JPS6377169A - 光伝導型光検出器 - Google Patents
光伝導型光検出器Info
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- JPS6377169A JPS6377169A JP61221529A JP22152986A JPS6377169A JP S6377169 A JPS6377169 A JP S6377169A JP 61221529 A JP61221529 A JP 61221529A JP 22152986 A JP22152986 A JP 22152986A JP S6377169 A JPS6377169 A JP S6377169A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
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- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は光フアイバ通信に用いるのに適した高感度な光
伝導型光検出器に関する。
伝導型光検出器に関する。
（従来の技術とその問題点）
長距離光ファイバ通信用の受光器としてはアバランシェ
・フォトダイオード（ＡＰＤ）やＰＩＮフォトダイオー
ドが使われている。また光照射による伝導率の変化を利
用してこれを検出する、光伝導型光検出器（以下ＰＣＤ
と略記する）の研究開発も行なわれ始めている。第６図
はジャーナル・才ブ・アプライドフィジックス（Ｊ、
Ａｐｐｌ。
・フォトダイオード（ＡＰＤ）やＰＩＮフォトダイオー
ドが使われている。また光照射による伝導率の変化を利
用してこれを検出する、光伝導型光検出器（以下ＰＣＤ
と略記する）の研究開発も行なわれ始めている。第６図
はジャーナル・才ブ・アプライドフィジックス（Ｊ、
Ａｐｐｌ。
ｐｈｙｓ、 、 １９８５）の１４１１頁に報告されて
いる従来のＰＣＤの断面構造図である。ＰＣＤの平均受
信感度Ｐは で表わされる。（１）式でｈνは光子１個当りのエネル
ギー、ｑは電子の電荷量、ηは受光量子効率、ＧはＰＣ
Ｄの利得、Ｂはビットレート、くｉ”〉、にはＰＣＤの
平均雑音を流である。Ｑはビット誤り率が１０１のとき
に６となる。利得は各周波数ωを用い Ｇ−（τ、／Ｔ、、） Ｃ１＋ω１τ−）−に ・・・
（２）のように表わされる。（２）式でて、はキャリア
の寿命でｎ型ＰＣＤでは正孔の寿命となる。Ｔ、、は電
子の電極間走行時間で決定される。走行時間に比べてキ
ャリア寿命は長いのでＰＣＤは利得を持ち、（１）式か
ら利得が大きい程、高い受光感度が期待される。τ。、
Ｔ ｌ ｒは電界強度Ｅ、を極間隔し、正孔移動度μ１
、電子移動度μｎ及び電子速度Ｖ、を用いると τ。＃Ｌ／２μ、Ｅ ・・・（３）
Ｔ、、−Ｌ／ｌｔ、Ｅ−Ｌ／Ｖ、 −（４
）と表わされる。Ｉｎｏ 、 ｓ ５Ｇａｏ 、 ａ
ｙＡＥ３が伝導届で電子のドリフト速度が最大となるＥ
； ３ ＫＶ／ｃｍの電界がかかっているとする。こ
の状態ではｖ、；２×１０７ｃｒＩｌ／Ｓとなる。Ｌ−
５１ａ、！：ｔ、テ、ａｐ−２００ｃＩＩ＋ ”／Ｖ−
５とすると（３）式、及び（４）式よりτｏ ４２０
ｐｓｅｃ、 Ｔ ｌｒ ＝ ２５ｐｓｅｃとなる。（２
）式よりω−０ではＧ；１７となる。（１）式を用いて
ＰＣＤの受Ｍ感度を計算する際にはω−０での利得値を
適用できない。τ、が長いことにより立ち上がり時間の
遅れや、立ち下がり時の裾引きが生じるので、受筒回路
では等化が必要となる。この等化によるペナルティ−に
より、実際上は期待される程の感度が引き出せないこと
になる。第６図の構造ではＧ−３５でありＩ Ｇｂ／ｓ
Ｎ ＲＺで−３４，４ｄＢｍ（Ｐｅ−１０−’ ）と
いる値が実現されているが、感度は増倍率１０程度の三
元ＡＰＤと比ベロｄＢ程度悪い、従来構造を用いる限り
