JP2613670B2 - 半導体レーザの駆動回路 - Google Patents
半導体レーザの駆動回路Info
- Publication number
- JP2613670B2 JP2613670B2 JP26271290A JP26271290A JP2613670B2 JP 2613670 B2 JP2613670 B2 JP 2613670B2 JP 26271290 A JP26271290 A JP 26271290A JP 26271290 A JP26271290 A JP 26271290A JP 2613670 B2 JP2613670 B2 JP 2613670B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- circuit
- average value
- value
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
本発明は、光磁気ディスク装置等に用いる高出力の半
導体レーザの駆動回路に関する。
導体レーザの駆動回路に関する。
従来、半導体レーザの駆動回路としては、第２図に示
すものがある。この半導体レーザの駆動回路は、モニタ
用のフォトダイオード32と、バイアス電流回路34と、高
周波重畳回路35と結合用コンデンサ33を備えている。そ
して、例えば光磁気ディスクのデータ読み取りの場合等
の半導体レーザ31を低出力で使用する際には、上記半導
体レーザ31の光出力の雑音を低減する目的で、上記バイ
アス電流回路34が供給する駆動用のバイアス電流Ibを、
上記高周波重畳回路35で高周波変調して、この高周波変
調した電流で半導体レーザ31を駆動する。このとき、上
記フォトダイオード32は、上記半導体レーザ31が発生す
る光を受けて、上記半導体レーザ31の光出力値を表わす
光出力検出信号を上記バイアス電流回路34に出力する。
そして、上記バイアス電流回路34は、上記半導体レーザ
31の光出力値の平均値が一定になるように、バイアス電
流Ibを調整するようにしている。上記半導体レーザ31の
駆動状態の一例を第３図に示す。第３図において、Ｆは
上記半導体レーザ31の光出力特性、Poは上記半導体レー
ザ31の光出力波形、Qoは上記高周波重畳回路35の高周波
変調波形である。また、Ithは上記半導体レーザ31のし
きい値電流であり、上記半導体レーザ31に流れ込む電流
が上記しきい値電流Ith以下になると、上記半導体レー
ザ31の光出力Ｐは零になり、上記半導体レーザ31の発振
が停止する。上記半導体レーザ35の光出力特性Ｆは、誘
導放出領域でのバイアス電流Ibの変化に対する光出力Ｐ
の変化である微分効率ηおよび上記しきい値電流Ith等
の光出力特性値により定まる。上記半導体レーザ31の光
出力波形Poは、第３図に示すように、断続的に零となる
期間を有するようにしている。このため、上記半導体レ
ーザ31は、断続的にレーザ発振の停止と開始を繰り返
し、多モード発振を越こし易くなる。上記半導体レーザ
31は、この多モード発振により、モードホッピング雑音
および戻り光による雑音等の上記半導体レーザ31の光出
力に対する雑音を低減するようにしている。
すものがある。この半導体レーザの駆動回路は、モニタ
用のフォトダイオード32と、バイアス電流回路34と、高
周波重畳回路35と結合用コンデンサ33を備えている。そ
して、例えば光磁気ディスクのデータ読み取りの場合等
の半導体レーザ31を低出力で使用する際には、上記半導
体レーザ31の光出力の雑音を低減する目的で、上記バイ
アス電流回路34が供給する駆動用のバイアス電流Ibを、
上記高周波重畳回路35で高周波変調して、この高周波変
調した電流で半導体レーザ31を駆動する。このとき、上
記フォトダイオード32は、上記半導体レーザ31が発生す
る光を受けて、上記半導体レーザ31の光出力値を表わす
光出力検出信号を上記バイアス電流回路34に出力する。
そして、上記バイアス電流回路34は、上記半導体レーザ
31の光出力値の平均値が一定になるように、バイアス電
流Ibを調整するようにしている。上記半導体レーザ31の
駆動状態の一例を第３図に示す。第３図において、Ｆは
上記半導体レーザ31の光出力特性、Poは上記半導体レー
ザ31の光出力波形、Qoは上記高周波重畳回路35の高周波
変調波形である。また、Ithは上記半導体レーザ31のし
きい値電流であり、上記半導体レーザ31に流れ込む電流
が上記しきい値電流Ith以下になると、上記半導体レー
