JPS6377008A - プラスチツク光フアイバ− - Google Patents
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- JPS6377008A JPS6377008A JP61222947A JP22294786A JPS6377008A JP S6377008 A JPS6377008 A JP S6377008A JP 61222947 A JP61222947 A JP 61222947A JP 22294786 A JP22294786 A JP 22294786A JP S6377008 A JPS6377008 A JP S6377008A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は接着作業が容易に行なえるプラスチツボネット
、ポリスチレン、ＡＳ樹脂、硬質塩化ビニル樹脂などの
透明プラスチックをコアとし、その上にクラッド層を被
覆しなプラスチック光ファイバーは、石英系ファイバー
に比較して、光の伝送損失は大きいが、柔軟性に優れ、
加工が容易であり、さらに光源として可視光を用いるこ
とから取り扱いが容易でかつコストが安いというメリッ
トがあり、短距離通信用あるいは照光用の光ファイバー
として大きな期待が寄せられている。
、ポリスチレン、ＡＳ樹脂、硬質塩化ビニル樹脂などの
透明プラスチックをコアとし、その上にクラッド層を被
覆しなプラスチック光ファイバーは、石英系ファイバー
に比較して、光の伝送損失は大きいが、柔軟性に優れ、
加工が容易であり、さらに光源として可視光を用いるこ
とから取り扱いが容易でかつコストが安いというメリッ
トがあり、短距離通信用あるいは照光用の光ファイバー
として大きな期待が寄せられている。
現在、プラスチック光ファイバーのクラッド材料として
は、特に可視光に対する屈折率の点から含フッ素系の樹
脂が一般によく用いられている。
は、特に可視光に対する屈折率の点から含フッ素系の樹
脂が一般によく用いられている。
具体的にはポリフッ化ビニリデン、フッ化ビニリデンと
四フッ化エチレンあるいは六フッ化プロピレンの共重合
体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレ
ン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン−エチ
レン共ｔ 合体（Ｅ Ｔ Ｆ Ｅ ）などの材料が挙げ
られる。
四フッ化エチレンあるいは六フッ化プロピレンの共重合
体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレ
ン共重合体（ＦＥＰ）、テトラフルオロエチレン−エチ
レン共ｔ 合体（Ｅ Ｔ Ｆ Ｅ ）などの材料が挙げ
られる。
プラスチック光ファイバーの製造方法としては生産性と
製造コストの点から熔融共押出法が通常採用されており
、この熔融共押出法を用いたプラスチック光ファイバー
の製造では、コアとの同時押出加工性の点からクラッド
材料としてポリフッ化ビニリデンあるいはフッ化ビニリ
デンの共重合体が用いられることが多い。
製造コストの点から熔融共押出法が通常採用されており
、この熔融共押出法を用いたプラスチック光ファイバー
の製造では、コアとの同時押出加工性の点からクラッド
材料としてポリフッ化ビニリデンあるいはフッ化ビニリ
デンの共重合体が用いられることが多い。
ポリフッ化ビニリデン系の材料は上記のように押出加工
性が優れるという特徴はあるが、耐薬品性が悪いという
大きな問題があり、特にケトン系、エステル系の溶剤に
対しては容器に溶解してしまうという欠点があった。
性が優れるという特徴はあるが、耐薬品性が悪いという
大きな問題があり、特にケトン系、エステル系の溶剤に
対しては容器に溶解してしまうという欠点があった。
一般の接着剤中には上記のケトン系、エステル系の溶剤
が多量に含まれているためにポリフッ化ビニリデン系の
材料をクラッドに用いたプラスチック光ファイバーは接
