JPH01133384A - 半導体レーザ駆動装置 - Google Patents
半導体レーザ駆動装置Info
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- JPH01133384A JPH01133384A JP29108687A JP29108687A JPH01133384A JP H01133384 A JPH01133384 A JP H01133384A JP 29108687 A JP29108687 A JP 29108687A JP 29108687 A JP29108687 A JP 29108687A JP H01133384 A JPH01133384 A JP H01133384A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 22
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract 2
- 230000032683 aging Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
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- H01S5/06832—Stabilising during amplitude modulation
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光通信等に利用する半導体レーザ駆動装置に
関する。
関する。
従来の技術
第３図は、従来の半導体レーザ駆動装置を示し、特に第
３図左方は、半導体レーザ１に駆動電流を供給するとと
もに、この駆動電流を入力データＤＡＴＡ、ＤＡＴＡに
応じてオン、オンして半導体レーザ１をパルス発光させ
る駆動電流供給回路６を示し、第３図右方は、入力デー
タＤＡＴＡ、ＤＡＴＡにかかわらず半導体レーザ１にバ
イアス電流を供給する回路を示す。
３図左方は、半導体レーザ１に駆動電流を供給するとと
もに、この駆動電流を入力データＤＡＴＡ、ＤＡＴＡに
応じてオン、オンして半導体レーザ１をパルス発光させ
る駆動電流供給回路６を示し、第３図右方は、入力デー
タＤＡＴＡ、ＤＡＴＡにかかわらず半導体レーザ１にバ
イアス電流を供給する回路を示す。
第３図右方において、２は半導体レーザ１が発光する光
量に応じたモニタ電流を発生するフォトダイオード、３
はフォトダイオード２のモニタ電流を負帰還抵抗４によ
り電圧に変換するトランスインピーダンスアンプ、６は
トランスインピーダンスアンプ３の出力電圧により半導
体レーザ１に対するバイアス電流を制御するトランジス
タである。
量に応じたモニタ電流を発生するフォトダイオード、３
はフォトダイオード２のモニタ電流を負帰還抵抗４によ
り電圧に変換するトランスインピーダンスアンプ、６は
トランスインピーダンスアンプ３の出力電圧により半導
体レーザ１に対するバイアス電流を制御するトランジス
タである。
第３図左方において、駆動電流供給回路６は、入力デー
タＤＡＴＡとＤＡＴＡの相互作用を防止するバッファ６
１と、入力データＤＡＴＡとＤＡＴＡの直流レベルを調
整するレベルシフト回路６２と、カレントミラーロジッ
ク回路６３と、可変抵抗几Ｘを予め設定することにより
半導体レーザ１に所定の駆動電流を供給するためのトラ
ンジスタ６４等より構成されている。
タＤＡＴＡとＤＡＴＡの相互作用を防止するバッファ６
１と、入力データＤＡＴＡとＤＡＴＡの直流レベルを調
整するレベルシフト回路６２と、カレントミラーロジッ
ク回路６３と、可変抵抗几Ｘを予め設定することにより
半導体レーザ１に所定の駆動電流を供給するためのトラ
ンジスタ６４等より構成されている。
第４図は、半導体レーザ１の駆動特性を示し、特に、８
