JP2871696B2 - 集積回路装置 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、集積回路装置に関し、特に、マウント工程
やボンディング工程においてICチップの高精度の位置決
めを行うためのICチップの表面レイアウトパターンに関
する。
やボンディング工程においてICチップの高精度の位置決
めを行うためのICチップの表面レイアウトパターンに関
する。
[従来の技術] ICチップのマウント工程又はボンディング工程等で
は、ICチップの高精度の位置決めが必要である。このた
め、従来はICチップ上の特徴あるパターンを基準とし、
画像処理技術によって、ICチップの高精度な位置決めを
行うようにしている。この位置決めの方法を第9図及び
第10図を用いて説明する。第9図はICチップ1を示す図
である。ICチップ1は、その周縁部にワイヤボンディン
グ用の多数の電極パッド2と、マスクアライメントマー
ク3とを備えている。第10図は、ボンディングヘッドに
取り付けられたカメラによるモニタ画像4を示す図であ
る。このモニタ画像4には位置決め用のクロスライン5
と画像記憶の範囲を指定する記憶範囲枠6とが付加的に
表示されている。先ず、作業者はボンディングヘッドを
x,y方向に移動させながらボンディングヘッドに取り付
けられたカメラにより映されるモニタ画像4をみる。そ
して、モニタ画像4に映しだされたICチップ1の拡大画
像のうち特徴あるパターンが映しだされたら、その特徴
あるパターンを記憶範囲枠6の中に入れる。この特徴あ
るパターンとしては、通常、ICチップ1の角部に位置す
る数個の電極パッド2のパターンが用いられる。記憶範
囲枠6のパターンは二値化された画像データとして図示
しない記憶手段にその位置座標データと共に記憶され
る。同様の記憶操作をICチップの他の角部の特徴あるパ
ターンとICパッケージ上の他の2箇所のパターンについ
ても行う。各特徴あるパターンの画像データとその位置
座標データとが記憶されたら、ボンディングの際には、
ICパッケージをボンディングすべき位置まで移動させ、
上記記憶されている画像データとのパターンマッチング
によってICチップの位置を決めていく。即ち、画像パタ
ーンと共に記憶されている各パターンの座標データで示
される位置にカメラを移動させ、撮影されている画像中
から上記記憶しているパターンをパターンマッチングに
より検出する。そして、画像の分解能データとカメラの
移動距離とを考慮してICチップの位置検出用パターンの
位置を算出し、この算出されたデータと、前もって入力
してあるICチップ及びICパッケージのボンディングステ
ージの座標データとに基いて実際のボンディングステー
ジの位置座標を求め、連続的なワイヤボンディングを実
施していく。
は、ICチップの高精度の位置決めが必要である。このた
め、従来はICチップ上の特徴あるパターンを基準とし、
画像処理技術によって、ICチップの高精度な位置決めを
行うようにしている。この位置決めの方法を第9図及び
第10図を用いて説明する。第9図はICチップ1を示す図
である。ICチップ1は、その周縁部にワイヤボンディン
グ用の多数の電極パッド2と、マスクアライメントマー
ク3とを備えている。第10図は、ボンディングヘッドに
取り付けられたカメラによるモニタ画像4を示す図であ
る。このモニタ画像4には位置決め用のクロスライン5
と画像記憶の範囲を指定する記憶範囲枠6とが付加的に
表示されている。先ず、作業者はボンディングヘッドを
x,y方向に移動させながらボンディングヘッドに取り付
けられたカメラにより映されるモニタ画像4をみる。そ
して、モニタ画像4に映しだされたICチップ1の拡大画
像のうち特徴あるパターンが映しだされたら、その特徴
あるパターンを記憶範囲枠6の中に入れる。この特徴あ
るパターンとしては、通常、ICチップ1の角部に位置す
る数個の電極パッド2のパターンが用いられる。記憶範
囲枠6のパターンは二値化された画像データとして図示
しない記憶手段にその位置座標データと共に記憶され
る。同様の記憶操作をICチップの他の角部の特徴あるパ
ターンとICパッケージ上の他の2箇所のパターンについ
ても行う。各特徴あるパターンの画像データとその位置
座標データとが記憶されたら、ボンディングの際には、
ICパッケージをボンディングすべき位置まで移動させ、
