JPS61164283A - 半導体レ−ザの光出力安定化装置 - Google Patents
半導体レ−ザの光出力安定化装置Info
- Publication number
- JPS61164283A JPS61164283A JP606585A JP606585A JPS61164283A JP S61164283 A JPS61164283 A JP S61164283A JP 606585 A JP606585 A JP 606585A JP 606585 A JP606585 A JP 606585A JP S61164283 A JPS61164283 A JP S61164283A
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- Japan
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- pulse
- semiconductor laser
- pulse component
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の背景と目的］
本発明は半導体レーザの光出力安定化装置に係り、特に
温度変化、経時変化による半導体レーザの特性変化に対
して安定な光出力を得るようにするのに好適な半導体レ
ーザの光出力安定化装置に関するものである。
温度変化、経時変化による半導体レーザの特性変化に対
して安定な光出力を得るようにするのに好適な半導体レ
ーザの光出力安定化装置に関するものである。
従来、一般に用いられている半導体レーザの光出力安定
化装置は、光出力の平均値おるいは入力信号成分のピー
ク値を検出し、これと基準値との比較により直流バイア
ス電流あるいはパルス信号電流を制御するようにしてい
た。しかし、これらの場合は、光出力の直流レベルとパ
ルス成分との両者を安定化さぜることが困難てあったり
、また、入力信号のデユーティマーク率の変化によって
光出力が変動するなどの欠点をもつ一部あり、厳密に光
出力を安定化させるには不十分であった。
化装置は、光出力の平均値おるいは入力信号成分のピー
ク値を検出し、これと基準値との比較により直流バイア
ス電流あるいはパルス信号電流を制御するようにしてい
た。しかし、これらの場合は、光出力の直流レベルとパ
ルス成分との両者を安定化さぜることが困難てあったり
、また、入力信号のデユーティマーク率の変化によって
光出力が変動するなどの欠点をもつ一部あり、厳密に光
出力を安定化させるには不十分であった。
本発明は上記に鑑みてなされてもので、その目的とする
ところは、温度変化、経時変化による半導体レーザの特
性変化あるいは変調信号のデユーティマーク率の変化に
対して安定な光出力を得るようにすることかできる半導
体レーザの光出力安定化装置を提供することにある。
ところは、温度変化、経時変化による半導体レーザの特
性変化あるいは変調信号のデユーティマーク率の変化に
対して安定な光出力を得るようにすることかできる半導
体レーザの光出力安定化装置を提供することにある。
［発明の概要］
本発明の特徴は、半導体レーザの光出力の一部を検出し
た検出値のパルス成分のピーク値を検出してこれと基準
値との比較により上記半導体レーザに供給するパルス電
流を制御する第１の制τＩＩＩ手段と、上記検出値の全
光出力平均値とパルス成分の平均値とを検出して上記両
平均値の差を求め、これと基準値との比較により上記半
導体レーザに与える直流バイアス電流を制御する第２の
制御手段とよりなる構成とした点にある。
た検出値のパルス成分のピーク値を検出してこれと基準
値との比較により上記半導体レーザに供給するパルス電
流を制御する第１の制τＩＩＩ手段と、上記検出値の全
光出力平均値とパルス成分の平均値とを検出して上記両
平均値の差を求め、これと基準値との比較により上記半
導体レーザに与える直流バイアス電流を制御する第２の
制御手段とよりなる構成とした点にある。
［実施例］
以下本発明を第１図に示した実施例および第２図を用い
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
第１図は本発明の半導体のレーザの光出力安定化装置の
一実施例を示ずブロック図である。第１図において、１
は半導体レーザ、２は変調信号を入力して半導体レーザ
１にパルス信号電流を供給するパルス電流制御回路、３
は半導体レーザ１に直流バイアス電流を与える直流バイ
アス電流制御回路、４は半導体レーザ１からの光出力の
一部を検出して、必要に応じて光−電変換された電気信
号を増幅する光検出器、５１ｊｌ光検出器４からの電気
信号を入力してパルス成分のピーク値を検出して、それ
をパルス電流制御回路２に与えろパルス成分ピーク値検
出回路、６は上記電気出力を入力して全光出力平均値を
検出する仝光出力平均値検出回路、７は上記電気信号を
入ノ９してパルス成分平均値を検出するパルス成分平均
値検出回路で、全光出力平均値検出回路６はパルス成分
平均値検出回路７の出力とは引き算回路８に入力させて
あって、ここで、両平均値の差を油筒し、それを直流バ
