JPS58141045A - 半導体レ−ザダイオ−ドの駆動回路 - Google Patents
半導体レ−ザダイオ−ドの駆動回路Info
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- JPS58141045A JPS58141045A JP57023342A JP2334282A JPS58141045A JP S58141045 A JPS58141045 A JP S58141045A JP 57023342 A JP57023342 A JP 57023342A JP 2334282 A JP2334282 A JP 2334282A JP S58141045 A JPS58141045 A JP S58141045A
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- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技衝分野〕
本発明は特に光伝送用の発光素子として用いられる半導
体レーデダイオードを駆動するための半導体レーデダイ
オード−動回路に関する。
体レーデダイオードを駆動するための半導体レーデダイ
オード−動回路に関する。
一般に半導体レーデダイオード（以下、ＬＤと称する）
は、情報伝送の超高速化および長距離化が要求される光
伝送における送信回路の発光素子として用いられること
が多い。第１図はＬＤの電流！対光田力し％性を示すも
ので、電流Ｉがスレッシ冒ルド電流！１．を越えるとＬ
Ｄのレーデ発振が開始され、光出力（光強度）Ｌが急激
に増大することがわかる。そこで、ＬＤ（半導体レーデ
ダイオード）駆動回路では、このスレッシ冒ルド電訛！
□をバイアス電流Ｉ。
は、情報伝送の超高速化および長距離化が要求される光
伝送における送信回路の発光素子として用いられること
が多い。第１図はＬＤの電流！対光田力し％性を示すも
ので、電流Ｉがスレッシ冒ルド電流！１．を越えるとＬ
Ｄのレーデ発振が開始され、光出力（光強度）Ｌが急激
に増大することがわかる。そこで、ＬＤ（半導体レーデ
ダイオード）駆動回路では、このスレッシ冒ルド電訛！
□をバイアス電流Ｉ。
とじてＬＤに定常的に供給することによシ、ＬＤを常時
発振可能な状態とするよりになっている。そして、ＬＤ
駆動回路において、送信信号としての入力信号に応じた
変調電流ＩＭを上記バイアス電流Ｉｌに重畳することに
よシ、入力信号に応じた発振出力すなわち光出力Ｐ０を
得るよう罠なっている。
発振可能な状態とするよりになっている。そして、ＬＤ
駆動回路において、送信信号としての入力信号に応じた
変調電流ＩＭを上記バイアス電流Ｉｌに重畳することに
よシ、入力信号に応じた発振出力すなわち光出力Ｐ０を
得るよう罠なっている。
ところで、ＬＤのスレッシ１ルド電流！□はその温度依
存性によシ、温度変化によって変動する。第２図はスレ
ッシ曹ルド電流Ｉｔｈが変動した場合の電流Ｉ対光出力
Ｌ４１性例を示すものである。図中、ムは変動前、Ｂは
スレッシ田ルド電流！、が減少した場合、Ｃは同じく増
加した場合の特性である。スレッシ璽ルド電流■□が変
動すると、ＬＤＫ一定のバイアス電流■。
存性によシ、温度変化によって変動する。第２図はスレ
ッシ曹ルド電流Ｉｔｈが変動した場合の電流Ｉ対光出力
Ｌ４１性例を示すものである。図中、ムは変動前、Ｂは
スレッシ田ルド電流！、が減少した場合、Ｃは同じく増
加した場合の特性である。スレッシ璽ルド電流■□が変
動すると、ＬＤＫ一定のバイアス電流■。
を定常的に供給する方式÷は、入力信号に応じた変調電
流ＩＭＥ対し、光出力りが変動する。たとえば特性Ｂの
場合、特性ムの場合にくらべて光出力りは大きくな）（
Ｐ０→ｐ、／ ）、特性Ｃの場合には小さくなる（ ｐ
０→Ｐ０′）。このようにＬＤの光出力は温度依存性が
あるため安定性にかける。
流ＩＭＥ対し、光出力りが変動する。たとえば特性Ｂの
場合、特性ムの場合にくらべて光出力りは大きくな）（
Ｐ０→ｐ、／ ）、特性Ｃの場合には小さくなる（ ｐ