上記記憶されている画像データとのパターンマッチング
によってICチップの位置を決めていく。即ち、画像パタ
ーンと共に記憶されている各パターンの座標データで示
される位置にカメラを移動させ、撮影されている画像中
から上記記憶しているパターンをパターンマッチングに
より検出する。そして、画像の分解能データとカメラの
移動距離とを考慮してICチップの位置検出用パターンの
位置を算出し、この算出されたデータと、前もって入力
してあるICチップ及びICパッケージのボンディングステ
ージの座標データとに基いて実際のボンディングステー
ジの位置座標を求め、連続的なワイヤボンディングを実
施していく。
[発明が解決しようとする課題] ところで、近時、ICチップの集積度の向上に伴い、IC
チップの入出力数は増加の一途を辿っている。このた
め、ICチップの電極パッド数も増加傾向にあり、この結
果、電極パッドのサイズの小型化が益々進んでいる。こ
のことはボンディング精度、即ち、ICチップの位置決め
精度のより一層の向上が必要であることを意味してい
る。ボンディング精度は、例えば、カメラのレンズ倍率
が4倍、ボンディングステージでの分解能が2.5μm/パ
ルスであるとすると、±12μm程度である。このうち画
像認識精度に起因する検出精度が±8μm、ボンディン
グステージ等のメカニカル精度が±8μm、ボンディン
グ位置算出における演算誤差が±2μmであるが、その
中でも特に、画像認識精度が大きな要因を占めている。
チップの入出力数は増加の一途を辿っている。このた
め、ICチップの電極パッド数も増加傾向にあり、この結
果、電極パッドのサイズの小型化が益々進んでいる。こ
のことはボンディング精度、即ち、ICチップの位置決め
精度のより一層の向上が必要であることを意味してい
る。ボンディング精度は、例えば、カメラのレンズ倍率
が4倍、ボンディングステージでの分解能が2.5μm/パ
ルスであるとすると、±12μm程度である。このうち画
像認識精度に起因する検出精度が±8μm、ボンディン
グステージ等のメカニカル精度が±8μm、ボンディン
グ位置算出における演算誤差が±2μmであるが、その
中でも特に、画像認識精度が大きな要因を占めている。
画像認識精度を向上させるには、カメラのレンズ倍率
を高めることが考えられる。しかしながら、カメラ倍率
を高めると、例えば、第11図に示すように一つの電極パ
ッド2のみが記憶範囲枠6に一杯に映しだされてしまう
ため、第10図に示すような特徴あるパターンを捉えるこ
とができなくなってしまう。これを防止するには、記憶
範囲枠6を拡大するか、ICチップ1上の他の特徴あるマ
ーク、例えば、マスクアライメントマーク3や商標等を
使用することが考えられる。
を高めることが考えられる。しかしながら、カメラ倍率
を高めると、例えば、第11図に示すように一つの電極パ
ッド2のみが記憶範囲枠6に一杯に映しだされてしまう
ため、第10図に示すような特徴あるパターンを捉えるこ
とができなくなってしまう。これを防止するには、記憶
範囲枠6を拡大するか、ICチップ1上の他の特徴あるマ
ーク、例えば、マスクアライメントマーク3や商標等を
使用することが考えられる。
しかしながら、前者の方法は、画像処理時間の増大を
招くという問題点がある。また、後者は、第12図に示す
ように、マスクアライメントマーク3や商標がもともと
非常に小さいために位置決めのための基準パターンには
適さないという問題点がある。
招くという問題点がある。また、後者は、第12図に示す
ように、マスクアライメントマーク3や商標がもともと
非常に小さいために位置決めのための基準パターンには
適さないという問題点がある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであっ
て、画像処理時間の増大を招くことなく、しかもマスク
アライメント又は商標を使用せずにICチップの高精度な
位置決めを可能にする表面レイアウトパターンを備えた
集積回路装置を提供することを目的とする。
て、画像処理時間の増大を招くことなく、しかもマスク
アライメント又は商標を使用せずにICチップの高精度な
位置決めを可能にする表面レイアウトパターンを備えた
集積回路装置を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明に係る集積回路は、集積回路チップの電極パッ
