JPH0644197Y2 - 光受信器 - Google Patents
光受信器Info
- Publication number
- JPH0644197Y2 JPH0644197Y2 JP1987121426U JP12142687U JPH0644197Y2 JP H0644197 Y2 JPH0644197 Y2 JP H0644197Y2 JP 1987121426 U JP1987121426 U JP 1987121426U JP 12142687 U JP12142687 U JP 12142687U JP H0644197 Y2 JPH0644197 Y2 JP H0644197Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- constant current
- apd
- current
- diode
- Prior art date
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Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この考案は光信号を受信・復調する光受信器に関し、特
に受光素子であるアバランシエフオトダイオード（以下
APDと略す）にバイアス電圧を供給するAPDバイアス発生
回路の出力電圧が固定になるように構成した光受信器に
関する。
に受光素子であるアバランシエフオトダイオード（以下
APDと略す）にバイアス電圧を供給するAPDバイアス発生
回路の出力電圧が固定になるように構成した光受信器に
関する。
第４図は従来の光受信器を示すブロツク図である。同図
において、１は受光素子であるAPD2にバイアス電圧を供
給するAPDバイアス発生回路、３は前置増幅器、４は入
力信号レベルにかかわらず出力レベルを一定になるよう
に増幅するリミツト増幅器、５は出力端子である。次に
上記構成による光受信器の動作について説明する。ま
ず、デイジタル２値信号によつて直接強度変調された光
信号ＰがAPD2に入力すると、このAPD2はAPDバイアス発
光回路１によつてバイアスがかけられているため、この
バイアス電圧によつて決定される増幅率Ｍに比例した変
換比で前記光信号Ｐを光・電気変換し、前置増幅器３へ
送出する。この前置増幅器３はAPD2の出力電流を信号対
雑音比の劣化を少なく保つたまま増幅したのちリミツタ
増幅器４へ送出する。したがつて、リミツタ増幅器４は
この前置増幅器３の出力信号レベルにかかわらず出力レ
ベルを一定になるように増幅して出力端子５から出力す
る。つまり、光信号Ｐのレベルによらず出力端子５には
振幅が一定で光信号Ｐと波形が相似な信号が得られる。
において、１は受光素子であるAPD2にバイアス電圧を供
給するAPDバイアス発生回路、３は前置増幅器、４は入
力信号レベルにかかわらず出力レベルを一定になるよう
に増幅するリミツト増幅器、５は出力端子である。次に
上記構成による光受信器の動作について説明する。ま
ず、デイジタル２値信号によつて直接強度変調された光
信号ＰがAPD2に入力すると、このAPD2はAPDバイアス発
光回路１によつてバイアスがかけられているため、この
バイアス電圧によつて決定される増幅率Ｍに比例した変
換比で前記光信号Ｐを光・電気変換し、前置増幅器３へ
送出する。この前置増幅器３はAPD2の出力電流を信号対
雑音比の劣化を少なく保つたまま増幅したのちリミツタ
増幅器４へ送出する。したがつて、リミツタ増幅器４は
この前置増幅器３の出力信号レベルにかかわらず出力レ
ベルを一定になるように増幅して出力端子５から出力す
る。つまり、光信号Ｐのレベルによらず出力端子５には
振幅が一定で光信号Ｐと波形が相似な信号が得られる。
上述した従来の光受信器は光信号Ｐのレベルが低いと
き、すなわち、低受光パワー入力時に信号対雑音比を良
好にしてデイジタル信号の誤り率を小さくするために、
受光素子としてAPDを用い、APDにかけるバイアス電圧を
適当に設定して増幅率Ｍを低受光パワー入力時に最適
（信号対雑音比を最大）なるように構成されている。一
方、高受光パワー入力（光信号Ｐのレベルが大きい）時
でもAPDの増倍率Ｍは低受光パワー入力時と同じである
から前置増幅器３の出力レベルが大きくなりすぎ前置増
幅器３の内部のトランジスタが飽和またはカツトオフ状