ザ31の光出力Ｐは零になり、上記半導体レーザ31の発振
が停止する。上記半導体レーザ35の光出力特性Ｆは、誘
導放出領域でのバイアス電流Ibの変化に対する光出力Ｐ
の変化である微分効率ηおよび上記しきい値電流Ith等
の光出力特性値により定まる。上記半導体レーザ31の光
出力波形Poは、第３図に示すように、断続的に零となる
期間を有するようにしている。このため、上記半導体レ
ーザ31は、断続的にレーザ発振の停止と開始を繰り返
し、多モード発振を越こし易くなる。上記半導体レーザ
31は、この多モード発振により、モードホッピング雑音
および戻り光による雑音等の上記半導体レーザ31の光出
力に対する雑音を低減するようにしている。
ところが、一般に、半導体レーザの光出力特性を決定
するしきい値電流Ithおよび誘導放出領域における微分
効率η等の光出力特性値は、個々の半導体レーザによっ
て大きく異なる。したがって、上記従来の半導体レーザ
の駆動回路では、半導体レーザ31の光出力特性値のバラ
ツキのために、半導体レーザ31の光出力波形が、第３図
に示す光出力値が零になる期間を有する光出力波形Poに
ならず、光出力値が零になる期間を有さない場合が起こ
る。そして、この場合、上記半導体レーザ35は、断続的
にレーザ発振の停止と開始を繰り返さないので、モード
ホッピング雑音等の光出力に対する雑音を低減できる多
モード発振が容易に起こらないという問題がある。 そこで、本発明の目的は、半導体レーザの光出力特性
値がばらついても、常に、半導体レーザの光出力値が零
になる期間を有するように、半導体レーザの光出力値に
応いて自動的に高周波重畳回路の変調度を調整して、半
導体レーザの多モード発振を容易に発生させることがで
きる。半導体レーザの光出力に対する雑音を、上記多モ
ード発振によって確実に低減できる半導体レーザの駆動
回路を提供することにある。
するしきい値電流Ithおよび誘導放出領域における微分
効率η等の光出力特性値は、個々の半導体レーザによっ
て大きく異なる。したがって、上記従来の半導体レーザ
の駆動回路では、半導体レーザ31の光出力特性値のバラ
ツキのために、半導体レーザ31の光出力波形が、第３図
に示す光出力値が零になる期間を有する光出力波形Poに
ならず、光出力値が零になる期間を有さない場合が起こ
る。そして、この場合、上記半導体レーザ35は、断続的
にレーザ発振の停止と開始を繰り返さないので、モード
ホッピング雑音等の光出力に対する雑音を低減できる多
モード発振が容易に起こらないという問題がある。 そこで、本発明の目的は、半導体レーザの光出力特性
値がばらついても、常に、半導体レーザの光出力値が零
になる期間を有するように、半導体レーザの光出力値に
応いて自動的に高周波重畳回路の変調度を調整して、半
導体レーザの多モード発振を容易に発生させることがで
きる。半導体レーザの光出力に対する雑音を、上記多モ
ード発振によって確実に低減できる半導体レーザの駆動
回路を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明の半導体レーザから
の駆動回路は、半導体レーザからの光を受けて、上記半
導体レーザの光出力値を表わす光出力検出信号を出力す
るフォトダイオードと、上記フォトダイオードからの光
出力検出信号を受けて、上記半導体レーザの光出力値の
平均値を検出し、上記光出力値の平均値を表わす平均値
信号を出力する平均値検出回路と、上記フォトダイオー
ドからの光検出信号を受けて、上記半導体レーザの光出
力値の最大値を表わす最大値信号を出力する最大値検出
回路と、上記平均値検出回路からの平均値信号を受け
て、上記半導体レーザの光出力値の平均値を一定にする
ように、上記半導体レーザに駆動用のバイアス電流を供
給するバイアス電流回路と、上記バイアス電流回路が供
給するバイアス電流を高周波で変調する高周波重畳回路
と、上記平均値検出回路からの平均値信号と、上記最大
値検出回路からの最大値信号を受けて、上記平均値信号
と最大値信号との比較演算を行い、上記比較演算の結果
に基づいて、上記半導体レーザの光出力値の最小値が零
になる期間を有するように、上記高周波重畳回路の変調
度を制御する変調度制御回路を備えたことを特徴として
いる。
の駆動回路は、半導体レーザからの光を受けて、上記半
導体レーザの光出力値を表わす光出力検出信号を出力す
るフォトダイオードと、上記フォトダイオードからの光
出力検出信号を受けて、上記半導体レーザの光出力値の
平均値を検出し、上記光出力値の平均値を表わす平均値
