JPS6379973A - 基材表面の改質方法 - Google Patents
基材表面の改質方法Info
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、金属、金属酸化物、セラミックス、プラスチ
ックス等からなる基材に、フッ素−炭素結合を含む化合
物薄膜を形成させることによる基材表面の改質方法に関
する。
ックス等からなる基材に、フッ素−炭素結合を含む化合
物薄膜を形成させることによる基材表面の改質方法に関
する。
従来の技術及びその問題点
金属、金属酸化物、セラミックス、プラスチックス等か
らなる基材表面に、含フツ素化合物の薄膜を形成させて
、耐薬品性、疎水性、耐摩耗性、潤滑性等を付与する方
法は公知である。このような方法としては、一般に、テ
トラフルオロエチレンを湿式塗布する方法が広く行なわ
れているが、テトラフルオロエチレンは高価であり、ま
た金属、セラミックス等の物質上では、テトラフルオロ
エチレン自体が低表面エネルギーであるために密着性に
優れた被膜を形成させることが困難であり、使用中に剥
離流出して、その機能が低下するという問題がある。
らなる基材表面に、含フツ素化合物の薄膜を形成させて
、耐薬品性、疎水性、耐摩耗性、潤滑性等を付与する方
法は公知である。このような方法としては、一般に、テ
トラフルオロエチレンを湿式塗布する方法が広く行なわ
れているが、テトラフルオロエチレンは高価であり、ま
た金属、セラミックス等の物質上では、テトラフルオロ
エチレン自体が低表面エネルギーであるために密着性に
優れた被膜を形成させることが困難であり、使用中に剥
離流出して、その機能が低下するという問題がある。
また、フッ素気体中での化学的処理方法により、金属表
面上にフッ化炭素を形成する方法も研究されているが、
フッ素気体が危険であることに加えて、処理条件も複雑
であり、実用には適さない。
面上にフッ化炭素を形成する方法も研究されているが、
フッ素気体が危険であることに加えて、処理条件も複雑
であり、実用には適さない。
また、金属、セラミックス等を直接合フッ素プラズマガ
スによって処理する場合には、金属やセラミックスは、
炭素を微量しか含有しないため、フッ化炭素化合物を形
成させることはできず、特に金属を直接合フッ素プラズ
マガスで処理する場合には、金属の表面は、フッ化金属
となって親水性でもろくなり、金属を保護するという役
割をはたすことはできない。
スによって処理する場合には、金属やセラミックスは、
炭素を微量しか含有しないため、フッ化炭素化合物を形
成させることはできず、特に金属を直接合フッ素プラズ
マガスで処理する場合には、金属の表面は、フッ化金属
となって親水性でもろくなり、金属を保護するという役
割をはたすことはできない。
問題点を解決するための手段
本発明者は、金属、セラミックス、プラスチックス等の
表面にフッ素−炭素結合を有する化合物の強固な薄膜を
形成させて、疎水性、潤滑性、耐摩耗性、耐薬品性等を
付与することを目的に鋭意研究を重ねた結果、炭化水素
化合物とフッ化硫黄化合物とを含有する混合気体を放電
して発生するプラズマガスを金属、セラミックス、プラ
スチックス等の基材に接触させることによって基板上に
、均一かつ強固にフッ素−炭素結合を有する化合物の薄
膜を形成できることを見出した。本発明は、このような
知見に基くものである。
表面にフッ素−炭素結合を有する化合物の強固な薄膜を
形成させて、疎水性、潤滑性、耐摩耗性、耐薬品性等を
付与することを目的に鋭意研究を重ねた結果、炭化水素
化合物とフッ化硫黄化合物とを含有する混合気体を放電
して発生するプラズマガスを金属、セラミックス、プラ
スチックス等の基材に接触させることによって基板上に
、均一かつ強固にフッ素−炭素結合を有する化合物の薄
膜を形成できることを見出した。本発明は、このような
知見に基くものである。
即ち本発明は、炭化水素化合物及びフッ化硫黄化合物を
含む混合気体の存在下において、放電により発生するプ
ラズマガスを基材に接触させることを特徴とする基材表
面の改質方法に係る。
含む混合気体の存在下において、放電により発生するプ
ラズマガスを基材に接触させることを特徴とする基材表
面の改質方法に係る。
本発明では、炭化水素化合物とフッ化硫黄化合物とを含
む混合気体の存在下において、放電により発生するプラ
ズマガスを基材に接触させることによって基板」二にフ
ッ素−炭素結合を有する化合物による薄膜を形成させる
ことができる。本発明方法において使用できる炭化水素
化合物としては、例えば、CH4、C2H4、C2H6
、C3H8、C4H1o等を例示でき、フッ化硫黄化合
物としては、SF6等を例示できる。混合比は、要求さ
れる薄膜の性状に応じて適宜決定すればよい。
む混合気体の存在下において、放電により発生するプラ