着剤を使用するとクラッド層が溶解するという問題があ
った。
が多量に含まれているためにポリフッ化ビニリデン系の
材料をクラッドに用いたプラスチック光ファイバーは接
着剤を使用するとクラッド層が溶解するという問題があ
った。
このポリフッ化ビニリデン系樹脂クラッドの耐薬品性の
改良の目的で電離放射線の照射や化学架橋などの方法で
、樹脂に架橋構造をもたせるなどの工夫が種々検討され
ている。
改良の目的で電離放射線の照射や化学架橋などの方法で
、樹脂に架橋構造をもたせるなどの工夫が種々検討され
ている。
しかし、ポリフッ化ビニリデン系の樹脂を例えば電離放
射線の照射によって架橋しようとする場合、ポリフッ化
ビニリデン系の樹脂単独では一般に電離放射線を照射し
ても架橋は起こらないことが多く、通常、分子内に不飽
和結合を複数個有する有機化合物たとえば、トリアクリ
ルホルマール、トリメチロールプロパントリメタクリレ
ート、トリアリルイソシアヌレートなどの有機化合物を
添加し照射架橋が行なわれる。ところがこれらの分子内
に不飽和結合を複数個有する有機化合物は、屈折率が１
．５０前後あるいはそれ以上と高く、またポリフッ化ビ
ニリデン系樹脂を効率良く架橋するためには、ポリフッ
化ビニリデン系樹脂１００ 重量部に対し５〜２５重量
部添加が必要な場合が多いために架橋によってクラッド
材料の屈折率がコア材料の屈折率に接近してしまい、開
口率が低下し、さらにはプラスチック光ファイバーの光
伝送損失量を増大をさせてしまうという問題があった。
射線の照射によって架橋しようとする場合、ポリフッ化
ビニリデン系の樹脂単独では一般に電離放射線を照射し
ても架橋は起こらないことが多く、通常、分子内に不飽
和結合を複数個有する有機化合物たとえば、トリアクリ
ルホルマール、トリメチロールプロパントリメタクリレ
ート、トリアリルイソシアヌレートなどの有機化合物を
添加し照射架橋が行なわれる。ところがこれらの分子内
に不飽和結合を複数個有する有機化合物は、屈折率が１
．５０前後あるいはそれ以上と高く、またポリフッ化ビ
ニリデン系樹脂を効率良く架橋するためには、ポリフッ
化ビニリデン系樹脂１００ 重量部に対し５〜２５重量
部添加が必要な場合が多いために架橋によってクラッド
材料の屈折率がコア材料の屈折率に接近してしまい、開
口率が低下し、さらにはプラスチック光ファイバーの光
伝送損失量を増大をさせてしまうという問題があった。
一方、化学架橋によりポリフッ化ビニリデン系樹脂を架
橋させる場合にはジクミルパーオキシド（ＤＣＰ’）な
どを微量添加した後、加熱処理によって架橋反応を進行
せしめる方法が一般的である。
橋させる場合にはジクミルパーオキシド（ＤＣＰ’）な
どを微量添加した後、加熱処理によって架橋反応を進行
せしめる方法が一般的である。
しかし、この場合の反応温度は一般には１４０〜１６０
度程度であるため、ポリメチルメタクリレート、ポリス
チレンなどをコア材料に用いたプラスチック光ファイバ
ーの場合には形状保持が困難となり、ＤＣＰ添加量は微
量で良いためクラッドの屈折率の増加の問題は免れるが
、実際にはプラスチック光ファイバーの製造に容易に応
用することができない。
度程度であるため、ポリメチルメタクリレート、ポリス
チレンなどをコア材料に用いたプラスチック光ファイバ
ーの場合には形状保持が困難となり、ＤＣＰ添加量は微
量で良いためクラッドの屈折率の増加の問題は免れるが
、実際にはプラスチック光ファイバーの製造に容易に応
用することができない。
本発明は、熔融共押出法によるプラスチック光ファイバ
ーのクラッド材料としてよく用いられるポリフッ化ビニ
リデン或はフッ化ビニリデンと四フッ化エチレンもしく
は六フッ化プロピレンの共重合体の架橋方法として、こ
れらのポリフッ化ビニリデン系樹脂中に分子内に複数個
のビニル結合を有する有機ケイ素化合物を混合し電離放
射線の照射により架橋せしめ、材料の屈折率を高（する
ことなく耐薬品性の優れたクラッド材料を用いたプラス
チック光ファイバーを提供するものである。
