JPH06222299A - 画像記録装置 - Google Patents

画像記録装置

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JPH06222299A
JPH06222299A JP1244593A JP1244593A JPH06222299A JP H06222299 A JPH06222299 A JP H06222299A JP 1244593 A JP1244593 A JP 1244593A JP 1244593 A JP1244593 A JP 1244593A JP H06222299 A JPH06222299 A JP H06222299A
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JP
Japan
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light
output
laser light
laser
semiconductor laser
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JP1244593A
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English (en)
Inventor
Yoshiyuki Kurahashi
芳幸 倉橋
Tatsuya Eguchi
達也 江口
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Minolta Co Ltd
Original Assignee
Minolta Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ポリゴンミラーの汚れを検出する機能を備え
る画像記録装置を提供する。 【構成】 レーザ光を出力する半導体レーザを内部に備
えるレーザ光源と、レーザ光源から出力されたレーザ光
を回転に伴い偏向する複数の偏向面を有する回転偏光手
段と、回転偏光手段により偏向されたレーザ光により照
射された画像が1ライン毎に記録される感光体とを有す
る画像記録装置において、上記レーザ光源は、レーザ光
を出力する方向と反対の側に光強度を検出する光検出手
段を備え、上記レーザ光源は、上記回転偏光手段がレー
ザ光を偏向して感光体を照射する前に、レーザ光が偏向
面に垂直に入射して生じる反射光が上記光検出手段に入
射する位置に配置され、更に、上記光検出手段に反射光
が入射された際、光検出手段により検出される光強度に
基づいて、上記偏向面が汚れているか否かを判断する判
断手段と、判断手段による判断結果を出力する出力手段
とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザを用いる
画像記録装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体レーザを用いる画像記録装置で
は、図1に示すように半導体レーザ1から出力される主
ビームを複数の偏向面5からなるポリゴンミラー4に照
射し、主ビームを偏向して感光体7の表面に記録画像を
作像する。半導体レーザ1から出力される主ビームの光
出力は、図7に示されるように、電流が温度に依存して
著しく変化するのに対応して変化する。これに対し、特
開平1−164914号公報では、図2(a)及び
(b)に示されるように、半導体レーザ1の内部にフォ
トダイオード22を備え、主ビームの光強度に比例して
レーザダイオードチップ21からフォトダイオード22
の方向へ照射される副ビームをフォトダイオード22に
よって受光することで主ビームの光強度を一定に制御す
る。更に、図2(c)に示されるように、半導体レーザ
1から偏向面5へ出力される主ビームが偏向面5に垂直
に入射するように半導体レーザ1の位置を設定すると、
その反射光が半導体レーザ1に再入射されることに注目
し、再入射された反射光をフォトダイオード22で検出
し、これを同期信号として主ビームの照射タイミングの
制御を実行する。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記ポリゴンミラー4
は、高速で回転するため、周辺の粉塵を巻き込み汚れ
る。この汚れは、偏向面の光頭側より進む傾向がある。
従来例の場合、レーザダイオードチップ21から出力さ
れる主ビームの光出力を一定に保つことができるが、主
