JP2010208939A - シリコン単結晶引上用黒鉛ルツボ - Google Patents
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Abstract
【課題】表層のSiCとの熱膨張差によって生じる割れやクラックを防止でき、しかも急速な昇温にも耐えることができるよう熱的特性が改良されたシリコン単結晶引上用黒鉛ルツボを提供する。
【解決手段】シリコン単結晶引上用黒鉛ルツボ8は、下記条件を満たす黒鉛材料からなる。(イ)293〜673Kでの熱膨張係数が3.0〜4.0×10−6/K(ロ)293Kでの熱伝導率が120W/(m・K)以上(ハ)耐熱衝撃係数=(引っ張り強度×熱伝導率)/(熱膨張係数×弾性係数)が80kW/m以上(ニ)かさ密度が1.70Mg/cm3以上(ホ)熱膨張係数の異方比が1.1以下であり、また、前記シリコン単結晶引上用黒鉛ルツボ8は、2分割または3分割ルツボであることが好ましい。
【選択図】図1
【解決手段】シリコン単結晶引上用黒鉛ルツボ8は、下記条件を満たす黒鉛材料からなる。(イ)293〜673Kでの熱膨張係数が3.0〜4.0×10−6/K(ロ)293Kでの熱伝導率が120W/(m・K)以上(ハ)耐熱衝撃係数=(引っ張り強度×熱伝導率)/(熱膨張係数×弾性係数)が80kW/m以上(ニ)かさ密度が1.70Mg/cm3以上(ホ)熱膨張係数の異方比が1.1以下であり、また、前記シリコン単結晶引上用黒鉛ルツボ8は、2分割または3分割ルツボであることが好ましい。
【選択図】図1
Description
本発明は、シリコン単結晶引上用黒鉛ルツボに関する。
シリコン(以下、Siという。)の単結晶を引き上げる際に、例えば下記特許文献1、2等に例示されるような、チョコラルスキー法によるSi単結晶引上装置が用いられる。
このSi単結晶引上装置は、黒鉛ルツボの中に収納した石英ルツボに多結晶Siを充填し、黒鉛ルツボの周囲に設けられた黒鉛ヒーターで、不活性ガス雰囲気中1800Kに加熱して多結晶Siを溶融させ、先端に単結晶Siを取り付けたシードチャックを融液面に接触させ、回転させながら、引上を行うことができる構造になっている。
通常、Si単結晶引上装置の炉を構成する内部部品として、前述したルツボ、ヒーターの他にも、インナーシールド、Si蒸気等の漏れ防止リング、ロアーリング、アッパーリング、スピルトレー、シードチャック等があり、これらも黒鉛材料で構成されている。
ところが、黒鉛材料をSi単結晶引上装置の炉部品に用いた場合、以下の(1)〜(4)の問題がある。
(1)黒鉛材料は、上記Si単結晶を引上る際に生じる一酸化ケイ素ガス(以下、SiOガスという。)、石英ルツボ等と反応し、表層部分が炭化珪素(以下、SiCという。)に転化する。表層がSiCに転化すると、体積が膨張して黒鉛部品中に内部応力が発生し、破壊の原因となる。
(2)黒鉛とSiCとは熱膨張係数が異なるため熱応力を生じ、この熱応力は黒鉛部品を破壊する原因となる。
(3)黒鉛ルツボについていえば、通常、2または3に分割されたものが使用されており、石英ルツボとの熱膨張係数が大きく異なるため(石英ルツボの熱膨張係数0.5×10−6/K)冷却によって外側に開き、黒鉛ルツボに大きな応力が発生する等の問題がある。
(4)黒鉛ルツボは、昇温中或いは引上時にSiOガスや石英ルツボと反応して消耗し、強度的に弱くなる。このような場合に何らかの要因で応力を受けると破壊することがある。
近年では、直径が8インチ以上のSiインゴットの引上が主流になってきており、これに伴いSi単結晶引上装置自体も大型化してきているので熱のロスが大きく省エネルギー対策の面、操業時間の短縮化の観点から、所定の温度まで急速に昇温しても、これに耐えうるシリコン単結晶引上用黒鉛ルツボが求められている。
本発明は上記問題点、即ちSiCとの熱膨張差によって生じる割れやクラックを防止でき、しかも急速な昇温にも耐えることができるよう熱的特性が改良されたシリコン単結晶引上用黒鉛ルツボを提供することを目的とする。
