JPH04139779A - 半導体レーザの駆動回路 - Google Patents
半導体レーザの駆動回路Info
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- JPH04139779A JPH04139779A JP26271290A JP26271290A JPH04139779A JP H04139779 A JPH04139779 A JP H04139779A JP 26271290 A JP26271290 A JP 26271290A JP 26271290 A JP26271290 A JP 26271290A JP H04139779 A JPH04139779 A JP H04139779A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 77
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 52
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
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- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、光磁気ディスク装置等に用いる高出力の半導
体レーザの駆動回路に関する。
体レーザの駆動回路に関する。
従来、半導体レーザの駆動回路としては、第２図に示す
ものがある。この半導体レーザの駆動回路は、モニタ用
のフォトダイオード３２と、バイアス電流回路３４と、
高周波重畳回路３５と結合用コンデンサ３３を備えてい
る。そして、例えば光磁気ディスクのデータ読み取りの
場合等の半導体レーザ３１を低出力で使用する際には、
上記半導体レーザ３１の光出力の雑音を低減する目的で
、上記バイアス電流回路３４が供給する駆動用のバイア
ス電流１ｂを、上記高周波重畳回路３５て高周波変調し
て、この高周波変調した電流で半導体レーザ３１を駆動
する。このとき、上記フォトダイオード３２は、上記半
導体レーザ３１が発生する光を受けて、上記半導体レー
ザ３１の光出力値を表わす光出力検出信号を上記バイア
ス電流回路３４に出力する。そして、上記バイアス電流
回路３４は、上記半導体レーザ３１の光出力値の平均値
が一定になるように、バイアス電流Ｉｂを調整するよう
にしている。上記半導体レーザ３１の駆動状態の一例を
第３図に示す。第３図において、Ｆは上記半導体レーザ
３Ｉの光出力特性、ＰＯは上記半導体レーザ３１の光出
力波形、Ｑｏは上記高周波重畳回路３５の高周波変調波
形である。また、ｒｔｈは上記半導体レーザ３１のしき
い値電流であり、上記半導体レーザ３１に流れ込む電流
か上記しきい値電ｔＭ、ｌｔｈ以下になると、上記半導
体レーザ３１の光出力Ｐは零になり、上記半導体レーザ
３１の発振が停止する。上記半導体レーザ３５の光出力
特性Ｆは、誘導放出領域でのノ＼イアス電流ｒｂの変化
に対する光出力Ｐの変化である微分効率ηおよび上記し
きい値電流Ｉｔｈ等の光出力特性値により定まる。上記
半導体レーザ３１の光出力波形ＰＯは、第３図に示すよ
うに、断続的に零となる期間を有するようにしている。 このため、上記半導体レーザ３１は、断続的にレーザ発
振の停止と開始を繰り返し、多モード発振を起こし易く
なる。上記半導体レーザ３１は、この多モード発振によ
り、モードホッピング雑音および戻り光による雑音等の
上記半導体レーザ３１の光出力に対する雑音を低減する
ようにしている。
ものがある。この半導体レーザの駆動回路は、モニタ用
のフォトダイオード３２と、バイアス電流回路３４と、
高周波重畳回路３５と結合用コンデンサ３３を備えてい
る。そして、例えば光磁気ディスクのデータ読み取りの
場合等の半導体レーザ３１を低出力で使用する際には、
上記半導体レーザ３１の光出力の雑音を低減する目的で
、上記バイアス電流回路３４が供給する駆動用のバイア
ス電流１ｂを、上記高周波重畳回路３５て高周波変調し
て、この高周波変調した電流で半導体レーザ３１を駆動
する。このとき、上記フォトダイオード３２は、上記半
導体レーザ３１が発生する光を受けて、上記半導体レー
ザ３１の光出力値を表わす光出力検出信号を上記バイア