ビームが偏向面5に垂直に入射したときに半導体レーザ
1への再入射により検出される同期信号は、ポリゴンミ
ラーの汚れに応じてその出力レベルが低下する。このた
め、ポリゴンミラーが汚れると、同期信号の検出精度が
低下すると共に、感光体7の表面に作像される記録画像
にノイズが載る。従来、ポリゴンミラーにより反射され
るレーザ光を検出する手段を専用に備え、半導体レーザ
から出力されるレーザ光の強度を一定に制御するものが
ある(特開昭58−142351、特開昭60−100
868号公報、特開昭63−32514)。しかし、何
れの発明も、ポリゴンミラーの汚れを検出する手段を備
えるものではない。
【0004】そこで、本発明は、ポリゴンミラーの汚れ
を検出する機能を備える画像記録装置を提供することを
目的とする。
【0005】
【問題を解決するための手段】本発明の画像記録装置
は、レーザ光を出力する半導体レーザを内部に備えるレ
ーザ光源と、レーザ光源から出力されたレーザ光を回転
に伴い偏向する複数の偏向面を有する回転偏光手段と、
回転偏光手段により偏向されたレーザ光により照射され
た画像が1ライン毎に記録される感光体とを有する画像
記録装置において、上記レーザ光源は、レーザ光を出力
する方向と反対の側に光強度を検出する光検出手段を備
え、上記レーザ光源は、上記回転偏光手段がレーザ光を
偏向して感光体を照射する前に、レーザ光が偏向面に垂
直に入射して生じる反射光が上記光検出手段に入射する
位置に配置され、更に、上記光検出手段に反射光が入射
された際、光検出手段により検出される光強度に基づい
て、上記偏向面が汚れているか否かを判断する判断手段
と、判断手段による判断結果を出力する出力手段とを備
える。
【0006】
【作用】上記画像記録装置では、レーザ光を出力する方
向と反対の側に光強度を検出する光検出手段を備えるレ
ーザ光源が、上記回転偏光手段がレーザ光を偏向して感
光体を照射する前に、レーザ光が偏向面に垂直に入射し
て生じる反射光が上記光検出手段に入射する位置に配置
され、判断手段が、光検出手段に反射光が入射された
際、光検出手段により検出される光強度に基づいて、上
記偏向面が汚れているか否かを判断し、出力手段が、上
記判断手段による判断結果を出力する。
【0007】
【実施例】本発明の画像記録装置は、半導体レーザ1が、
ポリゴンミラー4が備える複数の偏向面5が主ビームを
偏向して感光体4を照射する前に、主ビームが偏向面5
に垂直に入射して生じる反射光がフォトダイオード22
に入射する位置に配置され、フォトダイオード22に主
ビームの反射光が入射した時の光強度に基づいて、偏向
面5が汚れているか否かを判断することを特徴とする。
以下、添付の図面を参照して、以下の順に本発明の実施
例を説明する (1)全体構成の概略説明 (2)半導体レーザの構成 (3)半導体レーザ出力制御回路 (3-1)主ビームの出力制御及び同期信号の検出 (3-2)ポリゴンミラーの汚れの検出
【0008】(1)全体構成の概略説明 図1は、本発明の画像記憶装置の光学系の構成該略図を
示す。該光学系は、半導体レーザ1と、コリメータレン
ズ2と、シンドリカルレンズ3と、複数の偏向面5を備
えるポリゴンミラー4と、fθレンズ6と、感光体7と
から構成される。
【0009】半導体レーザ1から出力されたレーザ光
は、コリメータレンズ2により平行光に集光され、さら
に、シンドリカルレンズ3によってポリゴンミラー4の
1つの偏向面5上に集光される。偏向面5に集光された
レーザ光は、ポリゴンミラー4の回転(図面では時計回
り)に従って偏向される。偏向されたレーザ光は、fθ
レンズ6を通って感光体7上に結像された状態で走査さ
れる。
【0010】半導体レーザ1から放射されるレーザ光と
偏向面5の位置関係は、偏向面5によるレーザ光の感光
体7への走査に先立って、レーザ光が非画像エリアで偏
向面5に垂直になるように設定する。従って、偏向面5
がレーザ光と垂直になった時点で偏向面5上に集光さ
れ、反射されたレーザ光は、シンドリカルレンズ3を介
して半導体レーザ1に再入射する。
【0011】(2)半導体レーザの構成 半導体レーザ1は、図2(a)及び(b)に示すよう
に、レーザ発光作用を行うレーザダイオードチップ21
の他に、レーザ光の出力を検出するためのフォトダイオ
ード22を開口窓23と反対の側に備えている。レーザ
ダイオードチップ21は、ポリゴンミラー4の方向に開
口窓23を介して出力されるレーザ光(以下、主ビーム
とする)と、光強度モニタ用のフォトダイオード22へ