本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、黒鉛とSiCの熱膨張差を小さくするだけでなく、耐熱衝撃性の向上という点にも着目し、熱膨張係数や耐熱衝撃係数を制御した黒鉛材料を開発し、これを使用することによって、上記課題を解決することができ、本発明を完成するに至ったものである。
即ち、本発明のシリコン単結晶引上用黒鉛ルツボは、下記条件を満たす黒鉛材料からなることを特徴とする。
(イ)293K〜673Kでの熱膨張係数が3.0〜4.0×10−6/K
(ロ)293Kでの熱伝導率が120W/(m・K)以上
(ハ)耐熱衝撃係数(=(引っ張り強度×熱伝導率)/(熱膨張係数×弾性係数))が80kW/m以上
(ニ)かさ密度が1.70Mg/cm3以上
(ホ)熱膨張係数の異方比が1.1以下
なお、本発明のシリコン単結晶引上用黒鉛ルツボは、黒鉛材料のかさ密度が1.77Mg/cm3以下であることが好ましい。また、黒鉛材料の引っ張り強度が25MPa以上であり且つ弾性係数が11GPa以下であることが好ましい。さらに、黒鉛材料の293〜673Kでの熱膨張係数が 3.9〜4.0×10−6 / Kであることが好ましい。加えて、本発明のシリコン単結晶引上用黒鉛ルツボは、黒鉛材料の灰化法による全灰分量が20ppm以下であることが好ましい。また、本発明のシリコン単結晶引上用黒鉛ルツボは、2分割または3分割ルツボであることが好ましい。
(イ)293K〜673Kでの熱膨張係数が3.0〜4.0×10−6/K
(ロ)293Kでの熱伝導率が120W/(m・K)以上
(ハ)耐熱衝撃係数(=(引っ張り強度×熱伝導率)/(熱膨張係数×弾性係数))が80kW/m以上
(ニ)かさ密度が1.70Mg/cm3以上
(ホ)熱膨張係数の異方比が1.1以下
なお、本発明のシリコン単結晶引上用黒鉛ルツボは、黒鉛材料のかさ密度が1.77Mg/cm3以下であることが好ましい。また、黒鉛材料の引っ張り強度が25MPa以上であり且つ弾性係数が11GPa以下であることが好ましい。さらに、黒鉛材料の293〜673Kでの熱膨張係数が 3.9〜4.0×10−6 / Kであることが好ましい。加えて、本発明のシリコン単結晶引上用黒鉛ルツボは、黒鉛材料の灰化法による全灰分量が20ppm以下であることが好ましい。また、本発明のシリコン単結晶引上用黒鉛ルツボは、2分割または3分割ルツボであることが好ましい。
本発明をさらに詳細に説明すると次のようになる。まず、本発明のシリコン単結晶引上用黒鉛ルツボは、上記(イ)のように、293K〜673Kでの熱膨張係数が3.0〜4.0×10−6/Kの、黒鉛材料からなる。293K〜673Kでの熱膨張係数が3.0×10−6/Kよりも小さい場合や4.0×10−6/Kを越える場合は、温度変化によって、SiCとの熱膨張差に起因する応力が発生し、割れやクラックが生じる。なお、好ましくは、293K〜673Kでの熱膨張係数の範囲は、3.5〜4.0×10−6/Kである。その理由は、SiCの293K〜673Kでの熱膨張係数が3.5〜4.0×10−6/Kであり、SiCとの熱膨張係数差を殆ど無くすことができるからである。
次に、本発明に係る黒鉛ルツボは、上記(ロ)(ハ)のように、293Kでの熱伝導率が120W/(m・K)以上(好ましくは130W/(m・K)以上)、且つ、耐熱衝撃係数が80kW/m以上(好ましくは90kW/m以上)の、黒鉛材料からなる。シリコン単結晶引上用黒鉛ルツボに使用される黒鉛材料の熱伝導率を向上させることは、次に述べる耐熱衝撃係数(R)を向上させることにとどまらず、Si単結晶装置の立ち上げ、即ち、Siの引上までに要する時間を短縮できるので、熱効率を向上させることもできる。