イアス電流制御回路３に与えている。ぞしてパルス電流
制御回路２では、パルス成分ピーク値検出回路５からの
パルス成分のピーク値と基準値との比較によりパルス電
流を制御し、直流バイアス電流制御回路３では、引き算
回路８からの差信号、すなわち、変調信号のローレベル
と基ダシ５値との比較により直流バイアス電流を制御し
ている。
一実施例を示ずブロック図である。第１図において、１
は半導体レーザ、２は変調信号を入力して半導体レーザ
１にパルス信号電流を供給するパルス電流制御回路、３
は半導体レーザ１に直流バイアス電流を与える直流バイ
アス電流制御回路、４は半導体レーザ１からの光出力の
一部を検出して、必要に応じて光−電変換された電気信
号を増幅する光検出器、５１ｊｌ光検出器４からの電気
信号を入力してパルス成分のピーク値を検出して、それ
をパルス電流制御回路２に与えろパルス成分ピーク値検
出回路、６は上記電気出力を入力して全光出力平均値を
検出する仝光出力平均値検出回路、７は上記電気信号を
入ノ９してパルス成分平均値を検出するパルス成分平均
値検出回路で、全光出力平均値検出回路６はパルス成分
平均値検出回路７の出力とは引き算回路８に入力させて
あって、ここで、両平均値の差を油筒し、それを直流バ
イアス電流制御回路３に与えている。ぞしてパルス電流
制御回路２では、パルス成分ピーク値検出回路５からの
パルス成分のピーク値と基準値との比較によりパルス電
流を制御し、直流バイアス電流制御回路３では、引き算
回路８からの差信号、すなわち、変調信号のローレベル
と基ダシ５値との比較により直流バイアス電流を制御し
ている。
第２図は半導体レーザの電流−光特性および入出力信号
の例を示した線図で、１１はパルス成分平均値、１２
ｉ、ＩＩパルス成分ピーク値、１３は全光出力平均値、
１４はローレベル、１５はハイレベルを示す。
の例を示した線図で、１１はパルス成分平均値、１２
ｉ、ＩＩパルス成分ピーク値、１３は全光出力平均値、
１４はローレベル、１５はハイレベルを示す。
上記した本発明の実施例によれば、
（１）光出力信号のハイレベルおよびローレベルを常に
一定に保つことかできる。特に、温度等の外部環境の変
化や経時変化による半導体レーザ１の特性変化や変調信
号のデユーティマーク率の変動があっても光出力を一定
に保つことができる。
一定に保つことかできる。特に、温度等の外部環境の変
化や経時変化による半導体レーザ１の特性変化や変調信
号のデユーティマーク率の変動があっても光出力を一定
に保つことができる。
（２）半導レーザ１の寿命を延ばずことかできる。
（３）高速光通信に用いた場合、誤り率を低下させ、伝
送特性の安定性を向上することができる。
送特性の安定性を向上することができる。
（４）任意の特性をもつ半導体レーザに簡単に適用する
ことができる。
ことができる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明によれば、温度変化、経時
変化による半導体レーザの特性変化あるいは変調信号の
デユーティマーク率の変化に対して安定な光出力を得る
ようにすることかができるという効果がある。
変化による半導体レーザの特性変化あるいは変調信号の
デユーティマーク率の変化に対して安定な光出力を得る
ようにすることかができるという効果がある。
第１図は本発明の半導体レーザの光出力安定化装置の一
実施例を示すブロック図、第２図は半導体レーザの電流
−光特性および入出力信号の例を示した線図である。 １・・・・・・半 導 体 し − ザ、２
・・・・・・パルス電流制御回路、 ３・・・・・・直流バイアス電流制御回路、４・・・・
・・光 検 出 器、５・・・・・
・パルス成分ピーク値検出回路、６・・・・・・全出力
光平均値検出回路、７・・・・・・パルス成分平均値検
出回路、８・・・・・・引 き 算 回
路。 手続 補 正 書く自発） ６０．５．１（３ １事件の表示 昭和 ６０ 年 特 許 願第 ６０６５ 号
２発明の名称 半導体レーザの光出力安定化装置 ３ 補正をする者 ４ 代 理 人〒１００ ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書の第２頁第１１行の「デユーティ」と１マ
ーク宰」との間に「あるいは」を加入する。 （２）明細書の第２頁第１４行の「なされて」を「なさ
れた」と訂正する。 （３）明細書の第２頁第１７行の「マーク率」を「ある
いはマーク率」と訂正する。 （４）明細書の第５頁第７行の「マーク率」を「あるい
はマーク率」と訂正する。 （５）明細書の第５頁第１８行の「マーク率」を「ある
いはマーク率」と訂正する。
実施例を示すブロック図、第２図は半導体レーザの電流
−光特性および入出力信号の例を示した線図である。 １・・・・・・半 導 体 し − ザ、２
・・・・・・パルス電流制御回路、 ３・・・・・・直流バイアス電流制御回路、４・・・・
・・光 検 出 器、５・・・・・
・パルス成分ピーク値検出回路、６・・・・・・全出力
光平均値検出回路、７・・・・・・パルス成分平均値検
出回路、８・・・・・・引 き 算 回