ーのクラッド材料としてよく用いられるポリフッ化ビニ
リデン或はフッ化ビニリデンと四フッ化エチレンもしく
は六フッ化プロピレンの共重合体の架橋方法として、こ
れらのポリフッ化ビニリデン系樹脂中に分子内に複数個
のビニル結合を有する有機ケイ素化合物を混合し電離放
射線の照射により架橋せしめ、材料の屈折率を高（する
ことなく耐薬品性の優れたクラッド材料を用いたプラス
チック光ファイバーを提供するものである。
ポリフッ化ビニリデン系樹脂に架橋構造を持たせるため
の分子内に複数個のビニル結合を有する有機ケイ素化合
物としては、具体的には、ジビニルジメチルシラン、１
，３−ジビニル１，１，３゜３−テトラメチルジシロキ
サンのようなジビニルシラン系、ジビニルシロキサン系
化合物などの低分子有機ケイ素化合物、メチルビニルポ
リシロキサンのような高分子有機ケイ素化合物などの使
用が可能であり、特にメチルビニルポリシロキサンの場
合には分子内のビニル結合分のモル分率を容易に可変で
き、これによって架橋したポリフッ化ビニリデン系樹脂
の物性制御が容易に行なえる。
の分子内に複数個のビニル結合を有する有機ケイ素化合
物としては、具体的には、ジビニルジメチルシラン、１
，３−ジビニル１，１，３゜３−テトラメチルジシロキ
サンのようなジビニルシラン系、ジビニルシロキサン系
化合物などの低分子有機ケイ素化合物、メチルビニルポ
リシロキサンのような高分子有機ケイ素化合物などの使
用が可能であり、特にメチルビニルポリシロキサンの場
合には分子内のビニル結合分のモル分率を容易に可変で
き、これによって架橋したポリフッ化ビニリデン系樹脂
の物性制御が容易に行なえる。
上記の有機ケイ素化合物の多くは、屈折率が高くとも１
．４１であり、ポリフッ化ビニリデン系樹脂が一般に１
．４０以下であるので架橋効率を上げるため有機ケイ素
化合物の添加量を増加せしめても屈折率の相対的な増加
は殆どなく、プラスチック光ファイバーのコア材料であ
るアクリレート系、メタクリレート系、ポリスチレン系
材料の屈折率が１．５０前後であることを考えると屈折
率の増加はほぼ無視でき、従来法で問題となっていた架
橋のために光伝送損失量の増大が余儀なくされる問題を
排除することができる。
．４１であり、ポリフッ化ビニリデン系樹脂が一般に１
．４０以下であるので架橋効率を上げるため有機ケイ素
化合物の添加量を増加せしめても屈折率の相対的な増加
は殆どなく、プラスチック光ファイバーのコア材料であ
るアクリレート系、メタクリレート系、ポリスチレン系
材料の屈折率が１．５０前後であることを考えると屈折
率の増加はほぼ無視でき、従来法で問題となっていた架
橋のために光伝送損失量の増大が余儀なくされる問題を
排除することができる。
本発明に適用可能な電離放射線の種類としてはλ
紫外線、ガンマ線、電子ｆ（ｍ （ベータ線）などの線
源が使用可能であるが、工業的利用の場合には、電子線
の利用が生産効率の点から望ましい方法である。
源が使用可能であるが、工業的利用の場合には、電子線
の利用が生産効率の点から望ましい方法である。
実施例１
コア材料にポリメチルメタクリレート（数平均分子量６
，８万）、クラッド材料にフッ化ビニリデンと四フッ化
エチレンの共重合体（四フッ化エチレンのモル分率４％
、ＭＩ値（１８０°Ｃ）＝５．５）１００重量部に対し
、メチルビニル系ポリシロキサン（数平均分子量４０万
、ビニル化率０．５モル％ン２０重量部をロール混合し
た材料を用いて、熔融共押出法でコア径が０．６Ｍψ、
クラッド肉厚０、１ ｍｍとなるようにコアとクラッド
を一体成形した後、電子線（加速電圧２５０ＫＶ）を２
４Ｍｒａｄ 照射してクラッド層を照射架橋しプラス
チック光ファイバーを得た。
，８万）、クラッド材料にフッ化ビニリデンと四フッ化
エチレンの共重合体（四フッ化エチレンのモル分率４％
、ＭＩ値（１８０°Ｃ）＝５．５）１００重量部に対し
、メチルビニル系ポリシロキサン（数平均分子量４０万
、ビニル化率０．５モル％ン２０重量部をロール混合し