信号を出力する平均値検出回路と、上記フォトダイオー
ドからの光検出信号を受けて、上記半導体レーザの光出
力値の最大値を表わす最大値信号を出力する最大値検出
回路と、上記平均値検出回路からの平均値信号を受け
て、上記半導体レーザの光出力値の平均値を一定にする
ように、上記半導体レーザに駆動用のバイアス電流を供
給するバイアス電流回路と、上記バイアス電流回路が供
給するバイアス電流を高周波で変調する高周波重畳回路
と、上記平均値検出回路からの平均値信号と、上記最大
値検出回路からの最大値信号を受けて、上記平均値信号
と最大値信号との比較演算を行い、上記比較演算の結果
に基づいて、上記半導体レーザの光出力値の最小値が零
になる期間を有するように、上記高周波重畳回路の変調
度を制御する変調度制御回路を備えたことを特徴として
いる。
高周波重畳回路は、バイアス電流回路からのバイアス
電流を高周波変調する。そして、半導体レーザは、上記
高周波変調したバイアス電流を受けて、高周波変調した
光を発生する。すると、フォトダイオードは上記半導体
レーザからの光を受けて、上記半導体レーザの光出力値
を表わす光出力検出信号を平均値検出回路と最大値検出
回路に出力する。すると、上記平均値検出回路は、上記
フォトダイオードからの光出力検出信号に基づき、上記
半導体レーザの光出力値の平均値を検出し、上記光出力
値の平均値を表わす平均値信号を出力する。また、上記
最大値検出回路は、上記フォトダイオードからの光出力
検出信号に基づき、上記半導体レーザの光出力値の最大
値を検出し、上記光出力値の最大値を表わす最大値信号
を出力する。すると、上記バイアス電流回路は、上記平
均値検出回路からの平均値信号を受けて、上記半導体レ
ーザの光出力値の平均値を一定にするように、上記半導
体レーザにバイアス電流を供給する。一方、変調度制御
回路は、上記平均値検出回路からの平均値信号と、上記
最大値検出回路からの最大値信号を受けて、上記平均値
信号と最大値信号との比較演算を行ない、上記比較演算
の結果に基づいて、上記半導体レーザの光出力値の最小
値が零になる期間を有するように、上記高周波重畳回路
の変調度を制御する。したがって、上記半導体レーザ
は、上記半導体レーザの光出力特性がばらついても、常
に断続的にレーザ発振の停止と開始を繰り返し、多モー
ド発振を起こし易すくなり、上記半導体レーザの光出力
に対する雑音が、上記多モード発振によって確実に低減
される。
電流を高周波変調する。そして、半導体レーザは、上記
高周波変調したバイアス電流を受けて、高周波変調した
光を発生する。すると、フォトダイオードは上記半導体
レーザからの光を受けて、上記半導体レーザの光出力値
を表わす光出力検出信号を平均値検出回路と最大値検出
回路に出力する。すると、上記平均値検出回路は、上記
フォトダイオードからの光出力検出信号に基づき、上記
半導体レーザの光出力値の平均値を検出し、上記光出力
値の平均値を表わす平均値信号を出力する。また、上記
最大値検出回路は、上記フォトダイオードからの光出力
検出信号に基づき、上記半導体レーザの光出力値の最大
値を検出し、上記光出力値の最大値を表わす最大値信号
を出力する。すると、上記バイアス電流回路は、上記平
均値検出回路からの平均値信号を受けて、上記半導体レ
ーザの光出力値の平均値を一定にするように、上記半導
体レーザにバイアス電流を供給する。一方、変調度制御
回路は、上記平均値検出回路からの平均値信号と、上記
最大値検出回路からの最大値信号を受けて、上記平均値
信号と最大値信号との比較演算を行ない、上記比較演算
の結果に基づいて、上記半導体レーザの光出力値の最小
値が零になる期間を有するように、上記高周波重畳回路
の変調度を制御する。したがって、上記半導体レーザ
は、上記半導体レーザの光出力特性がばらついても、常
に断続的にレーザ発振の停止と開始を繰り返し、多モー
ド発振を起こし易すくなり、上記半導体レーザの光出力
に対する雑音が、上記多モード発振によって確実に低減
される。
以下、本発明を図示の実施例により詳細に説明する。 第１図は本実施例の半導体レーザの駆動回路のブロッ
ク図である。第１図に示すように、上記半導体レーザの
駆動回路は、フォトダイオード２と、結合用コンデンサ
３と、バイアス電流回路９と、高周波重畳回路10を備え
て、上記バイアス電流回路９が供給するバイアス電流Ib
を、上記高周波重畳回路10により高周波変調して、この
高周波変調したバイアス電流Ibによって、半導体レーザ