ス電流回路３４に出力する。そして、上記バイアス電流
回路３４は、上記半導体レーザ３１の光出力値の平均値
が一定になるように、バイアス電流Ｉｂを調整するよう
にしている。上記半導体レーザ３１の駆動状態の一例を
第３図に示す。第３図において、Ｆは上記半導体レーザ
３Ｉの光出力特性、ＰＯは上記半導体レーザ３１の光出
力波形、Ｑｏは上記高周波重畳回路３５の高周波変調波
形である。また、ｒｔｈは上記半導体レーザ３１のしき
い値電流であり、上記半導体レーザ３１に流れ込む電流
か上記しきい値電ｔＭ、ｌｔｈ以下になると、上記半導
体レーザ３１の光出力Ｐは零になり、上記半導体レーザ
３１の発振が停止する。上記半導体レーザ３５の光出力
特性Ｆは、誘導放出領域でのノ＼イアス電流ｒｂの変化
に対する光出力Ｐの変化である微分効率ηおよび上記し
きい値電流Ｉｔｈ等の光出力特性値により定まる。上記
半導体レーザ３１の光出力波形ＰＯは、第３図に示すよ
うに、断続的に零となる期間を有するようにしている。 このため、上記半導体レーザ３１は、断続的にレーザ発
振の停止と開始を繰り返し、多モード発振を起こし易く
なる。上記半導体レーザ３１は、この多モード発振によ
り、モードホッピング雑音および戻り光による雑音等の
上記半導体レーザ３１の光出力に対する雑音を低減する
ようにしている。
ところが、一般に、半導体レーザの光出力特性を決定す
るしきい値電流Ｉｔｈおよび誘導放出領域における微分
効率η等の光出力特性値は、個々の半導体レーザによっ
て大きく異なる。したがって、上記従来の半導体レーザ
の駆動回路では、半導体レーザ３１の光出力特性値のバ
ラツキのために、半導体レーザ３１の光出力波形か、第
３図に示す先出力値が零になる期間を有する光出力波形
ＰＯにならず、光出力値が零になる期間を有さない場合
が起こる。そして、この場合、上記半導体レーザ３５は
、断続的にレーザ発振の停止と開始を繰り返さないので
、モードホッピング雑音等の光出力に対する雑音を低減
できる多モード発振が容易に起こらないという問題があ
る。 そこで、本発明の目的は、半導体レーザの光出力特性値
がばらついても、常に、半導体レーザの光出力値が零に
なる期間を有するように、半導体レーザの光出力値に応
じて自動的に高周波重畳回路の変調度を調整して、半導
体レーザの多モート発振を容易に発生させることができ
、半導体レーザの光出力に対する雑音を、上記多モード
発振によって確実に低減できる半導体レーザの駆動回路
を提供することにある。
るしきい値電流Ｉｔｈおよび誘導放出領域における微分
効率η等の光出力特性値は、個々の半導体レーザによっ
て大きく異なる。したがって、上記従来の半導体レーザ
の駆動回路では、半導体レーザ３１の光出力特性値のバ
ラツキのために、半導体レーザ３１の光出力波形か、第
３図に示す先出力値が零になる期間を有する光出力波形
ＰＯにならず、光出力値が零になる期間を有さない場合
が起こる。そして、この場合、上記半導体レーザ３５は
、断続的にレーザ発振の停止と開始を繰り返さないので
、モードホッピング雑音等の光出力に対する雑音を低減
できる多モード発振が容易に起こらないという問題があ
る。 そこで、本発明の目的は、半導体レーザの光出力特性値
がばらついても、常に、半導体レーザの光出力値が零に
なる期間を有するように、半導体レーザの光出力値に応
じて自動的に高周波重畳回路の変調度を調整して、半導
体レーザの多モート発振を容易に発生させることができ
、半導体レーザの光出力に対する雑音を、上記多モード
発振によって確実に低減できる半導体レーザの駆動回路
を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明の半導体レーザの駆動
回路は、半導体レーザからの光を受けて、上記半導体レ
ーザの光出力値を表わす光出力検出信号を出力するフォ
トダイオードと、上記フォトダイオードからの光出力検
出信号を受けて、上記半導体レーザの光出力値の平均値
を検出し、上記先出力値の平均値を表わす平均値信号を
出力する平均値検出回路と、上記フォトダイオードから
の光検出信号を受けて、上記半導体レーザの先出力値の
最大値を表わす最大値信号を出力する最大値検出回路と
、上記平均値検出回路からの平均値信号を受けて、上記
半導体レーザの光出力値の平均値を一定にするように、