た材料を用いて、熔融共押出法でコア径が０．６Ｍψ、
クラッド肉厚０、１ ｍｍとなるようにコアとクラッド
を一体成形した後、電子線（加速電圧２５０ＫＶ）を２
４Ｍｒａｄ 照射してクラッド層を照射架橋しプラス
チック光ファイバーを得た。
このプラスチック光ファイバーのクラッド層の平均屈折
率は１．３９、ゲル分率は７６％で、光伝送損失は波長
６５０ｎｍで３２０ ’、ｄＢ／ｋｍであった。また、
このプラスチック光ファイバーは２５°Ｃのメチルエチ
ルケトン中に１０分間浸漬後モクラツドの溶解、膨潤は
全く見られず耐薬品性に優れたものであった。
率は１．３９、ゲル分率は７６％で、光伝送損失は波長
６５０ｎｍで３２０ ’、ｄＢ／ｋｍであった。また、
このプラスチック光ファイバーは２５°Ｃのメチルエチ
ルケトン中に１０分間浸漬後モクラツドの溶解、膨潤は
全く見られず耐薬品性に優れたものであった。
実施例２
コア材料にポリｎ−ブチルメタクリレート（数平均分子
量７，５万）、クラッド材料にフッ化ビニリデンと六フ
ッ化プロピレンの共重合体（六フッ化プロピレンのモル
分率６％、ＭＩ値（１８０°Ｃ）＝３．２）１００重量
部に対し、１，３−ジビニル１．１，３，３−テトラメ
チルジシロキサン１０重量部をロール混合した材料を用
いて、熔融共押出法でコア径が０．７５ａｕｎψ、クラ
ッド肉厚０．１５ｍｍ となるようにコアとクラッドを
一体成形した後、電子線（加速電圧３００ＫＶ）を１８
Ｍｒａｄ照射してクランド層を照射架橋しプラスチック
光ファイバーを得た。
量７，５万）、クラッド材料にフッ化ビニリデンと六フ
ッ化プロピレンの共重合体（六フッ化プロピレンのモル
分率６％、ＭＩ値（１８０°Ｃ）＝３．２）１００重量
部に対し、１，３−ジビニル１．１，３，３−テトラメ
チルジシロキサン１０重量部をロール混合した材料を用
いて、熔融共押出法でコア径が０．７５ａｕｎψ、クラ
ッド肉厚０．１５ｍｍ となるようにコアとクラッドを
一体成形した後、電子線（加速電圧３００ＫＶ）を１８
Ｍｒａｄ照射してクランド層を照射架橋しプラスチック
光ファイバーを得た。
このプラスチック光ファイバーのクラッド層の平均屈折
率は１．３９、ゲル分率は６８％で、光伝送損失は波長
６５０ ｎｍで２９０ｄＢ／ｋｍであった。また、この
プラスチック光ファイバーは２５°Ｃのメチルエチルケ
トン中に１０分間浸漬後モクラッドの溶解、膨潤は全く
見られず耐薬品性に優れたものであった。
率は１．３９、ゲル分率は６８％で、光伝送損失は波長
６５０ ｎｍで２９０ｄＢ／ｋｍであった。また、この
プラスチック光ファイバーは２５°Ｃのメチルエチルケ
トン中に１０分間浸漬後モクラッドの溶解、膨潤は全く
見られず耐薬品性に優れたものであった。
実施例３
コア材料にポリｎ−ブチルメタクリレート（数平均分子
量５．７万）、クラッド材料にフッ化ビニリデンと四フ
ッ化エチレンの共重合体（四フッ化エチレンのモル分率
５％、ＭＩ値（１２０°Ｃ）＝５．５）１００重量部に
対し、メチルビニル系ポリシロキサン（数平均分子量４
０万、ビニル化率２．５モル％）１０重量部をロール混
合した材料を用いて、熔融共押出法でコア径が０．８
ｍｍψ、クラッド肉厚０．２５ｍｍ となるようにコ
アとクラッドを一体成形した後、電子線（加速電圧４０
０ＫＶ）を１２Ｍｒａｄ照射してクラッド層を照射架橋
しプラスチック光ファイバーを得た。
量５．７万）、クラッド材料にフッ化ビニリデンと四フ
ッ化エチレンの共重合体（四フッ化エチレンのモル分率
５％、ＭＩ値（１２０°Ｃ）＝５．５）１００重量部に
対し、メチルビニル系ポリシロキサン（数平均分子量４
０万、ビニル化率２．５モル％）１０重量部をロール混
合した材料を用いて、熔融共押出法でコア径が０．８
ｍｍψ、クラッド肉厚０．２５ｍｍ となるようにコ
アとクラッドを一体成形した後、電子線（加速電圧４０
０ＫＶ）を１２Ｍｒａｄ照射してクラッド層を照射架橋
しプラスチック光ファイバーを得た。
このプラスチック光ファイバーのクラッド層の平均屈折
率は１．４０、ゲル分率は８７％で、光伝送損失は波長
