JPS6376114A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS6376114A JPS6376114A JP22127086A JP22127086A JPS6376114A JP S6376114 A JPS6376114 A JP S6376114A JP 22127086 A JP22127086 A JP 22127086A JP 22127086 A JP22127086 A JP 22127086A JP S6376114 A JPS6376114 A JP S6376114A
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
本発明は磁気ディスク装置等に用いられるガードバンド
を存する磁気記録媒体の製造方法において、窒素を含む
Ｃｏ−Ｎｉからなる合金膜を、非る■性基板上に窒素ガ
スを含むアルゴンガス雰囲気中で反応性スパッタリング
法により形成した後、該合金膜のトラックとなるべき領
域にレーザアニールを施してそのトラック部分を選択的
に磁性体化し、磁性体化したそのトラック間を非磁性な
ガードバンドとすることにより、サイドクロストークを
防止した高トラツク密度の磁気記録媒体を容易に得るよ
うにしたものである。
を存する磁気記録媒体の製造方法において、窒素を含む
Ｃｏ−Ｎｉからなる合金膜を、非る■性基板上に窒素ガ
スを含むアルゴンガス雰囲気中で反応性スパッタリング
法により形成した後、該合金膜のトラックとなるべき領
域にレーザアニールを施してそのトラック部分を選択的
に磁性体化し、磁性体化したそのトラック間を非磁性な
ガードバンドとすることにより、サイドクロストークを
防止した高トラツク密度の磁気記録媒体を容易に得るよ
うにしたものである。
本発明は磁気ディスク装置等において磁気記録・再生に
用いられる磁気記録媒体の製造方法に係り、特に再生特
性の良好な磁気記録媒体の製造方法に関するものである
。
用いられる磁気記録媒体の製造方法に係り、特に再生特
性の良好な磁気記録媒体の製造方法に関するものである
。
近来、磁気ディスク装置においては小型、高速、大容量
化が要求され、これに伴って磁気記録媒体のトラック密
度は益々高められる傾向にある。このため、狭トラツク
化に対応して隣接するトラック間の間隔も狭められ、情
報再生時に隣接トラソりの信号も雑音として再生される
所謂サイドクロストークが発生し易くなることから、高
密度なトラックに対する再生時にサイドクロストークが
生じない磁気記録媒体を容易に実現できる製造方法が要
望されている。
化が要求され、これに伴って磁気記録媒体のトラック密
度は益々高められる傾向にある。このため、狭トラツク
化に対応して隣接するトラック間の間隔も狭められ、情
報再生時に隣接トラソりの信号も雑音として再生される
所謂サイドクロストークが発生し易くなることから、高
密度なトラックに対する再生時にサイドクロストークが
生じない磁気記録媒体を容易に実現できる製造方法が要
望されている。
従来、サイドクロストークの発生を防止するガードバン
ドを有する磁気記録媒体を得る方法としては、■非磁性
基板上にＣｒ膜を被着し、該Ｃｒ膜をトラックパターン
にパターニングし、このＣｒ膜パターンが形成された基
板上に、例えばＣｏ−Ｎｉ合金膜を形成することにより
、前記Ｃｒ膜パターン上にＣｏ−Ｎｉ合金結晶のＣ軸方
向が膜面に平行に配向した磁性体膜からなるトラックと
、該Ｃｒ１ｌパターン以外の領域に前記Ｃｏ−Ｎｉ合金
結晶のＣ軸方向の配向性が悪く、磁性特性の劣る膜から
なるガードバンドを形成する方法、■或いは非磁性基板
上にαＦｅ２０３膜を形成した後、該α−Ｆｅ２０３膜
のトラックとなるべき領域以外の部分上に非磁性膜を設
けておき、該α−Ｆｅ２０３膜を還元・酸化熱処理し、
その後接非磁性膜を除去することにより、γ−Ｆｅ２Ｏ
３に変態した磁性体からなるトラック間に、非磁性膜で
マスクされていたα−Ｆｅ２０３のままの非磁性なガー
ドバンドを設ける方法が試みられている。
ドを有する磁気記録媒体を得る方法としては、■非磁性
基板上にＣｒ膜を被着し、該Ｃｒ膜をトラックパターン
にパターニングし、このＣｒ膜パターンが形成された基
板上に、例えばＣｏ−Ｎｉ合金膜を形成することにより
、前記Ｃｒ膜パターン上にＣｏ−Ｎｉ合金結晶のＣ軸方
