
問題が生じるため、上記整定時間を短かくするこ
とができなかつた。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除
去するためになされたもので、半導体レーザの出
力を検出する光検出手段、この光検出手段より上
記半導体レーザのボトム出力を検知し、上記半導
体レーザの駆動電流を制御する第１の手段、上記
半導体レーザをパルス変調させた時のピーク出力
をパルス変調開始時に検知し、ホールドする検知
ホールド回路、及びこの検知ホールド回路の出力
と規定のボトム出力と規定のピーク出力から量子
化効率を計算し、パルス変調開始時以後の上記半
導体レーザの変調パルス振幅をフイードフオワー
ド制御する第２の手段で、半導体レーザの制御装
置を構成することにより、半導体レーザの量子化
効率の温度・経年変化に伴うピーク出力の変化を
も最小限にし、しかも短かい時間でピーク出力を
安定化できるものを提供しようとするものであ
る。
去するためになされたもので、半導体レーザの出
力を検出する光検出手段、この光検出手段より上
記半導体レーザのボトム出力を検知し、上記半導
体レーザの駆動電流を制御する第１の手段、上記
半導体レーザをパルス変調させた時のピーク出力
をパルス変調開始時に検知し、ホールドする検知
ホールド回路、及びこの検知ホールド回路の出力
と規定のボトム出力と規定のピーク出力から量子
化効率を計算し、パルス変調開始時以後の上記半
導体レーザの変調パルス振幅をフイードフオワー
ド制御する第２の手段で、半導体レーザの制御装
置を構成することにより、半導体レーザの量子化
効率の温度・経年変化に伴うピーク出力の変化を
も最小限にし、しかも短かい時間でピーク出力を
安定化できるものを提供しようとするものであ
る。
以下、この発明の一実施例を図について説明す
る。第２図はこの発明の一実施例による半導体レ
ーザの制御装置を示すブロツク図であり、図にお
いて、１は半導体レーザ、２は例えば半導体レー
ザ１と同一パツケージに納められた光検知器、３
は光検知器の出力を所定の電圧レベルに変換する
プリアンプで、２，３により半導体レーザの出力
を検知する光検出手段を構成する。４はプリアン
プ３の出力のボトム出力側をピーク検知するピー
ク検知回路、５はピーク検知した出力を規定のボ
トム出力基準電圧（VB）と比較する比較回路、
６は比較回路５の出力を増幅する増幅回路、７は
半導体レーザをパルス変調させた時のプリアンプ
３の出力のピーク出力側を、パルス変調開始時に
のみ、たとえば、２パルス分、サンプルホールド
検知するサンプルホールド回路、８はサンプルホ
ールド回路の出力から、規定のボトム出力基準電
圧（VB）を引く差動回路、９はサンプルホール
ド検知された出力に応じて、上記パルス変調開始
時以後の変調パルス振幅を変化させる振幅制御回
路、１０は、パルス変調開始時を検出し、パルス
変調開始時のみ、たとえば、２パルス分、サンプ
ルするためのサンプルパルスを出すとともに、そ
の間、振幅制御回路９をリセツトするタイミング
回路、１１はボトム出力の制御バイアスに変調パ
ルスを重畳するクランプ回路、１２は半導体レー
ザを駆動する半導体レーザ駆動回路であり、４，
５，６，１１，１２により、半導体レーザのボト
ム出力を検知し、半導体レーザの駆動電流を制御
する第１の手段を、７，１０により半導体レーザ
をパルス変調させた時のピーク出力を変調開始時
に検知し、これをホールドする検知ホールド回路
を、８，９，１０，１１，１２により、上記検知
ホールド回路の出力に従つてパルス変調開始時以
後の半導体レーザの変調パルス振幅をフイードフ
オワード制御する第２の手段を構成する。
る。第２図はこの発明の一実施例による半導体レ
ーザの制御装置を示すブロツク図であり、図にお
いて、１は半導体レーザ、２は例えば半導体レー
ザ１と同一パツケージに納められた光検知器、３
は光検知器の出力を所定の電圧レベルに変換する
プリアンプで、２，３により半導体レーザの出力
を検知する光検出手段を構成する。４はプリアン
プ３の出力のボトム出力側をピーク検知するピー
ク検知回路、５はピーク検知した出力を規定のボ
トム出力基準電圧（VB）と比較する比較回路、