向かうレーザ光(以下、副ビームとする)の2つのレー
ザ光を出力する。
【0012】図2(c)に示されるように、ポリゴンミ
ラー4に出力される主ビームと偏向面5とが垂直の関係
となる際には、副ビームと共に偏向面5で反射された主
ビームもフォトダイオード22に入射される。一方、レ
ーザダイオードチップ21から主ビームが出力されてい
る期間中、フォトダイオード22には、常時、副ビーム
が入射される。画像記録装置は、後に説明する半導体レ
ーザ駆動回路(図3参照)を用いて、偏向面5によって
反射され、半導体レーザ1に再入射された主ビームの光
強度のフォトダイオード22による検出値に基づいて一
定に制御する。
【0013】(3)半導体レーザ駆動回路 図3は、半導体レーザ1から出力されるビームの光強度
を制御し、同期信号を検出し、更に、ポリゴンミラーの
汚れを検出する半導体レーザ駆動回路を示す。また、図
4は、図3の回路の(a)〜(f)、(l)、(n)及
び(m)点での電圧を示すタイミングチャートである。
本回路は、レーザダイオードチップ21と、フォトダイ
オード22と、オペアンプ101,102,103,1
23と、トランジスタ111,112と、ピーク値ホー
ルド回路200と、ワンショットマルチバイブレータ1
24,126と、ORゲート113,125と、AND
ゲート104とから構成される。また、ピーク値ホール
ド回路200は、アナログスイッチ121と、RC回路
122と、オペアンプ123とから構成される。
【0014】図4に示すタイミングチャートは、半導体
レーザ1から出力されたビームがポリゴンミラー4の1
つの偏向面5に垂直に入射した後(タイミングα時)、
次の偏向面に垂直に入射する(タイミングβ時)までの
期間中の各点での電圧変化の様子を示す図である。
【0015】 (3-1)主ビームの出力制御及び同期信号の検出 フォトダイオード22は、光電変換器であり、入射され
るビームの強度に対応する電流を発生する。該電流は、
電圧に変換され、オペアンプ101により増幅され、増
幅電圧aが出力される。。増幅電圧aは、コンパレータ
102でしきい値電圧gと比較される。しきい値電圧g
は、図4の(a)に点線で示すように、フォトダイオー
ド22に、副ビームのみが入射する場合の増幅電圧aの
値と、副ビームに加えて主ビームの偏向面5による反射
光が半導体レーザ1に再入射する場合の増幅電圧aとを
識別可能な値に設定される。増幅電圧aの値がしきい値
電圧gよりも大きい場合、コンパレータ102は、ハイ
レベルの電圧bを出力する。即ち、図4の(b)に示す
ように、主ビームの偏向面5による反射光が半導体レー
ザ1に再入射している間は、コンパレータ102の出力
電圧bはハイレベルになり、これを1走査ライン毎の同
期信号として出力する。
【0016】f点には、画像データが入力される。該画
像データは、図6に示すように、画像記録装置全体の制
御を実行する制御回路300から送られる。f点に入力
された画像データは、ORゲート113に入力される。
ここで、画像データが、ハイレベルの場合、ORゲート
113からトランジスタ111に一定の電流が流れる。
また、一方のトランジスタ112には、常に電流を流し
ておく。これは、トランジスタ111のみでレーザダイ
オードチップ21に流す電流を0Vからスイッチングさ
せたのでは、光出力の過渡特性のための光出力の応答性
が劣化するためである。
【0017】ビームの強度を一定にする制御は、フォト
ダイオード22の受光強度に、応じてトランジスタ11
2のコレクタ電流Icを変化することで実行される(ト
ランジスタ111に流れる電流は制御しない)。両トラ
ンジスタ111,112に電流が流れる状態(即ちハイ
レベルの画像信号が入力された場合)でフォトダイオー
ド22により検出された電圧は、オペアンプ101で増
幅された後、ピーク値ホールド回路200を経てトラン
ジスタ112のベースに印加される。ここで、フォトダ
イオード22に入射される反射光の強度が変動した場合
には、これに対応してコレクタ電流Icを変化し、オペ
アンプ101の出力電圧aを一定に制御する。即ち、ピ
ーク値の値が大きくなると、コレクタ電流Icが減少す
る。ここで、他方のトランジスタ111の電流Isの値
は一定であるため、Id(=Ic+Is)の値も減少する
こととなる。この結果、レーザダイオードチップ21か
ら出力されるビームの強度は減少する。一方、ピーク値
の値が小さくなると、コレクタ電流Icが増加する。こ
こで、Isの値は一定であるため、Id(=Ic+Is)