１を駆動する。また、上記駆動回路は、電流−電圧変換
回路４と、平均値検出回路５と、最大値検出回路として
のピーク値検出回路６と、演算回路７と、増幅回路８を
備えている。上記演算回路７と増幅回路８で変調度制御
回路を構成している。 上記構成において、上記フォトダイオード２は、上記
半導体レーザ１からの光を受けて、上記半導体レーザ１
の光出力値を表わす光出力検出信号を出力する。する
と、上記電流−電圧変換回路４は、上記フォトダイオー
ド２からの光出力検出信号を受けて、上記光出力検出信
号を電圧信号に変換し、この電圧信号に変換した光出力
検出信号を出力する。すると、上記平均値検出回路５
は、上記電流−電圧変換回路４からの電圧信号に変換し
た光出力検出信号を受けて、上記半導体レーザ１の光出
力値の平均値を検出し、上記光出力値の平均値を表わす
平均値信号を出力する。また、上記ピーク値検出回路６
は、上記電流−電圧変換回路４からの電圧信号に変換し
た光出力検出信号を受けて、上記半導体レーザ１の光出
力値の最大値を検出し、上記光出力値の最大値を表わす
最大値信号を出力する。そして、上記バイアス電流回路
９は、上記平均値検出回路５からの平均値信号を受け
て、上記半導体レーザ１の光出力値の平均値を一定にす
るように、上記半導体レーザ１にバイアス電流Ibを供給
する。また、上記演算回路７は、上記平均値検出回路５
からの平均値信号と上記ピーク値検出回路６からの最大
値信号を受けて、上記平均値信号と上記最大値信号を比
較演算し、この比較演算の結果を出力する。そして、上
記増幅回路８は、上記演算回路７からの比較演算の結果
を受け、この比較演算の結果を増幅して、上記高周波重
畳回路10に出力する。こうして、上記演算回路７と増幅
回路８からなる変調度制御回路は、上記比較演算の結果
に基づいて、上記半導体レーザ１の光出力値の最小値が
零になる期間を有するように、上記高周波重畳回路10の
変調度を制御する。例えば、上記高周波重畳回路10が、
上記バイアス電流回路９が出力するバイアス電流を、サ
イン波で変調する場合には、上記半導体レーザ１の光出
力値の最大値が上記光出力値の平均値の２倍以上になる
ように、上記高周波重畳回路10の変調度を制御すること
により、上記半導体レーザ１の光出力特性にバラツキが
あっても、上記半導体レーザ１に供給する電流の最小値
を、この半導体レーザ１のしきい値電流以下になり、上
記半導体レーザ１の光出力値の最小値が零になる期間を
有するようになる。したがって、上記半導体レーザ１が
断続的に発振の停止と開始を繰り返すようになり、上記
半導体レーザ１が多モード発振を起こし易くすることが
でき、上記半導体レーザ１の光出力に対する雑音を、こ
の多モード発振によって確実に低減できる。 また、上記高周波重畳回路10が、上記バイアス電流回
路９が出力するバイアス電流を、サイン波以外で変調す
る場合にも、上記半導体レーザ１の光出力値の最大値と
平均値の比を用いて、この比が２より大きくなるように
上記高周波重畳回路10の変調度を制御することにより、
上記半導体レーザ１の光出力特性にバラツキがあって
も、上記半導体レーザ１に供給する電流の最小値を、上
記半導体レーザ１のしきい値電流以下にでき、上記半導
体レーザ１の光出力値の最小値が零になる期間を有する
ようにできる。したがって、上記半導体レーザ１が断続
的に発振の停止と開始を繰り返すようになり、上記半導
体レーザ１が多モード発振を起こし易くすることがで
き、上記半導体レーザ１の光出力に対する雑音を、この
多モード発振によって確実に低減できる。
ク図である。第１図に示すように、上記半導体レーザの
駆動回路は、フォトダイオード２と、結合用コンデンサ
３と、バイアス電流回路９と、高周波重畳回路10を備え
て、上記バイアス電流回路９が供給するバイアス電流Ib
を、上記高周波重畳回路10により高周波変調して、この
高周波変調したバイアス電流Ibによって、半導体レーザ
１を駆動する。また、上記駆動回路は、電流−電圧変換
回路４と、平均値検出回路５と、最大値検出回路として
のピーク値検出回路６と、演算回路７と、増幅回路８を
備えている。上記演算回路７と増幅回路８で変調度制御
回路を構成している。 上記構成において、上記フォトダイオード２は、上記
半導体レーザ１からの光を受けて、上記半導体レーザ１
の光出力値を表わす光出力検出信号を出力する。する
と、上記電流−電圧変換回路４は、上記フォトダイオー
ド２からの光出力検出信号を受けて、上記光出力検出信
号を電圧信号に変換し、この電圧信号に変換した光出力
