JPS637033B2 - - Google Patents
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- JPS637033B2 JPS637033B2 JP57232516A JP23251682A JPS637033B2 JP S637033 B2 JPS637033 B2 JP S637033B2 JP 57232516 A JP57232516 A JP 57232516A JP 23251682 A JP23251682 A JP 23251682A JP S637033 B2 JPS637033 B2 JP S637033B2
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- Expired
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Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はVTR等のモータの回転制御に用い
られるホール素子の製造方法に係り、特にイオン
注入法による動作層の形成方法に関する。
られるホール素子の製造方法に係り、特にイオン
注入法による動作層の形成方法に関する。
従来、GaAs(ガリウムヒ素)ホール素子は例
えば第1図に示すように構成されていた。同図に
おいて、1はCr(クロム)がドープされたGaAs
基板であり、このGaAs基板1の表面に動作層が
形成されている。この動作層は、高濃度、高加速
度のイオン(Si+)打ち込みにより形成されたN+
層2,3及びこれらN+層2,3の表面に形成さ
れたN層4により構成されている。GaAs基板1
上にはSiO2膜5が形成され、このSiO2膜5に設
けられた開口部5aを通して上記動作層に電極金
属層6が接続されている。
えば第1図に示すように構成されていた。同図に
おいて、1はCr(クロム)がドープされたGaAs
基板であり、このGaAs基板1の表面に動作層が
形成されている。この動作層は、高濃度、高加速
度のイオン(Si+)打ち込みにより形成されたN+
層2,3及びこれらN+層2,3の表面に形成さ
れたN層4により構成されている。GaAs基板1
上にはSiO2膜5が形成され、このSiO2膜5に設
けられた開口部5aを通して上記動作層に電極金
属層6が接続されている。
従来の動作層の形成方法では、次のような欠点
があつた。すなわち、N+層2,3とN層4との
形成には別々のマスクが必要であるため、製造工
程が長くなる。また、特性的にもマスク合せ(パ
ターン形成)の回数が多いため、不平衡電圧のば
らつきが大きい。さらに、1価のイオン注入によ
り動作層を形成しているため、深い動作層の形成
が困難である。加速電圧を大きくすれば、深い動
作層を得ることは可能であるが、装置の性能によ
り加速電圧を大きくするには制限がある。このよ
うに動作層が浅い場合には、静電耐量が小さくな
り、不平衡電圧に変動を生じやすい。
があつた。すなわち、N+層2,3とN層4との
形成には別々のマスクが必要であるため、製造工
程が長くなる。また、特性的にもマスク合せ(パ
ターン形成)の回数が多いため、不平衡電圧のば
らつきが大きい。さらに、1価のイオン注入によ
り動作層を形成しているため、深い動作層の形成
が困難である。加速電圧を大きくすれば、深い動
作層を得ることは可能であるが、装置の性能によ
り加速電圧を大きくするには制限がある。このよ
うに動作層が浅い場合には、静電耐量が小さくな
り、不平衡電圧に変動を生じやすい。
この発明は上記実情に鑑みてなされたもので、
その目的は、製造工程を短縮し、特性の向上を図
ることのできるホール素子の製造方法を提供する
ことにある。
その目的は、製造工程を短縮し、特性の向上を図
ることのできるホール素子の製造方法を提供する
ことにある。
すなわち、この発明は、ホール素子の製造工程
において、動作層形成予定領域に対し、最初、深
さ方向の均一な濃度分布を得るために高加速度電
圧で2価の不純物イオンを深く打ち込み、さらに
表面付近の濃度の均一化を図るために低加速電圧
で1価の不純物イオンを浅く打ち込むものであ
る。
において、動作層形成予定領域に対し、最初、深
さ方向の均一な濃度分布を得るために高加速度電
圧で2価の不純物イオンを深く打ち込み、さらに
表面付近の濃度の均一化を図るために低加速電圧
で1価の不純物イオンを浅く打ち込むものであ
る。
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を
GaAsホールセンサの動作層形成工程について説
明する。第2図において、11,12は入力側電
極、13,14は出力側電極、15はSiO2膜、
16は動作層を示す。このGaAsホールセンサに
おいては、例えば磁界が1KG(キロガウス)のと