態になりデユーテイ劣化あるいはリンギングなどの波形
歪を生じて高品質な信号の伝送が困難となり、結果的に
最大受光パワーがあまり高くできない。また、前置増幅
器３の構成を出力レベルが大きい場合でも、波形が歪ま
ないようにすると、消費電力の増加や雑音特性の劣化が
一般に生じ好ましくない。また、例え前置増幅器３の出
力波形を歪まないように構成したとしても、次にはリミ
ツタ増幅器の大振幅入力時の特性劣化のために同様に高
品質な信号伝達が困難になるなどの欠点がある。
き、すなわち、低受光パワー入力時に信号対雑音比を良
好にしてデイジタル信号の誤り率を小さくするために、
受光素子としてAPDを用い、APDにかけるバイアス電圧を
適当に設定して増幅率Ｍを低受光パワー入力時に最適
（信号対雑音比を最大）なるように構成されている。一
方、高受光パワー入力（光信号Ｐのレベルが大きい）時
でもAPDの増倍率Ｍは低受光パワー入力時と同じである
から前置増幅器３の出力レベルが大きくなりすぎ前置増
幅器３の内部のトランジスタが飽和またはカツトオフ状
態になりデユーテイ劣化あるいはリンギングなどの波形
歪を生じて高品質な信号の伝送が困難となり、結果的に
最大受光パワーがあまり高くできない。また、前置増幅
器３の構成を出力レベルが大きい場合でも、波形が歪ま
ないようにすると、消費電力の増加や雑音特性の劣化が
一般に生じ好ましくない。また、例え前置増幅器３の出
力波形を歪まないように構成したとしても、次にはリミ
ツタ増幅器の大振幅入力時の特性劣化のために同様に高
品質な信号伝達が困難になるなどの欠点がある。
この考案の光受信器は、アバランシエフオトダイオード
にバイアス電圧を供給するためのAPDバイアス発生回路
と、アノードがAPDバイアス発生回路に接続されカソー
ドがアバランシエフオトダイオードに接続された第１の
定電流ダイオードと、第１の定電流ダイオードに流れる
電流を差し引くように第１の定電流ダイオードのカソー
ドにアノードが接続された第２の定電流ダイオードとを
有している。
にバイアス電圧を供給するためのAPDバイアス発生回路
と、アノードがAPDバイアス発生回路に接続されカソー
ドがアバランシエフオトダイオードに接続された第１の
定電流ダイオードと、第１の定電流ダイオードに流れる
電流を差し引くように第１の定電流ダイオードのカソー
ドにアノードが接続された第２の定電流ダイオードとを
有している。
この考案は低受光パワー入力時にアバランシエフオトダ
イオードの増倍率を最適に設定でき、しかも高受光パワ
ー入力時にアバランシエフオトダイオードの出力電流を
大きな自由度で制限することができる。
イオードの増倍率を最適に設定でき、しかも高受光パワ
ー入力時にアバランシエフオトダイオードの出力電流を
大きな自由度で制限することができる。
第１図はこの考案に係る光受信器の一実施例を示すブロ
ツク図である。同図において、６および７は定電流ダイ
オード、８は抵抗器、９はコンデンサである。なお、第
２図は定電流ダイオード６の端子間電圧VD1と通過電流I
1との関係を示し、端子間電圧VD1がVP1（例えば〜5V）
以下では通過電流I1は端子間電圧VD1の増加に伴い徐々
に増加し、端子間電圧VP1に達すると通過電流I1はIP1に
達する。更に端子間電圧VD1を増加してもVB1（例えば〜
120V）までは通過電流I1はほぼIP1のままである。ま
た、定電流ダイオード７の端子間電圧VD2と通過電流I2
との関係も第２図に示すように動作する。そして、定電
流ダイオード６の端子間電圧VD1を電圧VB1（第２図参
照）以下で使用し、定電流ダイオード７の端子間電圧V
D2を電圧VP2以上で電圧VB2以下の範囲すなわち常に電流
IP2が流れる範囲で使用する。抵抗器８はAPD2に必要な
バイアス電圧VAおよび定電流ダイオード６の端子間電圧
VD1を考慮し、常に定電流ダイオード７の端子間電圧VD2
が電圧VP2から電圧VB2の範囲になるように選択する。す
なわち、APD2がGe−APDの場合にはバイアス電圧VAは通
常〜40V以下で使用されるから抵抗器８の値は０Ω（定
電流ダイオードのカソードを直接接地）にしても定電圧
ダイオード７の端子間電圧VD2は電圧（〜120V）を越え
ないので抵抗器８に必要ないが、APD2としてSi−APDを
使用した場合にはバイアス電圧VAは最大〜200V（VAmax
とする）程度で使用されることもあり、この場合には定