０→Ｐ０′）。このようにＬＤの光出力は温度依存性が
あるため安定性にかける。
そこで従来のＬＤ駆動回路では、安定化回路（以下、Ａ
ＰＣと称する）によシ光出力の安定化が図られるように
なっている。第３図はＡＰＣを備えた従来のＬＤ駆動回
路の概略構成を示すもので、１１はＬＤである。１２は
ＬＤＩＩにバイアス電流Ｉｌを供給するバイアス電流源
としてのトランジスタ、１３はＡＰＣである。ＡＰＣ１
３はＬＤＩＩの光出力の実効値を検出し、この検出結果
に応じてトランジスタ１２０ペースに供給するバイアス
制御用ペース電流を可変する周知の回路構成を有してい
る。このＡＰＣＪ Ｊの制御によシ、トランジスタ１２
のコレクタ電流すなわちバイアス電流■、がスレッシ璽
ルド電流工□の変動に追従して可変され、ＬＤｌｌの光
出力の安定化が図られる。なお、１４はＬＤＩＩに変調
電流ＩＭを供給する変調電流源としてのトランジスタ１
５を備えた変調回路である。変調回路１４には送信信号
としての一定の振幅の入力信号ＩＮが入力されておシ、
この入力信号ＩＮは直流バイアス信号に重畳されてトラ
ンジスタ１５のペースに供給される。しかして、入力信
号ＩＮに応じた一定振幅のコレクタ電流が変調電流−と
してＬＤＩＩに供給される・ 〔背景技術の問題点〕 ＬＤの電流Ｉ対光出力り特性は、前述した温度変化のほ
かに、時間の経過によっても変化する。すなわちＬＤに
は経時劣化がある。第４図は経時劣化によるＬＤの電流
Ｉ対光出力Ｌ％性の変動例を示すもので、Ｄは正常時、
Ｅは劣化時の特性である。ＬＤの経時劣化の場合、発振
領域における上記特性曲線の傾き（ｄＬ／ｄｉ）すなわ
ち微分効率が低下する。この結琴、光出力りはＬＤの正
常時にくらべて低下する。第３図のＡＰＣＪ Ｊは前述
したスレッシ冒ルド電流■。
ＰＣと称する）によシ光出力の安定化が図られるように
なっている。第３図はＡＰＣを備えた従来のＬＤ駆動回
路の概略構成を示すもので、１１はＬＤである。１２は
ＬＤＩＩにバイアス電流Ｉｌを供給するバイアス電流源
としてのトランジスタ、１３はＡＰＣである。ＡＰＣ１
３はＬＤＩＩの光出力の実効値を検出し、この検出結果
に応じてトランジスタ１２０ペースに供給するバイアス
制御用ペース電流を可変する周知の回路構成を有してい
る。このＡＰＣＪ Ｊの制御によシ、トランジスタ１２
のコレクタ電流すなわちバイアス電流■、がスレッシ璽
ルド電流工□の変動に追従して可変され、ＬＤｌｌの光
出力の安定化が図られる。なお、１４はＬＤＩＩに変調
電流ＩＭを供給する変調電流源としてのトランジスタ１
５を備えた変調回路である。変調回路１４には送信信号
としての一定の振幅の入力信号ＩＮが入力されておシ、
この入力信号ＩＮは直流バイアス信号に重畳されてトラ
ンジスタ１５のペースに供給される。しかして、入力信
号ＩＮに応じた一定振幅のコレクタ電流が変調電流−と
してＬＤＩＩに供給される・ 〔背景技術の問題点〕 ＬＤの電流Ｉ対光出力り特性は、前述した温度変化のほ
かに、時間の経過によっても変化する。すなわちＬＤに
は経時劣化がある。第４図は経時劣化によるＬＤの電流
Ｉ対光出力Ｌ％性の変動例を示すもので、Ｄは正常時、
Ｅは劣化時の特性である。ＬＤの経時劣化の場合、発振
領域における上記特性曲線の傾き（ｄＬ／ｄｉ）すなわ
ち微分効率が低下する。この結琴、光出力りはＬＤの正
常時にくらべて低下する。第３図のＡＰＣＪ Ｊは前述
したスレッシ冒ルド電流■。
の変動による光出力の変動だけでなく、ＬＤの劣化に起
因する上記微分効率の変動（低下）による光出力の変動
（低下）にも作用する。これによシ、バイアス電流！、
が可変され光出力の安定化が図られる。
因する上記微分効率の変動（低下）による光出力の変動
（低下）にも作用する。これによシ、バイアス電流！、
が可変され光出力の安定化が図られる。
しかし、バイアス電流１１を可変して光出力の安定化を
図る従来のＬＤ駆動回路では、次のような問題がありた
。すなわちＬＤの劣化によシ微分効率が低下して光出力
が低下すると、ＡＰＣＩＪの制御によシバイアスミ流１
．が増加され、光出力の安定化が図られるが、この光出
