JPS6379969A - ウェ−ハの貯蔵および移送方法および装置 - Google Patents

ウェ−ハの貯蔵および移送方法および装置

Info

Publication number
JPS6379969A
JPS6379969A JP62174585A JP17458587A JPS6379969A JP S6379969 A JPS6379969 A JP S6379969A JP 62174585 A JP62174585 A JP 62174585A JP 17458587 A JP17458587 A JP 17458587A JP S6379969 A JPS6379969 A JP S6379969A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
wafers
pressure
housing
storage box
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62174585A
Other languages
English (en)
Inventor
ジャック エイ ディモック
ダーク ピーター ウェステンブルグ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Messer LLC
Original Assignee
BOC Group Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOC Group Inc filed Critical BOC Group Inc
Publication of JPS6379969A publication Critical patent/JPS6379969A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C23C14/566Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67772Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/137Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
    • Y10S414/138Wafers positioned vertically within cassette
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/139Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、概していえばウェーハ加工機械に関し、より
詳細には、スパッタコーティング機械のような大気圧で
作動する機械であって減圧型のつ工−ハ移送および貯蔵
ボックス(コンテナ)を備えたウェーハ加工機械に関す
る。
従来、スパッタコーティング機械には、減圧可能なチャ
ンバの一端を閉鎖するためのロードロックドアが設けら
れている。コーティングされるべきウェーハはカセット
内に支持され、ロードロックドアの内側面に支持された
ウェーハチャックまで移動できるエレベータブレードに
よってカセットへの装入およびカセットからの取出しが
行なわれる。また、ウェーハはクランプリングによって
チャックにクランプされ、該チャックによって、仕切弁
の開放したのど部を通されて、チャンバの第2の端部に
設けたドアにより支持されたマグネトロンスパッタガン
と向かい合っているコーティングステーションまで前進
される。チャンバの第2の端部ドアはガイドレール上で
チャンバから離れる方向に移動でき、スパッタガンのメ
インテナンスを容易に行なえるようにするため、所定の
軸線のまわりで枢動できるようになっている。かような
ウェーハ加工機械は、1985年6月11日付米国特許
第4,522,697号明細書および1985年6月1
8日付米国特許第4,523.985号明細書に開示さ
れている。
半導体のウェーハ加工技術の進歩に伴ない、微細塵埃に
よるウェーハの汚染を低減し、ウェーハから作られるチ
ップの欠陥密度を低減することが要望されている。また
、より高速の演算速度をもつ装置を作るために、半導体
のウェーハ材料としてガリウム砒素に移行することが要
望されている。
ガリウム砒素半導体のウェーハは、同じ寸法のシリコン
ウェーハよりもきわめて繊細であり、従って、製品の損
壊やロスを避けるためにはガリウム砒素ウェーハの取扱
いおよび加工に際しては厳格な注意が必要とされる。
従って、微細塵埃によるウェーハの汚染を低減できかつ
ウェーハ加工時の取扱い中にウェーハに与える損傷を最
小にできるウェーハ加工機械および該加工機械と組合わ
せるウェーハ移送および貯蔵システムが望まれている。
本発明の主目的は、微細塵埃によるウェーハの汚染を低
減させるため、大気圧以下の圧力で作動しかつ改良され
たウェーハ移送および貯蔵システムを備えた形式の改良
されたウェーハ加工機械を提供することにある。
本発明の1つの特徴においては、加工すべきウェーハ又
は加工されたウェーハが、減圧されたコンテナ(ボック
ス)内に容れられて貯蔵および移送されるようになって
いる。このコンテナ内にはウェーハアクセスポートが設
けてあって、該ウェーハアクセスポートは大気圧によっ
て所定位置に保持されるカバーによって閉鎖される。こ
のため、ウェーハは大気圧以下の圧力下で貯蔵および移
送され、微細塵埃による汚染および酸化が低減される。
本発明の他の特徴においては、減圧されたウェーハ移送
および貯蔵ボックスがロードロックチャンバ内に導入さ
れ、次いで該ロードロックチャンバが減圧され、カバー
が取外されて、ウェーハ移送部材によってウェーハに近
づき得る状態になる。
ウェーハ移送部材は、減圧された前記ボックスと加工チ
ャンバの他の領域との間でウェーハを移送すべく、アク
セスポートを通して操作できるようになっている。この
ため、ウェーハは大気圧にさらされることなくして、ウ
ェーハ貯蔵ボックスがら加工チャンバの加工領域まで移
送される。
本発明の他の特徴においては、減圧可能なウェーハ移送
および貯蔵ボックスが1対の整合したアクセスポートを
備えている。各アクセスポートがそれぞれのカバーと、
アクセスポートを通ってアクセスポート内に入るウェー
ハ移送部材とを備えていて、減圧されたボックスと大気
圧以下の圧力にある他の領域との間でウェーハを移送で
きるようになっている。
本発明の他の特徴においては、ウェーハ加工機械がロー
ドロックステーションを備えていて、該ロードロックス
テーション内に減圧されたウェーU ハ貯蔵および移送ボックスが装入される。次にロードロ
ックが減圧され、ロードロックチャンバと関連作動する
手段によって前記減圧されたウェーハ貯蔵ボックスから
カバーが取外される。次に、開放された前記減圧ウェー
ハ貯蔵ボックスは、大気圧以下の圧力下でウェーハ移送
ステーションに移送され、該ウェーハ移送ステーション
において、1つずつのウェーハが貯蔵ボックスとコーテ
ィングステーションとの間で連続的に移送される。ウェ
ーハ貯蔵ボックス内のすべてのウェーハの加工が完了し
た後、ウェーハ貯蔵ボックスがロードロックに戻され、
カバーを元の位置に置き、ロードロックを大気圧にする
ことによって、加工済みのウェーハを収容している貯蔵
ボックスをシールする。シールされたウェーハ貯蔵ボッ
クスは、次に、移送および貯蔵を行なうためにロードロ
ックから取出される。
本発明の他の特徴においては、減圧されたつ工−ハ加工
機械内で作動することのできるウェーハ移送機構にウェ
ーハ持上げ部分が設けてあって、該ウェーハ持上げ部分
によりウェーハの縁部と係合させ、ウェーハを貯蔵ボッ
クスから持上げるように構成しである。このウェーハ持
上げ部材はまた、ウェーハの背部を受止めるための背も
たれ部分を備えている。このウェーハ持上げ部材は垂直
に対して傾斜した軸線に沿って移動し、ウェーハを減圧
された貯蔵ボックスから出し入れする際に、ウェーハが
重力によって背もたれ部分にもたれかかることができる
