JPS6385086A - Si単結晶引上用黒鉛ルツボ - Google Patents

Si単結晶引上用黒鉛ルツボ

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JPS6385086A
JPS6385086A JP22835586A JP22835586A JPS6385086A JP S6385086 A JPS6385086 A JP S6385086A JP 22835586 A JP22835586 A JP 22835586A JP 22835586 A JP22835586 A JP 22835586A JP S6385086 A JPS6385086 A JP S6385086A
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JP
Japan
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graphite crucible
reaction
consumption
pulling
graphite
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JP22835586A
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JPH0577640B2 (ja
Inventor
Sakae Ikegami
池上 栄
Nobuhisa Harada
原田 信久
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Tokai Carbon Co Ltd
Original Assignee
Tokai Carbon Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、チョクラルスキー(CZ)法によりS1単結
晶を引上げる際に用いられる黒鉛ルツボに関する。
〔従来の技術〕
チョクラルスキー法に適用されるルツボ装置は、半専体
材料となるSlを溶融するための石英ルツボとこれを収
納して外部から保持する黒鉛ルツボとの二重構造となっ
ているが、操業時には石英ルツボの熱変形によって両ル
ツボの内外面が密着する状態となる。この際、系内の温
度上昇は1500℃程度に達するため、上記ルツボの密
着面でけい化反応を起し黒鉛ルツボが内面から次第にS
iCに転化する。このような現象が起ると、黒鉛ルツボ
の組織内部に歪を生じてクラッタなどの材料劣化が発生
するという観点から、従来ルツボを構成する黒鉛材料の
熱膨張率、気孔径あるいは空気透す率などの材質特性を
吟味することによりクランク発生を防止しようとする試
みがなされている(特開昭57−191292、特開昭
51156595)。
一方、石英ルツボと黒鉛ルツボでの界面反応はS io
 2+ 3 C−1−9iC+  2 COによるが、
これに比べて5iOzとSiCとの反応率が低いため石
英ルツボと黒鉛ルツボの間にSiCを介在させることに
より黒鉛ルツボのSiC化を防止する方法ら機業されて
いる(特開昭58−172295)。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところが、現状においては上記したけい化反応に基づく
クラックの発生よりも、使用過程で進行する黒鉛ルツボ
の消耗劣化が大きな解決課題となつている。
上述した特開昭58−172295号の発明はSin、
とSiCとの反応(25iOt+ S ic→3SiO
+CO)が僅少であることを前提としているが、発明者
らの研究では、1OTorrのAr雰囲気中、1500
°C,10時間の条件で5iOzとSiCを反応させた
ところ30%程度の大巾な重1減少率に達することが確
認された。そして、この事実から黒鉛ルツボの内面消耗
機構は、主に下記3段階の反応によって進行するものと
推定した。
5iO7+30−+SiC+2co・・・(I)2 S
 ioz+ S iC→3SiO+CO・・・(2)3
SiO+ec −3sic+:3c○ ・・(3)すな
わち、まず反応(1)で黒鉛ルツボの石英ルツボと密着
する内面表層部分にSiCが生成する。
生成したSiC層は更にS i Otとの接触により反
応(2)を起して分解する。反応(2)で生成したSi
○は反応(3)に基づいて黒鉛組織を侵蝕する。
黒鉛ルツボは、高温苛酷な状態で長時間反復使用される
ため、上記の反応を介して消耗が進行する。
近時の黒鉛ルツボ寿命は、内面消耗に支配されており、
この現象からしても上記反応の化学的な正当性が裏付け
られる。
〔問題点を解決するための手段〕
発明者らは上記消耗反応の進行状況について詳細に検討
した結果、黒鉛ルツボの材質が特定された見掛比重、ガ
ス透過性および電気比抵抗を備える場合に消耗が著るし
く減少する事実を確認して本発明に至ったものである。
すなわち本発明により堤供されるSi単結晶引上用黒鉛
ルツボは、見掛比重1 、80 g/cyx3以上、ガ
ス透過度0.3 X I O’−3cm/sec以下お
よび電気比抵抗9.0X10−4Ωcm以下の特性を備
えることを特徴とする。
これら特性項目のうち、ガス透過度は、厚さ5 、0 
yxの黒鉛板の透過断面積19xx直径部分を差圧40
0 xxaq、で、N、ガスを透過させた場合における
時間当りのガス透過量で下式により求められた値である
反応率が低下していることが判明する。
(2)上記RunNo、1〜6と同一特性の素材によよ
り14インチの黒鉛ルツボを製作しSi単結晶の引上げ
実験をおこなった。表Hに黒鉛ルツボの内面部位におけ
る肉厚が75%まで消耗した時点の使用回数を対比して
示した。
表■ 本発明の実施例(Rur+  No、 4〜6)は比較
例(RunNo、1〜3)より使用寿命が著しく向上す
ることが認められた。
〔発明の効果〕
本発明は、現在SiC単結晶引上用黒鉛ルツボの性能上
主要な解決課題とぎれている内面反応消耗の機構を考察
し、この消耗を黒鉛ルツボの見掛比重、ガス透過度およ
び電気比抵抗の3特性を特定することによって効果的な
防止を図ったものである。したがって、使用ライフの向
上に寄与するところ大である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、見掛比重1.80g/cm^3以上、ガス透過度0
    .3×10^−^3cm/sec以下および電気比抵抗
    9.0×10^−^4Ωcm以下の特性を備えることを
    特徴とするSi単結晶引上用黒鉛ルツボ。
JP22835586A 1986-09-29 1986-09-29 Si単結晶引上用黒鉛ルツボ Granted JPS6385086A (ja)

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JPS6385086A true JPS6385086A (ja) 1988-04-15
JPH0577640B2 JPH0577640B2 (ja) 1993-10-27

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07187878A (ja) * 1992-03-24 1995-07-25 Tokai Carbon Co Ltd シリコン単結晶製造用黒鉛ルツボ

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JPS6090805A (ja) * 1983-10-25 1985-05-22 Kobe Steel Ltd 不透過性炭素成形体の製造方法

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