は半導体レーザ１の初期状態における駆動電流対光出力
特性、９は温度が上昇した場合又は経時劣化した場合の
半導体レーザ１の駆動電流対光出力特性を示し、後者の
場合の半導体レーザ１の光出力は、初期特性に比べて小
さくなる。
は半導体レーザ１の初期状態における駆動電流対光出力
特性、９は温度が上昇した場合又は経時劣化した場合の
半導体レーザ１の駆動電流対光出力特性を示し、後者の
場合の半導体レーザ１の光出力は、初期特性に比べて小
さくなる。
また、８ａ、９ａはそれぞれ、上記特性８．９における
半導体レーザ１の駆動電流、８ｂ、９ｂはそれぞれ、上
記特性８、ｅにおける半導体レーザ１の光出力を示す。
半導体レーザ１の駆動電流、８ｂ、９ｂはそれぞれ、上
記特性８、ｅにおける半導体レーザ１の光出力を示す。
次に、上記従来例の動作を説明する。
先ず、半導体レーザ１の初期状態においては、入力デー
タＤＡＴＡとＤＡＴＡにそれぞれ、「１」、「０」が入
力すると、半導体レーザ１には駆動電流供給回路６によ
り所定の駆動電流８ａが流れ、半導体レーザ１は比較的
大きい光出力８ｂで発光する。
タＤＡＴＡとＤＡＴＡにそれぞれ、「１」、「０」が入
力すると、半導体レーザ１には駆動電流供給回路６によ
り所定の駆動電流８ａが流れ、半導体レーザ１は比較的
大きい光出力８ｂで発光する。
半導体レーザ１が比較的大きい光出力８ｂで発光すると
、比較的大きな電流がフォトダイオード２に流れ、トラ
ンスインピーダンスアンプ３が負帰還抵抗４により比較
的小さな電圧に変換してトランジスタ６のベースに印加
する。
、比較的大きな電流がフォトダイオード２に流れ、トラ
ンスインピーダンスアンプ３が負帰還抵抗４により比較
的小さな電圧に変換してトランジスタ６のベースに印加
する。
尚、第４図において、光出力８ｂのレベルＢａは、トラ
ンジスタ６のバイアス電流によるレベルであり、レベル
（Ａａ−Ｂａ）は、トランジスタ６４の駆動電流８ａに
よるレベルである。
ンジスタ６のバイアス電流によるレベルであり、レベル
（Ａａ−Ｂａ）は、トランジスタ６４の駆動電流８ａに
よるレベルである。
したがって、半導体レーザ１には比較的小さなバイアス
電流が前記駆動電流に重畳され、半導体レーザ１は、レ
ベル差（Ａａ／Ｂａ）の大キいパルス光８ｂを出力する
。
電流が前記駆動電流に重畳され、半導体レーザ１は、レ
ベル差（Ａａ／Ｂａ）の大キいパルス光８ｂを出力する
。
他方、温度が上昇した場合又は経時劣化した場合、駆動
電流供給回路６による所定の駆動電流８ｂ（＝８ａ）が
半導体レーザ１に流れると、半導体レーザ１は比較的小
さい光出力で発光する。
電流供給回路６による所定の駆動電流８ｂ（＝８ａ）が
半導体レーザ１に流れると、半導体レーザ１は比較的小
さい光出力で発光する。
半導体レーザ１が比較的小さい光出力で発光すると、比
較的小さい電流がフォトダイオード２に流れ、トランス
インピーダンスアンプ３が負帰還抵抗４により比較的大
きな電圧に変換してトランジスタ６０ベースに印加スる
。
較的小さい電流がフォトダイオード２に流れ、トランス
インピーダンスアンプ３が負帰還抵抗４により比較的大
きな電圧に変換してトランジスタ６０ベースに印加スる
。
尚、第４図において、光出力９ｂのレベルＢｂは、トラ
ンジスタ６のバイアス電流によるレベルであり、レベル
（Ａｂ −Ｂｂ ）は、トランジスタ６４の駆動電流８
ｂによるレベルである。
ンジスタ６のバイアス電流によるレベルであり、レベル
（Ａｂ −Ｂｂ ）は、トランジスタ６４の駆動電流８
ｂによるレベルである。
したがって、半導体レーザ１には比較的大きなバイアス
電流が前記駆動電流に重畳され、半導体レーザ１は、図
示破線で示す路間−の平均出力９ｂで発光する。 ゛ 発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記従来の半導体レーザ駆動装置では、