の値も増加することとなる。この結果、レーザダイオー
ドチップ21から出力されるビームの強度は増加する。
【0018】ピーク値ホールド回路200は、アナログ
スイッチ121と、RC回路122と、オペアンプ12
3とから構成され、入力される電圧の最大値をホールド
する。ピーク値ホールド回路200を増幅器101とト
ランジスタ112の間に介在させるのは、画像記録領域
外で光強度制御を行うためである。ここで、画像記録領
域とは、入力される画像信号のレベルに応じて半導体レ
ーザ1から出力される主ビームが、感光体7を照射して
画像を記録する領域を意味する。
【0019】本実施例の画像記録装置は、副ビームの強
度を一定にすることで主ビームの出力を制御する。アナ
ログスイッチ121には、ワンショットマルチ126か
ら出力される電圧cが入力される。アナログスイッチ1
21は、入力される電圧cの値がハイレベルの場合に
は、スイッチを閉じると共に、電圧cの値がローレベル
の場合には、スイッチを解放する。即ち、図4(c)に
示すように、画像記録領域外において、主及び副ビーム
が強制的に発光される時から、主ビームの反射光が半導
体レーザ1に再入射するまでの期間中、アナログスイッ
チを閉じることとなる。アナログスイッチ121は、ス
イッチが閉じられている期間中に、副ビームの強度を一
定にする。そして、スイッチが解放されると、一定にさ
れた副ビームの値を保持する。
【0020】半導体レーザ1は、画像記録領域外におい
て、レーザ光の出力制御及び同期信号の検出の為に一定
期間強制的に発光状態にされる。コンパレータ102の
出力する同期信号bは、ワンショットマルチバイブレー
タ124とORゲート125に送られる。ワンショット
マルチバイブレータ124の出力cは、アナログスイッ
チ121とORゲート125に送られる。図4の(c)
に示すように、ワンショットマルチバイブレータ124
は、同期信号bの立ち上がり、即ち、主ビームの半導体
レーザ1への再入射時にローレベルになり、画像記録期
間を確実にすぎ、所定の時間tを経過した後にハイレ
ベルに戻る。ORゲート125は、同期信号bと信号c
との論理和を求め、図4(d)に示す信号dをORゲー
ト113へ出力する。信号dは、図示されるように、ワ
ンショットマルチ124の信号cの立ち上がりから、コ
ンパレータ102から出力される同期信号bの立ち下が
りまでの期間中、入力される画像信号fの値にかかわら
ず、ORゲートからハイレベルの信号を出力し、半導体
レーザ1を強制発光状態に保持する。
【0021】(3-2)ポリゴンミラーの汚れの検出 本発明の制御回路には、従来の制御回路に加えて、コン
パレータ103と、ANDゲート104、ワンショット
マルチ126が備えられ、ポリゴンミラー4の各偏向面
4の汚れを検出する。コンパレータ103は、図4に一
点鎖線で示すように、増幅電圧aとしきい値電圧kの値
とを比較する。一般的に、レーザビームの出力の変動
は、感光体上で±10%以内に押さえることが望まし
い。従って、図5(a)に示されるように、しきい値電
圧kは、ポリゴンミラーが全く汚れていない状態におい
て、主ビームが半導体レーザ1に再入射した際の増幅電
圧aの値j1(V)の値から−10%程度の値に設定され
る。
【0022】コンパレータ103において、図5(a)
に示すように、増幅電圧aの値がしきい値電圧kの値よ
りも大きな場合には、ハイレベルのパルス信号nがAN
Dゲート104へ出力される。図5(b)に示すよう
に、増幅電圧aの値がしきい値電圧kよりも大きな場合
には、当然コンパレータ102からは、ハイレベルのパ
ルス信号bが出力される。従って、ANDゲート104
からは、ハイレベルの信号mが出力される。このような
回路にするのは、コンパレータ103から出力されるノ
イズ信号によるワンショットマルチ126の誤動作を防
止するためである。ANDゲート104から出力された
ハイレベルの信号mは、ワンショットマルチ126に入
力される。ワンショットマルチ126では、ハイレベル
のパルス信号mが入力されると、ハイレベルからローレ
ベルへ切り替わり、更に、一定期間t3だけローレベル
を保持した後、ハイレベルへ戻る。上記一定期間t
3は、主ビームが半導体レーザへ再入射した後、次に再
入射するまでの期間よりも長く設定されている。即ち、
ポリゴンミラー4が汚れていない場合には、ワンショッ
トマルチ126がハイレベルに戻る前に、次のハイレベ
ルのパルス信号mが入力されるため、通常、ワンショッ
トマルチは、ローレベルの値が継続する。
