JPS637597A - メモリ回路 - Google Patents

メモリ回路

Info

Publication number
JPS637597A
JPS637597A JP61149969A JP14996986A JPS637597A JP S637597 A JPS637597 A JP S637597A JP 61149969 A JP61149969 A JP 61149969A JP 14996986 A JP14996986 A JP 14996986A JP S637597 A JPS637597 A JP S637597A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal
address
timer
circuit
reading
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61149969A
Other languages
English (en)
Inventor
Norihiko Iida
飯田 則彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP61149969A priority Critical patent/JPS637597A/ja
Publication of JPS637597A publication Critical patent/JPS637597A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はメモリ回路に関し、特にマイクロコンピュータ
に内蔵された不揮発性RAMの操作回路に関する。
従来の技術 最近、不揮発性RAMの技術が量産可能な迄に確立され
てきた。
不揮発性RAMをマイクロコンピュータで操作する場合
のブロック図の従来例を第2図に示す。
不揮発性RAM1はR/W (読み出し/書き込み)バ
ッファ2を介してデータバス6に接続している。
データバス6はまた、アドレスレジスタ4とアドレスデ
コーダ3を介して不揮発性RAMIに接続している。
書き込み/消去は次のようにして行う。バ・ノファ2に
はタイマー回路14からのタイマー信号5及びW/E/
R(書き込み/消去/読み出し)信号7が人力されて、
データバス6からバッファ2にデータが人力される。メ
モリの書き込み/消去時間はタイマー信号5によって制
御されると共にこのタイマー信号により現在書き込み/
消去中であることがわかるようになっている。−方デー
タバス6上から必要なアドレスがアドレスレジスタ4に
人力された後アドレスデコーダ3に送られ、このデコー
ダ3からの出力により不揮発性RA Mlのアドレス選
択が行われる。この指定されたアドレスにバッファ2の
データが書き込み/消去される。読み出しの場合もデー
タの流れが逆になるだけで同様の操作が行われる。
発明が解決しようとする問題点 不揮発性RAMは本質的に長い書き込み/消去時間(例
えばミIJ秒の単位)と、高速の読み出し時間(例えば
100ナノ秒前後)で動作する特性をもっている。
ところで、マイクロコンピュータのエマシンサイクルは
1マイクロ秒前後のものも十分可能な程にLSIの技術
は進歩して来ている。従って、マイクロコンピュータで
不揮発性RAMを操作する場合、マシンサイクルに対し
て長い書き込み/消去時間を要する為、この間不揮発性
RAMに対し欲しいデータのアクセスも出来ず不揮発性
RAMの使用効率を悪くしていた。
そこで本発明は、不揮発性RAMの書き込み/消去中に
も割り込み読み出しが可能な高使用効率のメモリ回路を
提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段 上記の目的をもつ本発明のメモリ回路は、不揮発性RA
Mと書き込み/消去時間を制御するタイマー回路とを少
なくとも備えたマイクロコンピュータに於いて、前記タ
イマー回路の基準クロック周波数を前記マイクロコンピ
ュータの1マシンサイクルと同一になるようにすると共
に、前記不揮発性RAMに書き込み中又は消去中でも割
り込み読み出しをする場合読み出し信号で前記タイマー
回路を制御できるようにして構成される。
実施例 以下に本発明について図面を参照して説明する。
第1図に本発明のメモリ回路のブロック図を示す。不揮
発性RAM1はR/Wバッファ2を介してデータバス6
に接続している。データバス6はまた、アドレスレジス
タ4とアドレスデコーダ3を介して不揮発性RAM 1
に接続している。アドレスレジスタ4は、書き込み/消
去中に読み出しを行うために用いるアドレスレジスタ4
bと通常のアドレスレジスタ4aに分かれている。これ
らアドレスレジスタ間の切り換えはレジスタ制御回路9
により行う。バッファ2はタイマー回路14からのタイ
マー信号5及びW / E / R信号7により制御さ
れるが、このクイマー回路14は、CPUのマシンサイ
クルクロック10と、レジスタ制御回路9からの信号の
アンドゲート8出力により制御される。
上記の回路における書き込み/消去は次のようにして行
われる。不揮発RAM1の書き込み/消去用タイマー信
号5はCPIJのマシンサイクルクロックをタイマー回
路14に人力することにより作られる。なお、このタイ
マー回路14はW/E (書き込み/消去)信号12に
より動作を開始する。このタイマー信号5に基づく信号
はアドレスデコーダ3、R/Wバッファ2に供給され、
不揮発RAM1は高電圧(vpp)を印加される。又こ
のタイマー信号に基づく信号は一方で書き込み/消去中
であることをテスト出来る様、レジスタ制御回路9から
アンドゲート8にフィードバックされる。
つまり不揮発性RAM 1が現在書き込み/読み出し中
であればフィードバック信号がアクティブとなる。この
信号はアンドゲート8に人力される際に反転されるから
、不揮発性RAM1に対し書き込み/消去の要求はしな
いように出来る。タイマー信号5及びW/E/R信号7
によりバッファ2にはデータバス6からデータが入力さ
れる。−方データバス6からは必要なアドレスがアドレ
スレジスタ4aに人力された後アドレスデコーダ3に送
られる。このアドレスデコーダ3からの出力により不揮
発性RAMIのアドレス選択が行われる。
この指定されたアドレスにバッファ2のデータが書き込
み/消去される。
一方読み出しは割り込みで実行出来る。この場合アドレ
スレジスタ4bを使用する。書き込み/消去中に読み出
したい時アドレスは前記の如くアドレスレジスタ4bに
セットされ割り込みが行なわれる。データの流れが書き
込み/消去の場合と逆になるだけで必要な操作は同じで
ある。この時、読み出し信号はタイマー用クロック10
を禁止する為書き込み/消去時間は読み出しで何回割り
込まれても影響を受けない。なぜなら読み出しサイクル
時間とタイマー回路14のクロックは同じ時間になるよ
うにタイマー用クロック10が使われている為である。
不揮発性RAMは書き込み/消去時間が一定でないとそ
のRAMの保持時間、メモリセルの劣化速度が異なって
くる為、前記の如く割り込みがあってもタイマー時間累
積が影響を受けない様にすることは極めて重要である。
以上に本発明の一実施例について述べたが本発明の構成
はマイクロコンビコータに内蔵した場合だけではなく、
不揮発性RAMだけで1チツプ化された場合にも同様で
ある。この場合タイマー回路と不揮発性RAMが1チツ
プ化されてもタイマー用クロックと読み出し用制御クロ
ックが同じであれば割り込み読み出しを行なうことが可
能である。
発明の詳細 な説明した様に本発明によるメモリ回路では、不揮発性
メモリの書き込み/消去中に割り込み読み出しが出来る
為、不揮発性メモリの使用効率を高くすることが可能で
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のメモリ回路のブロック図、第2図は従
来のメモリ回路のブロック図である。 (主な参照番号) 1・・不揮発性R、A M 。 2・・R/W (読み出し/書き込み)バッファ、3・
・アドレスデコーダ、 4・・アドレスレジスタ、 5・・タイマー信号、 6・・データバス、 7・・W/E/R(書き込み/消去/読み出し)信号、
9・・レジスタ制御回路、 10・・CPLIのマシンサイクルクロック、12・・
W/E (書き込み/消去〉信号、14・・タイマー回