向が膜面に平行に配向した磁性体膜からなるトラックと
、該Ｃｒ１ｌパターン以外の領域に前記Ｃｏ−Ｎｉ合金
結晶のＣ軸方向の配向性が悪く、磁性特性の劣る膜から
なるガードバンドを形成する方法、■或いは非磁性基板
上にαＦｅ２０３膜を形成した後、該α−Ｆｅ２０３膜
のトラックとなるべき領域以外の部分上に非磁性膜を設
けておき、該α−Ｆｅ２０３膜を還元・酸化熱処理し、
その後接非磁性膜を除去することにより、γ−Ｆｅ２Ｏ
３に変態した磁性体からなるトラック間に、非磁性膜で
マスクされていたα−Ｆｅ２０３のままの非磁性なガー
ドバンドを設ける方法が試みられている。
しかしながら、前者の■の方法ではトラックパターンに
パターニングされた後のＣｒ膜パターンの表面の活性度
が低下するためか、該Ｃｒ膜パターン上のアニールされ
たＣｏ−Ｎｉ合金結晶のＣ軸方向の配向性がばらついて
良好な磁性体膜からなるトラック領域が得られない欠点
があった。また後者の■の方法にあっては、α−Ｆｅ２
０３膜の還元・酸化熱処理において非磁性膜でマスクさ
れた領域のα−Ｆｅ２０３膜部分にもＨ２ガスや０２ガ
スが拡散されて、部分的にγ−Ｆｅ２０３膜に変態する
傾向がみられ、このような非磁性なガードバンドと磁性
体化されたトラックとの境界が不鮮明となり、サイドク
ロストークを防止する機能が低下するといった欠点があ
った。
パターニングされた後のＣｒ膜パターンの表面の活性度
が低下するためか、該Ｃｒ膜パターン上のアニールされ
たＣｏ−Ｎｉ合金結晶のＣ軸方向の配向性がばらついて
良好な磁性体膜からなるトラック領域が得られない欠点
があった。また後者の■の方法にあっては、α−Ｆｅ２
０３膜の還元・酸化熱処理において非磁性膜でマスクさ
れた領域のα−Ｆｅ２０３膜部分にもＨ２ガスや０２ガ
スが拡散されて、部分的にγ−Ｆｅ２０３膜に変態する
傾向がみられ、このような非磁性なガードバンドと磁性
体化されたトラックとの境界が不鮮明となり、サイドク
ロストークを防止する機能が低下するといった欠点があ
った。
本発明は上記のような従来の欠点に鑑み、レーザアニー
ル法を利用して、ディスク基板上に形成されたＣｏ−Ｎ
ｉ合金膜に選択的に磁性体からなるトラックと非磁性な
ガードバンド領域を容易に形成し得る新規な磁気記録媒
体の製造方法を提供することを目的とするものである。
ル法を利用して、ディスク基板上に形成されたＣｏ−Ｎ
ｉ合金膜に選択的に磁性体からなるトラックと非磁性な
ガードバンド領域を容易に形成し得る新規な磁気記録媒
体の製造方法を提供することを目的とするものである。
本発明は上記目的を達成するため、非磁性基板上に窒素
ガスを含むアルゴンガス雰囲気中で反応性スパッタリン
グ法により窒素を含むＣｏ−Ｎｉからなる合金膜を形成
し、その後、真空中で該合金膜のトラックとなるべき領
域にレーザ光の照射によるアニールを行って、その照射
部分のみを磁性体膜に変態させ、磁性体膜からなるトラ
ック間に、アニールを施さない非磁性なガードバンド領
域を設けた媒体構成とする。
ガスを含むアルゴンガス雰囲気中で反応性スパッタリン
グ法により窒素を含むＣｏ−Ｎｉからなる合金膜を形成
し、その後、真空中で該合金膜のトラックとなるべき領
域にレーザ光の照射によるアニールを行って、その照射
部分のみを磁性体膜に変態させ、磁性体膜からなるトラ
ック間に、アニールを施さない非磁性なガードバンド領
域を設けた媒体構成とする。
本発明の磁気記録媒体の製造方法では、窒素を含むＣｏ
−Ｎｉからなる合金膜のトラックとなるべき領域をレー
ザ光の照射によりアニールして磁性体化したトラックを
形成しているため、磁性体化されたトラックと非アニー
ル領域からなるガードバンドを高密度に構成したサイド
クロストークが防止される磁気記録媒体を容易に得るこ
とが可能となる。
−Ｎｉからなる合金膜のトラックとなるべき領域をレー
ザ光の照射によりアニールして磁性体化したトラックを
形成しているため、磁性体化されたトラックと非アニー
ル領域からなるガードバンドを高密度に構成したサイド
クロストークが防止される磁気記録媒体を容易に得るこ
とが可能となる。
以下図面を用いて本発明の実施例について詳細に説明す
る。
る。
第１図及び第２図は本発明に係る磁気記録媒体の製造方
法の一実施例を工程順に示す要部斜視図である。
法の一実施例を工程順に示す要部斜視図である。