６は比較回路５の出力を増幅する増幅回路、７は
半導体レーザをパルス変調させた時のプリアンプ
３の出力のピーク出力側を、パルス変調開始時に
のみ、たとえば、２パルス分、サンプルホールド
検知するサンプルホールド回路、８はサンプルホ
ールド回路の出力から、規定のボトム出力基準電
圧（VB）を引く差動回路、９はサンプルホール
ド検知された出力に応じて、上記パルス変調開始
時以後の変調パルス振幅を変化させる振幅制御回
路、１０は、パルス変調開始時を検出し、パルス
変調開始時のみ、たとえば、２パルス分、サンプ
ルするためのサンプルパルスを出すとともに、そ
の間、振幅制御回路９をリセツトするタイミング
回路、１１はボトム出力の制御バイアスに変調パ
ルスを重畳するクランプ回路、１２は半導体レー
ザを駆動する半導体レーザ駆動回路であり、４，
５，６，１１，１２により、半導体レーザのボト
ム出力を検知し、半導体レーザの駆動電流を制御
する第１の手段を、７，１０により半導体レーザ
をパルス変調させた時のピーク出力を変調開始時
に検知し、これをホールドする検知ホールド回路
を、８，９，１０，１１，１２により、上記検知
ホールド回路の出力に従つてパルス変調開始時以
後の半導体レーザの変調パルス振幅をフイードフ
オワード制御する第２の手段を構成する。
次に、動作について図に基づいて説明する。
半導体レーザ１の出力は、常に、光検知器２で
モニタされ、プリアンプ３によつて、所定のレベ
ルの電圧に変換される。このプリアンプの出力の
半導体レーザのボトム出力側を、ピーク検知回路
４により、常にピーク検知してモニターし、基準
のボトム出力に相当する基準電圧（VB）と比較
回路５で比べて、その差を増幅回路６で増幅し
て、クランプ回路１１を通して、半導体レーザ駆
動回路１２に、ネガテイブフイードバツクする。
これにより、半導体レーザのボトム出力モニタ電
圧は常に、基準のボトム出力（VB）に維持され、
半導体レーザのボトム出力が規定のボトム出力と
なる。変調のない場合は、基準のボトム出力に等
しい再生出力に維持される。この時クランプ回路
１１は、このループには寄与していない。ここま
では、従来の半導体レーザの制御装置に相当す
る。第３図はこの発明の一実施例による半導体レ
ーザの制御装置の動作を説明する波形図であり、
この発明では、上記従来例に加えて、半導体レー
ザをパルス変調させた時のプリアンプ３の出力の
ピーク出力側を、パルス変調開始時にのみ、たと
えばはじめの２パルスの間、サンプルホールド回
路７でサンプルホールド検知し、以後、このホー
ルド値から、規定のボトム出力基準電圧（VB）
を引いた値に応じて、振幅制御回路９により変調
パルス振幅を変化させる。この時、パルス変調開
始時を検知し、所定のパルス数、たとえば２パル
ス間は、第３図Ｃのようなリセツト信号で振幅制
御回路９をリセツトするとともに、第３図ｂのよ
うなその２パルスのピーク出力側をサンプルする
サンプルパルスを出すのが、タイミング回路１０
である。また上記振幅制御回路９は、図３ｄのよ
うにリセツト時には半導体レーザのピーク出力モ
ニタ電圧が常温調整時において規定のピーク出力
（VP）になるような変調パルス振幅（VR）を出力
するように調整されているものとする。制御され
た変調パルスはクランプ回路１１で、ボトム出力
の制御バイアスに重畳される。
モニタされ、プリアンプ３によつて、所定のレベ
ルの電圧に変換される。このプリアンプの出力の
半導体レーザのボトム出力側を、ピーク検知回路
４により、常にピーク検知してモニターし、基準
のボトム出力に相当する基準電圧（VB）と比較
回路５で比べて、その差を増幅回路６で増幅し
て、クランプ回路１１を通して、半導体レーザ駆
動回路１２に、ネガテイブフイードバツクする。
これにより、半導体レーザのボトム出力モニタ電
圧は常に、基準のボトム出力（VB）に維持され、
半導体レーザのボトム出力が規定のボトム出力と
なる。変調のない場合は、基準のボトム出力に等
しい再生出力に維持される。この時クランプ回路
１１は、このループには寄与していない。ここま
では、従来の半導体レーザの制御装置に相当す
る。第３図はこの発明の一実施例による半導体レ