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 不揮発性RAMと該不揮発性RAMの書き込み/消去時
    間を制御するタイマー回路とを少なくとも備えたマイク
    ロコンピュータに於いて、前記タイマー回路の基準クロ
    ック周波数を前記マイクロコンピュータの1マシンサイ
    クルと同一にするとともに、前記不揮発性RAMに書き
    込み中又は消去中に割り込み読み出しをする場合、読み
    出し信号で前記タイマー回路を制御することを特徴とす
    るメモリ回路。
JP61149969A 1986-06-26 1986-06-26 メモリ回路 Pending JPS637597A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61149969A JPS637597A (ja) 1986-06-26 1986-06-26 メモリ回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61149969A JPS637597A (ja) 1986-06-26 1986-06-26 メモリ回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS637597A true JPS637597A (ja) 1988-01-13

Family

ID=15486576

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61149969A Pending JPS637597A (ja) 1986-06-26 1986-06-26 メモリ回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS637597A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59202283A (ja) * 1983-04-28 1984-11-16 Kasei Optonix Co Ltd 硫化物螢光体
JPH0286373A (ja) * 1988-09-22 1990-03-27 Konica Corp カメラ

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59202283A (ja) * 1983-04-28 1984-11-16 Kasei Optonix Co Ltd 硫化物螢光体
JPH058235B2 (ja) * 1983-04-28 1993-02-01 Kasei Optonix
JPH0286373A (ja) * 1988-09-22 1990-03-27 Konica Corp カメラ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3292864B2 (ja) データ処理装置
JPH01118297A (ja) 不揮発性半導体メモリ
KR100265266B1 (ko) 플래쉬 eeprom 을 구비하는 마이크로컴퓨터및 플래쉬 eeprom 의 소거방법
JP3875139B2 (ja) 不揮発性半導体記憶装置、そのデータ書き込み制御方法およびプログラム
US20050005055A1 (en) Embeddable flash memory system for non-volatile storage of code, data and bit-streams for embedded FPGA configurations
US7136307B2 (en) Write state machine architecture for flash memory internal instructions
US20020103958A1 (en) Programmable nonvolatile memory apparatus and microcomputer using the same
US5657467A (en) Non-volatile semiconductor memory device with instruction issue during busy cycle
EP1423848B1 (en) Independent asynchronous boot block for synchronous non-volatile memory devices
JPS637597A (ja) メモリ回路
KR20000070274A (ko) 가변 페이지 사이즈를 갖는 리프로그래머블 메모리 장치
JPH09147581A (ja) 半導体記憶装置、及びデータ処理装置
JPH0210598A (ja) 記憶装置
JPH04360095A (ja) 半導体記憶回路
JP2003331585A (ja) 不揮発性半導体記憶装置
JPH1153338A (ja) 半導体集積回路およびその半導体集積回路における外部バスモード選択方法
JPH052529A (ja) フラツシユ・メモリのアクセス方法及びその回路
JPH04102296A (ja) 半導体記憶装置
JPH03122752A (ja) パーソナルコンピュータ
JPS62277696A (ja) 半導体記憶集積回路
JPH0973798A (ja) フラッシュメモリ、及びデータ処理装置
JP2001350642A (ja) データ処理装置
JPS61153895A (ja) 半導体記憶装置
KR20040008529A (ko) 플래시 메모리의 캠셀 프로그램/소거 검증 회로
JPH08221313A (ja) 半導体装置