上記半導体レーザに駆動用のバイアス電流を供給するバ
イアス電流回路と、上記バイアス電流回路が供給するバ
イアス電流を高周波で変調する高周波重畳回路と、上記
平均値検出回路からの平均値信号と、上記最大値検出回
路からの最大値信号を受けて、上記平均値信号と最大値
信号との比較演算を行い、上記比較演算の結果に基づい
て、上記半導体レーザの光出力値の最小値が零になる期
間を有するように、上記高周波重畳回路の変調度を制御
する変調度制御回路を備えたことを特徴としている。
回路は、半導体レーザからの光を受けて、上記半導体レ
ーザの光出力値を表わす光出力検出信号を出力するフォ
トダイオードと、上記フォトダイオードからの光出力検
出信号を受けて、上記半導体レーザの光出力値の平均値
を検出し、上記先出力値の平均値を表わす平均値信号を
出力する平均値検出回路と、上記フォトダイオードから
の光検出信号を受けて、上記半導体レーザの先出力値の
最大値を表わす最大値信号を出力する最大値検出回路と
、上記平均値検出回路からの平均値信号を受けて、上記
半導体レーザの光出力値の平均値を一定にするように、
上記半導体レーザに駆動用のバイアス電流を供給するバ
イアス電流回路と、上記バイアス電流回路が供給するバ
イアス電流を高周波で変調する高周波重畳回路と、上記
平均値検出回路からの平均値信号と、上記最大値検出回
路からの最大値信号を受けて、上記平均値信号と最大値
信号との比較演算を行い、上記比較演算の結果に基づい
て、上記半導体レーザの光出力値の最小値が零になる期
間を有するように、上記高周波重畳回路の変調度を制御
する変調度制御回路を備えたことを特徴としている。
高周波重畳回路は、バイアス電流回路からのバイアス電
流を高周波変調する。そして、半導体レーザは、上記高
周波変調したバイアス電流を受けて、高周波変調した光
を発生する。すると、フォトダイオードは上記半導体レ
ーザからの光を受けて、上記半導体レーザの光出力値を
表わす光出力検出信号を平均値検出回路と最大値検出回
路に出力する。すると、上記平均値検出回路は、上記フ
ォトダイオードからの光出力検出信号に基づき、上記半
導体レーザの光出力値の平均値を検出し、上記光出力値
の平均値を表わす平均値信号を出力する。また、上記最
大値検出回路は、上記フォトダイオードからの光出力検
出信号に基づき、上記半導体レーザの先出力値の最大値
を検出し、上記光出力値の最大値を表わす最大値信号を
出力する。 すると、上記バイアス電流回路は、上記平均値検出回路
からの平均値信号を受けて、上記半導体レーザの光出力
値の平均値を一定にするように、上記半導体レーザにバ
イアス電流を供給する。一方、変調度制御回路は、上記
平均値検出回路からの平均値信号と、上記最大値検出回
路からの最大値信号を受けて、上記平均値信号と最大値
信号との比較演算を行ない、上記比較演算の結果に基づ
いて、上記半導体レーザの光出力値の最小値が零になる
期間を有するように、上記高周波重畳回路の変調度を制
御する。したがって、上記半導体レーザは、上記半導体
レーザの光出力特性がばらついても、常に断続的にレー
ザ発振の停止と開始を繰り返し、多モード発振を起こし
易すくなり、上記半導体レーザの光出力に対する雑音が
、上記多モード発振によって確実に低減される。
流を高周波変調する。そして、半導体レーザは、上記高
周波変調したバイアス電流を受けて、高周波変調した光
を発生する。すると、フォトダイオードは上記半導体レ
ーザからの光を受けて、上記半導体レーザの光出力値を
表わす光出力検出信号を平均値検出回路と最大値検出回
路に出力する。すると、上記平均値検出回路は、上記フ
ォトダイオードからの光出力検出信号に基づき、上記半
導体レーザの光出力値の平均値を検出し、上記光出力値
の平均値を表わす平均値信号を出力する。また、上記最
大値検出回路は、上記フォトダイオードからの光出力検
出信号に基づき、上記半導体レーザの先出力値の最大値
を検出し、上記光出力値の最大値を表わす最大値信号を
出力する。 すると、上記バイアス電流回路は、上記平均値検出回路
からの平均値信号を受けて、上記半導体レーザの光出力
値の平均値を一定にするように、上記半導体レーザにバ
イアス電流を供給する。一方、変調度制御回路は、上記
平均値検出回路からの平均値信号と、上記最大値検出回
路からの最大値信号を受けて、上記平均値信号と最大値