６５０ ｎｍで３６０ ｄ Ｂ／ｋｍであった。また、
このプラスチック光ファイバーは２５°Ｃのメチルエチ
ルケトン中に１０分間浸漬後モクラノドの溶解、膨潤は
全く見られず耐薬品性に優れたものであった。
率は１．４０、ゲル分率は８７％で、光伝送損失は波長
６５０ ｎｍで３６０ ｄ Ｂ／ｋｍであった。また、
このプラスチック光ファイバーは２５°Ｃのメチルエチ
ルケトン中に１０分間浸漬後モクラノドの溶解、膨潤は
全く見られず耐薬品性に優れたものであった。
比較例１
コア材料にポリメチルメタクリレート（数平均分子量６
，８万）、クラッド材料にフッ化ビニリデンと四フッ化
エチレンの共重合体（四フッ化エチレンのモル分率４％
、ＭＩ値（１８０°Ｃ）＝５．５）を用いて、熔融共押
出法でコア径が０．６ ｍｍψ、 クラッド肉厚０．１
ｍｍとなるようにコアとクラッドを一体成形しプラス
チック光ファイバーを得た。
，８万）、クラッド材料にフッ化ビニリデンと四フッ化
エチレンの共重合体（四フッ化エチレンのモル分率４％
、ＭＩ値（１８０°Ｃ）＝５．５）を用いて、熔融共押
出法でコア径が０．６ ｍｍψ、 クラッド肉厚０．１
ｍｍとなるようにコアとクラッドを一体成形しプラス
チック光ファイバーを得た。
このプラスチック光ファイバーは２５°Ｃのメチルエチ
ルケトン中に１０分間浸漬するとクラッドの溶解が見ら
れ、一部コアのポリメチルメククリレートも溶解してい
るのが見られた。
ルケトン中に１０分間浸漬するとクラッドの溶解が見ら
れ、一部コアのポリメチルメククリレートも溶解してい
るのが見られた。
比較例２
コア材料にポリメチルメタクリレート（数平均分子量６
．８万）、クラッド材料にフッ化ビニリデンと四フッ化
エチレンの共重合体（四フッ化エチレンのモル分率４％
、ＭＩ値（１８０°Ｃ）−５，５）１００１３部に対し
、トリメチロールプロパントリメタクリレート２５重量
部をロール混合した材料を用いて、熔融共押出法でコア
径が０．６ ＋ｎｍψ、クラッド肉厚０．１ ｍｍとな
るようにコアとクラッドを一体成形した後、電子線（加
速電圧２５０ＫＶ）を２４Ｍｒａｄ 照射してクラッ
ド層を照射架橋しプラスチック光フアイバーヲ得り。
．８万）、クラッド材料にフッ化ビニリデンと四フッ化
エチレンの共重合体（四フッ化エチレンのモル分率４％
、ＭＩ値（１８０°Ｃ）−５，５）１００１３部に対し
、トリメチロールプロパントリメタクリレート２５重量
部をロール混合した材料を用いて、熔融共押出法でコア
径が０．６ ＋ｎｍψ、クラッド肉厚０．１ ｍｍとな
るようにコアとクラッドを一体成形した後、電子線（加
速電圧２５０ＫＶ）を２４Ｍｒａｄ 照射してクラッ
ド層を照射架橋しプラスチック光フアイバーヲ得り。
このプラスチック光ファイバーのクラッド層の平均屈折
率は１．４４、 ゲル分率は７８％で２５℃のメチルエ
チルケトン中に１０分間浸漬後もクラッドの溶解、膨潤
は全く見られず耐薬品性に優れたものであったが、光伝
送損失は波長６５０ ｎｍで１２６０ｄＢ／ｋｍ と
伝送損失値は高かった。
率は１．４４、 ゲル分率は７８％で２５℃のメチルエ
チルケトン中に１０分間浸漬後もクラッドの溶解、膨潤
は全く見られず耐薬品性に優れたものであったが、光伝
送損失は波長６５０ ｎｍで１２６０ｄＢ／ｋｍ と
伝送損失値は高かった。
以上説明したように本発明によれば、クラッドの屈折率
を増加させずに、クラッド層の架橋ができるので低光伝
送損失で耐薬品性の良いプラスチック光ファイバーが得
られ、プラスチック光フアイバ一応用分野での利用価値
は非常に高い。
を増加させずに、クラッド層の架橋ができるので低光伝
送損失で耐薬品性の良いプラスチック光ファイバーが得
られ、プラスチック光フアイバ一応用分野での利用価値
は非常に高い。
代理人 弁理士 上 代 哲 司
（−・ζ−：；
１・ん、Ｌｒ
Claims (1)
- （１）コアとその上に設けられたクラッド層からなるプ
ラスチック光ファイバーにおいて、前記クラッド層にポ
リフッ化ビニリデンあるいはポリフッ化ビニリデンと四