耐熱衝撃係数(R)は、シリコン単結晶引上用黒鉛ルツボにおいては、重要な特性の一つであり、引っ張り強度(σ):単位は(MPa)、熱伝導率(κ):単位は(W/(m・K))、熱膨張係数(α):単位は(×10−6/K)、弾性係数(ヤング率と同じ内容を意味するものとする。)(E):単位は(GPa)、とすると、R=(σκ/αE)で示される。耐熱衝撃係数(R)の単位は(kW/m)である。
耐熱衝撃係数(R)は、上記熱伝導率、引っ張り強度、熱膨張係数、弾性係数の4つの構成因子からなる。シリコン単結晶引上用黒鉛ルツボに使用される黒鉛材料の熱伝導率と引っ張り強度を大きくすれば、耐熱衝撃係数(R)を大きくでき、このような構成にすることによって、急速な加熱に適した黒鉛ルツボを提供するという課題を解決できるのである。
また、上記(イ)のように、本発明では、従来のシリコン単結晶引上用黒鉛ルツボに使用される黒鉛材料の熱膨張係数(4.0〜5.0×10−6/K)よりも、黒鉛材料の熱膨張係数を小さくして、SiCと近似させるようにしたので(上記式の分母を小さくすることになる。)、耐熱衝撃係数(R)を相対的に大きくしたことになり、熱衝撃に非常に強い上に、SiCとの熱膨張差による熱応力の発生がなく、割れ、クラックが発生しない。
次に、本発明に係る黒鉛ルツボは、上記(ホ)のように、熱膨張係数の異方比が1.1以下(好ましくは1.05以下)の黒鉛材料からなる。これにより、石英ルツボを均一に加熱できるのでSi融液の加熱ムラがない。したがって、Si単結晶の品質の向上に寄与できる。本発明では、等方的に加圧成形を行った等方性黒鉛材料を使用することが強度面から見てもさらに好ましい。異方比は、293K〜673KまでのX軸、Y軸、Z軸方向の熱膨張係数を測定し、最も大きい値と最も小さな値の比をいうものとする。
また、上記(ニ)のように、本発明のシリコン単結晶引上用黒鉛ルツボに使用される黒鉛材料のかさ密度は、1.70Mg/m3以上である。SiCへの転化速度はかさ密度と相関関係があり、気孔が大きい程、転化速度が速くなる。かさ密度を1.70Mg/m3以上にすると、SiCの転化速度が抑えられる。
また、本発明のシリコン単結晶引上用黒鉛ルツボに使用される黒鉛材料の引っ張り強度は、20MPa以上、更に25MPa以上とすることが好ましい。引っ張り強度を大きくすることは、耐熱衝撃係数(R)を向上させる上で重要な因子であるが、それだけにとどまらず、Si単結晶引上装置の運転開始時あるいは運転中に発生するSiOガスや、石英ルツボと黒鉛材料との反応によって発生する熱応力に対するワレ防止に効果がある。
本発明のシリコン単結晶引上用黒鉛ルツボに使用される黒鉛材料の弾性係数は、11GPa以下、更に10GPa以下とすることが好ましい。弾性係数を小さくすることは、耐熱衝撃係数(R)を向上させる上で重要な因子であるが、それだけにとどまらず、弾性係数が11GPaよりも大きくなると、黒鉛材料自体が脆弱となるので好ましくない。
前記黒鉛材料は、高純度化工程を経て不純物が少なくなったものが好ましい。具体的は、灰化法による全灰分量が20ppm以下が好ましく、更に5ppm以下が好ましい。
上述した黒鉛材料は、Si単結晶引上装置の炉を構成する内部部品として最適である。図1において、黒鉛ルツボ8、黒鉛ヒーター7の他にも、インナーシールド11、Si蒸気等の漏れ防止用の上部シールド16、ロアーリング9、アッパーリング12、スピルトレー15、シードチャック1等があり、これらも前記黒鉛材料で構成することが好ましい。
上述した黒鉛材料は、連続鋳造用ダイスやホットプレス用部品にも好適に使用できる。また、熱膨張係数がSiCと同じなので、エピタキシャル成長用のSiC被覆されたパンケーキバレルサセプター等の基材にも最適という事はいうまでもない事である。また、Siを扱うCVD炉やCVR炉の炉壁に用いられる黒鉛材料製の壁材も表面の一部又は全部にSiC膜が形成されるため、SiCの耐剥離性に優れた本発明に係る黒鉛材料が基材として適している。さらに、耐SiC性向上のために、予め黒鉛材料の表面の一部又は全部にSiC膜を含浸又は/及び被覆により形成してなるSiC膜形成黒鉛材料としても有効である。