信号との比較演算を行ない、上記比較演算の結果に基づ
いて、上記半導体レーザの光出力値の最小値が零になる
期間を有するように、上記高周波重畳回路の変調度を制
御する。したがって、上記半導体レーザは、上記半導体
レーザの光出力特性がばらついても、常に断続的にレー
ザ発振の停止と開始を繰り返し、多モード発振を起こし
易すくなり、上記半導体レーザの光出力に対する雑音が
、上記多モード発振によって確実に低減される。
以下、本発明を図示の実施例により詳細に説明する。
第１図は本実施例の半導体レーザの駆動回路のブロック
図である。第１図に示すように、上記半導体レーザの駆
動回路は、フォトダイオード２と、結合用コンデンサ３
と、バイアス電流回路９と、高周波重畳回路ＩＯを備え
て、上記バイアス電流回路９が供給するバイアス電流ｒ
ｂを、上記高周波重畳回路ｌＯにより高周波変調して、
この高周波変調したバイアス電流Ｉｂによって、半導体
レーザＩを駆動する。また、上記駆動回路は、電流電圧
変換回路４と、平均値検出回路５と、最大値検出回路と
してのピーク値検出回路６と、演算回路７と、増幅回路
８を備えている。上記演算回路７と増幅回路８で変調度
制御回路を構成している。 上記構成において、上記フォトダイオード２は、上記半
導体レーザｌからの光を受けて、上記半導体レーザ１の
光出力値を表わす光出力検出信号を出力する。すると、
上記電流−電圧変換回路４は、上記フォトダイオード２
からの光出力検出信号を受けて、上記光出力検出信号を
電圧信号に変換し、この電圧信号に変換した光出力検出
信号を出力する。すると、上記平均値検出回路５は、上
記電流電圧変換回路４からの電圧信号に変換した光出力
検出信号を受けて、上記半導体レーザ１の先出力値の平
均値を検出し、上記光出力値の平均値を表わす平均値信
号を出力する。また、上記ピーク値検出回路６は、上記
電流−電圧変換回路４からの電圧信号に変換した光出力
検出信号を受けて、上記半導体レーザ！の光出力値の最
大値を検出し、上記光出力値の最大値を表わす最大値信
号を出力する。そして、上記バイアス電流回路９は、上
記平均値検出回路５からの平均値信号を受けて、上記半
導体レーザｌの光出力値の平均値を一定にするように、
上記半導体レーザ１にバイアス電流Ｉｂを供給する。ま
た、上記演算回路７は、上記平均値検出回路５からの平
均値信号と上記ピーク値検出回路６からの最大値信号を
受けて、上記平均値信号よ上記最大値信号を比較演算し
、この比較演算の結果を出力する。そして、上記増幅回
路８は、上記演算回路７からの比較演算の結果を受け、
この比較演算の結果を増幅して、上記高周波重畳回路ｌ
Ｏに出力する。こうして、上記演算回路７と増幅回路８
からなる変調度制御回路は、上記比較演算の結果に基づ
いて、上記半導体レーザｌの光出力値の最小値が零にな
る期間を有するように、上記高周波重畳回路１０の変調
度を制御する。例えば、上記高周波重畳回路１０が、上
記バイアス電流回路９が出力するバイアス電流を、サイ
ン波で変調する場合には、上記半導体レーザ１の光出力
値の最大値が上記光出力値の平均値の２倍以上になるよ
うに、上記高周波重畳回路ＩＯの変調度を制御すること
により、上記半導体レーザＩの光出力特性にバラツキが
あっても、上記半導体レーザ１に供給する電流の最小値
を、この半導体レーザｌのしきい値電流以下になり、上
記半導体レーザｌの光出力値の最小値が零になる期間を
有するようになる。したがって、上記半導体レーザｌが
断続的に発振の停止と開始を繰り返すようになり、上記
半導体レーザｌが多モード発振を起こし易くすることが
でき、上記半導体レーザ１の光出力に対する雑音を、こ
の多モード発振によって確実に低減できる。 また、上記高周波重畳回路ＩＯが、上記バイアス電流回
路９が出力するバイアス電流を、サイン波以外で変調す
る場合にも、上記半導体レーザｊの光出力値の最大値と
平均値の比を用いて、この比か２より大きくなるように
上記高周波重畳回路１０の変調度を制御することにより
、上記半導体レーザｌの光出力特性にバラツキがあって
も、上記半導体レーザ１に供給する電流の最小値を、上
記半導体レーザ１のしきい値電流以下にでき、上記半導
体レーザＩの光出力値の最小値が零になる期間を有する
ようにできる。したがって、上記半導体レーザｌが断続
的に発振の停止と開始を繰り返すようになり、上記半導