【0023】しかし、ポリゴンミラー4が汚れ、増幅電
圧aが、しきい値電圧kの値を越えなくなると、コンパ
レータ103は、ハイレベルのパルス信号を出力せず、
結果として、ワンショットマルチは、ハイレベルの状態
に戻る。そこで、ワンショットマルチ126がハイレベ
ルになった場合には、ポリゴンミラー4が汚れ、正確な
同期信号の検出及び作像処理が実行不可能であると判断
し、エラー信号lを出力する。
【0024】しきい値電圧kの値は、副ビームのみの出
力値(図4のi点)に対し一定の割合だけ大きな値に設
定しても良い。この場合、仮に半導体レーザ1から出力
されるレーザ光の出力が低下しも、ポリゴンミラー4の
汚れを正確に検出することが可能となる。
【0025】次の図6は、半導体レーザ駆動回路3と、
画像記録装置全体の制御を実行する制御回路300と、
操作パネル400との関係を示す図である。制御回路3
00は、半導体レーザ駆動回路3へ画像信号fを出力す
る。半導体レーザ駆動回路3から出力されたエラー信号
lは、制御装置300に入力される。エラー信号lを受
け取った制御回路300は、操作パネル400にポリゴ
ンミラーが汚れている旨の表示をさせる。また、制御回
路300は、操作パネル400に表示を行うだけでな
く、記録処理動作自体を停止させるようにしてもよい。
【0025】
【発明の効果】本発明の画像記録装置を用いると、ポリ
ゴンミラーの汚れを検出することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の画像記録装置の光学系の構成該略図
である。
【図2】 本発明に係る半導体レーザ1の構成図であ
る。
【図3】 半導体レーザ駆動回路を示す図である。
【図4】 図4の回路の各点におけるビームの光強度制
御タイミングを示す図である。
【図5】 増幅電圧aと、しきい値電圧kとの関係を示
す図であり、(a)は正常時、(b)はポリゴンミラー
4が汚れている場合の図である。
【図6】 半導体レーザ駆動回路と、画像記録装置全体
の制御回路300、及び操作パネル400との関係を示
す図である。
【図7】 半導体レーザの出力の温度依存特性を示す図
である。
【符号の説明】
1…半導体レーザ 4…ポリゴンミラー 5…偏向面 7…感光体 21…レーザダイオードチップ 22…フォトダイオード 102…コンパレータ 111,112…トランジスタ 200…ピーク値ホールド回路 300…制御回路 400…表示パネル

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 レーザ光を出力する半導体レーザを内部
    に備えるレーザ光源と、 レーザ光源から出力されたレーザ光を回転に伴い偏向す
    る複数の偏向面を有する回転偏光手段と、 回転偏光手段により偏向されたレーザ光により照射され
    た画像が1ライン毎に記録される感光体とを有する画像
    記録装置において、 上記レーザ光源は、レーザ光を出力する方向と反対の側
    に光強度を検出する光検出手段を備え、 上記レーザ光源は、上記回転偏光手段がレーザ光を偏向
    して感光体を照射する前に、レーザ光が偏向面に垂直に
    入射して生じる反射光が上記光検出手段に入射する位置
    に配置され、 更に、上記光検出手段に反射光が入射された際、光検出
    手段により検出される光強度に基づいて、上記偏向面が
    汚れているか否かを判断する判断手段と、 判断手段による判断結果を出力する出力手段とを備える
    ことを特徴とする画像記録装置。
JP1244593A 1993-01-28 1993-01-28 画像記録装置 Pending JPH06222299A (ja)

Priority Applications (1)

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JP1244593A JPH06222299A (ja) 1993-01-28 1993-01-28 画像記録装置

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JP1244593A JPH06222299A (ja) 1993-01-28 1993-01-28 画像記録装置

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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