直流バイアス電流により半導体レーザ１の平均出力が一
定になるように制御しているために、温度が上昇した場
合又は経時劣化した場合には、半導体レーザ１が第４図
のパルス波形９ｂで示すように、レベル差（Ａｂ ／Ｂ
ｂ ）の小さい光９ｂを出力するために、Ｓ／Ｎ比が悪
化するという問題点がある。
電流が前記駆動電流に重畳され、半導体レーザ１は、図
示破線で示す路間−の平均出力９ｂで発光する。 ゛ 発明が解決しようとする問題点 しかしながら、上記従来の半導体レーザ駆動装置では、
直流バイアス電流により半導体レーザ１の平均出力が一
定になるように制御しているために、温度が上昇した場
合又は経時劣化した場合には、半導体レーザ１が第４図
のパルス波形９ｂで示すように、レベル差（Ａｂ ／Ｂ
ｂ ）の小さい光９ｂを出力するために、Ｓ／Ｎ比が悪
化するという問題点がある。
本発明は上記問題点に鑑み、半導体レーザが発光する光
信号のＳ／Ｎ比を向上することができる半導体レーザ駆
動装置を提供することを目的とする。
信号のＳ／Ｎ比を向上することができる半導体レーザ駆
動装置を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するために、駆動電流による
モニタ電流のパルスのレベルが一定になるように駆動電
流を制御するとともに、バイアス電流による前記モニタ
電流のパルスのレベルが一定になるようにバイアス電流
を制御するようにしたものである。
モニタ電流のパルスのレベルが一定になるように駆動電
流を制御するとともに、バイアス電流による前記モニタ
電流のパルスのレベルが一定になるようにバイアス電流
を制御するようにしたものである。
作用
本発明は上記構成により、半導体レーザの駆動電流とバ
イアス電流を制御するために、温度が上昇したり、半導
体レーザが経時劣化して光量が変化しても、半導体レー
ザがパルス発光する信号のレベル比を一定に制御するこ
とができ、したがって、半導体レーザが発光する光信号
のＳ／Ｎ比を向上することができる。
イアス電流を制御するために、温度が上昇したり、半導
体レーザが経時劣化して光量が変化しても、半導体レー
ザがパルス発光する信号のレベル比を一定に制御するこ
とができ、したがって、半導体レーザが発光する光信号
のＳ／Ｎ比を向上することができる。
実施例
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。第１図
は、本発明に係る半導体レーザ駆動装置の一実施例を示
す回路図、第２図は、第１図の半導体レーザ駆動装置の
動作説明図であり、第３図に示す構成部材と同一の構成
部材には同一の参照符号を付す。
は、本発明に係る半導体レーザ駆動装置の一実施例を示
す回路図、第２図は、第１図の半導体レーザ駆動装置の
動作説明図であり、第３図に示す構成部材と同一の構成
部材には同一の参照符号を付す。
第１図において、第１図左方は、半導体レーザ１に駆動
電流を供給するとともに、この駆動電流を入力データＤ
ＡＴＡ、ＤＡＴＡに応じてオン、オフしてパルス発光さ
せる駆動電流供給回路６を示し、第３図右方は、入力デ
ータＤＡＴＡ、ＤＡＴＡにかかわらず半導体レーザ１に
バイアス電流を供給する回路を示す。
電流を供給するとともに、この駆動電流を入力データＤ
ＡＴＡ、ＤＡＴＡに応じてオン、オフしてパルス発光さ
せる駆動電流供給回路６を示し、第３図右方は、入力デ
ータＤＡＴＡ、ＤＡＴＡにかかわらず半導体レーザ１に
バイアス電流を供給する回路を示す。
第１図右方において、２は半導体レーザ１が発光する光
量に応じたモニタ電流を発生するフォトダイオード、３
はフォトダイオード２のモニタ電流を負帰還抵抗４によ
り電圧に変換するトランスインピーダンスアンプである
。
量に応じたモニタ電流を発生するフォトダイオード、３
はフォトダイオード２のモニタ電流を負帰還抵抗４によ
り電圧に変換するトランスインピーダンスアンプである