ーザの制御装置の動作を説明する波形図であり、
この発明では、上記従来例に加えて、半導体レー
ザをパルス変調させた時のプリアンプ３の出力の
ピーク出力側を、パルス変調開始時にのみ、たと
えばはじめの２パルスの間、サンプルホールド回
路７でサンプルホールド検知し、以後、このホー
ルド値から、規定のボトム出力基準電圧（VB）
を引いた値に応じて、振幅制御回路９により変調
パルス振幅を変化させる。この時、パルス変調開
始時を検知し、所定のパルス数、たとえば２パル
ス間は、第３図Ｃのようなリセツト信号で振幅制
御回路９をリセツトするとともに、第３図ｂのよ
うなその２パルスのピーク出力側をサンプルする
サンプルパルスを出すのが、タイミング回路１０
である。また上記振幅制御回路９は、図３ｄのよ
うにリセツト時には半導体レーザのピーク出力モ
ニタ電圧が常温調整時において規定のピーク出力
（VP）になるような変調パルス振幅（VR）を出力
するように調整されているものとする。制御され
た変調パルスはクランプ回路１１で、ボトム出力
の制御バイアスに重畳される。
第４図はこの発明の一実施例による半導体レー
ザの制御装置の動作を説明するレーザ出力特性図
である。
ザの制御装置の動作を説明するレーザ出力特性図
である。
上記のような構成の半導体レーザの制御装置を
用いることにより、半導体レーザのピーク出力が
どのように制御されるかを第３図及び第４図によ
り説明する。
用いることにより、半導体レーザのピーク出力が
どのように制御されるかを第３図及び第４図によ
り説明する。
今、第４図において、常温調整時の半導体レー
ザの駆動電流対半導体レーザ出力特性が曲線Ａの
ような特性であつたとする。半導体レーザの駆動
電流対レーザ出力特性が曲線Ａから変化しない限
り、パルス変調開始時、振幅制御回路がリセツト
された状態において、半導体レーザのピーク出力
モニタ電圧は、VPとなり、半導体レーザのピー
ク出力は規定のピーク出力となる。しかし、半導
体レーザの特性の温度経年変化により、特性が曲
線Ａから曲線Ｂに変化したとすると、半導体レー
ザのピーク出力モニタ電圧は、VP′となり、半導
体レーザのピーク出力は、規定のピーク出力より
小さくなつてしまう。
ザの駆動電流対半導体レーザ出力特性が曲線Ａの
ような特性であつたとする。半導体レーザの駆動
電流対レーザ出力特性が曲線Ａから変化しない限
り、パルス変調開始時、振幅制御回路がリセツト
された状態において、半導体レーザのピーク出力
モニタ電圧は、VPとなり、半導体レーザのピー
ク出力は規定のピーク出力となる。しかし、半導
体レーザの特性の温度経年変化により、特性が曲
線Ａから曲線Ｂに変化したとすると、半導体レー
ザのピーク出力モニタ電圧は、VP′となり、半導
体レーザのピーク出力は、規定のピーク出力より
小さくなつてしまう。
そこで、この振幅制御回路がリセツトされた状
態における半導体レーザのピーク出力モニタ電圧
（VP′）をサンプルホールドし、規定のボトム出
力基準電圧（VB）との差VP′−VBを求め、たと
えば３パルス目から、変調パルス振幅VR′を VR′＝VR×VP−VB／VP′−VB に変化させてやれば、第４図からもわかるよう
に、半導体レーザのピーク出力モニタ電圧はVP
となり、半導体レーザのピーク出力は、規定のピ
ーク出力となる。即ち振幅制御回路９は、差動回
路８からVP′−VBの電圧を受けて、リセツトが第
３図ｃのように解除されると、第３図ｄのように
変調パルス振幅をVRからVR′に変化させて、半導
体レーザのピーク出力が規定の出力になるようフ
イードフオワード制御する。
態における半導体レーザのピーク出力モニタ電圧
（VP′）をサンプルホールドし、規定のボトム出
力基準電圧（VB）との差VP′−VBを求め、たと
えば３パルス目から、変調パルス振幅VR′を VR′＝VR×VP−VB／VP′−VB に変化させてやれば、第４図からもわかるよう
に、半導体レーザのピーク出力モニタ電圧はVP
となり、半導体レーザのピーク出力は、規定のピ
ーク出力となる。即ち振幅制御回路９は、差動回
路８からVP′−VBの電圧を受けて、リセツトが第
３図ｃのように解除されると、第３図ｄのように
変調パルス振幅をVRからVR′に変化させて、半導