ズマガスを基材に接触させることによって基板」二にフ
ッ素−炭素結合を有する化合物による薄膜を形成させる
ことができる。本発明方法において使用できる炭化水素
化合物としては、例えば、CH4、C2H4、C2H6
、C3H8、C4H1o等を例示でき、フッ化硫黄化合
物としては、SF6等を例示できる。混合比は、要求さ
れる薄膜の性状に応じて適宜決定すればよい。
この混合気体には、必要に応じて、N2、He等のガス
を添加して放電電圧等の調整を行なうこともできるし、
また形成膜の性能、基材との接合性能等をあげるため水
素や酸素などを混合してもよい。本発明方法では、従来
の放電プラズマ法によるフッ化黒鉛の製造において、フ
ッ素原料として使用されている取扱いに危険を伴うフッ
素分子気体を使用しないので安全性の点において有利で
ある。
を添加して放電電圧等の調整を行なうこともできるし、
また形成膜の性能、基材との接合性能等をあげるため水
素や酸素などを混合してもよい。本発明方法では、従来
の放電プラズマ法によるフッ化黒鉛の製造において、フ
ッ素原料として使用されている取扱いに危険を伴うフッ
素分子気体を使用しないので安全性の点において有利で
ある。
本発明で用いられるプラズマ発生方法としては、■内部
電極方式による直流グロー放電又は低周波放電、■内部
電極方式、外部電極方式又はコイル型方式による高周波
放電、■導波管型方式によるマイクロ波放電、■電子サ
イクロトロン共鳴放電(ECR放電)■電極を使用しな
い誘導コイル型高周波放電、等を挙げることができるが
、これらに限定されず、放電によってプラズマを発生し
、炭素含有膜と反応を起こす方法であればいずれの方法
でもよい。
電極方式による直流グロー放電又は低周波放電、■内部
電極方式、外部電極方式又はコイル型方式による高周波
放電、■導波管型方式によるマイクロ波放電、■電子サ
イクロトロン共鳴放電(ECR放電)■電極を使用しな
い誘導コイル型高周波放電、等を挙げることができるが
、これらに限定されず、放電によってプラズマを発生し
、炭素含有膜と反応を起こす方法であればいずれの方法
でもよい。
放電処理の方法は、常法に従えばよく、含フツ素プラズ
マが発生する条件において、基材表面に対して要求され
る性質に応じて適宜放電条件を決定すればよい。
マが発生する条件において、基材表面に対して要求され
る性質に応じて適宜放電条件を決定すればよい。
本発明では、基材としては、特に制限はないが、例えば
金属、金属酸化物、セラミックス、プラスチックス等を
用いることができる。これらの基材の種類は、特に限定
されるものではないが、金属としては、例えば銅、鉄、
ニッケル、アルミニウム、クロム、タングステン、錫、
亜鉛、ケイ素、マンガン、チタン、インジウム等を含む
金属単体全般、これらの合金等を挙げることができる。
金属、金属酸化物、セラミックス、プラスチックス等を
用いることができる。これらの基材の種類は、特に限定
されるものではないが、金属としては、例えば銅、鉄、
ニッケル、アルミニウム、クロム、タングステン、錫、
亜鉛、ケイ素、マンガン、チタン、インジウム等を含む
金属単体全般、これらの合金等を挙げることができる。
金属酸化物としては、上記金属の酸化物を例示できる。
また、セラミックスとしては、ケイ酸塩ガラス、石英ガ
ラス、ホウ酸塩ガラス、リン酸塩ガラス等のガラス類、
アルミナセメント、ポルトランドセメント、マグネシア
セメント等のセメント類、マグネシア、ジルコン、アル
ミナ、酸化チタン、炭化珪素、チツ化珪素等を挙げるこ
とができる。
ラス、ホウ酸塩ガラス、リン酸塩ガラス等のガラス類、
アルミナセメント、ポルトランドセメント、マグネシア
セメント等のセメント類、マグネシア、ジルコン、アル
ミナ、酸化チタン、炭化珪素、チツ化珪素等を挙げるこ
とができる。
プラスチックスとしても特に制限はなく、広く各種のも
のが使用でき、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピ
レン樹脂、ポリアセタール樹脂、アクリル樹脂、ナイロ
ン樹脂、セルロース樹脂、ポリカーボネート樹脂、フェ
ノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ジ
アリルフタレート樹脂、フェノールホルムアルデヒド樹
脂、尿素樹脂、メラミン・アルデヒド樹脂、エポキシ樹
脂、フラン樹脂、キシレン樹脂、シリコーン樹脂、ポリ
スチレン樹脂、ビニール樹脂、アルキド樹脂、塩化ポリ
エーテル樹脂等を挙げることができる。
のが使用でき、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピ
レン樹脂、ポリアセタール樹脂、アクリル樹脂、ナイロ
ン樹脂、セルロース樹脂、ポリカーボネート樹脂、フェ
ノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ジ
アリルフタレート樹脂、フェノールホルムアルデヒド樹
脂、尿素樹脂、メラミン・アルデヒド樹脂、エポキシ樹
脂、フラン樹脂、キシレン樹脂、シリコーン樹脂、ポリ
スチレン樹脂、ビニール樹脂、アルキド樹脂、塩化ポリ
エーテル樹脂等を挙げることができる。
基材の形状は、特に限定されず、丸棒状、角柱状、板状
等の任意の形状とすることができる。
等の任意の形状とすることができる。
処理条件は、要求される薄膜の性状に応じて適宜決定す
ればよい。
ればよい。
本発明で放電装置内に置く基材の位置は、プラズマを発
生させる電場内であってもよく、また含フツ素化合物の
プラズマを通過するガスが活性な状態で達する範囲内で
あれば電場外であってもよい。特に基材として、プラス
チックスを使用する場合には、例えば、基材を電場中に
おいてマイクロ波による放電を行なえば、プラスチック
スが溶けることがあるので、このような場合には、電場
中に基材をおかずに、電場外であって、プラズマを通過
した活性なガスが達する範囲内に基材をおくことが必要
になる。
生させる電場内であってもよく、また含フツ素化合物の
プラズマを通過するガスが活性な状態で達する範囲内で
あれば電場外であってもよい。特に基材として、プラス
チックスを使用する場合には、例えば、基材を電場中に
おいてマイクロ波による放電を行なえば、プラスチック
スが溶けることがあるので、このような場合には、電場
中に基材をおかずに、電場外であって、プラズマを通過
した活性なガスが達する範囲内に基材をおくことが必要
になる。
また、電場中に基材をおいて放電させる場合には、基材
表面がエツチングされながら、フッ素−炭素結合を有す
る化合物の薄膜が形成されることがあり、要求する基材
の表面性状に応じて処理条件を決定することが必要にな
る。
表面がエツチングされながら、フッ素−炭素結合を有す
る化合物の薄膜が形成されることがあり、要求する基材
の表面性状に応じて処理条件を決定することが必要にな
る。
本発明方法によれば、試料気体の種類、混合比、圧力、
放電の方法、例えば交流、直流、高周波などの方法、放
電時間、電極間距離、基板温度、放電のON、OFFの
繰り返しなど諸条件を調節することによって、炭素含有
膜のフッ素化程度をコントロールすることができ、基材
表面の疎水性能等を調整することが可能である。フッ素
化程度は、X線光電子スペクトル(ESCAスペクトル
)分析により計算されたF/Cの割合によって定量的に
測定できる。
放電の方法、例えば交流、直流、高周波などの方法、放
電時間、電極間距離、基板温度、放電のON、OFFの
繰り返しなど諸条件を調節することによって、炭素含有
膜のフッ素化程度をコントロールすることができ、基材
表面の疎水性能等を調整することが可能である。フッ素
化程度は、X線光電子スペクトル(ESCAスペクトル
)分析により計算されたF/Cの割合によって定量的に
測定できる。
発明の効果
本発明方法によれば、基材の種類を問わず、基材表面T
こ、均一かつ強固な、密着性に優れたフッ素−炭素結合
を有する化合物の薄膜を形成させることができる。また
、本発明方法は、フッ素原料としてフッ素分子気体を使
用しないので、安全性に優れた方法である。また、本発
明方法によれば、化学的処理方法などに比べて、極めて
短時間で目的物が得られるという大きな利点がある。
こ、均一かつ強固な、密着性に優れたフッ素−炭素結合
を有する化合物の薄膜を形成させることができる。また
、本発明方法は、フッ素原料としてフッ素分子気体を使
用しないので、安全性に優れた方法である。また、本発
明方法によれば、化学的処理方法などに比べて、極めて
短時間で目的物が得られるという大きな利点がある。
更に、本発明方法では、ポリテトラフルオロエチレンよ
りも疎水性に優れたフッ素−炭素結合を有する化合物の
薄膜を形成させることが可能であり、本発明方法によっ
て処理した基材は、耐薬品性、疎水性、耐摩耗性、潤滑
性等に優れたものとなる。
りも疎水性に優れたフッ素−炭素結合を有する化合物の
薄膜を形成させることが可能であり、本発明方法によっ
て処理した基材は、耐薬品性、疎水性、耐摩耗性、潤滑
性等に優れたものとなる。
本発明方法によって処理した基材は、例えば、プラスチ
ックスの場合には、磁気テープ、精密機械用防湿フィル
ム、人工血管、血液バックなどに有用であり、セラミッ
クスの場合には、人工骨、瓦等として有効に使用でき、
金属の場合には、液体中で使用する機械の材料、摺動材
などとして用いることができるなど、広範囲な用途を有
するものである。
ックスの場合には、磁気テープ、精密機械用防湿フィル
ム、人工血管、血液バックなどに有用であり、セラミッ
クスの場合には、人工骨、瓦等として有効に使用でき、