。
１０ａはトランスインピーダンスアンプ３の出力電圧の
バイアス電流によるレベルをダイオードを介して検出す
る回路、１１ａは検出回路１０ａの出力電圧の高周波成
分を除去するロウパスフィルタ（ＬＰＦ）、１２ａはロ
ウパスフィルタ１１ａの出力電圧と、バイアス電流側・
旬月の参照電圧の差を増幅する誤差増幅器、５は誤差増
幅器１２ａの出力電圧により半導体レーザ１に対するバ
イアス電流を制御するためのトランジスタである。
バイアス電流によるレベルをダイオードを介して検出す
る回路、１１ａは検出回路１０ａの出力電圧の高周波成
分を除去するロウパスフィルタ（ＬＰＦ）、１２ａはロ
ウパスフィルタ１１ａの出力電圧と、バイアス電流側・
旬月の参照電圧の差を増幅する誤差増幅器、５は誤差増
幅器１２ａの出力電圧により半導体レーザ１に対するバ
イアス電流を制御するためのトランジスタである。
また、１１ｈはトランスインピーダンスアンプ３の出力
電圧の高周波成分を除去するロウパスフィルタ（ＬＰＦ
）、１２ｂはロウパスフィルタ１１ｂの出力電圧と、駆
動電流制御用の参照電圧の差を増幅する誤差増幅器であ
る。
電圧の高周波成分を除去するロウパスフィルタ（ＬＰＦ
）、１２ｂはロウパスフィルタ１１ｂの出力電圧と、駆
動電流制御用の参照電圧の差を増幅する誤差増幅器であ
る。
第１図左方において、駆動電流供給回路６は、入力デー
タＤＡＴＡとＤＡＴＡの相互作用を防止するバッファ６
１と、入力データＤＡＴＡとＤＡＴＡの直流レベルを調
整するレベルシフト回路６２χ、カレントミラーロジッ
ク回路ｅ３と、誤差増幅器１２ｂの出力電圧により半導
体レーザ１に供給する駆動電流を制御するトランジスタ
６４等より構成されている。
タＤＡＴＡとＤＡＴＡの相互作用を防止するバッファ６
１と、入力データＤＡＴＡとＤＡＴＡの直流レベルを調
整するレベルシフト回路６２χ、カレントミラーロジッ
ク回路ｅ３と、誤差増幅器１２ｂの出力電圧により半導
体レーザ１に供給する駆動電流を制御するトランジスタ
６４等より構成されている。
第２図は、第４図と同様に、半導体レーザ１の駆動特性
を示し、特に、８は半導体レーザ１の初期状態における
駆動電流対光出力特性、９は温度が上昇した場合又は経
時劣化した場合の半導体レーザ１の駆動電流対光出力特
性を示し、後者の場合の半導体レーザ１の光出力は、初
期特性に比べて小さくなる。
を示し、特に、８は半導体レーザ１の初期状態における
駆動電流対光出力特性、９は温度が上昇した場合又は経
時劣化した場合の半導体レーザ１の駆動電流対光出力特
性を示し、後者の場合の半導体レーザ１の光出力は、初
期特性に比べて小さくなる。
また、８ｃ、９ｃはそれぞれ、上記特性８．９における
半導体レーザ１の駆動電流、８ｄ、 ９ｄはそれぞれ、
上記特性８．９における半導体レーザ１の光出力を示す
。
半導体レーザ１の駆動電流、８ｄ、 ９ｄはそれぞれ、
上記特性８．９における半導体レーザ１の光出力を示す
。
次に、上記構成に係る実施例の動作を説明する。
先ず、半導体レーザ１の初期状態においては、入力デー
タＤＡＴＡとＤＡＴＡにそれぞれ、「１」、「０」が入
力すると、半導体レーザ１には駆動電流供給回路６のト
ランジスタ６４０ベース電圧に応じた駆動電流８ａが流
れ、半導体レーザ１は比較的大きい光出力８ｄで発光す
る。
タＤＡＴＡとＤＡＴＡにそれぞれ、「１」、「０」が入
力すると、半導体レーザ１には駆動電流供給回路６のト
ランジスタ６４０ベース電圧に応じた駆動電流８ａが流
れ、半導体レーザ１は比較的大きい光出力８ｄで発光す
る。
半導体レーザ１が比較的大きい光出力８ｄで発光すると
、比較的大きな電流がフォトダイオード２に流れ、トラ
ンスインピーダンスアンプ３は、負帰還抵抗４により比
較的小さな電圧に変換する。
、比較的大きな電流がフォトダイオード２に流れ、トラ
ンスインピーダンスアンプ３は、負帰還抵抗４により比