先ず、第１図に示すように例えばアルマイト処理を施し
たアルミニウム板からなる非磁性基板ｌｌ上に、窒素ガ
スを流量比で１０％混入したアルゴンガス雰囲気中で、
Ｃｏが８０重景％とＮｉが２０重量％の合金ターゲット
を用い、かつスパッタ電カニ １ ｋｗ。
たアルミニウム板からなる非磁性基板ｌｌ上に、窒素ガ
スを流量比で１０％混入したアルゴンガス雰囲気中で、
Ｃｏが８０重景％とＮｉが２０重量％の合金ターゲット
を用い、かつスパッタ電カニ １ ｋｗ。
スパッタガス圧： ５９ｍＴｏｒｒの条件による反応性
スパッタリング法により窒素を含むＣｏ−Ｎｉ合金膜１
２を８００人の膜厚に形成する。
スパッタリング法により窒素を含むＣｏ−Ｎｉ合金膜１
２を８００人の膜厚に形成する。
次に第２図に示すように該窒素を含むＣｏ−Ｎｉ合金膜
１２が形成された基板１１を２．ＯＸ １Ｏ−５Ｔｏｒ
ｒ以下の真空中で、例えば６００ｒｐｍの回転数で回転
して該Ｃｏ−Ｎｉ合金膜１２のトラックとなるべき領域
１３に、発振出力が１０ｍＷの半導体レーザからの出射
光を２５μ頂の径に絞ったレーザ光１４を５秒間照射し
てアニール処理を行う。
１２が形成された基板１１を２．ＯＸ １Ｏ−５Ｔｏｒ
ｒ以下の真空中で、例えば６００ｒｐｍの回転数で回転
して該Ｃｏ−Ｎｉ合金膜１２のトラックとなるべき領域
１３に、発振出力が１０ｍＷの半導体レーザからの出射
光を２５μ頂の径に絞ったレーザ光１４を５秒間照射し
てアニール処理を行う。
かくすれば、トラックとなるべき領域１３のみが磁性体
膜に変態され、このようなトラック１５間の非アニール
領域がガードバンド１６となる。
膜に変態され、このようなトラック１５間の非アニール
領域がガードバンド１６となる。
従って、磁性体化されたトラック１５と非アニール領域
からなるガードバンド１６を高密度に構成した磁気記録
媒体が容易に実現でき、高密度記録再生用の磁気ヘッド
の相対誤差によるクロストークの影響を解消することが
できる。
からなるガードバンド１６を高密度に構成した磁気記録
媒体が容易に実現でき、高密度記録再生用の磁気ヘッド
の相対誤差によるクロストークの影響を解消することが
できる。
該磁性体膜からなるトラック１５の磁気特性は、通常、
窒素を含むＣｏ−Ｎｉ合金膜を３００℃で３０分間アニ
ール処理を行った際の特性と何等遜色がなく、例えば保
磁力Ｈｃ ： ８５００ｅ、飽和磁束密度Ｂｓ ： ９
０００Ｇ、角形比Ｓ ： ０．８５．コアシブ・スクエ
アネスＳ＊： ０．８５の特性が得られた。
窒素を含むＣｏ−Ｎｉ合金膜を３００℃で３０分間アニ
ール処理を行った際の特性と何等遜色がなく、例えば保
磁力Ｈｃ ： ８５００ｅ、飽和磁束密度Ｂｓ ： ９
０００Ｇ、角形比Ｓ ： ０．８５．コアシブ・スクエ
アネスＳ＊： ０．８５の特性が得られた。
尚、一般に窒素を含むＣｏ−Ｎｉ合金膜を磁性体膜に変
態させるアニール条件としては、第３図に示すように２
７０℃で６０分間、または３００℃で３０分間以上の温
度及び時間により容易に実現できる実験結果から、レー
ザアニールの条件としても上記したアニール条件に限定
されることなく、種々変化させて実施できることは言う
までもない。図中の鎖線は磁性体化の臨界アニール条件
（温度、時間）を示し、Ｘ印は非磁性なアニール条件、
Ｏ印は磁性体化されるアニール条件を示す。
態させるアニール条件としては、第３図に示すように２
７０℃で６０分間、または３００℃で３０分間以上の温
度及び時間により容易に実現できる実験結果から、レー
ザアニールの条件としても上記したアニール条件に限定
されることなく、種々変化させて実施できることは言う
までもない。図中の鎖線は磁性体化の臨界アニール条件
（温度、時間）を示し、Ｘ印は非磁性なアニール条件、
Ｏ印は磁性体化されるアニール条件を示す。
また以上の実施例ではレーザアニールを真空中で行った
場合の例で説明したが、例えばアルゴン（Ａｒ）などの
不活性ガス、或いは水素（Ｈ２）などの還元性ガス雰囲
気中で行うようにしても良い。
場合の例で説明したが、例えばアルゴン（Ａｒ）などの
不活性ガス、或いは水素（Ｈ２）などの還元性ガス雰囲
気中で行うようにしても良い。
以上の説明から明らかなように、本発明に係る磁気記録
媒体の製造方法によれば、窒素を含むＣ。
媒体の製造方法によれば、窒素を含むＣ。
−Ｎｉ合金膜のトラックとなるべき領域をレーザ光の照
