JPS6366527A - レ−ザ−光学系 - Google Patents
レ−ザ−光学系Info
- Publication number
- JPS6366527A JPS6366527A JP21244586A JP21244586A JPS6366527A JP S6366527 A JPS6366527 A JP S6366527A JP 21244586 A JP21244586 A JP 21244586A JP 21244586 A JP21244586 A JP 21244586A JP S6366527 A JPS6366527 A JP S6366527A
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- JP
- Japan
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- light
- polygonal mirror
- semiconductor laser
- lens
- higher harmonic
- Prior art date
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 12
- 239000007836 KH2PO4 Substances 0.000 abstract description 4
- 229910000402 monopotassium phosphate Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 235000019796 monopotassium phosphate Nutrition 0.000 abstract description 4
- GNSKLFRGEWLPPA-UHFFFAOYSA-M potassium dihydrogen phosphate Chemical compound [K+].OP(O)([O-])=O GNSKLFRGEWLPPA-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 4
- 230000004907 flux Effects 0.000 abstract description 3
- LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N ammonium dihydrogen phosphate Chemical compound [NH4+].OP(O)([O-])=O LFVGISIMTYGQHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 235000002256 Diospyros oleifera Nutrition 0.000 description 1
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Landscapes
- Mechanical Optical Scanning Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
本発明は、レーザービームプリンター、光ディスクの如
きレーザーを用いた光学系に関するものである。尚、以
下の発明においては、レーザービームプリンターを例示
馳で、本発明を説明するが、本発明はレーザービームプ
リンターに限られることなく、高解像度を要求される装
置に適用可能であることは云うまでもない。
きレーザーを用いた光学系に関するものである。尚、以
下の発明においては、レーザービームプリンターを例示
馳で、本発明を説明するが、本発明はレーザービームプ
リンターに限られることなく、高解像度を要求される装
置に適用可能であることは云うまでもない。
[従来技術]
Iユ つ IVI r、+ ji 車 /7
) l/ −十F −−Jム 憫ン く ガ
)15+l ル示すものである。第2図において、1
は半導体レーザー、2はコリメーターレンズであり、半
導体レーザー1より出た光束を平行光とするためであり
、3はコリメーターレンズ2よりの光束を偏向するため
の回転多面鏡であり、3aは反射面で、4の方向に回転
することにより、コリメーターレンズ2の光束を偏向し
走査する。5は回転多面鏡3よりの光束をドラム6上に
結像するだめの結像レンズであり、結像スポットはドラ
ム6上に走査線7として結像される。
) l/ −十F −−Jム 憫ン く ガ
)15+l ル示すものである。第2図において、1
は半導体レーザー、2はコリメーターレンズであり、半
導体レーザー1より出た光束を平行光とするためであり
、3はコリメーターレンズ2よりの光束を偏向するため
の回転多面鏡であり、3aは反射面で、4の方向に回転
することにより、コリメーターレンズ2の光束を偏向し
走査する。5は回転多面鏡3よりの光束をドラム6上に
結像するだめの結像レンズであり、結像スポットはドラ
ム6上に走査線7として結像される。
近年、ノンインパクトプリンターが従来のドツトプリン