、利得は数１０程度しか得られず、また等化回路でのペ
ナルティ−が生ずるのでＡＰＤを凌駕するような高感度
化を実現することは困難であった。
いる従来のＰＣＤの断面構造図である。ＰＣＤの平均受
信感度Ｐは で表わされる。（１）式でｈνは光子１個当りのエネル
ギー、ｑは電子の電荷量、ηは受光量子効率、ＧはＰＣ
Ｄの利得、Ｂはビットレート、くｉ”〉、にはＰＣＤの
平均雑音を流である。Ｑはビット誤り率が１０１のとき
に６となる。利得は各周波数ωを用い Ｇ−（τ、／Ｔ、、） Ｃ１＋ω１τ−）−に ・・・
（２）のように表わされる。（２）式でて、はキャリア
の寿命でｎ型ＰＣＤでは正孔の寿命となる。Ｔ、、は電
子の電極間走行時間で決定される。走行時間に比べてキ
ャリア寿命は長いのでＰＣＤは利得を持ち、（１）式か
ら利得が大きい程、高い受光感度が期待される。τ。、
Ｔ ｌ ｒは電界強度Ｅ、を極間隔し、正孔移動度μ１
、電子移動度μｎ及び電子速度Ｖ、を用いると τ。＃Ｌ／２μ、Ｅ ・・・（３）
Ｔ、、−Ｌ／ｌｔ、Ｅ−Ｌ／Ｖ、 −（４
）と表わされる。Ｉｎｏ 、 ｓ ５Ｇａｏ 、 ａ
ｙＡＥ３が伝導届で電子のドリフト速度が最大となるＥ
； ３ ＫＶ／ｃｍの電界がかかっているとする。こ
の状態ではｖ、；２×１０７ｃｒＩｌ／Ｓとなる。Ｌ−
５１ａ、！：ｔ、テ、ａｐ−２００ｃＩＩ＋ ”／Ｖ−
５とすると（３）式、及び（４）式よりτｏ ４２０
ｐｓｅｃ、 Ｔ ｌｒ ＝ ２５ｐｓｅｃとなる。（２
）式よりω−０ではＧ；１７となる。（１）式を用いて
ＰＣＤの受Ｍ感度を計算する際にはω−０での利得値を
適用できない。τ、が長いことにより立ち上がり時間の
遅れや、立ち下がり時の裾引きが生じるので、受筒回路
では等化が必要となる。この等化によるペナルティ−に
より、実際上は期待される程の感度が引き出せないこと
になる。第６図の構造ではＧ−３５でありＩ Ｇｂ／ｓ
Ｎ ＲＺで−３４，４ｄＢｍ（Ｐｅ−１０−’ ）と
いる値が実現されているが、感度は増倍率１０程度の三
元ＡＰＤと比ベロｄＢ程度悪い、従来構造を用いる限り
、利得は数１０程度しか得られず、また等化回路でのペ
ナルティ−が生ずるのでＡＰＤを凌駕するような高感度
化を実現することは困難であった。
本発明は、上記欠点に鑑みなされたもので、高利得、高
感度なＰＣＤを提供することを目的とする。
感度なＰＣＤを提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明のＰＣＤは、半導体基板の上に禁制帯幅が異なる
複数のｎ型半導体層を形成してなり、これらのｎ型半導
体層は層厚方向に電圧を印加して用い、光を照射したと
きに発生したキャリアのうち正孔のみがバンド不連続に
よってトラップきれるバンド構造をしている。そのトラ
ップされた正孔を引き出すためには、ｐ型領域を選択的
に形成すればよい。
複数のｎ型半導体層を形成してなり、これらのｎ型半導
体層は層厚方向に電圧を印加して用い、光を照射したと
きに発生したキャリアのうち正孔のみがバンド不連続に
よってトラップきれるバンド構造をしている。そのトラ
ップされた正孔を引き出すためには、ｐ型領域を選択的
に形成すればよい。
（作用）
第１図は本発明の原理を示したバンド図である。禁制帯
幅がＥｌ及びＥｘ（Ｅ＋＞Ｅｘ）の二種類のｎ型半導体
層を３層ずつ交互にｎ型基板に形成し、厚さ方向に１圧
をかけた状態のバンド図である。光が照射されると、電
子と正孔が生成されそれぞれ矢印の方向に走行する。価
電子帯には、二種類の半導体の接合部で、大きなノツプ
が生ずることにより、正孔がここでせき止められる。
幅がＥｌ及びＥｘ（Ｅ＋＞Ｅｘ）の二種類のｎ型半導体
層を３層ずつ交互にｎ型基板に形成し、厚さ方向に１圧
をかけた状態のバンド図である。光が照射されると、電
子と正孔が生成されそれぞれ矢印の方向に走行する。価
電子帯には、二種類の半導体の接合部で、大きなノツプ
が生ずることにより、正孔がここでせき止められる。