ように構成されている。
本発明の他の特徴においては、ウェーハ移送機構が、減
圧されたウェーハ加工機械の真空壁で作られた中空状の
長いフィンガ部分を備えている。
このフィンガ部分は強磁性体部材を収容しており、該強
磁性体部材はフィンガの壁を介してスライダと磁気的に
連結されている。このスライダは、真空壁を介してウェ
ーハ移送機構に運動を伝達すべ(、減圧されたチャンバ
内においてフィンガ上で作動できるようになっている。
かような構成により、使用時においてウェーハ移送機構
の作動寿命を長くすることができる。
本発明の他の特徴においては、ウェーハ貯蔵および移送
ボックスの端部に、貯蔵ボックス移送部材を受入れかつ
該部材と協働する手段が設けてあり、ロードロックステ
ーションに対してウェーハ貯蔵ボックスを移動できるよ
うにしである。
本発明の他の特徴においては、ウェーハ貯蔵ボックス内
のウェーハの位置を決定するため、ウェーハ貯蔵ボック
スに、該ボックスと関連作動する割出し手段が設けであ
る。
本発明の他の特徴においては、ウェーハ貯蔵ボックスの
1つ以上のカバーに、磁気カバー駆動手段と係合する強
磁性構造体が設けてあって、大気圧以下の圧力下でウェ
ーハ貯蔵ボックスを開閉できるようになっている。
本発明の他の特徴および利点は、添付図面を参照しての
本発明の実施例について以下に述べる詳細な説明から明
らかになるであろう。
第1図および第2図は、本発明の特徴を備えたウェーハ
加工機械11を示すものである。このウェーハ加工機械
11は減圧可能なチャンバ12を備えており、該チャン
バ12はロードロツタ部分13を有し、該ロードロック
部分13を通して加工されるべきうニームが減圧加工チ
ャンバ12内に導入されかつ該チャンバ12から取出さ
れる。
チャンバ12は更にウェーハ移送ステーション14を備
えており、以下に詳細に説明するように、該ステーショ
ン14内においてウェーハがコンテナからコーティング
ステーション15に運ばれ、該コーティングステーショ
ン15においてウェーハはスパッタ蒸着によりコーティ
ングされる。コーティングの後、ウェーハはウェーハ移
送ステーション14に戻され、更にロードロック13に
戻されて、該ロードロック13を通して大気圧にさらさ
れる。
減圧チャンバ12はターボ分子ポンプ16とガス連通状
態に連結されていて、チャンバ12内に真空が維持され
るようになっている。更に減圧チャンバ12は液体窒素
トラップ17とガス連通状態に連結されており、ポンプ
機構中の凝縮物、特に水蒸気を除去できるようになって
いる。また、コーティングステーション15(第3図)
の近くにおいて、チャンバ12には更に機械式ポンプ(
図示せず)が連結されている。また、ロードロック部分
13にも、ターボ分子ポンプ、液体窒素トラップおよび
機械式ポンプ18がガス連通状態に連結されていて、ロ
ードロック部分13を独立して減圧できるようになって
いる。
ロードロックステーション13とウェーハ移送ステーシ
ョン14との間には仕切弁19が設けてあり、真空チャ
ンバ12の残部に対してロードロック13を遮断するこ
とができる。これにより、ポンプによってメインチャン
バ12を10−3〜10−eトル程度の比較的低圧に減
圧することができ、かつ、ウェーハをメインチャンバ1
2に装入および取出しを行なう間にロードロックステー
ション13内が大気圧にさらされても、メインチャンバ
12を大気圧にさらすことなくして上記のごとき比較的
低圧の状態に維持することができる。
作動に際し、減圧されたウェーハ移送および貯蔵ボック
ス内に収容されたウェーハは、以下により詳細に説明す
るように、引出し部分21を開いて該引出し部分21内
に前記ボックス(コンテナ)を入れることによってロー
ドロックステーション13内に装入される。次に引出し
部分21を閉じてチャンバ12をシールする。次いでポ
ンプ16゜18および液体窒素トラップ17によって、
メインチャンバ12およびロードロックチャンバ13が
上記のごとき圧力範囲の比較的低圧に減圧される。ロー
ドロック13内では1対のエアシリンダ23.24が作
動して、ウェーハ貯蔵ボックスからカバーが取外される
。次に仕切弁19が開かれ、これにより、ウェーハボッ
クス移送部材がチャンバ12の長い部分22の軸線方向
に沿って、ウェーハ移送ステーション14および仕切弁
19を通り、ロードロック13内に移動できるようにな
り、ウェーハ貯蔵ボックスを拾い上げて該貯蔵ボックス
をウェーハ移送ステーション14内に戻すべく移動する
ウェーハ移送ステーション14内では、開放されたウェ
ーハ貯蔵ボックスからコーティングを行なうためのコー
ティングステーション15内へと、ウェーハが持上げブ
レードによって連続的に移送され、次いでウェーハ貯蔵
ボックスに戻される。
ウェーハ貯蔵ボックス内のすべてのウェーハのコーティ
ングが完了したとき、ウェーハ貯蔵ボックス移送機構が
作動され、ウェーハ貯蔵ボックス内に入れられた加工完
了のウェーハがロードロック13に戻される。次いで仕
切弁19が閉じられ、プランジャすなわちエアシリンダ
23.24によってカバーがウェーハ貯蔵ボックスに戻
された後、ロードロック13が大気圧にさらされる。こ
れにより、カバーに作用する大気圧によってウェーハ貯
蔵ボックスが閉じられる。
減圧可能なウェーハ加工チャンバ12は、1対の1−ラ
ニオン25により床に支持されている。トラニオン25
はチャンバ12の中空円筒状部分からなり、該中空円筒
状部分は、床に支持れれた矩形のベース構造体28に固
定された1対の脚27の上端部に取付けたベアリング2
6により支持されている。脚27とベース構造体28と
の間には、t 支板29が設けである。
第3図〜第8図には、減圧型のウェーハ貯蔵および移送
ボックスと、該ボックスに関連するロードロックチャン
バ13とがより詳細に示されている。ロードロックの引
出し21は端部閉鎖壁31を備えており、該端部閉鎖壁
31にはその内面の周囲に弾力性のある0リング32が
設けてあって、該0リング32は、ロードロックステー
ション13の外端部に配置されたチャンバ12の真空壁
のフランジ部分33と係合できるようになっている。0
リング32は、端部閉鎖壁すなわちドア31がフランジ
33に対して押し付けられるときに、該フランジ33と
係合してガス気密シールを得ることができる。ドア31
は、該ドア31から外方に向って延びておりかつ該ドア
31に固定されたブラケット組立体34を備えている。
該ブラケット34には1対の案内レール35が支持され
ており、該案内レール35は、フランジ33に固定され
たベアリングハウジング37内に支持されたリニアボー
ルベアリング組立体36を通って延在している。
ドア31は垂直方向に間隔をへたてた1対のピン38(
第3図)を備えており、該ピン38は、電磁石39の上
下においてドア31の面に対し垂直に設けられていて、
チャンバ12内に延入している。これらのピン38は、
減圧可能なウェーハ貯蔵および移送ボックス43の端部
に支持されたブロック構造体42(第4図)に形成した
ボア41内に進入することができる。ブロック構造体4
2には、磁性ステンレス鋼等で作られた透磁性インサー
ト44が支持されている。
ウェーハ貯蔵および移送ボックス43は、例えば手作業
によりピン38に装填され、該ボックス43をドア31
およびピン38に保持させるべく電磁石39が付勢され
、強磁性インサート44と磁気的に相互作用させる。案
内レール35上でドア31をその最大伸長位置まで引出
すことにより、ボックス43が完全に装填される。ボッ
クス43の装填後にドア31が閉じられ、ロードロック
ステーション13を減圧するために真空ポンプ18が付
勢される。このロードロックステーション13の減圧作
業と同時又は減圧作業開始前に、1対のプランジャ45
.46を駆動するためにエアシリンダ23.24が付勢
される。これにより、1対のプランジャ45.46がロ
ードロックステーション13の内方に移動し、ボックス
43のそれぞれ頂部カバー板および底部カバー板として
作用する、例えば磁性ステンレス鋼で作られた矩形の強
磁性板47.48と係合する。各々のプランジャ45.