き入力側電極11,12に5mAの直流電圧を流
すと、出力側電極13,14に100mVのホール
電圧VHが発生する。
GaAsホールセンサの動作層形成工程について説
明する。第2図において、11,12は入力側電
極、13,14は出力側電極、15はSiO2膜、
16は動作層を示す。このGaAsホールセンサに
おいては、例えば磁界が1KG(キロガウス)のと
き入力側電極11,12に5mAの直流電圧を流
すと、出力側電極13,14に100mVのホール
電圧VHが発生する。
上記動作層16の形成は第3図に示すように行
われる。同図において、17は低濃度のCr(クロ
ム)をドープしたGaAs基板であり、このGaAs
基板17に対し、先ず2価の不純物イオン例えば
Si++(シリコン)を打ち込み深いN層18を形成
する。打ち込みの条件は、加速エネルギ360keV、
ドーズ量2×1012cm-2とする。なお、この加速エ
ネルギ360keVはみかけ上の電圧であり実際は
Si++で2価であるため100kVの加速電圧であれば
よい。このようにイオンを深く打ち込むと、
GaAs基板17の表面付近の濃度が低下する。そ
こで、さらに1価の不純物イオンSi+を打ち込む
ことにより浅いN層19を形成し、濃度分布の均
一化を図る。打ち込みの条件は、加速エネルギ
150keV、ドーズ量1.8×1012cm-2とする。その後、
780℃、N2(窒素)雰囲気中でシリコンイオンを
活性化し、動作層16を形成する。
われる。同図において、17は低濃度のCr(クロ
ム)をドープしたGaAs基板であり、このGaAs
基板17に対し、先ず2価の不純物イオン例えば
Si++(シリコン)を打ち込み深いN層18を形成
する。打ち込みの条件は、加速エネルギ360keV、
ドーズ量2×1012cm-2とする。なお、この加速エ
ネルギ360keVはみかけ上の電圧であり実際は
Si++で2価であるため100kVの加速電圧であれば
よい。このようにイオンを深く打ち込むと、
GaAs基板17の表面付近の濃度が低下する。そ
こで、さらに1価の不純物イオンSi+を打ち込む
ことにより浅いN層19を形成し、濃度分布の均
一化を図る。打ち込みの条件は、加速エネルギ
150keV、ドーズ量1.8×1012cm-2とする。その後、
780℃、N2(窒素)雰囲気中でシリコンイオンを
活性化し、動作層16を形成する。
電極コンタクトの特性(オーミツク特性)は、
濃度よりも深さに依存しておりN+層を形成しな
くても、均一な濃度で深さの深いN層のみで良好
な特性を得ることができる。この発明において
は、このことを考慮してN層18,19のみで動
作層16を形成するものである。
濃度よりも深さに依存しておりN+層を形成しな
くても、均一な濃度で深さの深いN層のみで良好
な特性を得ることができる。この発明において
は、このことを考慮してN層18,19のみで動
作層16を形成するものである。
従つて、従来N+層2,3及びN層4形成用に
別々のマスクが必要であつたものが、この発明に
おいては1枚のマスクで連続してN層18,19
を形成することができる。
別々のマスクが必要であつたものが、この発明に
おいては1枚のマスクで連続してN層18,19
を形成することができる。
このためSiO2膜形成のためのCVD(Chemical
Vapour Deposition)工程、レジストマスク
形成のためのPEP(Photo Engraving P
rocess)工程等一連の工程を低減することができ
る。また、マスク合せの回数が1度でよいので、
不平衡電圧VHOのばらつきを小さくすることが
できる。すなわち従来、不平衡電圧の不良率が30
〜40%であつたものが、この発明においては15〜
25%と小さくなる。さらに、深いN層18を形成
する際には、2価のシリコンイオンSi++を用いる
ため、加速電圧が低くても容易に打ち込むことが
できる。
Vapour Deposition)工程、レジストマスク
形成のためのPEP(Photo Engraving P
rocess)工程等一連の工程を低減することができ
る。また、マスク合せの回数が1度でよいので、
不平衡電圧VHOのばらつきを小さくすることが
できる。すなわち従来、不平衡電圧の不良率が30
〜40%であつたものが、この発明においては15〜
25%と小さくなる。さらに、深いN層18を形成
する際には、2価のシリコンイオンSi++を用いる
ため、加速電圧が低くても容易に打ち込むことが
できる。
尚、上記実施例においては、2価のシリコンイ
オンSi++の打ち込みを、深いN層18を形成する
際にのみ用いるようにしたが、これに限定するも
のではなく、浅いN層19を形成する際にも用い
るようにしてもよい。また、打ち込みイオンはシ
リコンSiに限らず、その他イオウS等であつても
よい。
オンSi++の打ち込みを、深いN層18を形成する
際にのみ用いるようにしたが、これに限定するも