フッ化エチレンもしくは六フッ化プロピレンの共重合体
に分子内に複数個のビニル結合を有する有機ケイ素化合
物を混合した材料を用い、当該クラッド層を電離放射線
の照射により架橋せしめたことを特徴とするプラスチッ
ク光ファイバー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61222947A JPS6377008A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | プラスチツク光フアイバ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61222947A JPS6377008A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | プラスチツク光フアイバ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6377008A true JPS6377008A (ja) | 1988-04-07 |
Family
ID=16790367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61222947A Pending JPS6377008A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | プラスチツク光フアイバ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6377008A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0340555A2 (de) * | 1988-04-28 | 1989-11-08 | Hoechst Aktiengesellschaft | Lichtwellenleiter |
| JPH02146004A (ja) * | 1988-04-28 | 1990-06-05 | Hoechst Ag | 光導波路 |
| WO2007060914A1 (ja) * | 2005-11-22 | 2007-05-31 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | 光伝送体 |
| JP2007171894A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-07-05 | Sekisui Chem Co Ltd | 光伝送体 |
-
1986
- 1986-09-19 JP JP61222947A patent/JPS6377008A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0340555A2 (de) * | 1988-04-28 | 1989-11-08 | Hoechst Aktiengesellschaft | Lichtwellenleiter |
| JPH02146004A (ja) * | 1988-04-28 | 1990-06-05 | Hoechst Ag | 光導波路 |
| WO2007060914A1 (ja) * | 2005-11-22 | 2007-05-31 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | 光伝送体 |
| JP2007171894A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-07-05 | Sekisui Chem Co Ltd | 光伝送体 |
| JP4589890B2 (ja) * | 2005-11-22 | 2010-12-01 | 積水化学工業株式会社 | 光伝送体 |
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