ｎ型半導体基板をｎ−ＩｎＰとし、これに格子整合した
二種類の半導体をＩｎｋ（Ｅｔ＝０．３５ｅＶ）とＩｎ
６，５ｓＧａｅ、ａｙＡ！！（Ｅ ２＝０．７５ｅＶ）
とすると、ノツチの高さは数１００ｍｅＶとなるが、こ
の値は常温での熱エネルギーの値（〜２５ｍｅＶ ）に
比べると充分大きくなる。正孔はこの障壁を越えること
が難かしくなり、この部分にトラップきれる。したがっ
て１ｍ＞＞’ｒ、、とすることが可能となり、大きな利
得を得ることができるようになる。一方、正孔の寿命が
長くなり、光がきられた後も正孔はなかなか消滅しにく
くなる。これによる波形の裾引きを消すためにｐ型領域
を選択的に形成しておく。光がＯＦＦとなった瞬間にこ
のｐ型領域に電圧をかけてトラップされている正孔を強
制的に引き出せば裾引きが消せ、次のビットとの符号量
干渉を無くすることができる。
二種類の半導体をＩｎｋ（Ｅｔ＝０．３５ｅＶ）とＩｎ
６，５ｓＧａｅ、ａｙＡ！！（Ｅ ２＝０．７５ｅＶ）
とすると、ノツチの高さは数１００ｍｅＶとなるが、こ
の値は常温での熱エネルギーの値（〜２５ｍｅＶ ）に
比べると充分大きくなる。正孔はこの障壁を越えること
が難かしくなり、この部分にトラップきれる。したがっ
て１ｍ＞＞’ｒ、、とすることが可能となり、大きな利
得を得ることができるようになる。一方、正孔の寿命が
長くなり、光がきられた後も正孔はなかなか消滅しにく
くなる。これによる波形の裾引きを消すためにｐ型領域
を選択的に形成しておく。光がＯＦＦとなった瞬間にこ
のｐ型領域に電圧をかけてトラップされている正孔を強
制的に引き出せば裾引きが消せ、次のビットとの符号量
干渉を無くすることができる。
（実施例）
第２図は本発明の一実施例の断面構造を示す図である。
ｎ型ＩｎＰ基板２１の上に各々厚さ５０人のアンドープ
ＩｎＰ泗２２とアンドープＩｎｏ 、 ｓ ３Ｇａｏ
、 ａ ７ＡＳ層２３が交互に計１０届周期的に形成さ
れている。
ＩｎＰ泗２２とアンドープＩｎｏ 、 ｓ ３Ｇａｏ
、 ａ ７ＡＳ層２３が交互に計１０届周期的に形成さ
れている。
キャリア密度は各層がｎ−Ｉ ＸＩＱ′６ｃＴＩＩ−”
である。
である。
２４は正孔を引き出すためのＺｎ拡散で作られたｐ型領
域である。光はアンドープＩｎｏ、ａｓＧａｏ、ａｙＡ
９ｆｆｉ２３で吸収される。ＩｎＰとｌｎｏ 、 ｓ
ａＧａｏ 、 ａ ｙＡｓで作られるアンドープ届のト
ータルの厚さを５０人Ｘ２Ｘ１０”−０，１−としたの
は電子の走行時間Ｔ ｔ ｔを小さくするためである＃
Ｇｂ／ ｓ程度の高速の光信号を受信する場合、ＰＣ
Ｄの立ち上がり、立ち下がり時間は周期よりも普通、長
くなってしまう。光信号は正孔の掃き出しに必要な時間
や、タイミングを考えるとＲＺ （Ｒｅｔｕｒｎ ｔｏ
Ｚｅｒｏ ） Ｍ号が望ましい。
域である。光はアンドープＩｎｏ、ａｓＧａｏ、ａｙＡ
９ｆｆｉ２３で吸収される。ＩｎＰとｌｎｏ 、 ｓ
ａＧａｏ 、 ａ ｙＡｓで作られるアンドープ届のト
ータルの厚さを５０人Ｘ２Ｘ１０”−０，１−としたの
は電子の走行時間Ｔ ｔ ｔを小さくするためである＃
Ｇｂ／ ｓ程度の高速の光信号を受信する場合、ＰＣ
Ｄの立ち上がり、立ち下がり時間は周期よりも普通、長
くなってしまう。光信号は正孔の掃き出しに必要な時間
や、タイミングを考えるとＲＺ （Ｒｅｔｕｒｎ ｔｏ
Ｚｅｒｏ ） Ｍ号が望ましい。
ＤＣ利得が大きくなってもＴｔ＋が大きいと、最大利得
は上がらない。その様子を示したのが第３図である。同
図で（ａ）は従来の利得の低いＰＣＤ、（ｂ）と（ｃ）
は本発明によるＰＣＤの応答波形を模式的に表わしたも
のである。（ｂ）と（ｃ）はＤＣ利得は同じであるが、
電子の走行時間は異なり、（Ｃ）の方が短かい。これか
ら分かるように実効的に高い利得を得るためには、出来
るだけ走行時間を短かくするような構造が望ましい。Ｖ
、＝ ２ Ｘ１０’ｃｍ／Ｓとすると０４Ｐｒｎｃｙ）
