JPS636853A - 多ピン型セラミツク集積回路装置 - Google Patents
多ピン型セラミツク集積回路装置Info
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- JPS636853A JPS636853A JP15080486A JP15080486A JPS636853A JP S636853 A JPS636853 A JP S636853A JP 15080486 A JP15080486 A JP 15080486A JP 15080486 A JP15080486 A JP 15080486A JP S636853 A JPS636853 A JP S636853A
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- JP
- Japan
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- inner leads
- internal
- leads
- ceramic
- bonding
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- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は多ピン型セラミック集積回路装置(以下セラミ
ックIC)に関し、特に内部リード側のワイヤボンディ
ング位置精度の高いセラミックICに関する。
ックIC)に関し、特に内部リード側のワイヤボンディ
ング位置精度の高いセラミックICに関する。
第5図は従来のセラミックICの一例を示す要部拡大平
面図である。
面図である。
従来、この種のセラミックICは、そのワイヤボンディ
ングは第5図に示すように、素子51上の電極パ・1ド
52とセラミックパッケージ53の内部リード54間が
ボンディングワイヤ55で結線される構造となっている
。
ングは第5図に示すように、素子51上の電極パ・1ド
52とセラミックパッケージ53の内部リード54間が
ボンディングワイヤ55で結線される構造となっている
。
上述した従来のセラミックICは、多ピンであるため内
部リードの幅が0.15ma+〜014IIfflと非
常に狭くなっていること、内部リードの位置精度がセラ
ミックパッケージのため電極パッドはどLこけよくない
ことなどから内部リード1則のワイヤボンディングの位
置精度が悪く、ワイヤボンディング工程で所定の内部リ
ードから外れた位置にワイヤボンディングされるという
欠点がある。
部リードの幅が0.15ma+〜014IIfflと非
常に狭くなっていること、内部リードの位置精度がセラ
ミックパッケージのため電極パッドはどLこけよくない
ことなどから内部リード1則のワイヤボンディングの位
置精度が悪く、ワイヤボンディング工程で所定の内部リ
ードから外れた位置にワイヤボンディングされるという
欠点がある。
このため多ピン型セラミックICの内部リードへのワイ
ヤボンディングは、予めボンダーに基準位置での内部リ
ード座標(X、 、Y、)を記憶させておき、ワイヤボ
ンディング前にパターン認識により個個の内部リード毎
に位置を自動検出し、基準位置に対するずれ量(△X、
、△Y、1、へθi)を算出し、前記基準座標(Xr、
Y、)を補正計算して行っている。
ヤボンディングは、予めボンダーに基準位置での内部リ
ード座標(X、 、Y、)を記憶させておき、ワイヤボ
ンディング前にパターン認識により個個の内部リード毎
に位置を自動検出し、基準位置に対するずれ量(△X、
、△Y、1、へθi)を算出し、前記基準座標(Xr、
Y、)を補正計算して行っている。
ところが、従来のセラミックICの内部リード形状は、
第5図に見られるようにすべて同じ形状で、等間隔に配
列されていることが多く、内部リードを1本分ずれて自
動検出してしまう場合があり、誤配線してしまうという
欠点がある。
第5図に見られるようにすべて同じ形状で、等間隔に配
列されていることが多く、内部リードを1本分ずれて自
動検出してしまう場合があり、誤配線してしまうという
欠点がある。
本発明の多ピン型セラミック集積回路装置は、少なくと
も1個の切欠き部を有し且っ該切欠き部の形状及び形成
位置を変えてそのパターン形状がすべて異なるように構