ターに置きかえられつつあり、そのとき装置のコンパク
ト化と高解像すなわちドラム上のスポット系の一層の小
スポット化が要求されつつある。
ターに置きかえられつつあり、そのとき装置のコンパク
ト化と高解像すなわちドラム上のスポット系の一層の小
スポット化が要求されつつある。
第3図において、ドラム面上でのスポット径ρが決めら
れる過程を示す。第3図において3aは第2図のポリゴ
ンの反射面、5.7は第2図と同じであり、8はコリメ
ータより出た光束でDはその先東径を示す6 結像レンズ5の焦点距離をfとするとスポット径ρは下
記の式によって定義される。
れる過程を示す。第3図において3aは第2図のポリゴ
ンの反射面、5.7は第2図と同じであり、8はコリメ
ータより出た光束でDはその先東径を示す6 結像レンズ5の焦点距離をfとするとスポット径ρは下
記の式によって定義される。
F=f/D F:Fナンバー −−一−−■ρ=
xFλ x:トランケーションファクター(はぼ定数>
−−−−一■ 0式を見るとスポット径ρを小さくするためには、F値
を小さくするか、λを短波長にすることが考えられる。
xFλ x:トランケーションファクター(はぼ定数>
−−−−一■ 0式を見るとスポット径ρを小さくするためには、F値
を小さくするか、λを短波長にすることが考えられる。
まず、第1のF値を小さくすることを0式かられかるよ
うに、Dを大きくしなければならない。
うに、Dを大きくしなければならない。
コリメーターよりの光束径りを大きくすることはコリメ
ーターレンズを大きくし、またポリゴン径を大きくしな
ければならず、また結像レンズ5も収差補正上複雑な構
成をとらざるをえなく装置が大型化する。また結像レン
ズ5のドラム上での深度1は 、2=Fρ=xF2λ −−一−−■で決ま
り、したがってスポット径を半分にするためにF If
6を半分にすると深度λは1/4になってしまい、結像
レンズとドラム間の距離精度が厳しくなるという問題が
あった。
ーターレンズを大きくし、またポリゴン径を大きくしな
ければならず、また結像レンズ5も収差補正上複雑な構
成をとらざるをえなく装置が大型化する。また結像レン
ズ5のドラム上での深度1は 、2=Fρ=xF2λ −−一−−■で決ま
り、したがってスポット径を半分にするためにF If
6を半分にすると深度λは1/4になってしまい、結像
レンズとドラム間の距離精度が厳しくなるという問題が
あった。
第2にもう一つの方法、すなわち波長λを短波長にする
ためには、現在のレーザーよりするとArレーザーとか
He−Cdレーザーを使用せざるをえず、装置が大型化
するとともに、半導体レーザーのように自己変調ができ
ないので、ADなどの変調素子もいることになる。
ためには、現在のレーザーよりするとArレーザーとか
He−Cdレーザーを使用せざるをえず、装置が大型化
するとともに、半導体レーザーのように自己変調ができ
ないので、ADなどの変調素子もいることになる。
[発明の目的]
本発明の目的は、上述問題点をおこさず、すなわち装置
がコンパクトになるため、光源としては半導体レーザー
を使用し、かつ結像レンズのF値を同じにしてスポット
系を小さくすることを目的とする。本発明においては、
そのため、半導体レーザーと受光媒体との間の光路中に
KDP (KH2PO4)あるいはADP(NH4H2
po4 )などの非線形結晶を配置し、それにより入射
した半導体レーザー光の第2高調波光を発生させ、その
第2高調波光、すなわち半導体レーザー光の波長の1/
2波長の光を利用することにより、目的を達成しようと
するものである。
がコンパクトになるため、光源としては半導体レーザー
を使用し、かつ結像レンズのF値を同じにしてスポット
系を小さくすることを目的とする。本発明においては、
そのため、半導体レーザーと受光媒体との間の光路中に
KDP (KH2PO4)あるいはADP(NH4H2
po4 )などの非線形結晶を配置し、それにより入射
した半導体レーザー光の第2高調波光を発生させ、その
第2高調波光、すなわち半導体レーザー光の波長の1/
2波長の光を利用することにより、目的を達成しようと
するものである。
[発明の構成及び作用の説明]
第1図は本発明の実施例である。
第1図において、11は波長0.78μでシングルモー
ドで自己変調可能な半導体レーザーで、発j汝光束とし
て射出する。12は半導体レーザー11の発ii′1.
光束を平行光とするためのコリメーターレンズ、13は
コリメーターレンズより出た波長0.78μの光を0.
395μの第2高調波を発生するためのKDPの結晶で
ある。コリメーターレンズ13より出た波長0.395
μの光は回転多面鏡14の反射面]、 4 aに入射す
る。回転多面鏡14はモーター15により、矢印16の
方向に回転しているので、反射面14aに入射した光束
1ま結像レンズ17の方へ反射され走査される。
ドで自己変調可能な半導体レーザーで、発j汝光束とし
て射出する。12は半導体レーザー11の発ii′1.
光束を平行光とするためのコリメーターレンズ、13は
コリメーターレンズより出た波長0.78μの光を0.