力の振幅は微分効率で決定されるため、正常時における
振幅に比較して減少する問題があった。このためＬＤの
光出力に含まれる信号成分と、雑音との比が小さくなＪ
）、ＬＤの劣化に併りて送信情味の品質が低下する欠点
がありた。
図る従来のＬＤ駆動回路では、次のような問題がありた
。すなわちＬＤの劣化によシ微分効率が低下して光出力
が低下すると、ＡＰＣＩＪの制御によシバイアスミ流１
．が増加され、光出力の安定化が図られるが、この光出
力の振幅は微分効率で決定されるため、正常時における
振幅に比較して減少する問題があった。このためＬＤの
光出力に含まれる信号成分と、雑音との比が小さくなＪ
）、ＬＤの劣化に併りて送信情味の品質が低下する欠点
がありた。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものでその目的ｉｆ
、ＬＤ’（半導体レーデダイオード）の劣化などで微分
効率が変動してもＬＤの光出力ｏｔｉｔｓｏ安定化が図
れ、高品質の変調光信号の出力が行なえる半導体レーデ
ダイオード駆動回路を提供することにある。
、ＬＤ’（半導体レーデダイオード）の劣化などで微分
効率が変動してもＬＤの光出力ｏｔｉｔｓｏ安定化が図
れ、高品質の変調光信号の出力が行なえる半導体レーデ
ダイオード駆動回路を提供することにある。
ＬＤから出力される光信号の振幅の変動を検出し、この
検出結果に応じ九利得で入力信号を増幅することによシ
振幅が可変された変調電流を得、この変調電流をＬＤＫ
供給することによって微分効率の変動に無関係に上記光
信号の振幅を安定化するものである。
検出結果に応じ九利得で入力信号を増幅することによシ
振幅が可変された変調電流を得、この変調電流をＬＤＫ
供給することによって微分効率の変動に無関係に上記光
信号の振幅を安定化するものである。
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。な
お、第３図と同一部分に紘同−符号を付して詳細な説明
を省略する。第５図のＬＤ（半導体レーデダイオード）
駆動回路において、２１はＬＤＩＩから出力される光信
号を受光し電気信号に変換する受光素子たとえばフォト
ダイオード（以下、ＰＤと称する）である。２２はＰＤ
ＩＩにて一変換され良電気信号（電流信号）を電圧に変
換する電流／電圧変換善良とえば抵抗である。２３はオ
ペアンプ（ＯＰと称スる）２４を有し、抵抗２２に発生
する信号電圧の波高値を検波する波高値検波回路である
。これらＰＤＩＩ、抵抗２２、および波高値検波回路Ｊ
ＪＫよって光出力検波回路２５が構成されている。
お、第３図と同一部分に紘同−符号を付して詳細な説明
を省略する。第５図のＬＤ（半導体レーデダイオード）
駆動回路において、２１はＬＤＩＩから出力される光信
号を受光し電気信号に変換する受光素子たとえばフォト
ダイオード（以下、ＰＤと称する）である。２２はＰＤ
ＩＩにて一変換され良電気信号（電流信号）を電圧に変
換する電流／電圧変換善良とえば抵抗である。２３はオ
ペアンプ（ＯＰと称スる）２４を有し、抵抗２２に発生
する信号電圧の波高値を検波する波高値検波回路である
。これらＰＤＩＩ、抵抗２２、および波高値検波回路Ｊ
ＪＫよって光出力検波回路２５が構成されている。
２ｅ紘ｏｐ（オペアンプ）である。０Ｐ２６は波高値検
波回路２３の検波出力電圧と基準電圧発生器２１から供
給される基準電圧とを比較し、その電圧差に応じ九出力
電圧を発生する。
波回路２３の検波出力電圧と基準電圧発生器２１から供
給される基準電圧とを比較し、その電圧差に応じ九出力
電圧を発生する。
２ａはアクティブフィルタである。アクティブフィルｐ
ｘａはｏｐ（オペアンｆ）２９を有し、ｏｐｘｇの出力
電圧を積分、増幅して制御電流■ｃｍを出力するようＫ
なっている。これらｏＰｘｅ、基準電圧発生器２１、お
よびアクティブフィルタ２８によって振幅変動検出回路
３ｏが構成されている。３１は変調電流源としてのトラ
ンジスタ１５（第３図参照）、トランジスタ１１（）エ
イツタに接続された電流制限用の抵抗３２、シよびムＧ