成した複数の内部リードを備えている。
も1個の切欠き部を有し且っ該切欠き部の形状及び形成
位置を変えてそのパターン形状がすべて異なるように構
成した複数の内部リードを備えている。
[実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図ないし第4図は本発明のそれぞれ第1なし第4の
実施例の要部拡大平面図である。
実施例の要部拡大平面図である。
第1の実施例は素子11、電極パッド12、セラミック
パッケージ13、内部リード14.ないし14h、ボン
ディングワイヤ15及び切欠き16を有してなる。セラ
ミックパッケージ13上の多数の内部リード141ない
し14hにはそれぞれ正方形の切欠き16が1個ずつ設
けられており、しかも切欠き16は各各の内部リード1
4 、ないし14hごとにその設置位置が変えてあり、
内部リード148ないし14 bのパターン形状がすべ
て異なるようになっている。
パッケージ13、内部リード14.ないし14h、ボン
ディングワイヤ15及び切欠き16を有してなる。セラ
ミックパッケージ13上の多数の内部リード141ない
し14hにはそれぞれ正方形の切欠き16が1個ずつ設
けられており、しかも切欠き16は各各の内部リード1
4 、ないし14hごとにその設置位置が変えてあり、
内部リード148ないし14 bのパターン形状がすべ
て異なるようになっている。
このような構成の第1の実施例においては、そのワイヤ
ボンディングは、内部リード14.ないし14hが1本
ごとにパターン形状が異なるので、ボンダーによる位置
検出時の誤検出が無く、従って素子ll上の電極パッド
12と内部リード143ないし14b間はボンディング
ワイヤ15により、正確にワイヤボンディングが施され
る。
ボンディングは、内部リード14.ないし14hが1本
ごとにパターン形状が異なるので、ボンダーによる位置
検出時の誤検出が無く、従って素子ll上の電極パッド
12と内部リード143ないし14b間はボンディング
ワイヤ15により、正確にワイヤボンディングが施され
る。
第2の実施例は、多数の内部リード241ないし24h
にそれぞれ2個ずつの正方形の切欠き26を設け、しか
も2個ずつの切欠き26は各各の内部リード24.ない
し24.ごとにその設置位置を変えてパターン形状がす
べて異なるようになっている、この場合らボンダーによ
る誤検出が無く、従って素子21上の電極パッド22と
セラミックパ・ンケージ23上の内部リード243ない
し24、間は、ボンディングワイヤ25により、正確に
ワイヤボンディングが施される。
にそれぞれ2個ずつの正方形の切欠き26を設け、しか
も2個ずつの切欠き26は各各の内部リード24.ない
し24.ごとにその設置位置を変えてパターン形状がす
べて異なるようになっている、この場合らボンダーによ
る誤検出が無く、従って素子21上の電極パッド22と
セラミックパ・ンケージ23上の内部リード243ない
し24、間は、ボンディングワイヤ25により、正確に
ワイヤボンディングが施される。
第3の実施例は、多数の内部リード343ないし34h
にそれぞれ設置位置を変えて三角形の切欠き36を設け
たもので、この場合もボンダーによる誤検出が無く、従
って素子31上の電極パッド32とセラミックパッケー
ジ33上の内部り−ド34.ないし347間は、ボンデ
ィングワイヤ35により、正確にワイヤボンディングが
施される。
にそれぞれ設置位置を変えて三角形の切欠き36を設け
たもので、この場合もボンダーによる誤検出が無く、従
って素子31上の電極パッド32とセラミックパッケー
ジ33上の内部り−ド34.ないし347間は、ボンデ
ィングワイヤ35により、正確にワイヤボンディングが
施される。
第4の実施例は、正方形の切欠き46と三角形の切欠き
47の組合せ及び三角形の切欠き47と半円形の切欠き
48の組合せで、多数の内部り−ド44.ないし44.
のパターン形状をすべて異なるようにしたもので、この
場合らボンダーによる誤検出が無く、従って素子41上
の電極パッド42とセラミックパッケージ43上の内部
リード44、ないし445間は、ボンディングワイヤ4
5により、正確にワイヤボンディングが施される。
47の組合せ及び三角形の切欠き47と半円形の切欠き
48の組合せで、多数の内部り−ド44.ないし44.