体レーザのピーク出力が規定の出力になるようフ
イードフオワード制御する。
上記実施例の振幅制御回路９として、たとえば
第５図、第６図のような回路が考えられる。第５
図および第６図は、この発明の一実施例に係る振
幅制御回路を示すブロツク図である。
第５図、第６図のような回路が考えられる。第５
図および第６図は、この発明の一実施例に係る振
幅制御回路を示すブロツク図である。
第５図において、１３はゲイン可変型増幅器で
あり、Ａは Ａ＝Ｋ／VP′−VB、Ｋ＝VP−VB を示している。この場合、変調パルスを直接ゲイ
ン可変型増幅器１３に入力して、VP′−VBでゲイ
ンを可変（VP′−VBで割算）することにより、変
調パルス振幅を制御する。これは、構造は簡単で
あるが、パルス波形を歪ませない周波数特性の良
いゲイン可変型増幅器が必要となり、コスト面で
問題がある。第６図に示したのは、その改良型で
あり、１３は同じくゲイン可変型増幅器、１４は
クリツプ回路である。一定の電圧（VREF）を、ゲ
イン可変型増幅器１３に入力し、ゲインをVP′−
VBで制御して、 VR′＝Ａ・VR＝VP−VB／VP′−VB・VR を得、クリツプ回路１４によりこの電圧で、変調
パルスの振幅を制限してやる。この方法によれ
ば、ゲイン可変型増幅器１３の中をパルス信号か
ら通らないため、たとえば２パルス目から３パル
ス目の間に、VP′−VBを受けて、直流電圧VR′を
得るだけの周波数特性があれば十分であり、パル
ス振幅を直接制御する方は、安価で周波数特性の
良いクリツプ回路が使えるという利点がある。周
波数特性がゆるくなる分だけ、安価で精度の高い
ゲイン可変型増幅器を採用できるという利点もあ
る。
あり、Ａは Ａ＝Ｋ／VP′−VB、Ｋ＝VP−VB を示している。この場合、変調パルスを直接ゲイ
ン可変型増幅器１３に入力して、VP′−VBでゲイ
ンを可変（VP′−VBで割算）することにより、変
調パルス振幅を制御する。これは、構造は簡単で
あるが、パルス波形を歪ませない周波数特性の良
いゲイン可変型増幅器が必要となり、コスト面で
問題がある。第６図に示したのは、その改良型で
あり、１３は同じくゲイン可変型増幅器、１４は
クリツプ回路である。一定の電圧（VREF）を、ゲ
イン可変型増幅器１３に入力し、ゲインをVP′−
VBで制御して、 VR′＝Ａ・VR＝VP−VB／VP′−VB・VR を得、クリツプ回路１４によりこの電圧で、変調
パルスの振幅を制限してやる。この方法によれ
ば、ゲイン可変型増幅器１３の中をパルス信号か
ら通らないため、たとえば２パルス目から３パル
ス目の間に、VP′−VBを受けて、直流電圧VR′を
得るだけの周波数特性があれば十分であり、パル
ス振幅を直接制御する方は、安価で周波数特性の
良いクリツプ回路が使えるという利点がある。周
波数特性がゆるくなる分だけ、安価で精度の高い
ゲイン可変型増幅器を採用できるという利点もあ
る。
これまでの説明では、２パルスを使つてサンプ
ルホールド電圧を得てきたが、サンプルホールド
回路７の周波数特性が良ければ、１パルスのみで
も充分であり、また、半導体レーザをパルス変調
することによる温度上昇の安定化するまでの間サ
ンプルパルスを出しつづけてもよい。
ルホールド電圧を得てきたが、サンプルホールド
回路７の周波数特性が良ければ、１パルスのみで
も充分であり、また、半導体レーザをパルス変調
することによる温度上昇の安定化するまでの間サ
ンプルパルスを出しつづけてもよい。
また上記実施例では、サンプルホールド回路７
とタイミング回路１０によりピーク出力をパルス
変調開始時にサンプルホールドしていたが、単に
ピーク出力をパルス変調開始時にピーク検知し、
ホールドするようにしてもよい。
とタイミング回路１０によりピーク出力をパルス
変調開始時にサンプルホールドしていたが、単に
ピーク出力をパルス変調開始時にピーク検知し、
ホールドするようにしてもよい。
また、上記半導体レーザの制御装置は前述の光
デイスク装置に用いる他、光レーザカード等に用
いても信頼性の高いものが実現できる。
デイスク装置に用いる他、光レーザカード等に用
いても信頼性の高いものが実現できる。
以上のように、この発明によれば半導体レーザ