較的小さな電圧に変換する。
この出力電圧（図示ａ点）は１．検出回路１０ ａのダ
イオードにより検出されず、したがって、誤差増幅器１
２ａは、比較的小さな電圧をトランジスタ６のベースに
印加し、従来例と同様に、半導体レーザ１には比較的小
さなバイアス電流が前記駆動電流に重畳される。
イオードにより検出されず、したがって、誤差増幅器１
２ａは、比較的小さな電圧をトランジスタ６のベースに
印加し、従来例と同様に、半導体レーザ１には比較的小
さなバイアス電流が前記駆動電流に重畳される。
また、この比較的小さな出力電圧（図示ａ点）により、
誤差増幅器１２ｂは、トランジスタ６４に対するベース
電圧を変化せず、したがって、第２図に示すように、半
導体レーザ１は、レベル差の大きい光８ｄを出力する。
誤差増幅器１２ｂは、トランジスタ６４に対するベース
電圧を変化せず、したがって、第２図に示すように、半
導体レーザ１は、レベル差の大きい光８ｄを出力する。
他方、温度が上昇した場合又は経時劣化した場合、半導
体レーザ１に前述した駆動電流８ａが流れると、半導体
レーザ１は、第２図に示すように、駆動電流によるレベ
ルとバイアス電流によるレベルが共に比較的小さい光出
力８ｅで発光する。
体レーザ１に前述した駆動電流８ａが流れると、半導体
レーザ１は、第２図に示すように、駆動電流によるレベ
ルとバイアス電流によるレベルが共に比較的小さい光出
力８ｅで発光する。
半導体レーザ１が比較的小さい光出力８ｅで発光すると
、比較的小さい電流がフォトダイオード２に流れ、トラ
ンスインピーダンスアンプ３は、負帰還抵抗４により比
較的大きな電圧に変換する。
、比較的小さい電流がフォトダイオード２に流れ、トラ
ンスインピーダンスアンプ３は、負帰還抵抗４により比
較的大きな電圧に変換する。
この出力電圧（図示ａ点）は、検出回路１０ ａのダイ
オードにより検出され、誤差増幅器１２ａは、比較的大
きな電圧をトランジスタ６のベースに印加することによ
り、光出力８ｅのバイアス電流によるレベルが減少した
分だけバイアス電流を増加させる。
オードにより検出され、誤差増幅器１２ａは、比較的大
きな電圧をトランジスタ６のベースに印加することによ
り、光出力８ｅのバイアス電流によるレベルが減少した
分だけバイアス電流を増加させる。
また、トランスインピーダンスアンプ３が負帰還抵抗４
により比較的大きな電圧に変換すると、誤差増幅器１２
ｂは、比較的大きな電圧をトランジスタ６４のベースに
印加することにより、光出力８ｅの駆動電流によるレベ
ルが減少した分だけ駆動電流を増加させる。
により比較的大きな電圧に変換すると、誤差増幅器１２
ｂは、比較的大きな電圧をトランジスタ６４のベースに
印加することにより、光出力８ｅの駆動電流によるレベ
ルが減少した分だけ駆動電流を増加させる。
したがって、半導体レーザ１には比較的大きなバイアス
電流が前記駆動電流に重畳され、第２図に示すように、
初期状態と同様な出力９ｄで発光する。
電流が前記駆動電流に重畳され、第２図に示すように、
初期状態と同様な出力９ｄで発光する。
発明の詳細
な説明したように、本発明は、駆動電流によるモニタ電
流のパルスのレベルが一定になるように駆動電流を制御
するとともに、バイアス電流による前記モニタ電流のパ
ルスのレベルが一定ニなるようにバイアス電流を制御す
るようにしたので、半導体レーザが経時劣化等して光量
が変化しても、半導体レーザがパルス発光する信号のレ
ベル比を一定に制御することができ、したがって、半導
体レーザが発光する光信号のＳ／Ｎ比を向上することが
できる。
流のパルスのレベルが一定になるように駆動電流を制御
するとともに、バイアス電流による前記モニタ電流のパ
ルスのレベルが一定ニなるようにバイアス電流を制御す
るようにしたので、半導体レーザが経時劣化等して光量
が変化しても、半導体レーザがパルス発光する信号のレ