体レーザｌが多モード発振を起こし易くすることかでき
、上記半導体レーザ１の光出力に対する雑音を、この多
モード発振によって確実に低減できる。
図である。第１図に示すように、上記半導体レーザの駆
動回路は、フォトダイオード２と、結合用コンデンサ３
と、バイアス電流回路９と、高周波重畳回路ＩＯを備え
て、上記バイアス電流回路９が供給するバイアス電流ｒ
ｂを、上記高周波重畳回路ｌＯにより高周波変調して、
この高周波変調したバイアス電流Ｉｂによって、半導体
レーザＩを駆動する。また、上記駆動回路は、電流電圧
変換回路４と、平均値検出回路５と、最大値検出回路と
してのピーク値検出回路６と、演算回路７と、増幅回路
８を備えている。上記演算回路７と増幅回路８で変調度
制御回路を構成している。 上記構成において、上記フォトダイオード２は、上記半
導体レーザｌからの光を受けて、上記半導体レーザ１の
光出力値を表わす光出力検出信号を出力する。すると、
上記電流−電圧変換回路４は、上記フォトダイオード２
からの光出力検出信号を受けて、上記光出力検出信号を
電圧信号に変換し、この電圧信号に変換した光出力検出
信号を出力する。すると、上記平均値検出回路５は、上
記電流電圧変換回路４からの電圧信号に変換した光出力
検出信号を受けて、上記半導体レーザ１の先出力値の平
均値を検出し、上記光出力値の平均値を表わす平均値信
号を出力する。また、上記ピーク値検出回路６は、上記
電流−電圧変換回路４からの電圧信号に変換した光出力
検出信号を受けて、上記半導体レーザ！の光出力値の最
大値を検出し、上記光出力値の最大値を表わす最大値信
号を出力する。そして、上記バイアス電流回路９は、上
記平均値検出回路５からの平均値信号を受けて、上記半
導体レーザｌの光出力値の平均値を一定にするように、
上記半導体レーザ１にバイアス電流Ｉｂを供給する。ま
た、上記演算回路７は、上記平均値検出回路５からの平
均値信号と上記ピーク値検出回路６からの最大値信号を
受けて、上記平均値信号よ上記最大値信号を比較演算し
、この比較演算の結果を出力する。そして、上記増幅回
路８は、上記演算回路７からの比較演算の結果を受け、
この比較演算の結果を増幅して、上記高周波重畳回路ｌ
Ｏに出力する。こうして、上記演算回路７と増幅回路８
からなる変調度制御回路は、上記比較演算の結果に基づ
いて、上記半導体レーザｌの光出力値の最小値が零にな
る期間を有するように、上記高周波重畳回路１０の変調
度を制御する。例えば、上記高周波重畳回路１０が、上
記バイアス電流回路９が出力するバイアス電流を、サイ
ン波で変調する場合には、上記半導体レーザ１の光出力
値の最大値が上記光出力値の平均値の２倍以上になるよ
うに、上記高周波重畳回路ＩＯの変調度を制御すること
により、上記半導体レーザＩの光出力特性にバラツキが
あっても、上記半導体レーザ１に供給する電流の最小値
を、この半導体レーザｌのしきい値電流以下になり、上
記半導体レーザｌの光出力値の最小値が零になる期間を
有するようになる。したがって、上記半導体レーザｌが
断続的に発振の停止と開始を繰り返すようになり、上記
半導体レーザｌが多モード発振を起こし易くすることが
でき、上記半導体レーザ１の光出力に対する雑音を、こ
の多モード発振によって確実に低減できる。 また、上記高周波重畳回路ＩＯが、上記バイアス電流回
路９が出力するバイアス電流を、サイン波以外で変調す
る場合にも、上記半導体レーザｊの光出力値の最大値と
平均値の比を用いて、この比か２より大きくなるように
上記高周波重畳回路１０の変調度を制御することにより
、上記半導体レーザｌの光出力特性にバラツキがあって
も、上記半導体レーザ１に供給する電流の最小値を、上
記半導体レーザ１のしきい値電流以下にでき、上記半導
体レーザＩの光出力値の最小値が零になる期間を有する
ようにできる。したがって、上記半導体レーザｌが断続
的に発振の停止と開始を繰り返すようになり、上記半導
体レーザｌが多モード発振を起こし易くすることかでき
、上記半導体レーザ１の光出力に対する雑音を、この多
モード発振によって確実に低減できる。
以上の説明より明らかなように、本発明の半導体レーザ
の駆動回路は、半導体レーザからの光を受けたフォトダ
イオードからの半導体レーザの光出力値を表わす光出力
検出信号に基づき、平均値検出回路が上記半導体レーザ