395μの第2高調波を発生するためのKDPの結晶で
ある。コリメーターレンズ13より出た波長0.395
μの光は回転多面鏡14の反射面]、 4 aに入射す
る。回転多面鏡14はモーター15により、矢印16の
方向に回転しているので、反射面14aに入射した光束
1ま結像レンズ17の方へ反射され走査される。
結像レンズ17に入射した光束は被走査媒体18上の走
査ライン19上に結像スポットとして結像し走査される
。上記実施例において、走査光り、従来の半分のスポッ
ト径が達成されることになる。
査ライン19上に結像スポットとして結像し走査される
。上記実施例において、走査光り、従来の半分のスポッ
ト径が達成されることになる。
非線形結晶を用い第2高調波を利用するメリットを以下
に数値で示す。
に数値で示す。
例えば、第2図における初期の光学系の数値を半導体1
ノ−ザーの波長0.83μコリメーターの焦点距ユf1
=8.3、D=4.2、結像レンズのf=178として
FND=42.4、A4短手をスキャンする。このとき
ドラム面上でのスポット径は約1/e2で60μとなり
、ドラム面上での深度は上2゜5mmである。
ノ−ザーの波長0.83μコリメーターの焦点距ユf1
=8.3、D=4.2、結像レンズのf=178として
FND=42.4、A4短手をスキャンする。このとき
ドラム面上でのスポット径は約1/e2で60μとなり
、ドラム面上での深度は上2゜5mmである。
スポット径を半分、即ち、1/e2て30μにするため
、F値を半分にするには、結像レンズの焦点距離は変え
ないとして、コリメーターレンズの焦点距離f=16.
6、D=8.4となりFNl)=21.2となり、ポリ
ゴン径も大きくなってしまう。また、結像レンズも枚数
が多くなり、ドラム」二での)栗度は上0゜64となっ
てしまう。
、F値を半分にするには、結像レンズの焦点距離は変え
ないとして、コリメーターレンズの焦点距離f=16.
6、D=8.4となりFNl)=21.2となり、ポリ
ゴン径も大きくなってしまう。また、結像レンズも枚数
が多くなり、ドラム」二での)栗度は上0゜64となっ
てしまう。
場合、コリメーターレンズの焦点距離、Dは初期と同じ
であり、またポリゴン系も同じである。
であり、またポリゴン系も同じである。
また、FND=42.4であるのでドラム面上での深度
は主1゜24となる。
は主1゜24となる。
[効 果]
以上、述べた様に本発明に係るレーザー光学系において
は、簡易な手段で高解像のスポット径が得られると言う
優れた効果を有するものである。
は、簡易な手段で高解像のスポット径が得られると言う
優れた効果を有するものである。
例を示す図、第2図及び第3図は従来のレーザー光学系
を説明する為の図。
を説明する為の図。
11−m−半導体レーザー
12−m−コリメーターレンズ
13−−一第2高調波発生結晶
14−m−回転多面鏡
15−m−モーター
17−−−結像レンズ
18−m−被走査媒体
Claims (1)
- (1)半導体レーザーからの光束を結像光学系により受
光媒体上に集光するレーザー光学系において、前記光路
中に第2高調波を発生させる非線形結晶を設けた事を特
徴とするレーザー光学系。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21244586A JPS6366527A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | レ−ザ−光学系 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21244586A JPS6366527A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | レ−ザ−光学系 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6366527A true JPS6366527A (ja) | 1988-03-25 |
Family
ID=16622730
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21244586A Pending JPS6366527A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | レ−ザ−光学系 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6366527A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3929817A1 (de) * | 1988-09-09 | 1990-03-22 | Hitachi Ltd | Geraet der informationstechnik unter verwendung von laserlicht |
JP2004354500A (ja) * | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Canon Inc | 光走査装置及びそれを用いた画像形成装置 |
JP2015219496A (ja) * | 2014-05-21 | 2015-12-07 | キヤノン株式会社 | 走査光学系及びそれを用いた画像形成装置 |
-
1986
- 1986-09-09 JP JP21244586A patent/JPS6366527A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3929817A1 (de) * | 1988-09-09 | 1990-03-22 | Hitachi Ltd | Geraet der informationstechnik unter verwendung von laserlicht |
US4959665A (en) * | 1988-09-09 | 1990-09-25 | Hitachi Koki Co., Ltd. | Laser printer with harmonic wave separation of the beam |
JP2004354500A (ja) * | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Canon Inc | 光走査装置及びそれを用いた画像形成装置 |
JP4590166B2 (ja) * | 2003-05-27 | 2010-12-01 | キヤノン株式会社 | 光走査装置及びそれを用いた画像形成装置 |
JP2015219496A (ja) * | 2014-05-21 | 2015-12-07 | キヤノン株式会社 | 走査光学系及びそれを用いた画像形成装置 |
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