電流ダイオード７の端子間電圧VD2は VD2≒VAmax−〔抵抗器８の値〕×IP2＜VB2 になるように抵抗器８を選べばよい。また、このとき抵
抗器８の値に対する別の条件はAPD2に最小のバイアス電
圧VAが印加されたとき（VAminとする）に、定電流ダイ
オード７の端子間電圧VD2が電圧VP2より大きくなること
により導かれ、 VD2≒VAmin−〔抵抗器８の値〕×IP2＞VP2 となる。また、定電流ダイオード６の通過電流I1と定電
流ダイオード７の通過電流I2の関係はIP1＞IP2であるよ
うに選ばれる。IP1−IP2＝IPとすると、このIPは、APD2
をIPなる直流電流およびIPと一定のレベル関係にある信
号電流が流れ、前置増幅器３に入力されても前置増幅器
３の出力波形が歪まず、かつ同様に前置増幅器３の出力
波形を入力されたリミツタ増幅器４の出力波形にも歪が
生じないような値となるように定電流ダイオード６およ
び７が選ばれる。また、第３図は受光パワーをパラメー
タとしたAPDの特性曲線S1と定電流ダイオードの関係に
より決定されるAPDの端子間電圧VAと通過電流Ｉの特性
曲線S2とを示した図である。特に、パラメータである受
光パワーを低受光パワーPr1から高受光パワーPr3と変化
させた場合である。そして、この第３図において、横軸
の端子間電圧VAは定電流ダイオードの特性との関係で分
かりやすいように左側になる程大きくなるようにとつて
ある。曲線S1はVD1＋VA＝一定＝Ｖの条件と定電流ダイ
オードの特性（第２図）とAPD2を流れる電流ＩのＩ＝I1
−IP2なる関係から得られ、APD2の受光パワーPrをパラ
メータとした曲線S2群はAPD2の特性曲線（VA対Ｉ）その
ものである。VA軸上のＶαは定電流ダイオード６にIP2
＜IP1なる電流が流れるときの端子間電圧をＶから差し
引いた電圧であり、VA＝Ｖαのとき、APDを流れる直流
電流Ｉは０となる。なお、VB・APDはAPDのブレイクダウ
ン電圧を示す。したがつて、APD2の受光パワーPrによつ
て決まる曲線S2と曲線S1の交点により求まる端子間電圧
VAと通過電流ＩにてAPD2は動作することになる。
ツク図である。同図において、６および７は定電流ダイ
オード、８は抵抗器、９はコンデンサである。なお、第
２図は定電流ダイオード６の端子間電圧VD1と通過電流I
1との関係を示し、端子間電圧VD1がVP1（例えば〜5V）
以下では通過電流I1は端子間電圧VD1の増加に伴い徐々
に増加し、端子間電圧VP1に達すると通過電流I1はIP1に
達する。更に端子間電圧VD1を増加してもVB1（例えば〜
120V）までは通過電流I1はほぼIP1のままである。ま
た、定電流ダイオード７の端子間電圧VD2と通過電流I2
との関係も第２図に示すように動作する。そして、定電
流ダイオード６の端子間電圧VD1を電圧VB1（第２図参
照）以下で使用し、定電流ダイオード７の端子間電圧V
D2を電圧VP2以上で電圧VB2以下の範囲すなわち常に電流
IP2が流れる範囲で使用する。抵抗器８はAPD2に必要な
バイアス電圧VAおよび定電流ダイオード６の端子間電圧
VD1を考慮し、常に定電流ダイオード７の端子間電圧VD2
が電圧VP2から電圧VB2の範囲になるように選択する。す
なわち、APD2がGe−APDの場合にはバイアス電圧VAは通
常〜40V以下で使用されるから抵抗器８の値は０Ω（定
電流ダイオードのカソードを直接接地）にしても定電圧
ダイオード７の端子間電圧VD2は電圧（〜120V）を越え
ないので抵抗器８に必要ないが、APD2としてSi−APDを
使用した場合にはバイアス電圧VAは最大〜200V（VAmax
とする）程度で使用されることもあり、この場合には定
電流ダイオード７の端子間電圧VD2は VD2≒VAmax−〔抵抗器８の値〕×IP2＜VB2 になるように抵抗器８を選べばよい。また、このとき抵
抗器８の値に対する別の条件はAPD2に最小のバイアス電
圧VAが印加されたとき（VAminとする）に、定電流ダイ
オード７の端子間電圧VD2が電圧VP2より大きくなること
により導かれ、 VD2≒VAmin−〔抵抗器８の値〕×IP2＞VP2 となる。また、定電流ダイオード６の通過電流I1と定電
流ダイオード７の通過電流I2の関係はIP1＞IP2であるよ
うに選ばれる。IP1−IP2＝IPとすると、このIPは、APD2
