JPS6146994B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6146994B2 JPS6146994B2 JP15723377A JP15723377A JPS6146994B2 JP S6146994 B2 JPS6146994 B2 JP S6146994B2 JP 15723377 A JP15723377 A JP 15723377A JP 15723377 A JP15723377 A JP 15723377A JP S6146994 B2 JPS6146994 B2 JP S6146994B2
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- JP
- Japan
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- circuit
- output
- semiconductor laser
- signal
- average value
- Prior art date
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- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 29
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 18
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体レーザの光出力を一定にする
回路に関するものである。
回路に関するものである。
半導体レーザは周囲温度の変化により、しきい
値電流が大きく変化するので、レーザ光をモニタ
ーして、その増減に応じて駆動電流等を操作する
光出力安定化回路が必要である。通常、光出力安
定化回路は半導体レーザの光出力をフオトダイオ
ードで受光し、ピーク値検出または平均値検出し
た後基準電圧と比較し、比較電圧で半導体レーザ
の直流バイアス電流もしくは信号電流を操作す
る。今、マーク率が一定のデイジタル信号で変調
する時、次のような不都合が生じる。
値電流が大きく変化するので、レーザ光をモニタ
ーして、その増減に応じて駆動電流等を操作する
光出力安定化回路が必要である。通常、光出力安
定化回路は半導体レーザの光出力をフオトダイオ
ードで受光し、ピーク値検出または平均値検出し
た後基準電圧と比較し、比較電圧で半導体レーザ
の直流バイアス電流もしくは信号電流を操作す
る。今、マーク率が一定のデイジタル信号で変調
する時、次のような不都合が生じる。
(1) ピーク値検出の場合
(イ) 直流バイアス電流を操作の場合
周囲温度が低化する時、半導体レーザの微
分効率が大きく変化しないので、光出力に直
流分が増える。
分効率が大きく変化しないので、光出力に直
流分が増える。
(ロ) 信号電流を操作の場合
高速変調の場合、光パルス幅が変化し、パ
ルス識別の際位相余裕が少なくなる。
ルス識別の際位相余裕が少なくなる。
(2) 平均値検出の場合
(イ) 直流バイアス電流を操作の場合
半導体レーザの微分効率を劣化した時、光
出力に直流分が増え、交流分が減る。
出力に直流分が増え、交流分が減る。
(ロ) 信号電流を操作の場合
高速変調の場合、光パルス幅が変化し、パ
ルス識別の際、位相余裕が少くなる。
ルス識別の際、位相余裕が少くなる。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をな
くし、安定な光パルスを得る回路を提供するにあ
る。
くし、安定な光パルスを得る回路を提供するにあ
る。
そこで本発明は、半導体レーザのモニタ光を同
時にピーク値検出及び平均値検出し、該ピーク値
検出信号により半導体レーザの信号電流を操作す
る一方、平均値検出信号により半導体レーザの直
流バイアス電流を操作するようにして上記目的を
達成したものである。
時にピーク値検出及び平均値検出し、該ピーク値
検出信号により半導体レーザの信号電流を操作す
る一方、平均値検出信号により半導体レーザの直
流バイアス電流を操作するようにして上記目的を
達成したものである。
以下、添付図に従つて本発明を詳述する。第１
図は本発明による半導体レーザ光の光出力安定化
回路の基本構成をブロツク図で示したものであつ
て、図中、変調信号が入力される信号駆動回路、
２は半導体レーザ駆動の直流バイアス電流を操作
する直流バイアス回路、３は半導体レーザ、４は
受光器、５は半導体レーザのモニタ光の平均値を
検出する回路、６はピーク値を検出する回路であ
つて、図示の如く接続構成してある。まず、第１
図において、本発明の原理概要を説明する。
図は本発明による半導体レーザ光の光出力安定化
回路の基本構成をブロツク図で示したものであつ
て、図中、変調信号が入力される信号駆動回路、
２は半導体レーザ駆動の直流バイアス電流を操作
する直流バイアス回路、３は半導体レーザ、４は