46は、強磁性カバー板47.48を磁気的に引付ける
作用をなす1対の永久磁石49゜51を備えており、こ
れらのプランジャ45゜46は、ロードロックステーシ
ョン13の減圧作業を行なう間カバー板47.48を所
定位置に保持してお(。
ロードロックステーション13が減圧された後、エアシ
リンダ23.24が互に反対方向に駆動され、ウェーハ
貯蔵および移送ボックス43の頂部および底部を開放す
るためにカバー板47.48がボックス43から引き離
される。両力バー板47.48は、それぞれのカバー板
4.7.48の周縁部近くに形成された溝内に設けた1
対の弾性0リング53.54によって、ボックス43の
側壁52に対してシールされる。ボックス43の側壁5
2は、全体的に長方形の環状をなすフランジ部材 55
.56(これらの環状部材55.56は○リング53.
54によりシールされるアクセスポートを形成している
)によって形成された上下のリップで終端している。エ
アシリンダ23゜24の駆動シャフトは、これらのシャ
フトの外表面を拭きとる4つ組リングにより、慣用的な
手法でガス気密シールされている。
カバー板47.48がボックス43から引き離された後
、ウェーハ貯蔵ボックス移送プランジャ57を前進させ
てウェーハ貯蔵ボックス43の他端に支持されたブロッ
ク構造体58と係合させ、ロードロックチャンバ13の
ドア31に支持された電磁石39の付勢を解除する。移
送プランジャ57は、ブロック構造体58に設けたボア
61(第5図)内に受入れられる1対のピン59(第4
図)を備えている。またプランジャ57は、ブロック構
造体58に設けた強磁性インサート44を磁気的に引付
けて係合するための永久磁石62を備えている。次いで
プランジャ57は、ウェーハ貯蔵ボックス43をウェー
ハ移送ステーション14に移送するために引込められる
ウェーハ移送および貯蔵ボックス43は、第8図に示す
形式の慣用的な金属製のカセット構造体63を収容して
いる。かようなカセット構造体63は、H,5quar
e社から発売されているMode+285−6.5,4
.3として入手することができる。カセット63は溝が
形成された1対の垂直側壁部64を備えている。溝は垂
直方向に延在して形成されており、対向する側壁部64
に形成された各溝が互に整合する位置に配置されている
このため、加工されるべきウェーハ65の両側縁部が、
対向する側壁部64に形成した各溝内に支持されるよう
になっている。両側壁64は、横向きに延在しているピ
ン66によって互に保持されている。また、両側壁64
の溝の隆起部を横切るようにして、1対のピン67がカ
セット63の長手方向に延在しており、ウェーハ65が
カセット63から落ちてしまうことを防止している。
カセット63の各側壁64の底面には、長手方向に延在
する溝69が形成してあり、これらの溝69はウェーハ
貯蔵ボックス43の対向する端壁に支持された軸線方向
に向くピン71 (第5図)を受入れて該ピン71上に
支持されるようになっている。ピン71よりも内方に配
置された第2の組のピン72は、両対向側壁64の内面
に形成した前記溝の隆起部と係合して、カセット63を
ウェーハ貯蔵ボックス43内で適正な位置に位置決めす
るためのものである。
ウェーハ貯蔵ボックス43の両側壁の基部に沿って、ウ
ェーハインデックスブラケットすなわちウェーハ割出し
ブラケット73がボックス43に固定されている。この
割出しブラケット73には、鋸歯状に形成された外向き
フランジ部分74が設けである。フランジ74のセレー
ションすなわち鋸歯の溝間隔は、カセット63の両側壁
64の内側に設けた溝の間隔と等しく、貯蔵ボックス4
3内の各ウェーハ65の位置を割出すためのインデック
ス手段として用いられる。前述の米国特許第4.522
,697号明細書に開示されているように、フランジ7
4の両側には、発光ダイオードおよびフォトダイオード
からなる光学式検出器が設けてあり、ウェーハの移送時
において貯蔵ボックス43内の各ウェーハ65の位置に
対応する電気的信号を発生することができるようになっ
ている。
ウェーハ貯蔵ボックス43の両側に設けた割出しブラケ
ット73および端壁に設けたブロック構造体42.58
は、それぞれ同一形状で対称的に配置されているため、
ウェーハ貯蔵ボックス43の前・後の方向性に特別な注
意を払うことなく貯蔵ボックス43を取扱うことができ
る。
第3図には、ウェーハ移送ステーション14がより詳細
に示されている。ウェーハ貯蔵ボックス移送プランジャ
57は駆動ナツト81を備えており、該駆動ナツト81
は、真空包囲体すなわちチャンバ12の長手方向に沿っ
て延在する駆動ねじ82と螺合している。駆動ねじ82
は、該駆動ねじ82の両端部に設けた1対のベアリング
ブロック83により、チャンバ12の内壁面に取付けら
れている。駆動ねじ82は、慣用的な磁気回転式フィー
ドスルー組立体85を介して駆動ねじ82に連結された
モータ84により回転駆動される。
モータ84は、クラッチ86を介して駆動ねじ82に連
結されている。
駆動ねじ82に対して横方向に間隔をへだててかつ平行
に案内ロッド87が配置されており、該案内ロッド87
の両端はベアリングブロック83に固定されている。ウ
ェーハ貯蔵ボックス移送プランジャ57はまた、案内ロ
ッド87上で摺動するリニアボールベアリング組立体を
備えていて、移送プランジャ57の横安定性および荷重
支持能力を向上させている。
Temposon ics社からModelDCTM−
12,24として発売されているような磁気歪み形の直
線変位トランスデユーサシステム88が設けられていて
、該トランスデユーサシステム88は、駆動シヤフト8
2上でのウェーハ貯蔵ボックス移送プランジャ57の位
置を定める出力信号を発生する。
この直線変位トランスデユーサシステム88は、トラン
スデユーサビーム89と、プランジャ57に固定されて
おりかつ固定のトランスデユーサビーム89上で摺動自
在に取付けられた位置決めヘッドマグネット91とを備
えている。位置決めヘッドマグネット91およびトラン
スデユーサビーム89は案内レール87に対して垂直方
向上方にかつ該案内レール87に平行に取付けられてい
て、後述のウェーハ持上げブレード構造体が駆動ねじ8
2、案内ロッド87およびトランスデユーサビーム89
の間を通るときに邪魔にならない横方向の空間を形成し
ている。
作動に際し、モータ84を作動して駆動ねじ82を回転
させ、これにより、駆動ナツト81が駆動ねじ82に沿
って移動される。ウェーハ貯蔵ボックス移送プランジャ
57がウェーハ貯蔵および移送ボックス43と係合して
該ボックスを拾い上げた後モータ84が付勢され、第3
図に点線92で示すように、ボックス43およびプラン
ジャ57がウェーハ移送ステーション14に後退される
。プランジャ57が直線変位トランスデユーサシステム
88の出力により決定された所望のウェーハ移送ステー
ション14に到達したとき、ウェーハ移送ステーション
14に設けた光学式割出しシステムにより、ウェーハ貯
蔵ボックス43内に支持されたカセット63内の最初に
加工されるウェーハの位置が決定される。
ウェーハをウェーハ持上げブレード94のところに位置
決めするため、モータ84が付勢される。
ウェーハ貯蔵ボックス94の垂直下方に配置されたウェ
ーハ持上げブレード94は、ウェーハ65を連続的に拾
い上げて、第3図に実線95で示すようにウェーハコー
ティングステーション15までウェーハを垂直に移送す
るため、開放されたウェーハ貯蔵ボックス43およびカ
セット63を通ってほぼ垂直方向に直線的に移動される
第9図および第10図には、ウェーハ持上げブレード9
4がより詳細に示されている。各ウェーハロ5と係合す
るブレード94の上端部には1対のビン96が設けてあ
り、該ピン96はウェーハ65の下縁部と係合し、カセ