ベル比を一定に制御することができ、したがって、半導
体レーザが発光する光信号のＳ／Ｎ比を向上することが
できる。
第１図は、本発明に係る半導体レーザ駆動装置の一実施
例を示す回路図、第２図は、第１図の半導体レーザ駆動
装置の動作説明図、第３図は、従来例の半導体レーザ駆
動装置を示す回路図、第４図は、第３図の半導体レーザ
駆動装置の動作説明図である。 １°°°半導体レーザ、２・・・フォトダイオード、３
・・・トランスインピーダンスアンプ、４・・・負帰還
抵抗、６・・・バイアス電流供給用トランジスタ、６・
・・駆動電流供給回路、１０ａ・・・バイアス電流レベ
ル検出回路、１１ａ・・・ロウパスフィルタ、１２ａ・
・・誤差増幅器、１１ｂ−・・ロウパスフィルタ、１２
ｂ・・・誤差増幅器、６４・・・駆動電流供給用トラン
ジスタ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１１
２ 図 第４図
例を示す回路図、第２図は、第１図の半導体レーザ駆動
装置の動作説明図、第３図は、従来例の半導体レーザ駆
動装置を示す回路図、第４図は、第３図の半導体レーザ
駆動装置の動作説明図である。 １°°°半導体レーザ、２・・・フォトダイオード、３
・・・トランスインピーダンスアンプ、４・・・負帰還
抵抗、６・・・バイアス電流供給用トランジスタ、６・
・・駆動電流供給回路、１０ａ・・・バイアス電流レベ
ル検出回路、１１ａ・・・ロウパスフィルタ、１２ａ・
・・誤差増幅器、１１ｂ−・・ロウパスフィルタ、１２
ｂ・・・誤差増幅器、６４・・・駆動電流供給用トラン
ジスタ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１１
２ 図 第４図
Claims (1)
- 半導体レーザに駆動電流を供給する第１の電流供給手段
と、半導体レーザに前記駆動電流より低いバイアス電流
を供給する第２の電流供給手段と、データに応じて前記
駆動電流をオン、オフすることにより半導体レーザをパ
ルス発光させる手段と、半導体レーザの発光量に応じた
モニタ電流を発生する手段と、駆動電流による前記モニ
タ電流のパルスのレベルが一定にルなように前記第１の
電流供給手段を制御する手段と、バイアス電流による前
記モニタ電流のパルスのレベルが一定になるように前記
第２の電流供給手段を制御する手段を有する半導体レー
ザ駆動装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29108687A JPH01133384A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | 半導体レーザ駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29108687A JPH01133384A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | 半導体レーザ駆動装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01133384A true JPH01133384A (ja) | 1989-05-25 |
Family
ID=17764258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29108687A Pending JPH01133384A (ja) | 1987-11-18 | 1987-11-18 | 半導体レーザ駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01133384A (ja) |
Cited By (1)
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