ドの1つを認識できる範囲枠と略同等の範囲枠にこの電
極パッドとは異なる形状で、かつこの電極パッドと同一
層に形成された位置検出用のパターンを有することを特
徴とする。
ドの1つを認識できる範囲枠と略同等の範囲枠にこの電
極パッドとは異なる形状で、かつこの電極パッドと同一
層に形成された位置検出用のパターンを有することを特
徴とする。
[作用] 本発明によれば、集積回路チップの少なくとも2箇所
に電極パッドと略同様の大きさで、且つ、電極パッドと
異なる形状の位置検出用のパターンを有しているので、
電極パッドが記憶範囲枠に略一杯に映しだされる程度に
カメラの倍率を上げた場合でも、位置検出用のパターン
は、それ自体で通常の電極パッドと識別可能であるた
め、位置検出の際の誤認を生じさせるようなことはな
い。このため、本発明によれば、カメラの倍率を増加さ
せることができることにより、画像処理の精度が向上
し、これにより位置決め精度の向上を図ることができ
る。
に電極パッドと略同様の大きさで、且つ、電極パッドと
異なる形状の位置検出用のパターンを有しているので、
電極パッドが記憶範囲枠に略一杯に映しだされる程度に
カメラの倍率を上げた場合でも、位置検出用のパターン
は、それ自体で通常の電極パッドと識別可能であるた
め、位置検出の際の誤認を生じさせるようなことはな
い。このため、本発明によれば、カメラの倍率を増加さ
せることができることにより、画像処理の精度が向上
し、これにより位置決め精度の向上を図ることができ
る。
[実施例] 以下、本発明の実施例について添付の図面を参照して
説明する。
説明する。
第1図(a)は本発明の第1の実施例に係る集積濾装
置の構成を示す図である。この実施例は電極パッドとは
別個に位置検出用パターンを設けた例である。図におい
てICパッケージ11の中央部に配置されたICチップ12は、
その周囲に複数の電極パッド13を配置すると共に、図中
右上と左下の2箇所に50乃至500μm程度の十字型の位
置検出用パターン14を、例えば、Al蒸着、コーティン
グ、メタライズ、エッチング、マーキング技術等を用い
て設けたものとなっている。一方、ICパッケージ11に
も、ICチップ12の各電極パッド13と対向する周縁部に電
極パッド15が配置されると共に、図中右上と左下の2箇
所に上記位置検出用パターン14と同様の十字型の位置検
出用パターン16を設けている。
置の構成を示す図である。この実施例は電極パッドとは
別個に位置検出用パターンを設けた例である。図におい
てICパッケージ11の中央部に配置されたICチップ12は、
その周囲に複数の電極パッド13を配置すると共に、図中
右上と左下の2箇所に50乃至500μm程度の十字型の位
置検出用パターン14を、例えば、Al蒸着、コーティン
グ、メタライズ、エッチング、マーキング技術等を用い
て設けたものとなっている。一方、ICパッケージ11に
も、ICチップ12の各電極パッド13と対向する周縁部に電
極パッド15が配置されると共に、図中右上と左下の2箇
所に上記位置検出用パターン14と同様の十字型の位置検
出用パターン16を設けている。
第1図(b)は、ICチップ12の右上に配置された位置
検出用パターン14を映しだしたモニタ画面4を示す図で
ある。図から明らかなように、位置検出用パターン14は
電極パッド13と略同様の大きさで、電極パッド13とは明
確に区別できるように十字形状となっている。従って、
本装置によれば、記憶範囲枠3に電極パッド13又は位置
検出用パターン14が一杯に映しだされる程度にカメラの
倍率を上げた場合でも、位置検出用パターン14は電極パ
ッド13と誤認識されることはなく、高精度の位置検出が
可能である。
検出用パターン14を映しだしたモニタ画面4を示す図で
ある。図から明らかなように、位置検出用パターン14は
電極パッド13と略同様の大きさで、電極パッド13とは明
確に区別できるように十字形状となっている。従って、
本装置によれば、記憶範囲枠3に電極パッド13又は位置
検出用パターン14が一杯に映しだされる程度にカメラの
倍率を上げた場合でも、位置検出用パターン14は電極パ
ッド13と誤認識されることはなく、高精度の位置検出が
可能である。
第2図(a),(b)に本発明の第2の実施例を示
す。この実施例は、ICチップ21の電極パッド22のうちの