繰り返しの急激な昇降温だけでなくSiOガスに常時曝され、表面がSiCに転化するようなシリコン単結晶引上用黒鉛ルツボとして、熱膨張係数と耐熱衝撃係数又は及び熱伝導率を制御した黒鉛材料を使用することによって、熱衝撃やSiC化による割れ、クラックを生じることを抑制することができる。また、異方比を制御することによって均熱性に優れている。さらに、熱伝導率も優れているので熱効率の面でも省エネルギー化、操業時間の短縮化の面で非常に効果的である。
引っ張り強度、熱伝導率、弾性係数、熱膨張係数をコントロールして耐熱衝撃係数を制御した黒鉛材料を、Si単結晶引き上げ装置(黒鉛ルツボなど)に使用した。
黒鉛材料は、石油コークス等のフィラー(骨材)と、ピッチ等のバインダー(結合材)とを混合し、これを所定の形状に成形したのち、熱処理によってバインダーを炭素化固結させて形成される。この黒鉛材料の熱膨張係数は、骨材自体を低い熱膨張係数のものに選定することにより調整できる。また、引っ張り強度、熱伝導率、弾性係数、熱膨張係数の各々も、骨材の熱的性質及び物理的性質について適切なものを選定することにより所定範囲に収めることができる。
なお、本発明でいう引っ張り強度、熱伝導率、弾性係数、熱膨張係数の測定方法及び条件は以下に記載する。
引っ張り強度と、弾性係数(ヤング率)については、各々日本工業規格(以下、JISという。)のR7222−1997、R7202−1979に準じて求めた。
熱伝導率については、JIS R1611−1991に準じて求めた。
熱膨張係数については、理学電機株式会社製の熱機械分析装置(TMA8310)で293K〜673Kまでの熱膨張係数を求めた。
以下に本発明を実施例に基づき具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
〔実施例1〕
引っ張り強度が25.5MPa、293Kでの熱伝導率が120W/(m・K)、293K〜673Kの熱膨張係数が3.9×10−6/K、弾性係数が9.8GPa、耐熱衝撃係数が80kW/m、熱膨張係数の異方比が1.05の等方性黒鉛を作製した。この黒鉛材料を黒鉛ルツボに加工した後、2300Kでジクロロジフルオロメタンを主成分とするハロゲン含有ガスを5時間流して高純度化処理を行い、総灰分が0.5ppmの超高純度黒鉛ルツボを得た。この黒鉛ルツボをCZ装置に据え付けて直径が8インチのSi単結晶の引上を行った。
引っ張り強度が25.5MPa、293Kでの熱伝導率が120W/(m・K)、293K〜673Kの熱膨張係数が3.9×10−6/K、弾性係数が9.8GPa、耐熱衝撃係数が80kW/m、熱膨張係数の異方比が1.05の等方性黒鉛を作製した。この黒鉛材料を黒鉛ルツボに加工した後、2300Kでジクロロジフルオロメタンを主成分とするハロゲン含有ガスを5時間流して高純度化処理を行い、総灰分が0.5ppmの超高純度黒鉛ルツボを得た。この黒鉛ルツボをCZ装置に据え付けて直径が8インチのSi単結晶の引上を行った。
〔実施例2〕
引っ張り強度が28.5MPa、293Kでの熱伝導率が130W/(m・K)、293K〜673Kの熱膨張係数が4.0×10−6/K、弾性係数が10.3GPa、耐熱衝撃係数が90kW/m、熱膨張係数の異方比が1.02の等方性黒鉛を使用したこと以外は実施例1と同様の条件で直径が8インチのSi単結晶の引上を行った。
引っ張り強度が28.5MPa、293Kでの熱伝導率が130W/(m・K)、293K〜673Kの熱膨張係数が4.0×10−6/K、弾性係数が10.3GPa、耐熱衝撃係数が90kW/m、熱膨張係数の異方比が1.02の等方性黒鉛を使用したこと以外は実施例1と同様の条件で直径が8インチのSi単結晶の引上を行った。
〔実施例3〕
引っ張り強度が26.4MPa、293Kでの熱伝導率が136W/(m・K)、293K〜673Kの熱膨張係数が3.3×10−6/K、弾性係数が9.9GPa、耐熱衝撃係数が110kW/m、熱膨張係数の異方比が1.00の等方性黒鉛を使用したこと以外は実施例1と同様の条件で直径が8インチのSi単結晶の引上を行った。