の光出力値の平均値を表わす平均値信号を出力する一方
、最大値検出回路が上記半導体レーザの光出力値の最大
値を表わす最大値信号を出力し、この平均値信号と最大
値信号を受けた変調度制御回路は、上記平均値信号と最
大値信号の比較演算を行い、この比較演算の結果に基づ
いて、上記半導体レーザの光出力値の最小値が零になる
期間を有するように、高周波重畳回路の変調度を制御す
るので、上記半導体レーザは断続的に発振の停止と開始
を繰り返すようになり、上記半導体レーザが多モード発
振を起こし易すくすることができ、上記半導体レーザの
光出力に対する雑音を、上記多モード発振によって確実
に低減することができる。
の駆動回路は、半導体レーザからの光を受けたフォトダ
イオードからの半導体レーザの光出力値を表わす光出力
検出信号に基づき、平均値検出回路が上記半導体レーザ
の光出力値の平均値を表わす平均値信号を出力する一方
、最大値検出回路が上記半導体レーザの光出力値の最大
値を表わす最大値信号を出力し、この平均値信号と最大
値信号を受けた変調度制御回路は、上記平均値信号と最
大値信号の比較演算を行い、この比較演算の結果に基づ
いて、上記半導体レーザの光出力値の最小値が零になる
期間を有するように、高周波重畳回路の変調度を制御す
るので、上記半導体レーザは断続的に発振の停止と開始
を繰り返すようになり、上記半導体レーザが多モード発
振を起こし易すくすることができ、上記半導体レーザの
光出力に対する雑音を、上記多モード発振によって確実
に低減することができる。
第１図は本発明の一実施例の半導体レーザの駆動回路の
ブロック図、第２図は従来の半導体レーザの駆動回路の
ブロック図、第３図は従来の半導体レーザの駆動回路に
よる半導体レーザの駆動状態の一例を示す図である。 １．３１・・・半導体レーザ、 ２．３２・・・フォトダイオード、 ３．３３・・・結合用コンデンサ、 ４・・・電流−電圧変換回路、５・・・平均値検出回路
、６ ・ピーク値検出回路、 ７・・・演算回路、８
・・・増幅回路、 ９．３４・・・バイアス電流回路
、１０．３５・・・高周波重畳回路。
ブロック図、第２図は従来の半導体レーザの駆動回路の
ブロック図、第３図は従来の半導体レーザの駆動回路に
よる半導体レーザの駆動状態の一例を示す図である。 １．３１・・・半導体レーザ、 ２．３２・・・フォトダイオード、 ３．３３・・・結合用コンデンサ、 ４・・・電流−電圧変換回路、５・・・平均値検出回路
、６ ・ピーク値検出回路、 ７・・・演算回路、８
・・・増幅回路、 ９．３４・・・バイアス電流回路
、１０．３５・・・高周波重畳回路。
Claims (1)
- （１）半導体レーザからの光を受けて、上記半導体レー
ザの光出力値を表わす光出力検出信号を出力するフォト
ダイオードと、 上記フォトダイオードからの光出力検出信号を受けて、
上記半導体レーザの光出力値の平均値を検出し、上記光
出力値の平均値を表わす平均値信号を出力する平均値検
出回路と、 上記フォトダイオードからの光検出信号を受けて、上記
半導体レーザの光出力値の最大値を表わす最大値信号を
出力する最大値検出回路と、上記平均値検出回路からの
平均値信号を受けて、上記半導体レーザの光出力値の平
均値を一定にするように、上記半導体レーザに駆動用の
バイアス電流を供給するバイアス電流回路と、 上記バイアス電流回路が供給するバイアス電流を高周波
で変調する高周波重畳回路と、 上記平均値検出回路からの平均値信号と、上記最大値検
出回路からの最大値信号を受けて、上記平均値信号と最
大値信号との比較演算を行い、上記比較演算の結果に基
づいて、上記半導体レーザの光出力値の最小値が零にな
る期間を有するように、上記高周波重畳回路の変調度を
制御する変調度制御回路を備えたことを特徴とする半導
体レーザの駆動回路。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26271290A JP2613670B2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 半導体レーザの駆動回路 |