ット63を通してウェーハ65を持上げる。持上げブレ
ード94の上端部には更に、リング状の背もたれ部分9
7が設けられている。この背もたれ部分97は、カセッ
ト63を容易に通り得るようにするため、第10図に示
すように、リングの両側縁部98が切除された形状にな
っている。
ウェーハ持上げブレード94は、垂直に対して約5′〜
20°の比較的小さな角度で傾斜したほぼ垂直な経路に
沿って移動するようになっている。
このため、ウェーハ65がビン96に載せられてウェー
ハ移送ステーション14からコーティングステーション
15まで持上げられるときに、つニーハロ5に作用する
重力によってウェーハ65を背もたれ部分97にもたれ
掛らせて支持することができる。垂直に対する持上げブ
レード94の傾斜に適応させるため、ピン96も背もた
れ部分97の面に対して80°の角度で傾斜している。
q 第3図に示すように、コーティングステーション15の
上方の加工チャンバ12の上端部には電気的フィードス
ルー99が配置されており、このフィードスルー99は
弾力性のあるワイパーリーフスプリング部材101を備
えている。このリーフスプリング部材101は背もたれ
部分97の上端部と電気的に接触し、必要に応じてスパ
ッタコーティングの能力を高めることができるようにウ
ェーハ65に電気的なバイアスを付与するためのもので
ある。また、持上げブレード94の下方には電気絶縁部
分が設けてあり、持上げブレード94の電気絶縁を図っ
ている。ウェーハに近接した位置においてウェーハに対
して同心状にヒータ組立体1Ω2が設けてあり、ウェー
ハを所望の蒸着温度に加熱できるようになっている。
ウェーハ65のスパッタコーティングを行なうため、コ
ーティングステーション15内でウェーハ65に対して
同心状に、前述の米国特許第4.522,697号明細
書に詳しく開示されているものと同じ形式のスパッタ蒸
着ガン103が配置されている。
ウェーハ65がコーティングされた後、コーティングさ
れたウェーハ65をカセット63内に堆積させるため、
ウェーハ持上げブレード94がカセット63を通して後
退される。次いで、駆動ねじ82および駆動モータ84
と協働する光学的割出し手段74が作動され、ウェーハ
貯蔵ボックス43をカセット63内の次のウェーハ65
まで前進させる。これにより、次のウェーハ65がウェ
ーハ持上げブレード94と垂直方向に整合し、コーティ
ング加工が繰返して行なわれる。ウェーハ貯蔵ボックス
43およびカセット63内のすべてのウェーハのコーテ
ィングが完了した後、駆動モータ84が付勢され、ウェ
ーハ貯蔵ボックス43およびプランジャ57がロードロ
ックステーション13に戻される。
ウェーハがロードロックステーション13に戻されたと
き、エアシリンダ23.24が付勢されてカバー板47
.48がウェーハ貯蔵ボックス43のアクセスポートの
上に置かれ、これらの力4 υ バー板47.48はエアシリンダ23.24によってア
クセスポートと確実に保合するように保持される。次に
ロードロックドア31に支持された電磁石39が付勢さ
れ、ウェーハ貯蔵ボックス43がロードロックドア31
に保持される。次いでウェーハ貯蔵ボックス移送プラン
ジャ57が、第3図に点線92で示すようにウェーハ移
送ステーション14に引込められ、その後、前述の米国
特許第4.523.985号明細書に開示されているよ
うに、仕切弁が閉じられる。
次にロードロックチャンバ13が大気圧にさらされ、こ
のため大気圧によって閉鎖板47,4.8が押圧されて
、ウェーハ貯蔵ボックス43の側壁およびフランジ55
.56に対してガス気密シール係合する。これによりウ
ェーハ貯蔵ボックス43のアクセスポートが閉じられる
。次にエアシリンダ23.24が作動されてプランジャ
45゜46が引込められ、その後ロードロックドア31
が開かれて減圧されたウェーハ貯蔵ボックス43が取出
される。
第3図および第11図には、ウェーハ持上げブレード9
4の駆動機構が詳細に示されている。ウェーハ持上げブ
レード94は、加工チャンバ12の長くてほぼ垂直方向
に向いた矩形の囲い部分の中で作動する。ウェーハ持上
げブレード94は、中空円筒状のフィンガ106上で摺
動できるスライダ組立体105により支持されている。
フィンガ106は、チャンバ12の垂直方向に配置され
た囲いの長手方向に沿って延在しておりかつチャンバ1
2の囲いの両端部に設けた取付はブラケソ)107,1
08を介してチャンバ12の囲い内に固定されている。
スライダ組立体105は互に横方向に変位できる1対の
スライダ部材を備えていて、一方のスライダ部材は中空
円筒状のフィンガ106上に載っており、他方のスライ
ダ部材はフィンガ106に対して横方向に間隔をへだて
て平行に配置された案内コンド109上に載っている。
フィンガ106および案内ロンド109は、それぞれ取
付はブラケット107,108を介してチャンバ゛12
の内壁に支持されている。案内コンド109上を摺動す
るスライダ105の部分は案内ロンド109に同心状に
取付けられたリニアボールベアリング組立体を備えてお
り、フィンガ106上を摺動するスライダ105の部分
は、第1F図に詳細に示すように、フィンガ106の外
側に載っている永久磁石ヨーク組立体110を備えてい
る。
中空円筒状のフィンガ106はチャンバ12の壁の一部
を形成しかつピストン111を収容している。ピストン
111は、フィンガ106の端部を閉鎖している端閉鎖
部材114,115に形成されたガスポート112,1
13を介してフィンガ106の内部に導入されるガス圧
力に応答して、フィンガ106の軸線方向に沿って直線
的に摺動できるようになっている。ガスポート112゜
113にはチューブ(図示せず)を介してガス圧力源か
らのガス圧力が供給され、フィンガ106内でピストン
111を一方向又は他方向に駆動できるようになってい
る。
ピストン111は軸線方向に並べて配置された4、5 永久磁石部材116を備えている。これらの永久磁石部
材116は強い磁場を発生し、その磁気ループがフィン
ガ106の薄壁を通過して、スライダ105の内周に設
けたヨーク組立体110を形成する同様な環状磁石の列
に対して磁気的に引付ける作用をなす。従って、ガスポ
ート112゜113に連結されたガス圧力によってピス
トン111に作用する力により、ピストン111はフィ
ンガ106内で前後に移動し、一方、スライダ105は
協働する磁石列116,110によりピストン111の
運動と磁気的に連結されていて、ピストン111の運動
に連動して移動する。この形式のアクチュエータはロッ
ドレスリニア駆動シリンダと呼ばれており、Fe5to
 Pneumatic社から市販されている。
本発明による減圧型のウェーハ移送および貯蔵ボ・ック
ス43を用いたウェーハ加工機械の利点は、ウェーハを
大気にさらすことな(して、ウェーハのコーティング、
移送および貯蔵を行なうことができることである。大気
圧以下の圧力でウェーハを貯蔵することによって微細塵
埃によるウェーハの汚染および酸化が大幅に低減され、
このため、半導体製品の歩止まりを向上させかつ欠陥密
度を低減することができる。垂直に対してウェーハ移送
機構が傾斜されていることによって、ウェーハを単に重
力のみによって持上げブレード上に支持させることがで
き、これにより、減圧型チャンバ内でのウェーハの取扱
いを簡素化することができる。ウェーハの取扱いが簡素
化されると、ガリウム砒素ウェーへのように壊れ易いウ
ェーハの損壊を無くすことができる。中空状の長いフィ
ンガ106に磁石連結機構を設けたロンドレスリニア駆
動シリンダを用いることによって、従来のへローズによ
るシール機構のように疲労し易くかつ短寿命のものに比
べ、繰返し作動サイクルを大幅に向上させることができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の特徴を備えたウェーハ加工機械を示