のパターン形状をすべて異なるようにしたもので、この
場合らボンダーによる誤検出が無く、従って素子41上
の電極パッド42とセラミックパッケージ43上の内部
リード44、ないし445間は、ボンディングワイヤ4
5により、正確にワイヤボンディングが施される。
以上説明したように本発明は、内部リードのパターン形
状をすべて異なる形状にすることにより、池リードと誤
検出されないようにし、内部リード側のボンディング位
置精度を高めることができる効果がある。
状をすべて異なる形状にすることにより、池リードと誤
検出されないようにし、内部リード側のボンディング位
置精度を高めることができる効果がある。
第1図ないし第4図は本発明のそれぞれ第1ないし第4
の実施例の要部拡大平面図、第5図は従来のセラミック
I Cの一例を示す要部拡大平面図である。 11.21,31,41.51・・・素子、12゜22
.32,42.52・・・電極パッド、13゜23.3
3,43.53・・・セラミックパッケージ、14−.
14b 、14c、14d、14− 。 14r 、 14. 、 14h 、 24
a 、 24b 、 24c 、 24a
、 24e 、 24r 、 24、 2
4h 。 34− 、 34b 、 34 o 、 34
=1 、 34− 、 34r 、 34g
、 34h 、 44− 、 44b 、
44c 。 44d 、 44Q 、 44r 、 44g
、 44h 、 54・・内部リード、15
.25,35,45.55・・・ボン・ディングワイヤ
、16,26,36.46゜47.48・・・切欠き。 矛1図 14r、 744.14c、 I4t、 /4 e、
14f、 f4)、 14t : rf)部リード第2
図 24eL、24f 24c、24=t、24e、24;
、241.24ん: 内部ソー1−’第3図 第4図 43 七nりで き 44LL、 44 シ34’、(、444,44e、
49441.44< : ”)91”ノート。 第5図
の実施例の要部拡大平面図、第5図は従来のセラミック
I Cの一例を示す要部拡大平面図である。 11.21,31,41.51・・・素子、12゜22
.32,42.52・・・電極パッド、13゜23.3
3,43.53・・・セラミックパッケージ、14−.
14b 、14c、14d、14− 。 14r 、 14. 、 14h 、 24
a 、 24b 、 24c 、 24a
、 24e 、 24r 、 24、 2
4h 。 34− 、 34b 、 34 o 、 34
=1 、 34− 、 34r 、 34g
、 34h 、 44− 、 44b 、
44c 。 44d 、 44Q 、 44r 、 44g
、 44h 、 54・・内部リード、15
.25,35,45.55・・・ボン・ディングワイヤ
、16,26,36.46゜47.48・・・切欠き。 矛1図 14r、 744.14c、 I4t、 /4 e、
14f、 f4)、 14t : rf)部リード第2
図 24eL、24f 24c、24=t、24e、24;
、241.24ん: 内部ソー1−’第3図 第4図 43 七nりで き 44LL、 44 シ34’、(、444,44e、
49441.44< : ”)91”ノート。 第5図
Claims (1)
- 少なくとも1個の切欠き部を有し且つ該切欠き部の形状
及び形成位置を変えてそのパターン形状がすべて異なる
ように構成した複数の内部リードを備えることを特徴と
する多ピン型セラミック集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15080486A JPS636853A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 多ピン型セラミツク集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15080486A JPS636853A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 多ピン型セラミツク集積回路装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS636853A true JPS636853A (ja) | 1988-01-12 |
Family
ID=15504789
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15080486A Pending JPS636853A (ja) | 1986-06-26 | 1986-06-26 | 多ピン型セラミツク集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS636853A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8915620B2 (en) | 2009-01-30 | 2014-12-23 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Illumination system for use in a stereolithography apparatus |
-
1986
- 1986-06-26 JP JP15080486A patent/JPS636853A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8915620B2 (en) | 2009-01-30 | 2014-12-23 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Illumination system for use in a stereolithography apparatus |
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