厚さのアンドープ、１を走行するのに電子が要する時間
はＴ ｒ ｒ −０，５ｐｓｃｃとなる。デユーティ比
５０％のＩ Ｇｂ／ＳＲＺ光信号が照射きれているとす
る。正孔の寿命は周期ｉ ｎ５ｅｃに比べればノツチで
のトラップ効果によって十分長くすることができる。
は上がらない。その様子を示したのが第３図である。同
図で（ａ）は従来の利得の低いＰＣＤ、（ｂ）と（ｃ）
は本発明によるＰＣＤの応答波形を模式的に表わしたも
のである。（ｂ）と（ｃ）はＤＣ利得は同じであるが、
電子の走行時間は異なり、（Ｃ）の方が短かい。これか
ら分かるように実効的に高い利得を得るためには、出来
るだけ走行時間を短かくするような構造が望ましい。Ｖ
、＝ ２ Ｘ１０’ｃｍ／Ｓとすると０４Ｐｒｎｃｙ）
厚さのアンドープ、１を走行するのに電子が要する時間
はＴ ｒ ｒ −０，５ｐｓｃｃとなる。デユーティ比
５０％のＩ Ｇｂ／ＳＲＺ光信号が照射きれているとす
る。正孔の寿命は周期ｉ ｎ５ｅｃに比べればノツチで
のトラップ効果によって十分長くすることができる。
したがって得られる最大利得はＧ ｍ Ｏ，５ｎｓｅｃ
１０、５ｐｓｅｃ驕１０００となる。ｐ型領域２４の間
隔は５ｐであり光がＯＦＦになった瞬間に第３図に示し
た様なタイミングで負電圧をかければ０．５ｎｓｅｃ以
内に正孔を掃き出し、次のビットとの符号量干渉をなく
することができる。
１０、５ｐｓｅｃ驕１０００となる。ｐ型領域２４の間
隔は５ｐであり光がＯＦＦになった瞬間に第３図に示し
た様なタイミングで負電圧をかければ０．５ｎｓｅｃ以
内に正孔を掃き出し、次のビットとの符号量干渉をなく
することができる。
第４図は本発明による他の実施例の断面構造を示す図で
ある。吸収効率を上げるために半絶縁性ＩｎＰ基板４０
の上に第１ＰＣＤ届４１、第２ＰＣＤＪ！Ｊ４２）・・
・、第１０ＰＣＤ層５０が形成きれている。５１は正孔
引き出し用のｐ型領域である。各々のＰＣＤ層はｎ −
Ｉｎｓ、 １ｌｊｃａ＠、 ４ｙＡ５ （Ｈｍ ５ Ｘ
ＩＱ”ａｍ−” ）層の間に、５０人のアンドープＩ
ｎＰ層ｎ −Ｉ Ｘｌ０１′ｃＩＴｌ−”とアンドープ
Ｉｎｏ、５Ｇａｏ、ａｙＡｓ届（ｎ ＝ Ｉ ＸＩＯ”
Ｃｍ−”）が交互に計１０７Ｉ形成されている。電圧は
交互に＋ｖ１０、＋Ｖ、Ｏ２・・・とかけて使用する。
ある。吸収効率を上げるために半絶縁性ＩｎＰ基板４０
の上に第１ＰＣＤ届４１、第２ＰＣＤＪ！Ｊ４２）・・
・、第１０ＰＣＤ層５０が形成きれている。５１は正孔
引き出し用のｐ型領域である。各々のＰＣＤ層はｎ −
Ｉｎｓ、 １ｌｊｃａ＠、 ４ｙＡ５ （Ｈｍ ５ Ｘ
ＩＱ”ａｍ−” ）層の間に、５０人のアンドープＩ
ｎＰ層ｎ −Ｉ Ｘｌ０１′ｃＩＴｌ−”とアンドープ
Ｉｎｏ、５Ｇａｏ、ａｙＡｓ届（ｎ ＝ Ｉ ＸＩＯ”
Ｃｍ−”）が交互に計１０７Ｉ形成されている。電圧は
交互に＋ｖ１０、＋Ｖ、Ｏ２・・・とかけて使用する。
第５図は、その条件で計算した受信感度を示す図である
。全容量Ｇは１．ＯｐＦ、後段のＧａＡｓＦＥＴはｇｍ
−４０ｍ５． Ｐ ＣＤの抵抗Ｒ６は４００Ω、又負荷
抵抗ＲＬは１にΩとして求めである。同図に於いて、（
ａ）はＡＰＤ、（ｂ）はＰＩＮフ才）−ダイオード、（
Ｃ）は第５図に示した従来のＰＣＤ、（ｄ）は第４図実
施例のＰＣＤそれぞれの受信感度を示す特性線である。
。全容量Ｇは１．ＯｐＦ、後段のＧａＡｓＦＥＴはｇｍ
−４０ｍ５． Ｐ ＣＤの抵抗Ｒ６は４００Ω、又負荷
抵抗ＲＬは１にΩとして求めである。同図に於いて、（
ａ）はＡＰＤ、（ｂ）はＰＩＮフ才）−ダイオード、（
Ｃ）は第５図に示した従来のＰＣＤ、（ｄ）は第４図実
施例のＰＣＤそれぞれの受信感度を示す特性線である。
ＰＣＤで発生する熱雑音が低域の１／ｆＸｔ音と等しく
なる周波数は（Ｃ）、（ｄ）の計算で１００Ｍ）１２と
仮定しである。従来例に比べて利得が大きい分だけ感度
の改善が可能となる。
なる周波数は（Ｃ）、（ｄ）の計算で１００Ｍ）１２と