をIPなる直流電流およびIPと一定のレベル関係にある信
号電流が流れ、前置増幅器３に入力されても前置増幅器
３の出力波形が歪まず、かつ同様に前置増幅器３の出力
波形を入力されたリミツタ増幅器４の出力波形にも歪が
生じないような値となるように定電流ダイオード６およ
び７が選ばれる。また、第３図は受光パワーをパラメー
タとしたAPDの特性曲線S1と定電流ダイオードの関係に
より決定されるAPDの端子間電圧VAと通過電流Ｉの特性
曲線S2とを示した図である。特に、パラメータである受
光パワーを低受光パワーPr1から高受光パワーPr3と変化
させた場合である。そして、この第３図において、横軸
の端子間電圧VAは定電流ダイオードの特性との関係で分
かりやすいように左側になる程大きくなるようにとつて
ある。曲線S1はVD1＋VA＝一定＝Ｖの条件と定電流ダイ
オードの特性（第２図）とAPD2を流れる電流ＩのＩ＝I1
−IP2なる関係から得られ、APD2の受光パワーPrをパラ
メータとした曲線S2群はAPD2の特性曲線（VA対Ｉ）その
ものである。VA軸上のＶαは定電流ダイオード６にIP2
＜IP1なる電流が流れるときの端子間電圧をＶから差し
引いた電圧であり、VA＝Ｖαのとき、APDを流れる直流
電流Ｉは０となる。なお、VB・APDはAPDのブレイクダウ
ン電圧を示す。したがつて、APD2の受光パワーPrによつ
て決まる曲線S2と曲線S1の交点により求まる端子間電圧
VAと通過電流ＩにてAPD2は動作することになる。
次に、上記構成による光受信器の動作について説明す
る。まず、デイジタル信号によつて直接強度変調された
光信号ＰがAPD2に入力すると、このAPD2はAPDバイアス
発生回路１によつて定電流ダイオード６を介してバイア
ス電圧VAがかけられており、このバイアス電圧VAによつ
て決まる増倍率Ｍに比例した変換比で光信号Ｐを光・電
気変換し前置増幅器３へ送出する。そして、APD2の出力
電流は定電流ダイオード６を流れる通過電流I1から定電
流ダイオード７を流れる通過電流I2を差し引いた値で表
わされる直流電流と一定のレベル関係にある信号電流で
あり、前置増幅器３はAPD2の出力電流を信号対雑音比の
劣化を少なく保つたまま増幅しリミツタ増幅器４へ送出
する。そして、リミツタ増幅器４は前置増幅器３より送
出される信号レベルにかかわらず、出力レベルを一定に
なるように増幅し出力端子５に送出する。つまり、光信
号Ｐのレベルによらず出力端子５には振幅が一定で光信
号Ｐと波形が相似な信号が得られる。一方、コンデンサ
９はAPD2を流れる信号電流によつてバイアス電圧VAが変
化しないようにするバイパスコンデンサであり、APD2を
流れる信号電流の最低周波数において充分インピーダン
スが小さくなるように値が選ばれる。そして、低受光パ
ワーの入力時には第４図で説明したと同様に、APD2のバ
イアス電圧VAは最適な増倍率Ｍを与えるように選ばれ
る。そして、受光パワーがPr1（第３図参照）のとき、A
PD2を流れる電流Ｉは小さく、定電流ダイオード６の端
子間電圧VD1は電圧VP1より小さくなつている。次に、受
光パワーが上がりPr2（第３図参照）の状態になると、A
PD2を流れる通過電流Ｉは増大してIP＝IP1−IP2に達
し、定電流ダイオード６の端子間電圧VD1は電圧VP1に達
する。更に、受光パワーが増加しPr3（第３図参照）の
状態になると、APD2を流れる通過電流I2は電流IPより増
加せず、Pr2の状態と比較すると、電圧VAが小さく（す
なわち増倍率Ｍが小さく）なり、定電流ダイオード６の
端子間電圧VD1は電圧VAが小さくなつた電圧だけ増加す
る。さらに、受光パワーが上がつて最大受光パワーにな
つた時、定電流ダイオード６の端子間電圧VD1が電圧VB
以上に上がらないように、すなわちAPD2を流れる通過電
流I2が電流IP以上にならないようにAPDバイアス回路の
出力電圧Ｖを選択する。このように、考慮する受光パワ
ーの範囲において、APD2を流れる通過電流I2は常に電流
IP以下であり、従つて電流IPと一定のレベル関係にある
APD2を流れる信号電流も同様にある一定レベルを越えな
い。したがつて、前置増幅器３の出力波形も歪まず高品
質な信号伝送が可能である。また、定電流ダイオード６
の電流IP1と定電流ダイオードの電流IP2の値の組み合せ
により、IP1−IP2の値を任意に選択することができ、自