引っ張り強度が26.4MPa、293Kでの熱伝導率が136W/(m・K)、293K〜673Kの熱膨張係数が3.3×10−6/K、弾性係数が9.9GPa、耐熱衝撃係数が110kW/m、熱膨張係数の異方比が1.00の等方性黒鉛を使用したこと以外は実施例1と同様の条件で直径が8インチのSi単結晶の引上を行った。
〔比較例1〕
引っ張り強度が27.4MPa、293Kでの熱伝導率が104W/(m・K)、293K〜673Kの熱膨張係数が4.7×10−6/K、弾性係数が10.3GPa、耐熱衝撃係数が59kW/m、熱膨張係数の異方比が1.05の等方性黒鉛を使用したこと以外は実施例1と同様の条件で直径が8インチのSi単結晶の引上を行った。
引っ張り強度が27.4MPa、293Kでの熱伝導率が104W/(m・K)、293K〜673Kの熱膨張係数が4.7×10−6/K、弾性係数が10.3GPa、耐熱衝撃係数が59kW/m、熱膨張係数の異方比が1.05の等方性黒鉛を使用したこと以外は実施例1と同様の条件で直径が8インチのSi単結晶の引上を行った。
〔比較例2〕
引っ張り強度が31.4MPa、293Kでの熱伝導率が128W/(m・K)、293K〜673Kの熱膨張係数が4.6×10−6/K、弾性係数が11.8GPa、耐熱衝撃係数が74kW/m、熱膨張係数の異方比が1.03の等方性黒鉛を使用したこと以外は実施例1と同様の条件で直径が8インチのSi単結晶の引上を行った。
引っ張り強度が31.4MPa、293Kでの熱伝導率が128W/(m・K)、293K〜673Kの熱膨張係数が4.6×10−6/K、弾性係数が11.8GPa、耐熱衝撃係数が74kW/m、熱膨張係数の異方比が1.03の等方性黒鉛を使用したこと以外は実施例1と同様の条件で直径が8インチのSi単結晶の引上を行った。
〔比較例3〕
引っ張り強度が53.9MPa、293Kでの熱伝導率が70W/(m・K)、293K〜673Kの熱膨張係数が5.6×10−6/K、弾性係数が13.2GPa、耐熱衝撃係数が51kW/m、熱膨張係数の異方比が1.00の等方性黒鉛を使用したこと以外は実施例1と同様の条件で直径が8インチのSi単結晶の引上を行った。
引っ張り強度が53.9MPa、293Kでの熱伝導率が70W/(m・K)、293K〜673Kの熱膨張係数が5.6×10−6/K、弾性係数が13.2GPa、耐熱衝撃係数が51kW/m、熱膨張係数の異方比が1.00の等方性黒鉛を使用したこと以外は実施例1と同様の条件で直径が8インチのSi単結晶の引上を行った。
〔比較例4〕
引っ張り強度が15.3MPa、293Kでの熱伝導率が120W/(m・K)、293K〜673Kの熱膨張係数が2.0×10−6/K、弾性係数が10GPa、耐熱衝撃係数が92kW/m、熱膨張係数の異方比が1.39の型押し黒鉛材を使用したこと以外は実施例1と同様の条件で直径が8インチのSi単結晶の引上を行った。
引っ張り強度が15.3MPa、293Kでの熱伝導率が120W/(m・K)、293K〜673Kの熱膨張係数が2.0×10−6/K、弾性係数が10GPa、耐熱衝撃係数が92kW/m、熱膨張係数の異方比が1.39の型押し黒鉛材を使用したこと以外は実施例1と同様の条件で直径が8インチのSi単結晶の引上を行った。
上記実施例1〜実施例3、比較例1〜比較例4で使用した黒鉛ルツボの物理特性、Si単結晶で使用したときのルツボの使用回数、使用による変化、ワレ時の反り量等を表1にまとめた。
以上のことから、Si単結晶引き上げ用黒鉛ルツボにおいて、293K〜673Kでの熱膨張係数が3.0〜4.0×10−6/Kの範囲を外れた黒鉛材料を使用すると、黒鉛ルツボや黒鉛ヒーターの表層部がSiCに転化されることによって熱膨張差を生じて割れやクラックを生じ、少ない使用回数でライフエンドとなることがわかる。また、熱応力以外に、2分割、3分割ルツボが反ることによってすき間が生じ、ヒーターの熱及び光が直接石英ルツボにあたり、温度ムラの原因となり、単結晶Siの欠陥が生ずることがある。耐熱衝撃係数が80kW/mよりも小さいと、急速な昇温によって黒鉛ルツボに割れが発生する場合もある。また、異方比が1.1よりも大きな黒鉛ルツボを使用すると均熱性に劣る。比較例4で得られたSi単結晶はその後の分析により結晶欠陥が発生していた。
