JPS5963787A - 光出力安定化方式 - Google Patents
光出力安定化方式Info
- Publication number
- JPS5963787A JPS5963787A JP17437282A JP17437282A JPS5963787A JP S5963787 A JPS5963787 A JP S5963787A JP 17437282 A JP17437282 A JP 17437282A JP 17437282 A JP17437282 A JP 17437282A JP S5963787 A JPS5963787 A JP S5963787A
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- JP
- Japan
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- optical output
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- pulse
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、直流バイアス電流にパルス信号を重畳した駆
動信号により半導体レーザを変調する方式において、微
分効率の変化による消光比の劣化が生じない様にした光
出力安定イヒ方式に関する。
動信号により半導体レーザを変調する方式において、微
分効率の変化による消光比の劣化が生じない様にした光
出力安定イヒ方式に関する。
従来技術と問題点
半導体レーザの駆動′亀流工と光出力Ｐの関係は第１図
にＩＰで示す様に、閾値Ｉｔｈ以上になると、レーザ光
を発光する。
にＩＰで示す様に、閾値Ｉｔｈ以上になると、レーザ光
を発光する。
従って通常半導体レーザの駆動は、閾値工ｔｈと同じ値
のバイアス電流よりにパルス電流Ｉ、を重畳した駆動信
号によって行なっている。
のバイアス電流よりにパルス電流Ｉ、を重畳した駆動信
号によって行なっている。
これにより光出力Ｐｏが得られる、
ところで、この光出力のピーク値を安定にするだめに、
光出力ＰＯの平均値を求め、仁の平均値でバイアス電流
１Ｂのレベルを制御している。
光出力ＰＯの平均値を求め、仁の平均値でバイアス電流
１Ｂのレベルを制御している。
ところがこの方式では半導体レーザの劣化や温度上昇に
併ない、■とＰの関係が点線に示す様に変化、すなわち
微分効率が劣化すると、バイアス′這流をより′まで大
きくしても、光出力ＰＯは高くならず、しかもパルスの
高さＶＰＩ’とバイアス光のレベルＶＰ２’の比（消光
比）が光出力Ｐｏの消光比（ＶＰＩ／ＶＰ２ ）に比較
して小さくなってしまい、受信側において、識別の誤ま
りが発生しやすくなる欠点があった。
併ない、■とＰの関係が点線に示す様に変化、すなわち
微分効率が劣化すると、バイアス′這流をより′まで大
きくしても、光出力ＰＯは高くならず、しかもパルスの
高さＶＰＩ’とバイアス光のレベルＶＰ２’の比（消光
比）が光出力Ｐｏの消光比（ＶＰＩ／ＶＰ２ ）に比較
して小さくなってしまい、受信側において、識別の誤ま
りが発生しやすくなる欠点があった。
発明の目的及び構成
本発明は、上記の欠点に鑑みてなされたもので、微分効
率の劣化にもかかわらず消光比が小さくならない様にし
た光出力安定化方式を提供することを目的とし、この目
的は、直流バイアス電流にパルス信号を重畳した駆動信
号により変調される半導体レーザの光出力を安定化する
光出力安定化方式において、該光出力のピーク値トパル
ス高さの検出を行ない、両者の差と第１の基準電圧とを
第１の比較器に入力し、該第１の比較器出力で該バイア
ス電流のレベルを制御し、パルス高さと第２の基準電圧
とを第２の比較器に入力し、該第２の比較器出力により
該パルス信号のレベルを制御する様にしたことを特徴と
する光出力安定化方式によって達成される。
率の劣化にもかかわらず消光比が小さくならない様にし
た光出力安定化方式を提供することを目的とし、この目
的は、直流バイアス電流にパルス信号を重畳した駆動信
号により変調される半導体レーザの光出力を安定化する
光出力安定化方式において、該光出力のピーク値トパル
ス高さの検出を行ない、両者の差と第１の基準電圧とを
第１の比較器に入力し、該第１の比較器出力で該バイア
ス電流のレベルを制御し、パルス高さと第２の基準電圧
とを第２の比較器に入力し、該第２の比較器出力により
該パルス信号のレベルを制御する様にしたことを特徴と
する光出力安定化方式によって達成される。
発明の実施例
以下本発明を実施例に基づいて説明する。
第２図は本発明の一実施例を、第３図は第２図の動作説
明図である。
明図である。
図中Ｇはゲート、ＤＲ工Ｖはトライバ、ＡＤＤは加算器
、ＬＤは半導体レーザ、ＡＰＤはアバランシェフォトダ
イオード、ＤＫＴ １、Ｄｌｌｉ：Ｔ２、Ｉ）ＫＴ３輪
ピーク検出器、ＣＯＭＩ、 Ｃ０Ｍ２は比較器、ＡＭＰ
は広帯域アンプ、ＤＩＦは差回路である。
、ＬＤは半導体レーザ、ＡＰＤはアバランシェフォトダ
イオード、ＤＫＴ １、Ｄｌｌｉ：Ｔ２、Ｉ）ＫＴ３輪
ピーク検出器、ＣＯＭＩ、 Ｃ０Ｍ２は比較器、ＡＭＰ
は広帯域アンプ、ＤＩＦは差回路である。
半導体レーザＬＤはゲート回路ＧからのｐａＭ入力信号
をドライバＤＲ工Ｖにより、駆動できるレベルに変換し
た出力と、比較器Ｃ０Ｍ２からのバイアス電流を加算器
ＡＤＤにより重畳した駆動信号により駆動される。
をドライバＤＲ工Ｖにより、駆動できるレベルに変換し
た出力と、比較器Ｃ０Ｍ２からのバイアス電流を加算器
ＡＤＤにより重畳した駆動信号により駆動される。
そして、半導体レーザＬＤからのレーザ光の後方出力を
アバランシェフォトダイオードＡＰＤＫより受光し、そ
の出力を広帯域アンプＡＭＰにより増幅する。
アバランシェフォトダイオードＡＰＤＫより受光し、そ
の出力を広帯域アンプＡＭＰにより増幅する。
この増幅された出力はピーク検出器ＤＩＩＣＴ２、ＤＥ
ｊＴ３にそれぞれ入力する。ピーク検出器ＤＫＴ２は、
ピーク値をクランプして、第３図に示すピーク値Ｖ、を
検出し、ピーク検出器ＤｇＴ３はコンデンサによる直流
カットを行ないパルス高さＶ、をそれぞれ検出する。
