JPS6242473A - ホ−ル効果装置およびその製造方法 - Google Patents

ホ−ル効果装置およびその製造方法

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JPS6242473A
JPS6242473A JP60181323A JP18132385A JPS6242473A JP S6242473 A JPS6242473 A JP S6242473A JP 60181323 A JP60181323 A JP 60181323A JP 18132385 A JP18132385 A JP 18132385A JP S6242473 A JPS6242473 A JP S6242473A
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JP
Japan
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effect device
hall effect
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input resistance
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JP60181323A
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Katsuji Tara
多良　勝司
Jutaro Kotani
小谷　壽太郎
Shunji Ogata
緒方　俊司
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Publication date
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N52/00—Hall-effect devices
    • H10N52/101—Semiconductor Hall-effect devices

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は低消費電力をはかることができるホール効果装
置とその製造方法とに関する。
従来の技術 従来、砒化ガリウムを用いたホール効果装置は、ドーズ
量をＱとして、活性層もオーミック電極の下の層も、Ｑ
≧４Ｘ１０　　ｄ　　　の、ドーズ量で不純物イオンを
注入して形成することが一般的であり、この場合、入力
抵抗は、１にΩ以下であった。
発明が解決しようとする問題点 この様な従来構造の砒化ガリウムホール効果装置では、
積感度ＫＨで表わされる特性値によって、その特性評価
がなされる。この際の積感度ＫＨは、外部磁場１ＫＧで
入力電流１ｍＡのもとてのホール出力（起電力）を示す
もので、 の次元をもった量で表わされる。
ここで、ｖＨは、ホール起電力ｔ　ＲｉＮは入力抵抗、
Ｂは外部磁場、ｖｃは入力電圧である。ところで上記従
来例のホール効果装置では、外部磁場Ｂと入力抵抗Ｒｉ
Ｎとが一定の下で大きなｖＨを得るためには、入力電圧
を大きくしなければならず、消費電力の点で問題があっ
た。
問題点を解決するための手段 本発明は、オーミック電極の箇所は、従来と同じドーズ
量Ｑ２　　で、活性層のドーズ量Ｑ１　をＱ１≦２×１
ｏ　ｃｌｌ　とすることで入力抵抗ＲｉＮの大きいホー
ル効果装置を実現したものである。
作　　　用 この構成により、大きな積感度曜の特性値のものが得ら
れ、ホール出力電圧の顕著な増大をはかることができ、
単位出力当りの消費電力を低下するものとなる。
実施例 第１図は本発明の一実施例によるホール効果装置の断面
図であり、半絶縁性砒化ガリウム基板１にオーミック電
極下のｎ　層２，３と活性層４を形成させたものである
。この場合、オーミック電極下のｎ＋層２，３はそのド
ーズ量Ｑ２が０２≧４×１０１２．−２の範囲で形成さ
れｎ形の活性層４はそのドーズ量ｑ　が、Ｑ１≦２Ｘ１
０１２ａ−２の範囲で形成されたものである。６，６は
入力端子としてのオーミック電極、了は絶縁性保護膜で
ある。
これにより、一対のオーミック電極６，６間の抵抗値、
いわゆる、入力抵抗は、２ｋΩ以上とすることができる
。第２図は、本発明実施例製品と従来の製品との同じホ
ール出力電圧ＶＨを得るための入力電圧Ｖｃを比較した
特性図であり１、本発明実施例製品は小さな入力電圧Ｖ
ｃで、従来と同じホール出力電圧■Ｈを得ることができ
ることを明瞭に示している。
発明の効果 以上のように、本発明によれば小さな入力電圧で十分な
ホール出方電圧を得ることができ、実質的利益として、
素子の消費電力低下という効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
１・・・・・・半絶縁性基板、２，３・・・・・・オー
ミ・ンク電極下のｎ　層、４・・・・・・活性層、５，
６・・・・・・入力オーミック電極、７・・・・・・保
護膜。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　はが１名−＋
ト

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）入力抵抗が２ｋΩ以上であることを特徴とするホ
    ール効果装置。
  2. （２）活性層のドーズ量Ｑ＿１を、Ｑ＿１≦２×１０＾
    １＾２ｃｍ＾−＾２で、不純物イオンを注入して形成し
    、オーミック電極の箇所は、ドーズ量Ｑ＿２を、Ｑ＿２
    ≧４×１０＾１＾２ｃｍ＾−＾２で不純物イオンを注入
    して形成することを特徴とするホール効果装置の製造方
    法。
JP60181323A 1985-08-19 1985-08-19 ホ−ル効果装置およびその製造方法 Granted JPS6242473A (ja)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS533173A (en) * 1976-06-30 1978-01-12 Ibm Magneto sensitive semiconductor device
JPS59117182A (ja) * 1982-12-23 1984-07-06 Toshiba Corp ホ−ル素子の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS533173A (en) * 1976-06-30 1978-01-12 Ibm Magneto sensitive semiconductor device
JPS59117182A (ja) * 1982-12-23 1984-07-06 Toshiba Corp ホ−ル素子の製造方法

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