検出信号を出力する。すると、上記平均値検出回路５
は、上記電流−電圧変換回路４からの電圧信号に変換し
た光出力検出信号を受けて、上記半導体レーザ１の光出
力値の平均値を検出し、上記光出力値の平均値を表わす
平均値信号を出力する。また、上記ピーク値検出回路６
は、上記電流−電圧変換回路４からの電圧信号に変換し
た光出力検出信号を受けて、上記半導体レーザ１の光出
力値の最大値を検出し、上記光出力値の最大値を表わす
最大値信号を出力する。そして、上記バイアス電流回路
９は、上記平均値検出回路５からの平均値信号を受け
て、上記半導体レーザ１の光出力値の平均値を一定にす
るように、上記半導体レーザ１にバイアス電流Ibを供給
する。また、上記演算回路７は、上記平均値検出回路５
からの平均値信号と上記ピーク値検出回路６からの最大
値信号を受けて、上記平均値信号と上記最大値信号を比
較演算し、この比較演算の結果を出力する。そして、上
記増幅回路８は、上記演算回路７からの比較演算の結果
を受け、この比較演算の結果を増幅して、上記高周波重
畳回路10に出力する。こうして、上記演算回路７と増幅
回路８からなる変調度制御回路は、上記比較演算の結果
に基づいて、上記半導体レーザ１の光出力値の最小値が
零になる期間を有するように、上記高周波重畳回路10の
変調度を制御する。例えば、上記高周波重畳回路10が、
上記バイアス電流回路９が出力するバイアス電流を、サ
イン波で変調する場合には、上記半導体レーザ１の光出
力値の最大値が上記光出力値の平均値の２倍以上になる
ように、上記高周波重畳回路10の変調度を制御すること
により、上記半導体レーザ１の光出力特性にバラツキが
あっても、上記半導体レーザ１に供給する電流の最小値
を、この半導体レーザ１のしきい値電流以下になり、上
記半導体レーザ１の光出力値の最小値が零になる期間を
有するようになる。したがって、上記半導体レーザ１が
断続的に発振の停止と開始を繰り返すようになり、上記
半導体レーザ１が多モード発振を起こし易くすることが
でき、上記半導体レーザ１の光出力に対する雑音を、こ
の多モード発振によって確実に低減できる。 また、上記高周波重畳回路10が、上記バイアス電流回
路９が出力するバイアス電流を、サイン波以外で変調す
る場合にも、上記半導体レーザ１の光出力値の最大値と
平均値の比を用いて、この比が２より大きくなるように
上記高周波重畳回路10の変調度を制御することにより、
上記半導体レーザ１の光出力特性にバラツキがあって
も、上記半導体レーザ１に供給する電流の最小値を、上
記半導体レーザ１のしきい値電流以下にでき、上記半導
体レーザ１の光出力値の最小値が零になる期間を有する
ようにできる。したがって、上記半導体レーザ１が断続
的に発振の停止と開始を繰り返すようになり、上記半導
体レーザ１が多モード発振を起こし易くすることがで
き、上記半導体レーザ１の光出力に対する雑音を、この
多モード発振によって確実に低減できる。
以上の説明より明らかなように、本発明の半導体レー
ザの駆動回路は、半導体レーザからの光を受けたフォト
ダイオードからの半導体レーザの光出力値を表わす光出
力検出信号に基づき、平均値検出回路が上記半導体レー
ザの光出力値の平均値を表わす平均値信号を出力する一
方、最大値検出回路が上記半導体レーザの光出力値の最
大値を表わす最大値信号を出力し、この平均値信号と最
大値信号を受けた変調度制御回路は、上記平均値信号と
最大値信号の比較演算を行い、この比較演算の結果に基
づいて、上記半導体レーザの光出力値の最小値が零にな
る期間を有するように、高周波重畳回路の変調度を制御
するので、上記半導体レーザは断続的に発振の停止と開
始を繰り返すようになり、上記半導体レーザが多モード
発振を起こし易すくすることができ、上記半導体レーザ
の光出力に対する雑音を、上記多モード発振によって確
実に低減することができる。
ザの駆動回路は、半導体レーザからの光を受けたフォト
ダイオードからの半導体レーザの光出力値を表わす光出
力検出信号に基づき、平均値検出回路が上記半導体レー
ザの光出力値の平均値を表わす平均値信号を出力する一
方、最大値検出回路が上記半導体レーザの光出力値の最
大値を表わす最大値信号を出力し、この平均値信号と最
大値信号を受けた変調度制御回路は、上記平均値信号と
最大値信号の比較演算を行い、この比較演算の結果に基
づいて、上記半導体レーザの光出力値の最小値が零にな
る期間を有するように、高周波重畳回路の変調度を制御
するので、上記半導体レーザは断続的に発振の停止と開