す側面図である。 第2図は、第1図の2−2線方向から見た側面図である
。 第3図は、第2図の3−3線に沿って断面した縦断面図
である。 第4図は、第1図の4−4線で囲まれた部分の拡大分解
斜視図である。 第5図は、第4図の構造の一部を第4図の5−5線方向
から見た平面図である。 第6図は、第5図の6−6線方向から見た側面図である
。 第7図は、第6図の7−7線方向から見た側面図である
。 第8図は、第5図〜第7図に示したウェーハ貯蔵ボック
ス内に嵌入されるカセットを示す斜視図である。 第9図は、第3図の9−9線で囲まれた部分の拡大断面
図である。 第10図は、第9図の10−10線方向から見た正面図
である。 第11図は、第3図の1111線で囲まれた部分を示す
拡大断面図である。 11・・・・・・ウェーハ加工機械、 12・・・・・・チャンバ、 13・・・・・・ロードロック部分、 14・・・・・・ウェーハ移送ステーション、15・・
・・・・コーティングステーション、43・・・・・・
ウェーハ貯蔵ボックス、57・・・・・・ウェーハ貯蔵
ボックス移送プランジャ、94・・・・・・ウェーハ持
上げブレード、105・・・・・・スライダ組立体。 図面のご°書(内容に変更なし) FIG、  i し−−2 図面の冷害(内容に変更なし) FIG、2 一 図面の浄書(内容に変更なし) 手続補正書(方式) %式% 1、事件の表示   昭和62年特許願第174585
号2、発明の名称   ウェーハの貯蔵および移送方法
および装置 3、補正をする者 事件との関係  出願人 4、代理人

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ウェーハの貯蔵および移送方法において、ウェーハ
    を並べて収容する移動可能なハウジングおよびその包囲
    体を大気圧以下の圧力に減圧する工程と、 大気圧以下の圧力に減圧されたハウジング内のアクセス
    ポート上に閉鎖体を置いてシールすることによりハウジ
    ングを閉鎖する工程と、前記ハウジング内の大気圧以下
    の圧力に対し前記閉鎖およびシールされたハウジングの
    包囲体の圧力を大気圧まで上昇させて、前記閉鎖体を前
    記減圧されたハウジングに対し大気圧により押付けてガ
    スシール係合させる工程とを有し、ウェーハを減圧され
    た移動可能なハウジング内に収容して、大気圧下で移送
    および貯蔵を行なうことを特徴とするウェーハの貯蔵お
    よび移送方法。 2、ウェーハを減圧されたハウジングと大気圧以下の圧
    力にある他の領域との間で移送すべく、ウェーハ移送部
    材を大気圧以下でウェーハアクセスポートを通して減圧
    されたハウジング内に導入する工程を有することを特徴
    とする特許請求の範囲第1項に記載のウェーハの貯蔵お
    よび移送方法。 3、ウェーハを収容する前記減圧されたハウジングが、
    該ハウジングの両側においてハウジング内に設けた1対
    の互に整合したアクセスポートを備えていて、減圧され
    たハウジング内の前記アクセスポートにウェーハ移送部
    材を通して、減圧されたハウジングと大気圧以下の他の
    領域との間でウェーハを移送することを特徴とする特許
    請求の範囲第1項に記載のウェーハの貯蔵および移送方
    法。 4、大気圧以下の圧力下でウェーハを移送および加工す
    る方法において、 大気圧によって包囲されている減圧されたハウジング内
    に並べられたウェーハを収容して移送する工程を有し、
    前記ハウジングが、包囲する大気圧によって少くとも部
    分的にシール係合された状態に保たれた閉鎖体によって
    閉鎖されたウェーハアクセスポートを備えており、 前記減圧されたハウジングをウェーハ加工チャンバ内に
    導入する工程と、 大気圧以下の圧力にある前記ウェーハ加工チャンバ内で
    前記ウェーハアクセスポートから前記閉鎖体を取外して
    、前記加工チャンバ内でウェーハを大気圧以下の圧力に
    さらす工程と、前記ハウジングと大気圧以下の圧力にあ
    る前記加工チャンバの領域との間でウェーハを移送する
    工程と、 閉鎖体を前記ウェーハアクセスポート上に置く工程と、 前記減圧されたハウジングを包囲している雰囲気の圧力
    を大気圧まで上昇させて、この大気圧によって、前記閉
    鎖体を前記ウェーハアクセスポートに対して少くとも部
    分的にガス気密シール係合させる工程とを更に有するこ
    とを特徴とする大気圧以下の圧力下でウェーハを移送お
    よび加工する方法。 5、ウェーハの貯蔵および移送装置において、ウェーハ
    を並べて収容するための減圧可能で移動可能なハウジン
    グを有し、 該ハウジング内には、ハウジング内に収容されたウェー
    ハに近づけるようにしたアクセスポートが設けてあり、 前記ハウジング内の前記アクセスポートを閉鎖しかつシ
    ールするための閉鎖手段と、 前記ハウジングの包囲体の圧力とハウジング内の大気圧
    以下の圧力との間に圧力差を生じさせて、前記減圧され
    たハウジングに対して前記閉鎖手段を大気圧によって押
    付けてガスシール係合させる手段とを更に有し、ウェー
    ハを減圧された移動可能なハウジング内に収容して、大
    気圧下で移送および貯蔵を行なうことを特徴とするウェ
    ーハの貯蔵および移送装置。 6、前記減圧されたハウジングと大気圧以下の圧力にあ
    る他の領域との間でウェーハを移送するため、大気圧以
    下の圧力下で前記ウェーハアクセスポートを通って前記
    減圧されたハウジング内に移動できるウェーハ移送手段
    を備えていることを特徴とする特許請求の範囲第5項に
    記載のウェーハの貯蔵および移送装置。 7、ウェーハを収容する前記減圧されたハウジングが、
    該ハウジングの両側においてハウジング内に設けた1対
    の互に整合したアクセスポートを備えており、 前記減圧されたハウジングと大気圧以下の圧力にある他
    の領域との間でウェーハを移送するため、減圧されたハ
    ウジング内の前記1対の整合したアクセスポートを通っ
    て作動することができるウェーハ移送手段を有すること
    を特徴とする特許請求の範囲第5項に記載のウェーハの
    貯蔵および移送装置。 8、前記ウェーハ移送手段が、 前記減圧されたハウジングを包囲している大気圧以下の
    圧力にある領域内に延入している中空状の長いフィンガ
    と、 該フィンガ内で軸線方向に移動することができかつ大気
    圧以下の圧力にあるウェーハ包囲領域からフィンガの壁
    によって仕切られている強磁性体手段と、 前記フィンガの外側でフィンガの軸線方向に移動するこ
    とができかつ前記強磁性体手段と共に移動できるように
    前記フィンガ内で前記強磁性体手段に磁気的に連結され
    ているスライダ手段と、 前記減圧されたハウジングと大気圧以下の圧力にある他
    の領域との間で前記ウェーハを移送するため、前記スラ
    イダ手段と共に移動できるようにスライダ手段に連結さ
    れたウェーハ支持手段と、 前記スライダ手段とウェーハ支持手段に同じ軸線方向の
    運動を生じさせるべく前記フィンガ内で前記強磁性体手
    段を駆動させるため、前記フィンガ内で作動することの
    できる駆動手段とを備えており、使用時に前記ウェーハ
    移送手段の作動寿命を延ばすことができることを特徴と
    する特許請求の範囲第6項に記載のウェーハの貯蔵およ
    び移送装置。 9、大気圧以下の圧力下でウェーハを加工する機械にお