図中上下中央部に位置する電極パッド22aの四隅を僅か
に切欠して十字型に形成することにより、他の電極パッ
ド22bと明確に区別し得るようにして、電極パッド22aを
位置検出用パターンとして用いている。この構成によれ
ば、電極パッド22aを位置検出用パターンとしても使用
することができるので、スペース的な余裕が増すという
利点がある。
す。この実施例は、ICチップ21の電極パッド22のうちの
図中上下中央部に位置する電極パッド22aの四隅を僅か
に切欠して十字型に形成することにより、他の電極パッ
ド22bと明確に区別し得るようにして、電極パッド22aを
位置検出用パターンとして用いている。この構成によれ
ば、電極パッド22aを位置検出用パターンとしても使用
することができるので、スペース的な余裕が増すという
利点がある。
第3図(a),(b)に本発明の第3の実施例を示
す。この実施例ではICチップ31の電極パッド32のうち、
図中右上及び左下に夫々位置する電極パッド32a,32bを
接続する内部配線33上に、電極パッド32と略同じ大きさ
の十字型の内形パターン34を形成し、この内形パターン
34を位置検出用パターンとしている。この構成によれ
ば、電極パッド32の部分のスペース上の制限は更に緩和
される。
す。この実施例ではICチップ31の電極パッド32のうち、
図中右上及び左下に夫々位置する電極パッド32a,32bを
接続する内部配線33上に、電極パッド32と略同じ大きさ
の十字型の内形パターン34を形成し、この内形パターン
34を位置検出用パターンとしている。この構成によれ
ば、電極パッド32の部分のスペース上の制限は更に緩和
される。
第4図(a),(b)に本発明の第4の実施例を示
す。この実施例では、ICチップ41の電極パッド42のう
ち、右上及び左下の夫々の電極パッド42a,42bを接続す
る内部配線43そのものを十字型にした例である。
す。この実施例では、ICチップ41の電極パッド42のう
ち、右上及び左下の夫々の電極パッド42a,42bを接続す
る内部配線43そのものを十字型にした例である。
これら十字型のパターンサイズについては、カメラ倍
率により変更する必要がある。本発明者等の評価によれ
ば、カメラ倍率とパターンサイズとの関係は、第5図の
ようになった。即ち、カメラ倍率の上昇と共に、位置検
出マークの十字型パターンの最適寸法サイズは双曲線的
に小さくなる。
率により変更する必要がある。本発明者等の評価によれ
ば、カメラ倍率とパターンサイズとの関係は、第5図の
ようになった。即ち、カメラ倍率の上昇と共に、位置検
出マークの十字型パターンの最適寸法サイズは双曲線的
に小さくなる。
第6図(a),(b)に本発明の第5の実施例を示
す。この実施例では、ICチップ51の電極パッド52のう
ち、右上及び左下の夫々の電極パッド25a,52bを接続す
る内部配線53に丸型の内形パターン54を特徴あるパター
ンとして形成したものである。
す。この実施例では、ICチップ51の電極パッド52のう
ち、右上及び左下の夫々の電極パッド25a,52bを接続す
る内部配線53に丸型の内形パターン54を特徴あるパター
ンとして形成したものである。
第7図(a),(b)に本発明の第6の実施例を示
す。この実施例では、ICチップ61の電極パッド62のう
ち、特に、右上及び左下の電極パッド62aの一辺をV字
状に切り欠いた形状とすることにより、この電極パッド
62aを位置検出用パターンとしたものである。
す。この実施例では、ICチップ61の電極パッド62のう
ち、特に、右上及び左下の電極パッド62aの一辺をV字
状に切り欠いた形状とすることにより、この電極パッド
62aを位置検出用パターンとしたものである。
以上の各実施例について本発明の効果を調べたとこ
ろ、第8図(a),(b)に示すように、ズレ不良発生
率及び検出不良発生率をいずれも従来のICチップに比し
て大幅に低減させることができた。
ろ、第8図(a),(b)に示すように、ズレ不良発生
率及び検出不良発生率をいずれも従来のICチップに比し
て大幅に低減させることができた。
なお、上述の実施例はいずれもICチップの位置検出用
パターンについてのものであるが、パッケージの位置検
出用パターンについても、同様の形態を採用することが
できる。また、位置検出用パターンは特に2箇所だけで