ｊＴ３にそれぞれ入力する。ピーク検出器ＤＫＴ２は、
ピーク値をクランプして、第３図に示すピーク値Ｖ、を
検出し、ピーク検出器ＤｇＴ３はコンデンサによる直流
カットを行ないパルス高さＶ、をそれぞれ検出する。
そして差回路り工゛ＦによりＶ、 −Ｖ２が出力され、
比較器００Ｍ２にて基準電圧ＶＲＢと比較される。
比較器００Ｍ２にて基準電圧ＶＲＢと比較される。
一方ｖ２は比較回路ＣＯＭＩに入力し、基ＬＩＫ電圧Ｖ
ＲＰと比較される。
ＲＰと比較される。
ここにおいて、半導体レーザＬＤの劣化等が生じていな
い場合には、■２は基準電圧ＶＲＰと等しくなっており
、従って、ドライバは比較器ＣＯＭＩからの出力によっ
て制御を受けない。
い場合には、■２は基準電圧ＶＲＰと等しくなっており
、従って、ドライバは比較器ＣＯＭＩからの出力によっ
て制御を受けない。
又（ｖ＋ ’２）と基準電圧ＶＲＢは一定の差を保っ
ており、比較器００Ｍ２からは、この差に応じたバイア
ス電流が出力されている。
ており、比較器００Ｍ２からは、この差に応じたバイア
ス電流が出力されている。
ここで、半導体レーザか劣化し、バイアス光成分が大き
くなり、”Ｉとｖ２の差がＶＲＢより大きくなると、比
較器００Ｍ２の出力・は小さくなり、バイアス−流は低
くなる。。
くなり、”Ｉとｖ２の差がＶＲＢより大きくなると、比
較器００Ｍ２の出力・は小さくなり、バイアス−流は低
くなる。。
又先出力が低下し、ｖ２が小さくなると、比較器００Ｍ
Ｉからの出力に上り、ドライブ回路ＤＲ工Ｖは人力ＰＣ
Ｍ信号を増幅し、パルス信号のレベルを大きくする。
Ｉからの出力に上り、ドライブ回路ＤＲ工Ｖは人力ＰＣ
Ｍ信号を増幅し、パルス信号のレベルを大きくする。
発明の効果
以上の如く、本発明によれば、バイアスα流とパルス信
号のレベルを独立に制御しているため、ある消光比を保
ち且つピーク値を一定にすることが可能となる。
号のレベルを独立に制御しているため、ある消光比を保
ち且つピーク値を一定にすることが可能となる。
第１図は従来の光出力安定化方式を示す図、第２図は本
発明の一実施例を示す図、第３図は第２図の動作説明図
である。 図中００Ｍ１．００Ｍ２は比較器、ＤｍＴｌ、Ｄ日Ｔ２
、ＤＩｎＴ３はピーク検出器、ＡＤＤは加算器、ＤＩＦ
は減算器である。。
発明の一実施例を示す図、第３図は第２図の動作説明図
である。 図中００Ｍ１．００Ｍ２は比較器、ＤｍＴｌ、Ｄ日Ｔ２
、ＤＩｎＴ３はピーク検出器、ＡＤＤは加算器、ＤＩＦ
は減算器である。。
Claims (1)
- 直流バイアス電流にパルス信号を重畳した駆動信号によ
り変調される半導体レーザの光出力を安定化する光出力
安定化方式において、該光出力のピー′り値とパルス高
さの検出を行ない、両者の差と第１の基準’ｒ［圧とを
第１の比較器に入力し、該第１の比較器出力で該バイア
ス電流のレベルを制御し、パルス高さと第２の基準電圧
とを第２の比較器に入力し、該第２の比較器出力により
該パルス信号のレベルを制御する様にしたことを特徴と
する光出力安定化方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17437282A JPS5963787A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 光出力安定化方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17437282A JPS5963787A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 光出力安定化方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5963787A true JPS5963787A (ja) | 1984-04-11 |
Family
ID=15977456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17437282A Pending JPS5963787A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 光出力安定化方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5963787A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4849980A (en) * | 1986-12-29 | 1989-07-18 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Laser beam recording method and apparatus |
| EP0347202A2 (en) * | 1988-06-14 | 1989-12-20 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Excitation system for a semiconductor laser device |
-
1982
- 1982-10-04 JP JP17437282A patent/JPS5963787A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4849980A (en) * | 1986-12-29 | 1989-07-18 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Laser beam recording method and apparatus |
| EP0347202A2 (en) * | 1988-06-14 | 1989-12-20 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Excitation system for a semiconductor laser device |
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