仮定しである。従来例に比べて利得が大きい分だけ感度
の改善が可能となる。
（発明の効果）
以上に詳しく説明したように、本発明によれば、利得お
よび感度が高いＰＣＤが提供できる。
よび感度が高いＰＣＤが提供できる。
第１図は本発明の原理を示すバンド図、第２図は本発明
の一実施例の断面構造を示す図、第３図はＰＣＤの利得
と時間の関係を示す特性図、第４図は本発明の別の実施
例の断面構造を示す図、第５図は計算して求めた各種ダ
イオードの受信感度図、第６図は従来のＰＣＤの断面構
造を示す図゛である。 これら図において、２１はｎ型ＩｎＰ基板、２２はアン
ドープＩｎＰ珊、２３及び５２はアンドープＩｎｏ 、
ｓ ｊＧａｏ、４ｙＡ９層、２４及び５１はｐ型領域
、４０及び５１は半絶縁性ＩｎＰ基板、２５ 、２６
、２７及び５３は電極、２８は正孔掃き出し用Ｍ、源、
４１は第１ＰＣＤＪ！、４２は第２ＰＣＤ層、・・・、
５０は第１０ＰＣＤ層である。
の一実施例の断面構造を示す図、第３図はＰＣＤの利得
と時間の関係を示す特性図、第４図は本発明の別の実施
例の断面構造を示す図、第５図は計算して求めた各種ダ
イオードの受信感度図、第６図は従来のＰＣＤの断面構
造を示す図゛である。 これら図において、２１はｎ型ＩｎＰ基板、２２はアン
ドープＩｎＰ珊、２３及び５２はアンドープＩｎｏ 、
ｓ ｊＧａｏ、４ｙＡ９層、２４及び５１はｐ型領域
、４０及び５１は半絶縁性ＩｎＰ基板、２５ 、２６
、２７及び５３は電極、２８は正孔掃き出し用Ｍ、源、
４１は第１ＰＣＤＪ！、４２は第２ＰＣＤ層、・・・、
５０は第１０ＰＣＤ層である。
Claims (2)
- （１）半導体基板の上に禁制帯幅が異なる複数のｎ型半
導体層を形成してなり、これらのｎ型半導体層は層厚方
向に電圧を印加して光を照射したときに発生したキャリ
アのうち正孔のみが価電子帯に生じたバンド不連続によ
ってトラップされるバンド構造を有していることを特徴
とする光伝導型光検出器。 - （２）特許請求の範囲第１項記載の光伝導型光検出器に
於いて、トラップされた正孔を引き出すためのｐ型領域
が選択的に形成されていることを特徴とする光伝導型光
検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61221529A JPH0770751B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 光伝導型光検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61221529A JPH0770751B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 光伝導型光検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6377169A true JPS6377169A (ja) | 1988-04-07 |
| JPH0770751B2 JPH0770751B2 (ja) | 1995-07-31 |
Family
ID=16768144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61221529A Expired - Lifetime JPH0770751B2 (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 光伝導型光検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770751B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011528865A (ja) * | 2008-07-21 | 2011-11-24 | インヴィサージ テクノロジーズ インコーポレイテッド | 安定高感度光検出器のための材料、作製機器、および方法、それにより作製される画像センサ |