由度の大きいAPDの出力電流制限が可能になる。
る。まず、デイジタル信号によつて直接強度変調された
光信号ＰがAPD2に入力すると、このAPD2はAPDバイアス
発生回路１によつて定電流ダイオード６を介してバイア
ス電圧VAがかけられており、このバイアス電圧VAによつ
て決まる増倍率Ｍに比例した変換比で光信号Ｐを光・電
気変換し前置増幅器３へ送出する。そして、APD2の出力
電流は定電流ダイオード６を流れる通過電流I1から定電
流ダイオード７を流れる通過電流I2を差し引いた値で表
わされる直流電流と一定のレベル関係にある信号電流で
あり、前置増幅器３はAPD2の出力電流を信号対雑音比の
劣化を少なく保つたまま増幅しリミツタ増幅器４へ送出
する。そして、リミツタ増幅器４は前置増幅器３より送
出される信号レベルにかかわらず、出力レベルを一定に
なるように増幅し出力端子５に送出する。つまり、光信
号Ｐのレベルによらず出力端子５には振幅が一定で光信
号Ｐと波形が相似な信号が得られる。一方、コンデンサ
９はAPD2を流れる信号電流によつてバイアス電圧VAが変
化しないようにするバイパスコンデンサであり、APD2を
流れる信号電流の最低周波数において充分インピーダン
スが小さくなるように値が選ばれる。そして、低受光パ
ワーの入力時には第４図で説明したと同様に、APD2のバ
イアス電圧VAは最適な増倍率Ｍを与えるように選ばれ
る。そして、受光パワーがPr1（第３図参照）のとき、A
PD2を流れる電流Ｉは小さく、定電流ダイオード６の端
子間電圧VD1は電圧VP1より小さくなつている。次に、受
光パワーが上がりPr2（第３図参照）の状態になると、A
PD2を流れる通過電流Ｉは増大してIP＝IP1−IP2に達
し、定電流ダイオード６の端子間電圧VD1は電圧VP1に達
する。更に、受光パワーが増加しPr3（第３図参照）の
状態になると、APD2を流れる通過電流I2は電流IPより増
加せず、Pr2の状態と比較すると、電圧VAが小さく（す
なわち増倍率Ｍが小さく）なり、定電流ダイオード６の
端子間電圧VD1は電圧VAが小さくなつた電圧だけ増加す
る。さらに、受光パワーが上がつて最大受光パワーにな
つた時、定電流ダイオード６の端子間電圧VD1が電圧VB
以上に上がらないように、すなわちAPD2を流れる通過電
流I2が電流IP以上にならないようにAPDバイアス回路の
出力電圧Ｖを選択する。このように、考慮する受光パワ
ーの範囲において、APD2を流れる通過電流I2は常に電流
IP以下であり、従つて電流IPと一定のレベル関係にある
APD2を流れる信号電流も同様にある一定レベルを越えな
い。したがつて、前置増幅器３の出力波形も歪まず高品
質な信号伝送が可能である。また、定電流ダイオード６
の電流IP1と定電流ダイオードの電流IP2の値の組み合せ
により、IP1−IP2の値を任意に選択することができ、自
由度の大きいAPDの出力電流制限が可能になる。
以上詳細に説明したように、この考案に係る光受信器に
よれば、２つの定電流ダイオードの差の電流がアバラン
シエフオトダイオードに平均的に流れ、かつ２つの定電
流ダイオードのうち大きな電流が流れる定電流ダイオー
ドを介してアバランシエフオトダイオードにバイアス電
圧を印加するという構成をとることにより、低受光パワ
ー入力時にアバランシエフオトダイオードの増倍率を最
適に設定でき、かつ２つの定電流ダイオードの電流値の
組合せにより、高受光パワー入力時にアバランシエフオ
トダイオードの出力電流を大きな自由度を持つて制限す
ることができるため、前置増幅器の出力波形の歪が少な
いレベルに振幅制限ができ、高品質な信号伝送が可能
で、また、リミツタ増幅器のダイナミツクレンジも少な
くて済むという効果がある。
よれば、２つの定電流ダイオードの差の電流がアバラン
シエフオトダイオードに平均的に流れ、かつ２つの定電
流ダイオードのうち大きな電流が流れる定電流ダイオー
ドを介してアバランシエフオトダイオードにバイアス電
圧を印加するという構成をとることにより、低受光パワ
ー入力時にアバランシエフオトダイオードの増倍率を最
適に設定でき、かつ２つの定電流ダイオードの電流値の
組合せにより、高受光パワー入力時にアバランシエフオ
トダイオードの出力電流を大きな自由度を持つて制限す
ることができるため、前置増幅器の出力波形の歪が少な