始を繰り返すようになり、上記半導体レーザが多モード
発振を起こし易すくすることができ、上記半導体レーザ
の光出力に対する雑音を、上記多モード発振によって確
実に低減することができる。
第１図は本発明の一実施例の半導体レーザの駆動回路の
ブロック図、第２図は従来の半導体レーザの駆動回路の
ブロック図、第３図は従来の半導体レーザの駆動回路に
よる半導体レーザの駆動状態の一例を示す図である。 1,31……半導体レーザ、 2,32……フォトダイオード、 3,33……結合用コンデンサ、 ４……電流−電圧変換回路、５……平均値検出回路、 ６……ピーク値検出回路、７……演算回路、 ８……増幅回路、9,34……バイアス電流回路、 10,35……高周波重畳回路。
ブロック図、第２図は従来の半導体レーザの駆動回路の
ブロック図、第３図は従来の半導体レーザの駆動回路に
よる半導体レーザの駆動状態の一例を示す図である。 1,31……半導体レーザ、 2,32……フォトダイオード、 3,33……結合用コンデンサ、 ４……電流−電圧変換回路、５……平均値検出回路、 ６……ピーク値検出回路、７……演算回路、 ８……増幅回路、9,34……バイアス電流回路、 10,35……高周波重畳回路。
Claims (1)
- 【請求項１】半導体レーザからの光を受けて、上記半導
体レーザの光出力値を表わす光出力検出信号を出力する
フォトダイオードと、 上記フォトダイオードからの光出力検出信号を受けて、
上記半導体レーザの光出力値の平均値を検出し、上記光
出力値の平均値を表わす平均値信号を出力する平均値検
出回路と、 上記フォトダイオードからの光検出信号を受けて、上記
半導体レーザの光出力値の最大値を表わす最大値信号を
出力する最大値検出回路と、 上記平均値検出回路からの平均値信号を受けて、上記半
導体レーザの光出力値の平均値を一定にするように、上
記半導体レーザに駆動用のバイアス電流を供給するバイ
アス電流回路と、 上記バイアス電流回路が供給するバイアス電流を高周波
で変調する高周波重畳回路と、 上記平均値検出回路からの平均値信号と、上記最大値検
出回路からの最大値信号を受けて、上記平均値信号と最
大値信号との比較演算を行い、上記比較演算の結果に基
づいて、上記半導体レーザの光出力値の最小値が零にな
る期間を有するように、上記高周波重畳回路の変調度を
制御する変調度制御回路を備えたことを特徴とする半導
体レーザの駆動回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26271290A JP2613670B2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 半導体レーザの駆動回路 |
| US07/686,783 US5127015A (en) | 1990-04-17 | 1991-04-17 | Driving circuit of a semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26271290A JP2613670B2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 半導体レーザの駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04139779A JPH04139779A (ja) | 1992-05-13 |
| JP2613670B2 true JP2613670B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=17379545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26271290A Expired - Lifetime JP2613670B2 (ja) | 1990-04-17 | 1990-09-28 | 半導体レーザの駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2613670B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2546152B2 (ja) * | 1993-06-15 | 1996-10-23 | 日本電気株式会社 | 光変調増幅器 |
| JP2005317666A (ja) | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | レーザ駆動回路 |