の出力を検出する光検出手段、この光検出手段よ
り上記半導体レーザのボトム出力を検知し、上記
半導体レーザの駆動電流を制御する第１の手段、
上記半導体レーザをパルス変調させた時のピーク
出力をパルス変調開始時に検知し、ホールドする
検知ホールド回路、及びこの検知ホールド回路の
出力と規定のボトム出力と規定のピーク出力から
量子化効率を計算し、パルス変調開始時以後の上
記半導体レーザの変調パルス振幅をフイードフオ
ワード制御する第２の手段で半導体レーザの制御
装置を構成したので、半導体レーザをパルス変調
させた時のピーク出力の変化を最小限にして、短
時間（たとえば２パルスの間）で制御し安定化で
きる。
の出力を検出する光検出手段、この光検出手段よ
り上記半導体レーザのボトム出力を検知し、上記
半導体レーザの駆動電流を制御する第１の手段、
上記半導体レーザをパルス変調させた時のピーク
出力をパルス変調開始時に検知し、ホールドする
検知ホールド回路、及びこの検知ホールド回路の
出力と規定のボトム出力と規定のピーク出力から
量子化効率を計算し、パルス変調開始時以後の上
記半導体レーザの変調パルス振幅をフイードフオ
ワード制御する第２の手段で半導体レーザの制御
装置を構成したので、半導体レーザをパルス変調
させた時のピーク出力の変化を最小限にして、短
時間（たとえば２パルスの間）で制御し安定化で
きる。
第１図は従来の半導体レーザの制御装置の動作
を説明するレーザ出力特性図、第２図はこの発明
の一実施例による半導体レーザの制御装置を示す
ブロツク図、第３図および第４図は各々この発明
の一実施例による半導体レーザの制御装置の動作
を説明する波形図およびレーザ出力特性図、第５
図および第６図はそれぞれこの発明の一実施例に
係る振幅制御回路を示すブロツク図である。 図において、１は半導体レーザ、２は光検知
器、３はプリアンプ、４はピーク検知回路、５は
比較回路、６は増幅回路、７はサンプルホールド
回路、８は差動回路、９は振幅制御回路、１０は
タイミング回路、１１はクランプ回路、１２は半
導体レーザ駆動回路であり、２，３により光検出
手段を、４，５，６，１１，１２により第１の手
段を、７，１０により検知ホールド回路を、８，
９，１０，１１，１２により第２の手段を構成す
る。なお、図中、同一符号は同一又は相当部分を
示す。
を説明するレーザ出力特性図、第２図はこの発明
の一実施例による半導体レーザの制御装置を示す
ブロツク図、第３図および第４図は各々この発明
の一実施例による半導体レーザの制御装置の動作
を説明する波形図およびレーザ出力特性図、第５
図および第６図はそれぞれこの発明の一実施例に
係る振幅制御回路を示すブロツク図である。 図において、１は半導体レーザ、２は光検知
器、３はプリアンプ、４はピーク検知回路、５は
比較回路、６は増幅回路、７はサンプルホールド
回路、８は差動回路、９は振幅制御回路、１０は
タイミング回路、１１はクランプ回路、１２は半
導体レーザ駆動回路であり、２，３により光検出
手段を、４，５，６，１１，１２により第１の手
段を、７，１０により検知ホールド回路を、８，
９，１０，１１，１２により第２の手段を構成す
る。なお、図中、同一符号は同一又は相当部分を
示す。
Claims (1)
- １ 半導体レーザの出力を検出する光検出手段、
この光検出手段より上記半導体レーザのボトム出
力を検知し、規定のボトム出力となるように、上
記半導体レーザの駆動電流を制御する第１の手
段、上記半導体レーザをパルス変調させた時のピ
ーク出力をパルス変調開始時に検知し、ホールド
する検知ホールド回路、及びこの検知ホールド回
路の出力と上記規定のボトム出力と規定のピーク
出力とから量子化効率を計算し、上記パルス変調
開始時以後の上記半導体レーザの変調パルス振幅
を求めて、ピーク出力をフイードフオワード制御
する第２の手段を備えた半導体レーザの制御装
置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59085517A JPS60229383A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 半導体レ−ザの制御装置 |