いレベルに振幅制限ができ、高品質な信号伝送が可能
で、また、リミツタ増幅器のダイナミツクレンジも少な
くて済むという効果がある。
第１図はこの考案に係る光受信器の一実施例を示すブロ
ツク図、第２図は定電流ダイオードの端子間電圧と通過
電流との関係を示す図、第３図は受光パワーをパラメー
タとしたAPDの特性曲線と定電流ダイオードの関係によ
り決定されるAPDの端子間電圧と電流を合わせて示した
図、第４図は従来の光受信器を示すブロツク図である。 １……APDバイアス発生回路、２……アバランシエフオ
トダイオード（APD）、３……前置増幅器、４……リミ
ツタ増幅器、５……出力端子、６および７……定電流ダ
イオード、８……抵抗器、９……コンデンサ。
ツク図、第２図は定電流ダイオードの端子間電圧と通過
電流との関係を示す図、第３図は受光パワーをパラメー
タとしたAPDの特性曲線と定電流ダイオードの関係によ
り決定されるAPDの端子間電圧と電流を合わせて示した
図、第４図は従来の光受信器を示すブロツク図である。 １……APDバイアス発生回路、２……アバランシエフオ
トダイオード（APD）、３……前置増幅器、４……リミ
ツタ増幅器、５……出力端子、６および７……定電流ダ
イオード、８……抵抗器、９……コンデンサ。
Claims (1)
- 【請求項１】アバランシエフオトダイオードと、このア
バランシエフオトダイオードに接続された増幅器とによ
つて構成される光受信器において、前記アバランシエフ
オトダイオードにバイアス電圧を供給するためのAPDバ
イアス発生回路と、アノードが前記APDバイアス発生回
路に接続されカソードが前記アバランシエフオトダイオ
ードに接続された第１の定電流ダイオードと、第１の定
電流ダイオードに流れる電流を差し引くように第１の定
電流ダイオードのカソードにアノードが接続された第２
の定電流ダイオードとを備え、この差し引かれた電流が
前記アバランシエフオトダイオードに流れる直流電流と
なるように構成してなる光受信器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987121426U JPH0644197Y2 (ja) | 1987-08-10 | 1987-08-10 | 光受信器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987121426U JPH0644197Y2 (ja) | 1987-08-10 | 1987-08-10 | 光受信器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6428036U JPS6428036U (ja) | 1989-02-17 |
| JPH0644197Y2 true JPH0644197Y2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=31368418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987121426U Expired - Lifetime JPH0644197Y2 (ja) | 1987-08-10 | 1987-08-10 | 光受信器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644197Y2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5838041A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-05 | Asahi Optical Co Ltd | Ａｐｄバイアス回路 |
| JPS6286774A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-21 | Canon Inc | 発光回路 |
-
1987
- 1987-08-10 JP JP1987121426U patent/JPH0644197Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6428036U (ja) | 1989-02-17 |
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