射により選択的にアニールして磁性体化したトラックを
形成することにより、該トラックと非アニール領域から
なるガードバンドを高密度に構成することができ、サイ
ドクロストークを防止した磁気記録媒体を容易に得るこ
とができる優れた利点を有する。
射により選択的にアニールして磁性体化したトラックを
形成することにより、該トラックと非アニール領域から
なるガードバンドを高密度に構成することができ、サイ
ドクロストークを防止した磁気記録媒体を容易に得るこ
とができる優れた利点を有する。
よって、ガードバンドを必要とする高トラツク密度の各
種磁気記録媒体の製造方法に適用して極めて有利である
。
種磁気記録媒体の製造方法に適用して極めて有利である
。
第１図及び第２図は本発明に係る磁気記録媒体の製造方
法の一実施例を工程順に示す 要部斜視図、 第３図はアニール条件（温度、時間）と磁性体化との関
係の説明図である。 第１図及び第２図において、 １１は非磁性基板、１２は窒素を含むＣｏ−Ｎｉ合金膜
、１３はトラックとなるべき領域、１４はレーザ光、１
５はトラック、１６はガードバンドをそれぞれ示す。 第１図 第２図 一一÷ ７二一ル５玉度と’Ｃ） 了二−ル不イ平ＹＺ並不士林化３σσｆ子Ｇσ第３図
法の一実施例を工程順に示す 要部斜視図、 第３図はアニール条件（温度、時間）と磁性体化との関
係の説明図である。 第１図及び第２図において、 １１は非磁性基板、１２は窒素を含むＣｏ−Ｎｉ合金膜
、１３はトラックとなるべき領域、１４はレーザ光、１
５はトラック、１６はガードバンドをそれぞれ示す。 第１図 第２図 一一÷ ７二一ル５玉度と’Ｃ） 了二−ル不イ平ＹＺ並不士林化３σσｆ子Ｇσ第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ガードバンド（１６）を有する磁気記録媒体を製造する
に際して、 窒素を含むＣｏ−Ｎｉからなる合金膜（１２）を、非磁
性基板（１１）上に窒素ガスを含むアルゴンガス雰囲気
中で反応性スパッタリング法により形成し、その後、該
合金膜（１２）のトラックとなるべき領域（１３）にレ
ーザアニールを施して、そのトラック部分を選択的に磁
性体化し、磁性体化したトラック（１５）間に非磁性な
ガードバンド（１６）を構成することを特徴とする磁気
記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22127086A JPS6376114A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22127086A JPS6376114A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6376114A true JPS6376114A (ja) | 1988-04-06 |
Family
ID=16764144
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22127086A Pending JPS6376114A (ja) | 1986-09-18 | 1986-09-18 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6376114A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5363251A (en) * | 1989-04-17 | 1994-11-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetic recorIding device |
-
1986
- 1986-09-18 JP JP22127086A patent/JPS6376114A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5363251A (en) * | 1989-04-17 | 1994-11-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetic recorIding device |
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