| US7418018B2 (en) | 2005-08-24 | 2008-08-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Driver circuit for semiconductor laser diode |
| JP5195261B2 (ja) * | 2008-10-14 | 2013-05-08 | 住友電気工業株式会社 | 光送信装置 |
| EP3309581A1 (en) * | 2016-10-12 | 2018-04-18 | STMicroelectronics (Research & Development) Limited | Apparatus for controlling driver current for illumination source |
-
1990
- 1990-09-28 JP JP26271290A patent/JP2613670B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04139779A (ja) | 1992-05-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0513002B1 (en) | Laser control circuit | |
| ATE176098T1 (de) | Lasermodulationsregler unter verwendung eines additions- und eines amplitudenmodulationssteuerungstones | |
| JP3085274B2 (ja) | 光送信器 | |
| JP2613670B2 (ja) | 半導体レーザの駆動回路 | |
| US6778570B2 (en) | Laser driving apparatus and method | |
| JPH05198878A (ja) | 注入レ−ザ変調方法および装置 | |
| JPS608640B2 (ja) | 非直線閾値装置の駆動方法および装置 | |
| JP2664775B2 (ja) | 半導体レーザ駆動装置 | |
| JPH0560695B2 (ja) | ||
| JP3109467B2 (ja) | 光送信器 | |
| JPS6146994B2 (ja) | ||
| JP2612608B2 (ja) | 半導体レーザ駆動装置 | |
| JPH0810848Y2 (ja) | レーザ発振出力制御装置 | |
| JPS62151039A (ja) | 光出力安定化方式 | |
| JPH0553078B2 (ja) | ||
| JP2734026B2 (ja) | 半導体レーザ駆動回路 | |
| JPH05218553A (ja) | レーザダイオード駆動装置 | |
| JPH0590673A (ja) | 光送信器 | |
| JPH0645672A (ja) | 光送信回路 | |
| JPH0582066U (ja) | 光送信器 | |
| JPS63290419A (ja) | Ｌｄ駆動回路 | |
| JP2616987B2 (ja) | 半導体レーザ駆動装置 | |
| JPH07245441A (ja) | 半導体レーザ駆動回路及び光学センサ | |
| JPS6341236B2 (ja) | ||
| JPH06244800A (ja) | 光送信器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080227 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090227 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100227 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100227 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110227 Year of fee payment: 14 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 14 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110227 |