| US9691931B2 (en) | 2008-04-18 | 2017-06-27 | Invisage Technologies, Inc. | Materials, fabrication equipment, and methods for stable, sensitive photodetectors and image sensors made therefrom |
| US9735384B2 (en) | 2007-04-18 | 2017-08-15 | Invisage Technologies, Inc. | Photodetectors and photovoltaics based on semiconductor nanocrystals |
| US9871160B2 (en) | 2007-04-18 | 2018-01-16 | Invisage Technologies, Inc. | Materials, systems and methods for optoelectronic devices |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61115356A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-02 | Hamamatsu Photonics Kk | 光検出素子 |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP61221529A patent/JPH0770751B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61115356A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-02 | Hamamatsu Photonics Kk | 光検出素子 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9735384B2 (en) | 2007-04-18 | 2017-08-15 | Invisage Technologies, Inc. | Photodetectors and photovoltaics based on semiconductor nanocrystals |
| US9871160B2 (en) | 2007-04-18 | 2018-01-16 | Invisage Technologies, Inc. | Materials, systems and methods for optoelectronic devices |
| US9691931B2 (en) | 2008-04-18 | 2017-06-27 | Invisage Technologies, Inc. | Materials, fabrication equipment, and methods for stable, sensitive photodetectors and image sensors made therefrom |
| JP2011528865A (ja) * | 2008-07-21 | 2011-11-24 | インヴィサージ テクノロジーズ インコーポレイテッド | 安定高感度光検出器のための材料、作製機器、および方法、それにより作製される画像センサ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0770751B2 (ja) | 1995-07-31 |
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