1 シードチャック
2 Si種結晶
3 Si単結晶
4 石英ルツボ
5 溶融多結晶Si
6 断熱材
7 黒鉛ヒーター
8 黒鉛ルツボ
9 ロアーリング
10 排気口
11 インナーシールド
12 アッパーリング
13 チャンバー
14 のぞき窓
15 スピルトレー
16 上部シールド
17 支持棒
2 Si種結晶
3 Si単結晶
4 石英ルツボ
5 溶融多結晶Si
6 断熱材
7 黒鉛ヒーター
8 黒鉛ルツボ
9 ロアーリング
10 排気口
11 インナーシールド
12 アッパーリング
13 チャンバー
14 のぞき窓
15 スピルトレー
16 上部シールド
17 支持棒
Claims (6)
- 下記条件を満たす黒鉛材料からなることを特徴とする、シリコン単結晶引上用黒鉛ルツボ。
(イ)293〜673Kでの熱膨張係数が3.0〜4.0×10−6/K
(ロ)293Kでの熱伝導率が120W/(m・K)以上
(ハ)耐熱衝撃係数=(引っ張り強度×熱伝導率)/(熱膨張係数×弾性係数)が80kW/m以上
(ニ)かさ密度が1.70Mg/cm3以上
(ホ)熱膨張係数の異方比が1.1以下 - 前記黒鉛材料のかさ密度が1.77Mg/cm3以下である請求項1に記載のシリコン単結晶引上用黒鉛ルツボ。
- 前記黒鉛材料の引っ張り強度が25MPa以上であり且つ弾性係数が11GPa以下である請求項1又は2に記載のシリコン単結晶引上用黒鉛ルツボ。
- 前記黒鉛材料の293〜673Kでの熱膨張係数が 3.9〜4.0×10−6 / Kである請求項1〜3のいずれか1項に記載のシリコン単結晶引上用黒鉛ルツボ。
- 前記黒鉛材料の灰化法による全灰分量が20ppm以下である請求項1〜4のいずれか1項に記載のシリコン単結晶引上用黒鉛ルツボ。
- 2分割または3分割ルツボである請求項1〜5のいずれか1項に記載のシリコン単結晶引上用黒鉛ルツボ。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP2776613A4 (en) * | 2011-11-07 | 2015-12-16 | Graftech Int Holdings Inc | GRAPHITE MELTING TAPE FOR THE PRODUCTION OF SILICONE CRYSTALS AND METHOD FOR THE REMOVAL OF CRYSTAL BLOCKS |
JP2021195298A (ja) * | 2020-06-16 | 2021-12-27 | エスケイシー・カンパニー・リミテッドSkc Co., Ltd. | 炭化珪素インゴット、ウエハ及びその製造方法 |
WO2022103391A1 (en) * | 2020-11-12 | 2022-05-19 | Globalwafers Co., Ltd. | Ingot puller apparatus having a heat shield disposed below a side heater and methods for preparing an ingot with such apparatus |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61251593A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | Kyocera Corp | 高純度半導体単結晶製造用ルツボ |