Ｃ（自動利得制御）回路ｓ３とを有する変調回路である
。ムＧＣ回路５ｓｐｃは送信信号としての入力信号ＩＮ
およびアクティブフィルタ２８から出力される制御電Ｒ
ＩｃＮアが入力される。ＡＧＣ回路３Ｓはこの制御電流
■ｃＮＴの電流値に応じた利得で入力信号ＩＮを電流増
幅し変調制御用ペース電流としてトランジスタ１５０ペ
ースに供給する。
ｘａはｏｐ（オペアンｆ）２９を有し、ｏｐｘｇの出力
電圧を積分、増幅して制御電流■ｃｍを出力するようＫ
なっている。これらｏＰｘｅ、基準電圧発生器２１、お
よびアクティブフィルタ２８によって振幅変動検出回路
３ｏが構成されている。３１は変調電流源としてのトラ
ンジスタ１５（第３図参照）、トランジスタ１１（）エ
イツタに接続された電流制限用の抵抗３２、シよびムＧ
Ｃ（自動利得制御）回路ｓ３とを有する変調回路である
。ムＧＣ回路５ｓｐｃは送信信号としての入力信号ＩＮ
およびアクティブフィルタ２８から出力される制御電Ｒ
ＩｃＮアが入力される。ＡＧＣ回路３Ｓはこの制御電流
■ｃＮＴの電流値に応じた利得で入力信号ＩＮを電流増
幅し変調制御用ペース電流としてトランジスタ１５０ペ
ースに供給する。
次に本発明の一実施例の動作を説明する。
ＬＤＪＪはトランジスタ１２かも供給されるノ４イアス
電流■、およびトランジスタ１５から供給される変調電
流！つによって駆動され、その電流１対光出力り特性で
示される強度の光信号を出力する。ＬＤｌｌから出力さ
れる光信号の一部はＰＤｊｆで検出され電流信号に変換
される。
電流■、およびトランジスタ１５から供給される変調電
流！つによって駆動され、その電流１対光出力り特性で
示される強度の光信号を出力する。ＬＤｌｌから出力さ
れる光信号の一部はＰＤｊｆで検出され電流信号に変換
される。
この電流信号は抵抗２２で電圧に変換される。
第６図は抵抗２２０両端電圧の一例を示すもので、その
電圧レベルはＬＤＩＩの光出力の振幅に対応している。
電圧レベルはＬＤＩＩの光出力の振幅に対応している。
上記抵抗２２０両端電圧には送信情報としての信号成分
が含まれている。抵抗２２の両端電圧は波高値検波回路
２３に供給され、これによシ第７図に示されるように抵
抗２２０両端電圧に含まれる信号成分の波高値が検波さ
れる。この波高値検波回路２３の検波出力の電圧レベル
はＬＤＩＩの光出力の最大振幅に対応している。
が含まれている。抵抗２２の両端電圧は波高値検波回路
２３に供給され、これによシ第７図に示されるように抵
抗２２０両端電圧に含まれる信号成分の波高値が検波さ
れる。この波高値検波回路２３の検波出力の電圧レベル
はＬＤＩＩの光出力の最大振幅に対応している。
波高値検波回路２３の検波出力は０Ｐ２６の一方の入力
端子に供給される＠ ＯＰ Ｊ ６の他方の入力端子に
は基準電圧発生器２７で発生される基準電圧が供給され
ている。０ＰＲ６は波高値検波回路２Ｊの検波出力と基
準電圧とを比較し、その（正負を含む）電圧差に応じた
出力電圧を発生する。この出力電圧はアクティブフィル
タ２８に供給される。シカして、０Ｐ１６の出力電圧に
応じた制御電流ＩＣＭ？がアクティブフィルタ２８から
変調回路３１のＡＧＣ回路３３に供給される。このＡＧ
Ｃ回路Ｓ３には送信信号としての入力信号ＩＮが入力さ
れておＣｌＡｃｃｇ路ｚｓｌｄ、この入力信号ＩＮを上
記制御電流■ＣＮ？の電流値に応じた利得で電流増幅す
る。ＡＧＣ回路ｊ３の増幅出力、すなわち入力信号ＩＮ
の振幅が可変され光信号は変調制御用ペース電流として
トランジスタ１５０ペースに供給される。そシテ、コレ
クタ電流に応じてトランジスタ１５のコレクタ電流すな
わち変調電流！つがたとえば夏ｄに可変される。この変
調電流■Ｉはバイアス電流ＩＩＫ重畳されてＬＤＩＩに
供給され、ＬＤＩＩからこれらの電流の和（１，＋Ｉ’
）に応じ九強度の光信号が出力される。
端子に供給される＠ ＯＰ Ｊ ６の他方の入力端子に
は基準電圧発生器２７で発生される基準電圧が供給され
ている。０ＰＲ６は波高値検波回路２Ｊの検波出力と基
準電圧とを比較し、その（正負を含む）電圧差に応じた
出力電圧を発生する。この出力電圧はアクティブフィル