受光器、５は半導体レーザのモニタ光の平均値を
検出する回路、６はピーク値を検出する回路であ
つて、図示の如く接続構成してある。まず、第１
図において、本発明の原理概要を説明する。
信号駆動回路１は入力された変調信号によつて
半導体レーザ３を操作し、その半導体レーザ３よ
り出力されたモニタ光を受光器４において受光す
る。受光されたモニタ光はまず、ピーク値検出回
路６においてピーク値検出され、この情報により
半導体レーザ駆動の信号電流は制御される。一
方、それと同時に平均値検出回路５においてモニ
タ光の平均値検出を行い、この情報により半導体
レーザ駆動の直流バイアス電流を制御する。
半導体レーザ３を操作し、その半導体レーザ３よ
り出力されたモニタ光を受光器４において受光す
る。受光されたモニタ光はまず、ピーク値検出回
路６においてピーク値検出され、この情報により
半導体レーザ駆動の信号電流は制御される。一
方、それと同時に平均値検出回路５においてモニ
タ光の平均値検出を行い、この情報により半導体
レーザ駆動の直流バイアス電流を制御する。
このようにすると、信号のマーク率が一定の場
合、半導体レーザが劣化したり周囲温度が変化し
て、しきい値電流、微分効率が変化しても前述の
信号電流の制御により光パルスのピーク値を一定
にし、一方、直流バイアス電流の制御により光パ
ルス幅を一定にするので高速デイジタル変調の場
合でも安定な光パルス信号が得られる。
合、半導体レーザが劣化したり周囲温度が変化し
て、しきい値電流、微分効率が変化しても前述の
信号電流の制御により光パルスのピーク値を一定
にし、一方、直流バイアス電流の制御により光パ
ルス幅を一定にするので高速デイジタル変調の場
合でも安定な光パルス信号が得られる。
第２図の一実施例に従つて本発明をさらに詳細
に説明する。第２図において、第１図と同一符号
を付してあるものは同一機能を有するものである
が、７は受光器４と平均値検出回路５との間に設
けた直流増幅回路、８はその平均値検出回路５の
出力側に設けた比較器であり、また、９はピーク
値検出回路６の出力側に設けた比較器である。図
に示す受光器４の出力は一旦直流増幅回路７によ
り増幅され、各々、平均値検出回路５およびピー
ク値検出回路６に送出し検出した後、比較器８お
よび９を介して、それぞれ直流バイアス回路２、
信号駆動回路１へ送出し前記の如き制御を行なう
ように構成してある。
に説明する。第２図において、第１図と同一符号
を付してあるものは同一機能を有するものである
が、７は受光器４と平均値検出回路５との間に設
けた直流増幅回路、８はその平均値検出回路５の
出力側に設けた比較器であり、また、９はピーク
値検出回路６の出力側に設けた比較器である。図
に示す受光器４の出力は一旦直流増幅回路７によ
り増幅され、各々、平均値検出回路５およびピー
ク値検出回路６に送出し検出した後、比較器８お
よび９を介して、それぞれ直流バイアス回路２、
信号駆動回路１へ送出し前記の如き制御を行なう
ように構成してある。
すなわち、半導体レーザ３の出力光を受光器４
によりモニタし、直流増幅回路７で増幅する。こ
の信号の一部は平均値検出回路５により平均値検
出をし、比較器８で基準値と比較され、その差で
ある誤差電圧を負帰還信号として直流バイアス回
路２に加えて直流バイアス電流を制御する。ま
た、直流増幅回路７の信号の一部をピーク値検出
回路６に引込み、そこでピーク値を検出し、それ
を比較器９で基準値と比較され、その差である誤
差電圧を検出して負帰還信号として信号駆動回路
に加えて信号電流を制御するものである。
によりモニタし、直流増幅回路７で増幅する。こ
の信号の一部は平均値検出回路５により平均値検
出をし、比較器８で基準値と比較され、その差で
ある誤差電圧を負帰還信号として直流バイアス回
路２に加えて直流バイアス電流を制御する。ま
た、直流増幅回路７の信号の一部をピーク値検出
回路６に引込み、そこでピーク値を検出し、それ
を比較器９で基準値と比較され、その差である誤
差電圧を検出して負帰還信号として信号駆動回路
に加えて信号電流を制御するものである。
上述の実施例からも明らかなように本発明によ
れば、半導体レーザのモニタ光を、ピーク値検
出、平均値検出とも同時に行ない、そのピーク値
検出信号により半導体レーザの信号電流を制御す
る一方、平均値検出信号により半導体レーザの直
流バイアス電流を制御するようにしたものであ
る。これによると、半導体レーザの周囲温度変
化、劣化に対して高速デイジタル変調の場合でも
安定な光パルスを得ることができ、従来の問題点
が解消できることはもちろん、信頼性の高い半導
体レーザの光出力安定化回路を提供することがで
きるものである。
れば、半導体レーザのモニタ光を、ピーク値検
出、平均値検出とも同時に行ない、そのピーク値
検出信号により半導体レーザの信号電流を制御す
る一方、平均値検出信号により半導体レーザの直
流バイアス電流を制御するようにしたものであ
る。これによると、半導体レーザの周囲温度変
化、劣化に対して高速デイジタル変調の場合でも