JPH01294509A (ja) * | 1988-05-24 | 1989-11-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱衝撃破壊抵抗が100以上の炭素材の製造法 |
JPH06345587A (ja) * | 1993-06-08 | 1994-12-20 | Toyo Tanso Kk | シリコン単結晶引き上げ装置用黒鉛製ルツボ |
JPH07165467A (ja) * | 1993-12-14 | 1995-06-27 | Tokai Carbon Co Ltd | 等方性黒鉛材の製造方法 |
JPH107488A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-01-13 | Toyo Tanso Kk | 単結晶引上装置、高純度黒鉛材料及びその製造方法 |
-
2010
- 2010-05-06 JP JP2010106604A patent/JP2010208939A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61251593A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | Kyocera Corp | 高純度半導体単結晶製造用ルツボ |
JPH01294509A (ja) * | 1988-05-24 | 1989-11-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 熱衝撃破壊抵抗が100以上の炭素材の製造法 |
JPH06345587A (ja) * | 1993-06-08 | 1994-12-20 | Toyo Tanso Kk | シリコン単結晶引き上げ装置用黒鉛製ルツボ |
JPH07165467A (ja) * | 1993-12-14 | 1995-06-27 | Tokai Carbon Co Ltd | 等方性黒鉛材の製造方法 |
JPH107488A (ja) * | 1997-03-19 | 1998-01-13 | Toyo Tanso Kk | 単結晶引上装置、高純度黒鉛材料及びその製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6012050725; 石川敏功・長沖通: 新・炭素工業 改訂版, 19860701, p.177〜180, 近代編集社 * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2776613A4 (en) * | 2011-11-07 | 2015-12-16 | Graftech Int Holdings Inc | GRAPHITE MELTING TAPE FOR THE PRODUCTION OF SILICONE CRYSTALS AND METHOD FOR THE REMOVAL OF CRYSTAL BLOCKS |
JP2021195298A (ja) * | 2020-06-16 | 2021-12-27 | エスケイシー・カンパニー・リミテッドSkc Co., Ltd. | 炭化珪素インゴット、ウエハ及びその製造方法 |
JP7161784B2 (ja) | 2020-06-16 | 2022-10-27 | セニック・インコーポレイテッド | 炭化珪素インゴット、ウエハ及びその製造方法 |
WO2022103391A1 (en) * | 2020-11-12 | 2022-05-19 | Globalwafers Co., Ltd. | Ingot puller apparatus having a heat shield disposed below a side heater and methods for preparing an ingot with such apparatus |
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