タ２８に供給される。シカして、０Ｐ１６の出力電圧に
応じた制御電流ＩＣＭ？がアクティブフィルタ２８から
変調回路３１のＡＧＣ回路３３に供給される。このＡＧ
Ｃ回路Ｓ３には送信信号としての入力信号ＩＮが入力さ
れておＣｌＡｃｃｇ路ｚｓｌｄ、この入力信号ＩＮを上
記制御電流■ＣＮ？の電流値に応じた利得で電流増幅す
る。ＡＧＣ回路ｊ３の増幅出力、すなわち入力信号ＩＮ
の振幅が可変され光信号は変調制御用ペース電流として
トランジスタ１５０ペースに供給される。そシテ、コレ
クタ電流に応じてトランジスタ１５のコレクタ電流すな
わち変調電流！つがたとえば夏ｄに可変される。この変
調電流■Ｉはバイアス電流ＩＩＫ重畳されてＬＤＩＩに
供給され、ＬＤＩＩからこれらの電流の和（１，＋Ｉ’
）に応じ九強度の光信号が出力される。
第８図はＬＤＩＩが劣化して微分効率が低下した場合の
本発明の一実施例の動作を説明するための電流！対光出
カＬ特性を示すもので、Ｆは正常時、Ｇは劣化時の特性
である。ＬＤＩＪが正常な場合、トランジスタ１２から
バイアス電流１１としてスレッシ冒ルド電流■ｔｈが、
トランジスタ１５から変調電流ＩＭがそれぞれＬＤＩＩ
に供給され光出力Ｐ０が得られる。この状態でＬＤＩＩ
の劣化によシ図示ＧＫ示されるように微分効率が低下す
るとＬＤＩＩの光出力はＰｏからＰ０″に低下する（こ
れは第４図を用いて説明した通）であるλＬＤＩＩの光
出力の低下、すなわち光出力における振幅の低下は、前
述した動作説明から明らかなように波高値の電圧レベル
の低下となって現われる。そして、この波高値の電圧レ
ベルの低下に応じた制御電流■。。
本発明の一実施例の動作を説明するための電流！対光出
カＬ特性を示すもので、Ｆは正常時、Ｇは劣化時の特性
である。ＬＤＩＪが正常な場合、トランジスタ１２から
バイアス電流１１としてスレッシ冒ルド電流■ｔｈが、
トランジスタ１５から変調電流ＩＭがそれぞれＬＤＩＩ
に供給され光出力Ｐ０が得られる。この状態でＬＤＩＩ
の劣化によシ図示ＧＫ示されるように微分効率が低下す
るとＬＤＩＩの光出力はＰｏからＰ０″に低下する（こ
れは第４図を用いて説明した通）であるλＬＤＩＩの光
出力の低下、すなわち光出力における振幅の低下は、前
述した動作説明から明らかなように波高値の電圧レベル
の低下となって現われる。そして、この波高値の電圧レ
ベルの低下に応じた制御電流■。。
が０ＰＪＩＩ、基準電圧発生器２７、およびアクティｆ
フィルタ２８がら成る振幅変動検出回路１０からムＧＣ
回路２ｓに供給される。この結果、前述し九作用で変調
電流ＩＮがｌｊＫ増加され、第８図に示されるように微
分効率が低下したにもかかわらずＬＤＩＩＣ）光出力の
最大振幅はＰ“′からｐ６ｃ増大する。すなわち、本実
施例によれ・ ば、光出力の振幅の低下を前記波高値の低下として振幅
変動検出回路ＳＯにて検出し、この検出結果に応じて変
調回路３１から供給される変調電流を可変するととＫよ
ってＬＤＩＩの光出力の振幅を安定化する仁とができる
。したがって従来のように微分効率の低下のために先出
カＯ振幅すなわち信号成分の振幅が著しく減少し、ＳＺ
Ｎ比が低下する恐れがなくな９、高品質の送信情報の出
力が可能となる。
フィルタ２８がら成る振幅変動検出回路１０からムＧＣ
回路２ｓに供給される。この結果、前述し九作用で変調
電流ＩＮがｌｊＫ増加され、第８図に示されるように微
分効率が低下したにもかかわらずＬＤＩＩＣ）光出力の
最大振幅はＰ“′からｐ６ｃ増大する。すなわち、本実
施例によれ・ ば、光出力の振幅の低下を前記波高値の低下として振幅
変動検出回路ＳＯにて検出し、この検出結果に応じて変
調回路３１から供給される変調電流を可変するととＫよ
ってＬＤＩＩの光出力の振幅を安定化する仁とができる
。したがって従来のように微分効率の低下のために先出
カＯ振幅すなわち信号成分の振幅が著しく減少し、ＳＺ
Ｎ比が低下する恐れがなくな９、高品質の送信情報の出
力が可能となる。
ところで上述の動作説明では、ＬＤＪＩの微分効率だけ
が変動（低下）した場合について説明したが、温度変化