なく3箇所以上設けるようにしてもよい。
パターンについてのものであるが、パッケージの位置検
出用パターンについても、同様の形態を採用することが
できる。また、位置検出用パターンは特に2箇所だけで
なく3箇所以上設けるようにしてもよい。
更に、本発明は他のパッケージング工程の装置、例え
ば、マウンタやILBボンダ、OLBボンダ、フリップチップ
ボンダ等においても適用可能である。この場合でも高倍
率のカメラを使用することができるので、位置検出精度
が向上し、組み立て精度を高めることができる。
ば、マウンタやILBボンダ、OLBボンダ、フリップチップ
ボンダ等においても適用可能である。この場合でも高倍
率のカメラを使用することができるので、位置検出精度
が向上し、組み立て精度を高めることができる。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、ICチップの少
なくとも2箇所に電極パッドと略同様の大きさで、且
つ、電極パッドと異なる形状の位置検出用のパターンを
有しているので、電極パッドが記憶範囲枠に略一杯に映
しだされる程度にカメラの倍率を上げた場合でも、位置
検出用パターンと電極パッドとを識別可能である。この
ため、本発明によれば、カメラの倍率を増加させて画像
処理の精度を向上させることにより位置決め精度の向上
を図ることができる。
なくとも2箇所に電極パッドと略同様の大きさで、且
つ、電極パッドと異なる形状の位置検出用のパターンを
有しているので、電極パッドが記憶範囲枠に略一杯に映
しだされる程度にカメラの倍率を上げた場合でも、位置
検出用パターンと電極パッドとを識別可能である。この
ため、本発明によれば、カメラの倍率を増加させて画像
処理の精度を向上させることにより位置決め精度の向上
を図ることができる。
第1図(a),(b)は本発明の第1の実施例に係る集
積回路装置の夫々平面図と同装置のモニタ画面とを示す
図、第2図(a),(b)は本発明の第2の実施例に係
る集積回路装置の夫々平面図と同装置のモニタ画像とを
示す図、第3図(a),(b)は本発明の第3の実施例
に係る集積回路装置の夫々平面図と同装置のモニタ画面
とを示す図、第4図(a),(b)は本発明の第4の実
施例に係る集積回路装置の夫々平面図と同装置のモニタ
画面とを示す図、第5図(a),(b)は位置検出用パ
ターンとして十字型パターンを用いた場合の夫々カメラ
倍率と最適パターンサイズとの関係を示すグラフ図、第
6図(a),(b)は本発明の第5の実施例に係るICチ
ップの夫々平面図とモニタ画面とを示す図、第7図
(a),(b)は本発明の第6の実施例に係るICチップ
の夫々平面図とモニタ画面とを示す図、第8図(a),
(b)は本発明の効果を示す図、第9図は従来のICチッ
プの平面図、第10図は従来のICチップの位置検出方法を
説明するための図、第11図及び第12図は従来のICチップ
の位置検出方法の問題点を説明するための図である。 1,12,21,31,41,51,61;ICチップ、2,13,22,32,42,52,62;
電極パッド、3;マスクアライメントマーク、4;モニタ画
面、5;クロスライン、6;記憶範囲枠、11;ICパッケー
ジ、14,16;位置検出パターン、33,43,53;内部配線、34,
54;内形パターン
積回路装置の夫々平面図と同装置のモニタ画面とを示す
図、第2図(a),(b)は本発明の第2の実施例に係
る集積回路装置の夫々平面図と同装置のモニタ画像とを
示す図、第3図(a),(b)は本発明の第3の実施例
に係る集積回路装置の夫々平面図と同装置のモニタ画面
とを示す図、第4図(a),(b)は本発明の第4の実
施例に係る集積回路装置の夫々平面図と同装置のモニタ
画面とを示す図、第5図(a),(b)は位置検出用パ
ターンとして十字型パターンを用いた場合の夫々カメラ
倍率と最適パターンサイズとの関係を示すグラフ図、第
6図(a),(b)は本発明の第5の実施例に係るICチ
ップの夫々平面図とモニタ画面とを示す図、第7図
(a),(b)は本発明の第6の実施例に係るICチップ
の夫々平面図とモニタ画面とを示す図、第8図(a),
(b)は本発明の効果を示す図、第9図は従来のICチッ
プの平面図、第10図は従来のICチップの位置検出方法を
説明するための図、第11図及び第12図は従来のICチップ