    いて、 ウェーハ収容手段であって、該ウェーハ収容手段が大気
    圧によって包囲されるときに大気圧以下の圧力でウェー
    ハの列を収容しかつ移送するためのウェーハ収容手段を
    有し、 該ウェーハ収容手段内には、ウェーハ収容手段内に収容
    されたウェーハに近づくことができるようにしたウェー
    ハアクセスポートが設けてあり、 閉鎖手段であって、該閉鎖手段に閉鎖力を作用させる大
    気圧によって前記アクセスポートを少くとも部分的にガ
    ス気密状態に閉鎖しかつシールするための閉鎖手段と、 ウェーハを大気圧以下の圧力で加工するためのウェーハ
    加工チャンバ手段と、 加工されるべきウェーハを前記ウェーハ加工チャンバ手
    段内に導入するための手段と、 前記ウェーハアクセスポートから前記閉鎖手段を取外し
    てウェーハを前記ウェーハ加工チャンバ手段内の大気圧
    以下の圧力にさらすべく、前記ウェーハ加工チャンバ手
    段内で大気圧以下の圧力で作動できる手段と、 前記ウェーハ収容手段と大気圧以下の圧力にある前記ウ
    ェーハ加工チャンバ手段の領域との間でウェーハを移送
    すべく、前記ウェーハ加工チャンバ手段内で大気圧以下
    の圧力で作動できるウェーハ移送手段と、 前記閉鎖手段を前記ウェーハアクセスポートの上に置く
    べく、前記ウェーハ加工チャンバ手段内で作動できる手
    段と、 包囲する大気圧によって前記ウェーハアクセスポートに
    対して前記閉鎖手段を少くとも部分的にガス気密係合す
    る状態に保持すべく、前記減圧されたウェーハ収容手段
    を包囲する雰囲気の圧力を大気圧まで上昇させる手段と
    を更に有することを特徴とする大気圧以下の圧力下でウ
    ェーハを加工する機械。 10、前記ウェーハ移送手段が、 前記ウェーハ加工チャンバ手段内に延入している中空状
    の長いフィンガと、 該フィンガ内で軸線方向に移動することができかつ前記
    ウェーハ加工チャンバ手段内の大気圧以下にあるウェー
    ハ包囲領域から前記フィンガの壁によって仕切られてい
    る強磁性体手段と、前記フィンガの外側でフィンガの軸
    線方向に移動することができかつ前記強磁性体手段と共
    に移動できるように前記フィンガ内で前記強磁性体手段
    に磁気的に連結されているスライダ手段と、 前記減圧されたウェーハ収容手段と大気圧以下の圧力に
    ある他の領域との間でウェーハを移送するため、前記ス
    ライダ手段と連動するように連結されたウェーハ支持手
    段と、 前記スライダ手段とウェーハ支持手段に同じ軸線方向の
    運動を生じさせるべく前記フィンガ内で前記強磁性体手
    段を駆動させるため、前記フィンガ内で作動することの
    できる駆動手段とを備えており、使用時に前記ウェーハ
    移送手段の作動寿命を延ばすことができることを特徴と
    する特許請求の範囲第9項に記載の大気圧以下の圧力下
    でウェーハを加工する機械。 11、減圧可能なウェーハ加工チャンバ内で大気圧以下
    の圧力下でウェーハをコーティングする形式のウェーハ
    加工機械において、 前記ウェーハ加工チャンバが、該チャンバの内部に近づ
    くことができるようにするためチャンバの壁に設けたア
    クセスポートを備えており、前記ウェーハ加工チャンバ
    の前記アクセスポートの開放および閉鎖を行なうための
    チャンバ閉鎖手段と、 加工すべきウェーハを収容するための減圧されたウェー
    ハ貯蔵ボックスであって、収容されたウェーハへのアク
    セスを制御するための取外し自在なカバーを備えたウェ
    ーハ貯蔵ボックスと、 前記ウェーハ貯蔵ボックスを支持すべく前記チャンバ閉
    鎖手段に支持された支持手段と、前記チャンバの包囲体
    とチャンバの内部との間で前記チャンバアクセスポート
    を通して前記ウェーハ貯蔵ボックスを移動させるべく、
    前記チャンバアクセスポートに対して前記チャンバ閉鎖
    手段および支持されたウェーハ貯蔵ボックスを移動させ
    るためのチャンバ閉鎖手段駆動手段と、 前記減圧可能なウェーハ加工チャンバを大気圧以下の圧
    力に減圧するためのポンプ手段と、前記減圧可能なウェ
    ーハ加工チャンバ内の大気圧以下の圧力下において開放
    状態と閉鎖状態との間で前記減圧されたウェーハ貯蔵ボ
    ックスの前記カバーを移動させるべく、前記減圧可能な
    ウェーハ加工チャンバに作動連結されたカバー駆動手段
    とを有することを特徴とするウェーハ加工機械。 12、前記支持手段に対して開放されたウェーハ貯蔵ボ
    ックスを移動させるべく前記減圧可能なウェーハ加工チ
    ャンバ内で作動できるウェーハ貯蔵ボックス駆動手段を
    備えていることを特徴とする特許請求の範囲第11項に
    記載のウェーハ加工機械。 13、大気圧以下の圧力下でウェーハをコーティングす
    るためのウェーハ加工機械において、 ロードロックステーション、ウェーハ移送ステーション
    およびウェーハコーティングステーションを内部に備え
    ている減圧可能なチャンバと、 減圧されたウェーハ貯蔵ボックスを前記ロードロックス
    テーション内に装入するための装入手段と、 前記ウェーハ移送ステーションに対して前記ロードロッ
    クステーション内に独立したガス圧力が得られるように
    すべく前記ウェーハ移送ステーションに対して前記ロー
    ドロックステーションを遮断するため、前記ロードロッ
    クステーションとウェーハ移送ステーションとの間に配
    置された弁手段と、 前記ウェーハ貯蔵ボックスを前記ロードロックステーシ
    ョンとウェーハ移送ステーションとの間で前記弁手段を
    通して移動させるためのウェーハ貯蔵ボックス駆動手段
    と、 前記ウェーハ貯蔵ボックスと前記減圧されたウェーハコ
    ーティングステーションとの間でウェーハを移動させる
    ため前記ウェーハ移送ステーションにおいて大気圧以下
    の圧力で作動できるウェーハ移送手段とを有することを
    特徴とするウェーハ加工機械。 14、前記減圧されたウェーハ貯蔵ボックスが前記ロー
    ドロックステーション内に配置されたとき、ウェーハ貯
    蔵ボックスに対して該ボックスのカバーを移動させるた
    め前記ロードロックステーション内で作動できるカバー
    駆動手段を備えていることを特徴とする特許請求の範囲
    第13項に記載のウェーハ加工機械。 15、前記ウェーハ移送手段が、持ち上げ部分と背もた
    れ部分とを備えたウェーハ持上げブレード手段を有し、
    該ウェーハ持上げブレード手段は前記ウェーハ移送ステ
    ーションとウェーハコーティングステーションとの間に
    延在していて、垂直から傾斜した軸線に沿ってウェーハ
    貯蔵ボックスを通るほぼ垂直な方向に直線的に移動し、
    移送されるウェーハは前記持上げ部分をウェーハのリッ
    プに係合させることによって拾い上げられかつ重力によ
    って前記持上げブレード手段の前記背もたれ部分にもた
    れ掛ることを特徴とする特許請求の範囲第13項に記載
    のウェーハ加工機械。 16、前記ウェーハ移送手段が、 前記減圧可能なチャンバ内に延入している中空状の長い
    フィンガと、 該フィンガ内で軸線方向に移動することができかつ前記
    フィンガの壁によって前記減圧可能なチャンバ内の大気
    圧以下の圧力の領域から仕切られている強磁性体手段と
    、 前記フィンガの外側でフィンガの軸線方向に移動するこ
    とがてきかつ前記強磁性体手段と共に移動できるように