等によって更にスレッシ璽ルド電流■□が変動した場合
であっても、上述の変調電流制御と、従来例で説明した
ＡＰＣＪ Ｊによるバイアス電流制御とによってＬＤＩ
Ｉの光出力の振幅並びに光出力の実効値の安定化が図れ
ることは明らかである。ｔた、本実施例における変調電
流制御、すなわち変調回路Ｓ１の変調電流発生方式はＡ
級増幅であシ、したがってデジタルの入力信号は勿論、
アナログの入力信号の変調にも有効である。更に本実施
例によれば、ＬＤの劣化に限らず、素子（ＬＤ）製造工
程における素子間の微分効率のばらつきや他の攬類のＬ
Ｄ（たとえば型形式の異なるもの、性能が異なるもの）
との互換性の問題に対しても、光出力の振幅の一定化が
図れることから有効に作用する。
が変動（低下）した場合について説明したが、温度変化
等によって更にスレッシ璽ルド電流■□が変動した場合
であっても、上述の変調電流制御と、従来例で説明した
ＡＰＣＪ Ｊによるバイアス電流制御とによってＬＤＩ
Ｉの光出力の振幅並びに光出力の実効値の安定化が図れ
ることは明らかである。ｔた、本実施例における変調電
流制御、すなわち変調回路Ｓ１の変調電流発生方式はＡ
級増幅であシ、したがってデジタルの入力信号は勿論、
アナログの入力信号の変調にも有効である。更に本実施
例によれば、ＬＤの劣化に限らず、素子（ＬＤ）製造工
程における素子間の微分効率のばらつきや他の攬類のＬ
Ｄ（たとえば型形式の異なるもの、性能が異なるもの）
との互換性の問題に対しても、光出力の振幅の一定化が
図れることから有効に作用する。
次に纂９図および嬉１０図を参照して本発明の他の実施
例を説明する。なお、第５図と同一部分には同一符号を
付して詳細な説明を省略する。また、第５図と共通部分
については一部図示を省略する。第９図において４ｏは
変調回路である。変調回路４０には第５図の変調回路Ｓ
１と同様に入力信号ＩＮおよび振幅変動検出回路ＳＯ（
第５図参照）から与えられる制御電流！。、が入力され
る。変調回路４０はＰＩＮダイオード４１を有しておシ
、このＰＩＮダイオード４１０抵抗値は制御電流Ｉｃａ
ｔの変化によって変化する。そして、ＰＩＮメイオード
４１の抵抗値の変化に応じて入力信号ＩＮが可変される
。これによ）トランジスタ１５０ベースに供給される変
調制御用ペース電流が可変され、そのコレクタ電流すな
わち変調電流ＩＭが可変される。明らかなように仁の変
調電流ＩＭの振幅は（入力信号ＩＮＣ）振幅が一定の場
合において）制御電流Ｉ、、、 ０電流値に対応してい
る。すなわち、ｆ詞回路４−は第５図の変調回路３１と
同様に、制御電流１．、、 Ｋ応じて変調電流−を可変
する。この結果、ＬＤＩＩの微分効率の変動に無関係に
光出力の振幅の安定化が図られる。
例を説明する。なお、第５図と同一部分には同一符号を
付して詳細な説明を省略する。また、第５図と共通部分
については一部図示を省略する。第９図において４ｏは
変調回路である。変調回路４０には第５図の変調回路Ｓ
１と同様に入力信号ＩＮおよび振幅変動検出回路ＳＯ（
第５図参照）から与えられる制御電流！。、が入力され
る。変調回路４０はＰＩＮダイオード４１を有しておシ
、このＰＩＮダイオード４１０抵抗値は制御電流Ｉｃａ
ｔの変化によって変化する。そして、ＰＩＮメイオード
４１の抵抗値の変化に応じて入力信号ＩＮが可変される
。これによ）トランジスタ１５０ベースに供給される変
調制御用ペース電流が可変され、そのコレクタ電流すな
わち変調電流ＩＭが可変される。明らかなように仁の変
調電流ＩＭの振幅は（入力信号ＩＮＣ）振幅が一定の場
合において）制御電流Ｉ、、、 ０電流値に対応してい
る。すなわち、ｆ詞回路４−は第５図の変調回路３１と
同様に、制御電流１．、、 Ｋ応じて変調電流−を可変
する。この結果、ＬＤＩＩの微分効率の変動に無関係に
光出力の振幅の安定化が図られる。
一方、第１０図の変調回路５０では、トランジスタ１５
のエンツタに接続され圧抵抗３２に交流的に並列にＰＩ
Ｎダイオードｊ１が接続されている。ＰＩＮダイオード
５１には制御電流”Ｃ０ＬＴが供給されるようになって