の位置検出方法の問題点を説明するための図である。 1,12,21,31,41,51,61;ICチップ、2,13,22,32,42,52,62;
電極パッド、3;マスクアライメントマーク、4;モニタ画
面、5;クロスライン、6;記憶範囲枠、11;ICパッケー
ジ、14,16;位置検出パターン、33,43,53;内部配線、34,
54;内形パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H01L 21/60
Claims (1)
- 【請求項1】集積回路チップの電極パッドの1つを認識
できる範囲枠と略同等の範囲枠に前記電極パッドとは異
なる形状で、かつ前記電極パッドと同一層に形成された
位置検出用のパターンを有することを特徴とする集積回
路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63163242A JP2871696B2 (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63163242A JP2871696B2 (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 集積回路装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0212847A JPH0212847A (ja) | 1990-01-17 |
JP2871696B2 true JP2871696B2 (ja) | 1999-03-17 |
Family
ID=15770051
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63163242A Expired - Lifetime JP2871696B2 (ja) | 1988-06-30 | 1988-06-30 | 集積回路装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2871696B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1991016656A1 (en) * | 1990-04-24 | 1991-10-31 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device provided with circuit cell and array, and data input-output device |
JP3148353B2 (ja) * | 1991-05-30 | 2001-03-19 | ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション | 電子ビーム検査方法とそのシステム |
JP3535683B2 (ja) * | 1997-01-09 | 2004-06-07 | 株式会社ルネサステクノロジ | 位置認識用マーク付半導体装置 |
JP3827497B2 (ja) | 1999-11-29 | 2006-09-27 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
JP5896752B2 (ja) | 2012-01-16 | 2016-03-30 | 株式会社ミツトヨ | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5575229A (en) * | 1978-12-01 | 1980-06-06 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
JPS61174659A (ja) * | 1985-01-29 | 1986-08-06 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-06-30 JP JP63163242A patent/JP2871696B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0212847A (ja) | 1990-01-17 |
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