路。 手続 補 正 書く自発） ６０．５．１（３ １事件の表示 昭和 ６０ 年 特 許 願第 ６０６５ 号
２発明の名称 半導体レーザの光出力安定化装置 ３ 補正をする者 ４ 代 理 人〒１００ ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書の第２頁第１１行の「デユーティ」と１マ
ーク宰」との間に「あるいは」を加入する。 （２）明細書の第２頁第１４行の「なされて」を「なさ
れた」と訂正する。 （３）明細書の第２頁第１７行の「マーク率」を「ある
いはマーク率」と訂正する。 （４）明細書の第５頁第７行の「マーク率」を「あるい
はマーク率」と訂正する。 （５）明細書の第５頁第１８行の「マーク率」を「ある
いはマーク率」と訂正する。
Claims (1)
- （１）半導体レーザの光出力の一部を検出して、その検
出値と基準値とを比較して前記半導体レーザのパルス電
流および直流バイアス電流を制御するようにしたものに
おいて、前記検出値のパルス成分のピーク値を検出して
これと基準値との比較により前記パルス電流を制御する
第１の制御手段と、前記検出値の全光出力平均値とパル
ス成分の平均値とを検出して前記両平均値の差を求め、
これと基準値との比較により前記直流バイアス電流を制
御する第２の制御手段とよりなることを特徴とする半導
体レーザの光出力安定化装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP606585A JPS61164283A (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 半導体レ−ザの光出力安定化装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP606585A JPS61164283A (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 半導体レ−ザの光出力安定化装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61164283A true JPS61164283A (ja) | 1986-07-24 |
Family
ID=11628179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP606585A Pending JPS61164283A (ja) | 1985-01-17 | 1985-01-17 | 半導体レ−ザの光出力安定化装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61164283A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0191484A (ja) * | 1987-10-02 | 1989-04-11 | Fujitsu Ltd | 発光素子駆動回路 |
| JPH01112789A (ja) * | 1987-10-27 | 1989-05-01 | Nec Corp | 光信号送信装置 |
| JPH01133384A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ駆動装置 |
| WO1995008879A1 (en) * | 1993-09-22 | 1995-03-30 | Massachussetts Institute Of Technology | Error-rate based laser drive control |
-
1985
- 1985-01-17 JP JP606585A patent/JPS61164283A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0191484A (ja) * | 1987-10-02 | 1989-04-11 | Fujitsu Ltd | 発光素子駆動回路 |
| JPH01112789A (ja) * | 1987-10-27 | 1989-05-01 | Nec Corp | 光信号送信装置 |
| JPH01133384A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ駆動装置 |
| WO1995008879A1 (en) * | 1993-09-22 | 1995-03-30 | Massachussetts Institute Of Technology | Error-rate based laser drive control |
| US5623355A (en) * | 1993-09-22 | 1997-04-22 | Massachusetts Institute Of Technology | Error-rate-based laser drive control |
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