のではなく、浅いN層19を形成する際にも用い
るようにしてもよい。また、打ち込みイオンはシ
リコンSiに限らず、その他イオウS等であつても
よい。
以上のようにこの発明によれば、製造工程を短
縮し特性の向上を図ることの可能なホール素子の
製造方法を提供できる。
縮し特性の向上を図ることの可能なホール素子の
製造方法を提供できる。
第1図は、従来のホール素子の構造を示す断面
図、第2図はこの発明の一実施例に係るホール素
子の構造を示す平面図、第3図は第2図のX−
X′矢視断面図である。 11,12……入力側電極、13,14……出
力側電極、16……動作層、17……GaAs基
板、18,19……N層。
図、第2図はこの発明の一実施例に係るホール素
子の構造を示す平面図、第3図は第2図のX−
X′矢視断面図である。 11,12……入力側電極、13,14……出
力側電極、16……動作層、17……GaAs基
板、18,19……N層。
Claims (1)
- 1 半導体基板の動作層形成予定領域に対し、第
1の不純物イオンを打ち込む工程と、前記動作層
形成予定領域に対し第2の不純物イオンを打ち込
む工程と、熱処理を施し前記第1及び第2の不純
物イオンを活性化することにより動作層を形成す
る工程とを具備し、少くとも前記第1の不純物イ
オンを2価以上のイオンとしたことを特徴とする
ホール素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57232516A JPS59117182A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | ホ−ル素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57232516A JPS59117182A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | ホ−ル素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59117182A JPS59117182A (ja) | 1984-07-06 |
JPS637033B2 true JPS637033B2 (ja) | 1988-02-15 |
Family
ID=16940548
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57232516A Granted JPS59117182A (ja) | 1982-12-23 | 1982-12-23 | ホ−ル素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59117182A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02256529A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-17 | Oi Seisakusho Co Ltd | 自動車用シートクッションの作動装置 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6242473A (ja) * | 1985-08-19 | 1987-02-24 | Matsushita Electronics Corp | ホ−ル効果装置およびその製造方法 |
EP0954085A1 (de) * | 1998-04-27 | 1999-11-03 | Roulements Miniatures S.A. | Senkrechter Hallsensor und bürstenloser Elektromotor mit einem senkrechten Hallsensor |
JP2016152271A (ja) * | 2015-02-16 | 2016-08-22 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | 縦型ホール素子の製造方法 |
-
1982
- 1982-12-23 JP JP57232516A patent/JPS59117182A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02256529A (ja) * | 1989-03-30 | 1990-10-17 | Oi Seisakusho Co Ltd | 自動車用シートクッションの作動装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59117182A (ja) | 1984-07-06 |
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