    前記フィンガ内で前記強磁性体手段に磁気的に連結され
    ているスライダ手段と、 前記ウェーハ貯蔵ボックスと前記減圧されたウェーハコ
    ーティングステーションとの間でウェーハを移送するた
    め前記スライダ手段と共に移動できるようにスライダ手
    段に連結されたウェーハ支持手段と、 前記スライダ手段とウェーハ支持手段に同じ軸線方向の
    運動を生じさせるべく前記フィンガ内で前記強磁性体手
    段を駆動させるため、前記フィンガ内で作動することの
    できる駆動手段とを備えており、使用時に前記ウェーハ
    移送手段の作動寿命を延ばすことができることを特徴と
    する特許請求の範囲第13項に記載のウェーハ加工機械
    。 17、減圧可能なウェーハ移送および貯蔵ボックスにお
    いて、 ウェーハを軸線方向に並べて収容するための全体として
    矩形の側壁フレーム構造体と、 前記矩形の側壁フレーム構造体の第1の側を覆うための
    全体として矩形のカバー板と、 前記側壁フレーム構造体に対して前記カバー板をガス気
    密シールするため、前記側壁フレーム構造体のリップに
    おいて前記カバー板と側壁フレーム構造体との間に配置
    された弾性シールリングとを有することを特徴とする減
    圧可能なウェーハ移送および貯蔵ボックス。18、前記
    矩形の側壁フレーム構造体の第2の側を覆うための全体
    として矩形の第2のカバー板を備えており、 前記矩形の側壁フレーム構造体の覆われた前記第2の側
    は、前記フレーム構造体の前記第1の側に対向しており
    、 前記側壁フレーム構造体に対して前記第2のカバー板を
    ガス気密シールするため、前記側壁フレーム構造体のリ
    ップにおいて前記第2のカバー板と前記側壁フレーム構
    造体との間に配置された第2の弾性シールリングを備え
    ていることを特徴とする特許請求の範囲第17項に記載
    の減圧可能なウェーハ移送および貯蔵ボックス。 19、前記ウェーハ移送および貯蔵ボックス内に収容さ
    れ軸線方向に並べられたウェーハの個々のウェーハの位
    置を決定するため、前記矩形の側壁構造体に支持されて
    おりかつ該側壁構造体と機械的に作動すべく関連してい
    るウェーハ割出し手段を備えていることを特徴とする特
    許請求の範囲第17項に記載のウェーハ移送および貯蔵
    ボックス。 20、前記減圧されたウェーハ加工チャンバ内でウェー
    ハ貯蔵ボックスを移送すべくウェーハ貯蔵ボックス移送
    手段と機械的に作動係合して該ウェーハ貯蔵ボックス移
    送手段を受入れるため、前記矩形の側壁構造体の端壁に
    配置されておりかつ該端壁と機械的に作動するように関
    連しているボックス拾い上げ手段を備えていることを特
    徴とする特許請求の範囲第17項に記載のウェーハ移送
    および貯蔵ボックス。
JP62174585A 1986-07-23 1987-07-13 ウェ−ハの貯蔵および移送方法および装置 Pending JPS6379969A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/889,443 US4676884A (en) 1986-07-23 1986-07-23 Wafer processing machine with evacuated wafer transporting and storage system
US889443 1986-07-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6379969A true JPS6379969A (ja) 1988-04-09

Family

ID=25395100

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62174585A Pending JPS6379969A (ja) 1986-07-23 1987-07-13 ウェ−ハの貯蔵および移送方法および装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4676884A (ja)
JP (1) JPS6379969A (ja)
DE (1) DE3724296A1 (ja)
FR (1) FR2604027A1 (ja)
GB (1) GB2193731A (ja)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2620049B2 (fr) * 1986-11-28 1989-11-24 Commissariat Energie Atomique Procede de traitement, stockage et/ou transfert d'un objet dans une atmosphere de haute proprete, et conteneur pour la mise en oeuvre de ce procede
US4786616A (en) * 1987-06-12 1988-11-22 American Telephone And Telegraph Company Method for heteroepitaxial growth using multiple MBE chambers
US5004399A (en) * 1987-09-04 1991-04-02 Texas Instruments Incorporated Robot slice aligning end effector
JPH0671041B2 (ja) * 1987-10-16 1994-09-07 セイコー精機株式会社 真空室内搬送装置
US4867631A (en) * 1988-04-25 1989-09-19 Tegal Corporation Spatula for wafer transport
DE3814924A1 (de) * 1988-05-03 1989-11-16 Leybold Ag Vorrichtung zum ein- und ausschleusen von substraten aus einem vakuumkessel
US4869198A (en) * 1988-09-30 1989-09-26 Union Tool Corporation Vacuum debubbler machine
US5088444A (en) * 1989-03-15 1992-02-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Vapor deposition system
DE4039007A1 (de) * 1989-12-06 1991-06-13 Hitachi Ltd Infrarottemperaturmessgeraet, eichverfahren fuer das geraet, infrarottemperaturbildmessmethode, geraet zur messung desselben, heizgeraet mit messgeraet, verfahren zur steuerung der erwaermungstemperatur, und vakuumbedampfungsgeraet mit infrarotem temperaturmessgeraet
FR2673918B1 (fr) * 1991-03-14 1993-05-28 Houzay Francoise Conteneur autonome pour le traitement sous vide d'un objet, et son sas de transfert.