おシ、ＰＩＮ／イオード５１の抵抗値は制御電流”Ｃ１
ｌの変化によって変化する。
のエンツタに接続され圧抵抗３２に交流的に並列にＰＩ
Ｎダイオードｊ１が接続されている。ＰＩＮダイオード
５１には制御電流”Ｃ０ＬＴが供給されるようになって
おシ、ＰＩＮ／イオード５１の抵抗値は制御電流”Ｃ１
ｌの変化によって変化する。
そして、ＰＩＮダイオード５１の抵抗値の変化に応じて
トランジスタ１５のエミッタ抵抗値が可変される。この
結果、トランジスタ１５のエミッタ電流が可変され、コ
レクタ電流すなわち変調電流■つが可変される。このよ
うに本発明の他の実施例によれば、変調回路内Ｋ ＡＧ
Ｃ回路を設けなくても、実質的に入力信号ＩＮを制御信
号ＩＭに応じた利得で増幅して、制御信号ＩＭの電流値
に対応する振幅の変調信号■工を出力することができる
。
トランジスタ１５のエミッタ抵抗値が可変される。この
結果、トランジスタ１５のエミッタ電流が可変され、コ
レクタ電流すなわち変調電流■つが可変される。このよ
うに本発明の他の実施例によれば、変調回路内Ｋ ＡＧ
Ｃ回路を設けなくても、実質的に入力信号ＩＮを制御信
号ＩＭに応じた利得で増幅して、制御信号ＩＭの電流値
に対応する振幅の変調信号■工を出力することができる
。
以上詳述したように本発明の半導体レーデダイオード駆
動回路によれば、ＬＤ（半導体レーデダイオード）の劣
化などで微分効率が変動してもＬＤの光出力の振幅の安
定化が図れるので高品質の変調光信号の出力が行なえる
。
動回路によれば、ＬＤ（半導体レーデダイオード）の劣
化などで微分効率が変動してもＬＤの光出力の振幅の安
定化が図れるので高品質の変調光信号の出力が行なえる
。
第１図線半導体レーデダイオードの電流対光出力特性を
示す図、第２図はスレッシ冒ルド電流が変動し九場合の
半導体レーデダイオードの電流対光出力特性を示す図、
第３図は従来例を示す回路構成図、第４図線機分効率が
変動した場合の半導体レーザダイオードの電流対光出力
特性を示す図、第５図は本発明の一実施例を示す回路構
成図、第６図は光信号の光／電気変換後の信号電圧波形
を示す図、第７図はこの信号電圧の波高値検波出力波形
を示す図、第８図は上記実施例の動作を説明する丸めの
半導体レーデダイオードの電流対光出力特性を示す図、
第９図および第１０図は本発明の他の実施例を示す要部
の回路構成図である。 １１・・・半導体レーデダイオード（ＬＤ）、Ｉ Ｊ
＃ １１ ”・トランジスタ、１３・・・安定化回路（
ムｐｃ ）、１４ ｅ Ｊ １ ＊ ４１） ＊ ５０
・−・変調回路、１１−７オトダイオード（ＰＤ）、
２３・・・波高値検波回路、２ａ＊２６＊２９・・・オ
ペアンプ（ＯＰ）、２５・・・光出力検波回路、３０・
・・振幅変動検出回路、ｓ：ｔｔ−・・ＡＧＣ回路、４
１ｅ５１・・・ＰＩＮダイオード。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図 ＋Ｖ 亜 １５図 く 第６図 第８図 十■ 第９図
示す図、第２図はスレッシ冒ルド電流が変動し九場合の
半導体レーデダイオードの電流対光出力特性を示す図、
第３図は従来例を示す回路構成図、第４図線機分効率が
変動した場合の半導体レーザダイオードの電流対光出力
特性を示す図、第５図は本発明の一実施例を示す回路構
成図、第６図は光信号の光／電気変換後の信号電圧波形
を示す図、第７図はこの信号電圧の波高値検波出力波形
を示す図、第８図は上記実施例の動作を説明する丸めの
半導体レーデダイオードの電流対光出力特性を示す図、
第９図および第１０図は本発明の他の実施例を示す要部
の回路構成図である。 １１・・・半導体レーデダイオード（ＬＤ）、Ｉ Ｊ
＃ １１ ”・トランジスタ、１３・・・安定化回路（
ムｐｃ ）、１４ ｅ Ｊ １ ＊ ４１） ＊ ５０
・−・変調回路、１１−７オトダイオード（ＰＤ）、
２３・・・波高値検波回路、２ａ＊２６＊２９・・・オ
ペアンプ（ＯＰ）、２５・・・光出力検波回路、３０・
・・振幅変動検出回路、ｓ：ｔｔ−・・ＡＧＣ回路、４