金属の場合には、液体中で使用する機械の材料、摺動材
などとして用いることができるなど、広範囲な用途を有
するものである。
実施例
以下、実施例を示して本発明の詳細な説明する。
尚、実施例におけるガスの流速は、大気圧下で測定した
値である。
値である。
実施例1
プラズマ放電装置として第1図に示す高周波放電による
プラズマ放電装置を使用した。第1図に示すプラズマ放
電装置は、原料、キャリアガス供給路1、高周波電源2
、プラズマ反応系3、放電電極4及び排気路5から基本
的に構成されるものである。
プラズマ放電装置を使用した。第1図に示すプラズマ放
電装置は、原料、キャリアガス供給路1、高周波電源2
、プラズマ反応系3、放電電極4及び排気路5から基本
的に構成されるものである。
0.5トールのArガス中でスパッタリング法で5分間
前処理をした5US304薄板を試料とし、上記プラズ
マ放電装置の放電電極」二に該試料を置き、全圧0.2
トールの5F6−CH4混合ガス(SF60.134ト
ール、CH40,066トール)を15c櫂(N、 T
、 P、 ) /minの流速で流しながら、50W
、13.5MH2の高周波電力(ラジオ波)を電極に印
加してプラズマを発生させ、3分間処理をした。その結
果、試料表面に膜厚的1.0μmの被膜が形成され、水
滴の接触角は99〜101度、平均約100度となった
。
前処理をした5US304薄板を試料とし、上記プラズ
マ放電装置の放電電極」二に該試料を置き、全圧0.2
トールの5F6−CH4混合ガス(SF60.134ト
ール、CH40,066トール)を15c櫂(N、 T
、 P、 ) /minの流速で流しながら、50W
、13.5MH2の高周波電力(ラジオ波)を電極に印
加してプラズマを発生させ、3分間処理をした。その結
果、試料表面に膜厚的1.0μmの被膜が形成され、水
滴の接触角は99〜101度、平均約100度となった
。
第1図は、実施例1で使用したプラズマ放電装置の概略
図である。 図において、(1)は原料、キャリアガス供給路、(2
)は高周波電源、(3)はプラズマ反応系、(4)は放
電電極、(5)は排気路である。 (以 上) 第1図
図である。 図において、(1)は原料、キャリアガス供給路、(2
)は高周波電源、(3)はプラズマ反応系、(4)は放
電電極、(5)は排気路である。 (以 上) 第1図
Claims (1)
- (1)炭化水素化合物及びフッ化硫黄化合物を含む混合
気体の存在下において、放電により発生するプラズマガ
スを基材に接触させることを特徴とする基材表面の改質
方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10836387A JPH062945B2 (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 基材表面の改質方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10836387A JPH062945B2 (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 基材表面の改質方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7898185A Division JPS61238961A (ja) | 1985-04-12 | 1985-04-12 | 基材表面の改質方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6379973A true JPS6379973A (ja) | 1988-04-09 |
JPH062945B2 JPH062945B2 (ja) | 1994-01-12 |
Family
ID=14482848
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10836387A Expired - Lifetime JPH062945B2 (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 基材表面の改質方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH062945B2 (ja) |
-
1987
- 1987-04-30 JP JP10836387A patent/JPH062945B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH062945B2 (ja) | 1994-01-12 |
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