安定な光パルスを得ることができ、従来の問題点
が解消できることはもちろん、信頼性の高い半導
体レーザの光出力安定化回路を提供することがで
きるものである。
第１図は本発明による半導体レーザの光出力安
定化回路の基本構成を示す図、第２図は本発明の
具体的一実施例を示すブロツク図である。 １……信号駆動回路、２……直流バイアス回
路、３……半導体レーザ、４……受光器、５……
平均値検出回路、６……ピーク値検出回路、７…
…直流増幅回路、８，９……比較器。
定化回路の基本構成を示す図、第２図は本発明の
具体的一実施例を示すブロツク図である。 １……信号駆動回路、２……直流バイアス回
路、３……半導体レーザ、４……受光器、５……
平均値検出回路、６……ピーク値検出回路、７…
…直流増幅回路、８，９……比較器。
Claims (1)
- １ 変調されたデイジタル信号を入力とする信号
駆動回路と、直流バイアス電流を出力する直流バ
イアス回路と、上記信号駆動回路の出力電流と該
直流バイアス回路の直流出力電流とを入力として
光パルスを発振する半導体レーザと、該半導体レ
ーザの出力光を検出する受光器と、該受光器の受
光量を直流増巾する直流増巾回路と、該直流増巾
回路の出力からピーク値を検出するピーク値検出
回路と、上記直流増巾回路の出力から平均値を検
出する平均値検出回路と、上記ピーク値検出回路
の検出ピークと基準値とを比較しその出力を上記
信号駆動回路に負帰還信号として印加する手段
と、上記平均値検出回路の検出平均値と基準値と
を比較しその出力を上記直流バイアス回路に負帰
還信号として印加する手段と、より成る半導体レ
ーザの光出力安定化回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15723377A JPS5490982A (en) | 1977-12-28 | 1977-12-28 | Light output stabilizing circuit of semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15723377A JPS5490982A (en) | 1977-12-28 | 1977-12-28 | Light output stabilizing circuit of semiconductor laser |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5490982A JPS5490982A (en) | 1979-07-19 |
| JPS6146994B2 true JPS6146994B2 (ja) | 1986-10-16 |
Family
ID=15645137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15723377A Granted JPS5490982A (en) | 1977-12-28 | 1977-12-28 | Light output stabilizing circuit of semiconductor laser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5490982A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4277846A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-07 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Circuit for stabilizing the output of an injection laser |
| JPS58100479A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-15 | Oki Electric Ind Co Ltd | レ−ザ・ダイオ−ド光出力制御回路 |
| JPH01133384A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ駆動装置 |
| JP3260263B2 (ja) * | 1995-09-27 | 2002-02-25 | 富士通株式会社 | レーザー・ダイオード駆動装置 |
| JP4799595B2 (ja) * | 2008-08-20 | 2011-10-26 | パナソニック株式会社 | 消光比補償レーザ駆動回路及び光通信装置 |
-
1977
- 1977-12-28 JP JP15723377A patent/JPS5490982A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5490982A (en) | 1979-07-19 |
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