１ｅ５１・・・ＰＩＮダイオード。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 第２図 第３図 ＋Ｖ 亜 １５図 く 第６図 第８図 十■ 第９図
Claims (2)
- （１） バイアス電流およびこのバイアス電流に重畳
された変調電流によって駆動される半導体レーデダイオ
ードを備えた半導体レーザダイオード駆動回路において
、上記半導体レーデダイオードから出力される光信号を
検出して電気信号Ｋｆ換し、この変換電圧の波高値を検
波する光出力検波回路と、この光出力検波回路の検波電
圧と基準電圧とを比較し、その電圧差に応じたアナログ
出力信号を制御信号として出力する振幅変動検出回路と
、この振−変動検出回路から出力される上記制御信号に
応じた利得で入力信号を増幅し、この増幅出力を変調電
流として上記バイアス電流に重畳する変調回路とを具備
し、上記半導体レーデダイオードから出力される光信号
の振幅の変動に応じて上記変調電流の振幅が可変される
ことを特徴とする半導体レーデダイオードの駆動回路。 - （２）・上記半導体レーデダイオードの光出力の変動に
応じて上記バイアス電流を可変し、上記光出力の実効値
を安定化する安定化回路を備えていることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の半導体レーデダイ第一ドの
駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57023342A JPS58141045A (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | 半導体レ−ザダイオ−ドの駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57023342A JPS58141045A (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | 半導体レ−ザダイオ−ドの駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58141045A true JPS58141045A (ja) | 1983-08-22 |
Family
ID=12107913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57023342A Pending JPS58141045A (ja) | 1982-02-16 | 1982-02-16 | 半導体レ−ザダイオ−ドの駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58141045A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6251279A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ駆動回路 |
| JPS6251280A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ駆動回路 |
| JPS6316773U (ja) * | 1986-07-17 | 1988-02-03 |
-
1982
- 1982-02-16 JP JP57023342A patent/JPS58141045A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6251279A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ駆動回路 |
| JPS6251280A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ駆動回路 |
| JPS6316773U (ja) * | 1986-07-17 | 1988-02-03 |
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