| US07/686,783 US5127015A (en) | 1990-04-17 | 1991-04-17 | Driving circuit of a semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26271290A JP2613670B2 (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | 半導体レーザの駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04139779A true JPH04139779A (ja) | 1992-05-13 |
| JP2613670B2 JP2613670B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=17379545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26271290A Expired - Lifetime JP2613670B2 (ja) | 1990-04-17 | 1990-09-28 | 半導体レーザの駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2613670B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH077213A (ja) * | 1993-06-15 | 1995-01-10 | Nec Corp | 光変調増幅器 |
| US7418018B2 (en) | 2005-08-24 | 2008-08-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Driver circuit for semiconductor laser diode |
| US7492797B2 (en) | 2004-04-27 | 2009-02-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Laser driver circuit |
| JP2010097988A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送信装置 |
| CN112543535A (zh) * | 2016-10-12 | 2021-03-23 | 意法半导体(R&D)有限公司 | 用于控制照明源的驱动电流的装置 |
-
1990
- 1990-09-28 JP JP26271290A patent/JP2613670B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH077213A (ja) * | 1993-06-15 | 1995-01-10 | Nec Corp | 光変調増幅器 |
| US7492797B2 (en) | 2004-04-27 | 2009-02-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Laser driver circuit |
| US7418018B2 (en) | 2005-08-24 | 2008-08-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Driver circuit for semiconductor laser diode |
| JP2010097988A (ja) * | 2008-10-14 | 2010-04-30 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光送信装置 |
| CN112543535A (zh) * | 2016-10-12 | 2021-03-23 | 意法半导体(R&D)有限公司 | 用于控制照明源的驱动电流的装置 |
| CN112543535B (zh) * | 2016-10-12 | 2023-07-28 | 意法半导体(R&D)有限公司 | 用于控制照明源的驱动电流的装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2613670B2 (ja) | 1997-05-28 |
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