KR0155572B1 (ko) * 1991-05-28 1998-12-01 이노우에 아키라 감압처리 시스템 및 감압처리 방법
JP2751975B2 (ja) * 1991-12-20 1998-05-18 株式会社日立製作所 半導体処理装置のロードロック室
EP1179611B1 (de) * 1992-10-06 2004-09-15 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Kammer für den Transport von Werkstücken
US5417537A (en) * 1993-05-07 1995-05-23 Miller; Kenneth C. Wafer transport device
JPH0936198A (ja) * 1995-07-19 1997-02-07 Hitachi Ltd 真空処理装置およびそれを用いた半導体製造ライン
US5900105A (en) * 1996-07-09 1999-05-04 Gamma Precision Technology, Inc. Wafer transfer system and method of using the same
US6224680B1 (en) * 1996-07-09 2001-05-01 Gamma Precision Technology, Inc. Wafer transfer system
US5827118A (en) * 1996-08-28 1998-10-27 Seh America, Inc. Clean storage unit air flow system
FR2802335B1 (fr) * 1999-12-09 2002-04-05 Cit Alcatel Systeme et procede de controle de minienvironnement
NL1015690C2 (nl) * 2000-07-12 2002-01-15 Otb Group Bv Sluis voor vacu³mkamer.
US6609877B1 (en) 2000-10-04 2003-08-26 The Boc Group, Inc. Vacuum chamber load lock structure and article transport mechanism
DE10054045B4 (de) * 2000-10-31 2004-12-30 Asys Gmbh & Co. Kg Arbeitstisch mit einer Tischplatte
JP2002184853A (ja) * 2000-12-15 2002-06-28 Yaskawa Electric Corp ウェハー把持装置
US7011484B2 (en) * 2002-01-11 2006-03-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. End effector with tapered fingertips
DE10227365B4 (de) * 2002-06-12 2006-07-06 Leibniz-Institut für Festkörper- und Werkstoffforschung e.V. Vorrichtung zur Bewegung von Einbauteilen in Vakuumanlagen
US7959395B2 (en) * 2002-07-22 2011-06-14 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus
US7988398B2 (en) 2002-07-22 2011-08-02 Brooks Automation, Inc. Linear substrate transport apparatus
JP2011035022A (ja) * 2009-07-30 2011-02-17 Murata Machinery Ltd 天井搬送車
US8602706B2 (en) * 2009-08-17 2013-12-10 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus
US10214806B2 (en) * 2013-06-25 2019-02-26 Veeco Instruments Inc. Bellows-free retractable vacuum deposition sources

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5991361A (ja) * 1982-11-17 1984-05-26 Toshiba Corp 電子部品内異物粒子検出装置
JPS614188A (ja) * 1984-06-15 1986-01-10 ダイキン工業株式会社 面状発熱体

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1321861A (en) * 1970-01-13 1973-07-04 Ultra Electronics Ltd Vacuum deposition
US4532816A (en) * 1983-07-25 1985-08-06 The Perkin-Elmer Corporation Sample vessel
US3833018A (en) * 1973-02-21 1974-09-03 Pass Port Syst Corp Low leakage vacuum valve and chamber using same
JPS5315466B2 (ja) * 1973-04-28 1978-05-25
US3874525A (en) * 1973-06-29 1975-04-01 Ibm Method and apparatus for handling workpieces
CH573985A5 (ja) * 1973-11-22 1976-03-31 Balzers Patent Beteilig Ag
US3921788A (en) * 1974-05-21 1975-11-25 Macronetics Inc Processing apparatus for thin disc-like workpieces
US4047624A (en) * 1975-10-21 1977-09-13 Airco, Inc. Workpiece handling system for vacuum processing
DE2812271C2 (de) * 1978-03-21 1983-01-27 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Vorrichtung mit mehreren Schleusenkammern zum chargenweisen Beschichten von Substraten
US4278380A (en) * 1979-04-30 1981-07-14 Varian Associates, Inc. Lock and elevator arrangement for loading workpieces into the work chamber of an electron beam lithography system
US4311427A (en) * 1979-12-21 1982-01-19 Varian Associates, Inc. Wafer transfer system
US4412771A (en) * 1981-07-30 1983-11-01 The Perkin-Elmer Corporation Sample transport system
US4418646A (en) * 1982-03-29 1983-12-06 Eaton Corporation Load lock valve
US4526670A (en) * 1983-05-20 1985-07-02 Lfe Corporation Automatically loadable multifaceted electrode with load lock mechanism
US4500407A (en) * 1983-07-19 1985-02-19 Varian Associates, Inc. Disk or wafer handling and coating system
GB8332394D0 (en) * 1983-12-05 1984-01-11 Pilkington Brothers Plc Coating apparatus
US4522697A (en) * 1983-12-22 1985-06-11 Sputtered Films, Inc. Wafer processing machine
US4523985A (en) * 1983-12-22 1985-06-18 Sputtered Films, Inc. Wafer processing machine
US4584045A (en) * 1984-02-21 1986-04-22 Plasma-Therm, Inc. Apparatus for conveying a semiconductor wafer
US4619573A (en) * 1984-03-09 1986-10-28 Tegal Corporation Article transport apparatus
US4544317A (en) * 1984-04-16 1985-10-01 International Business Machines Corporation Vacuum-to-vacuum entry system apparatus
US4534314A (en) * 1984-05-10 1985-08-13 Varian Associates, Inc. Load lock pumping mechanism
US4592926A (en) * 1984-05-21 1986-06-03 Machine Technology, Inc. Processing apparatus and method
AU572375B2 (en) * 1985-01-31 1988-05-05 Boc Group, Inc., The Transporting of workpiece to and from vacuum coating apparatus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5991361A (ja) * 1982-11-17 1984-05-26 Toshiba Corp 電子部品内異物粒子検出装置
JPS614188A (ja) * 1984-06-15 1986-01-10 ダイキン工業株式会社 面状発熱体

Also Published As

Publication number Publication date
US4676884A (en) 1987-06-30
FR2604027A1 (fr) 1988-03-18
GB8717369D0 (en) 1987-08-26
DE3724296A1 (de) 1988-02-04
GB2193731A (en) 1988-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6379969A (ja) ウェ−ハの貯蔵および移送方法および装置
US4548699A (en) Transfer plate rotation system
EP0161927B1 (en) Load lock pumping mechanism
US6971832B2 (en) Magnetically coupled linear delivery system transferring wafers between a cassette and a processing reactor
US5280983A (en) Semiconductor processing system with robotic autoloader and load lock
US4911597A (en) Semiconductor processing system with robotic autoloader and load lock
US4670126A (en) Sputter module for modular wafer processing system
US5224809A (en) Semiconductor processing system with robotic autoloader and load lock
US5586585A (en) Direct loadlock interface
US5096364A (en) Wafer arm handler mechanism
US4299518A (en) Manufacturing work station
US20040035493A1 (en) Clean box, clean transfer method and system
JP2637730B2 (ja) ウエハ状物品を輸送して少くとも一つの処理工程にかけるための装置及び方法
US4647266A (en) Wafer coating system
TWI502694B (zh) 轉移物件通過低壓狀態下之負荷固定艙的裝置及方法
US4943457A (en) Vacuum slice carrier
JPH06215420A (ja) クリーン搬送方法及び装置
JPH06268044A (ja) クリーン搬送方法及び装置
JP2004087781A (ja) 真空処理装置及び真空処理方法
JP3160691B2 (ja) 処理装置
JP3666636B2 (ja) 基板の処理装置
JPS6257377B2 (ja)
JP3236279U (ja) スパッタリングターゲットの真空保管庫
JP3475400B2 (ja) 基板搬送装置
RU2034362C1 (ru) Устройство для обработки изделий электронной техники