| US06/727,447 US4689795A (en) | 1984-04-27 | 1985-04-26 | Semiconductor laser controller |
| FR8506389A FR2563663B1 (fr) | 1984-04-27 | 1985-04-26 | Dispositif de commande d'un laser a semi-conducteurs |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59085517A JPS60229383A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 半導体レ−ザの制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60229383A JPS60229383A (ja) | 1985-11-14 |
| JPH0260074B2 true JPH0260074B2 (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=13861100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59085517A Granted JPS60229383A (ja) | 1984-04-27 | 1984-04-27 | 半導体レ−ザの制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60229383A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0827951B2 (ja) * | 1986-12-03 | 1996-03-21 | 松下電器産業株式会社 | レ−ザ駆動回路 |
| JPS63193583A (ja) * | 1987-02-06 | 1988-08-10 | Ando Electric Co Ltd | レ−ザダイオ−ドの矩形波変調回路 |
| JPH0218722A (ja) * | 1988-07-05 | 1990-01-23 | Sony Corp | レーザ発光強度制御回路 |
| JPH02108248A (ja) * | 1988-10-18 | 1990-04-20 | Copal Co Ltd | レーザ発光素子の出力制御装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58104536A (ja) * | 1981-12-17 | 1983-06-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | レ−ザ・ダイオ−ド消光比制御回路 |
| JPS58134668A (ja) * | 1982-02-05 | 1983-08-10 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体レ−ザ用出力安定化装置 |
-
1984
- 1984-04-27 JP JP59085517A patent/JPS60229383A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58104536A (ja) * | 1981-12-17 | 1983-06-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | レ−ザ・ダイオ−ド消光比制御回路 |
| JPS58134668A (ja) * | 1982-02-05 | 1983-08-10 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体レ−ザ用出力安定化装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60229383A (ja) | 1985-11-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |