JPS6365675A - 半導体集積回路の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路の製造方法Info
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- JPS6365675A JPS6365675A JP61210236A JP21023686A JPS6365675A JP S6365675 A JPS6365675 A JP S6365675A JP 61210236 A JP61210236 A JP 61210236A JP 21023686 A JP21023686 A JP 21023686A JP S6365675 A JPS6365675 A JP S6365675A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B69/00—Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices
Landscapes
- Non-Volatile Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路の製造方法に関し、特に３次元
素子の績ＨＭ遣の製造方法に関する。
素子の績ＨＭ遣の製造方法に関する。
第２図は従来の２次元構造の相補型Ｍｏ５１〜ランジス
タ（ＣＭｏ３＞半導体集積回路装置の１例の断面図であ
る。Ｎ型基板１の表面にＰチャネル及びＮチャネルのＭ
ｏ３）ランジスタを形成するために図に示すようにＰ型
のウェル３を形成する必要がある。そして、Ｎ型半導体
基板にＰ型拡散層２をＰ型つェル内にＮ型拡散層を形成
する。この構造においては、ＬＳＩの集積度の向上に伴
って前記ＣＭＯ３）ランジスタの拡散層面積分小さくす
る事とウェル間の分離幅を小さくする事が必要になって
きているが、従来技術においては、ウェルの形成は、イ
オン注入により拡散源を注入後、高温の熱処理によって
形成することによって基板表面に形成している為、熱処
理を制御してウェルの面積を十分小さくする事には限界
がある。
タ（ＣＭｏ３＞半導体集積回路装置の１例の断面図であ
る。Ｎ型基板１の表面にＰチャネル及びＮチャネルのＭ
ｏ３）ランジスタを形成するために図に示すようにＰ型
のウェル３を形成する必要がある。そして、Ｎ型半導体
基板にＰ型拡散層２をＰ型つェル内にＮ型拡散層を形成
する。この構造においては、ＬＳＩの集積度の向上に伴
って前記ＣＭＯ３）ランジスタの拡散層面積分小さくす
る事とウェル間の分離幅を小さくする事が必要になって
きているが、従来技術においては、ウェルの形成は、イ
オン注入により拡散源を注入後、高温の熱処理によって
形成することによって基板表面に形成している為、熱処
理を制御してウェルの面積を十分小さくする事には限界
がある。
また前記ｐ、ｎＭＯ３）ランジスタを隣接して形成する
と、容量サイリスタ現象によるラッチアップ現象がおこ
るという問題がある為ウェル間の分離技術はＣＭＯ６の
集積密度を大きく律速している。
と、容量サイリスタ現象によるラッチアップ現象がおこ
るという問題がある為ウェル間の分離技術はＣＭＯ６の
集積密度を大きく律速している。
上述したように、２次元型のＭＯＳ）ランジスタを形成
する従来技術においては、必然的に、拡散層及びウェル
を同一平面に形成しなくてはならない為に、素子の集積
密度はＭ ＯＳ トランジスタ間の分離技術及びウェル
間の分離技術に依存する。
する従来技術においては、必然的に、拡散層及びウェル
を同一平面に形成しなくてはならない為に、素子の集積
密度はＭ ＯＳ トランジスタ間の分離技術及びウェル
間の分離技術に依存する。
前記ＭＯ８）ランジスタ間の分離技術は、チャネル長を
短くする事によって従来性われてきているが、寄生ＭＯ
３）ランジスタの閾値は、あまり小さくできない為、チ
ャネルストッパーの濃度を上げる必要があるが、逆にこ
うすると、ｐｎ接合耐圧が低下し、ＭＯＳトランジスタ
間の分離についても制約がある。
短くする事によって従来性われてきているが、寄生ＭＯ
３）ランジスタの閾値は、あまり小さくできない為、チ
ャネルストッパーの濃度を上げる必要があるが、逆にこ
うすると、ｐｎ接合耐圧が低下し、ＭＯＳトランジスタ
間の分離についても制約がある。
さらに、同一半導体基板上にｎ、ｐ型ＭＯＳトランジス
タを集積している為、容量サイリスタ現象によるラッチ
アップ現象が、おこりやすいという問題がある。従って
ウェル間の間隔を縮小するこにも、従来の平面上にトラ
ンジスタを形成する方法においては、大きな制限がある
。
タを集積している為、容量サイリスタ現象によるラッチ
アップ現象が、おこりやすいという問題がある。従って
ウェル間の間隔を縮小するこにも、従来の平面上にトラ
ンジスタを形成する方法においては、大きな制限がある
。
さらに、ＣＭＯＳ構造でセルを形成していない電気的に
消却可能なＰＲＯＭ （ＥＥＰＲＯＭ＞についても、第
３図に示すように、フローティングゲート１２の電位の
制御は、コン）・ロールゲート１４を低電位“Ｌ ”に
した時セレクトゲート８を高電位ＩＩ Ｈ１１にして拡
散層６の電位を拡散層７゜９．１０に伝える事により薄
い絶縁膜１１を通って拡散層１０から、前記フローディ
ングゲ−１−１２へ電子を放出する事によって行なわれ
る訳であるが（フローディングゲート１２がら拡散層１
０への電子の注入はこれとは逆に、前記セレクトゲート
８及び拡散層６の電位を“Ｌ ”にしコントロールゲー
ト１４の電位を“Ｈ”にする事で行われる）、前記コン
トロールゲート１４の下部の面積の他に、前記フローデ
ィングゲート１２の電位をコン１〜ロールする為の前記
拡ｒ１１層６，７，９．１０及び前記セレクトゲート８
からなるトランジスタを同一基板平面上に形成しなけれ
ばならない為、集積密度を上げる事は十分でなかった。
消却可能なＰＲＯＭ （ＥＥＰＲＯＭ＞についても、第
３図に示すように、フローティングゲート１２の電位の
制御は、コン）・ロールゲート１４を低電位“Ｌ ”に
した時セレクトゲート８を高電位ＩＩ Ｈ１１にして拡
散層６の電位を拡散層７゜９．１０に伝える事により薄
い絶縁膜１１を通って拡散層１０から、前記フローディ
ングゲ−１−１２へ電子を放出する事によって行なわれ
る訳であるが（フローディングゲート１２がら拡散層１
０への電子の注入はこれとは逆に、前記セレクトゲート
８及び拡散層６の電位を“Ｌ ”にしコントロールゲー
ト１４の電位を“Ｈ”にする事で行われる）、前記コン
トロールゲート１４の下部の面積の他に、前記フローデ
ィングゲート１２の電位をコン１〜ロールする為の前記
拡ｒ１１層６，７，９．１０及び前記セレクトゲート８
からなるトランジスタを同一基板平面上に形成しなけれ
ばならない為、集積密度を上げる事は十分でなかった。
本発明の目的は、半導体基板上に形成される半導体集積
回路の集積密度を向上させ、基板上に形成される半導体
集積回路素子の１個当りの面積を小さくしても、ＰＮ接
合耐圧の低下が生ずること゛ なく、かつ容量サイリス
タ現象によるラッチアップ現象を防止することができる
半導体集積回路の製造方法を提供することにある。
回路の集積密度を向上させ、基板上に形成される半導体
集積回路素子の１個当りの面積を小さくしても、ＰＮ接
合耐圧の低下が生ずること゛ なく、かつ容量サイリス
タ現象によるラッチアップ現象を防止することができる
半導体集積回路の製造方法を提供することにある。
本発明の半導体集積回路の製造方法は、基板上に形成さ
れたＭＯＳトランジスタのゲート電極上部及び側面に絶
縁膜を形成する工程と、前記ゲート電極の四りに多結晶
シリコン膜を形成する工程と、該多結晶シリコン膜に不
純物を選択的に拡散し、拡散層を形成する工程とを含み
、前記基板上の前記ＭＯＳトランジスタの上部又は側面
にＭＯＳトランジスタを少なくとも１個形成することに
より構成される。
れたＭＯＳトランジスタのゲート電極上部及び側面に絶
縁膜を形成する工程と、前記ゲート電極の四りに多結晶
シリコン膜を形成する工程と、該多結晶シリコン膜に不
純物を選択的に拡散し、拡散層を形成する工程とを含み
、前記基板上の前記ＭＯＳトランジスタの上部又は側面
にＭＯＳトランジスタを少なくとも１個形成することに
より構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。本実施例では本発明のＥＥＰＲＯＭのセレクト用及び
消去用トランジスタに適用した場合について説明する。
。本実施例では本発明のＥＥＰＲＯＭのセレクト用及び
消去用トランジスタに適用した場合について説明する。
第１図は、フローティングゲ−１・への電荷の出入りを
行う部分についての詳しい断面図である。形成方法を順
を追って説明する。先ず、Ｐ型基板１５上に、ゲート酸
化膜１６を形成し、さらにフローティングゲートとなる
多結晶シリコン膜１７を形成する。そして多結晶シリコ
ン膜１７に、不純物拡散を行ったあと、パターニングを
行うとともに、多結晶シリコン膜１７をマスクにしてＮ
型不純物のイオン注入を行い、Ｎ型拡散層１８を形成す
る。次に、多結晶シリコン膜１７からなるフローディン
グゲート内部にフォトレジストをマスクにして溝を形成
する。この溝を形成することにより膜厚の増大を防ぎし
きい値電圧の高くなるのを防ぐことができる。
行う部分についての詳しい断面図である。形成方法を順
を追って説明する。先ず、Ｐ型基板１５上に、ゲート酸
化膜１６を形成し、さらにフローティングゲートとなる
多結晶シリコン膜１７を形成する。そして多結晶シリコ
ン膜１７に、不純物拡散を行ったあと、パターニングを
行うとともに、多結晶シリコン膜１７をマスクにしてＮ
型不純物のイオン注入を行い、Ｎ型拡散層１８を形成す
る。次に、多結晶シリコン膜１７からなるフローディン
グゲート内部にフォトレジストをマスクにして溝を形成
する。この溝を形成することにより膜厚の増大を防ぎし
きい値電圧の高くなるのを防ぐことができる。
このようにしてできた多結晶シリコン膜１７は周辺を酸
化することにより他の膜との絶縁をとると共に、後述す
る側面の消去用Ｉ・ランジスタのゲ−１・酸化膜１つと
なる。
化することにより他の膜との絶縁をとると共に、後述す
る側面の消去用Ｉ・ランジスタのゲ−１・酸化膜１つと
なる。
さらに選択的に多結晶シリコン膜を形成し、不純物をイ
オン注入、又は、ボロン拡散により消去用Ｉ・ランジス
タのＰ型拡散層２０を形成する。次に多結晶シリコン膜
を再度形成後、フォトレジストをマスクにして選択的に
多結晶シリコン膜にＰ型不純物を拡散し、消去用Ｉ・ラ
ンジスタのＰ型拡散層２１を形成する。このようにして
拡散層２０゜２１及び、ゲート酸化膜１９から消去用ト
ランジスタが形成される９ 前記溝を含む多結晶シリコン膜１７上の多結晶シリコン
膜はＮ型の不純物をイオン注入によって拡散させ、さら
に、前記拡散層２１との分離を行い、コントロールゲー
トどなる多結晶シリコン膜２２が形成された。形成され
た素子を多結晶シリコンガラス２３で覆うと、第１図に
示すようなＥＥＰＲＯＭ構造が完成する。
オン注入、又は、ボロン拡散により消去用Ｉ・ランジス
タのＰ型拡散層２０を形成する。次に多結晶シリコン膜
を再度形成後、フォトレジストをマスクにして選択的に
多結晶シリコン膜にＰ型不純物を拡散し、消去用Ｉ・ラ
ンジスタのＰ型拡散層２１を形成する。このようにして
拡散層２０゜２１及び、ゲート酸化膜１９から消去用ト
ランジスタが形成される９ 前記溝を含む多結晶シリコン膜１７上の多結晶シリコン
膜はＮ型の不純物をイオン注入によって拡散させ、さら
に、前記拡散層２１との分離を行い、コントロールゲー
トどなる多結晶シリコン膜２２が形成された。形成され
た素子を多結晶シリコンガラス２３で覆うと、第１図に
示すようなＥＥＰＲＯＭ構造が完成する。
このようにして形成された素子は、以下に示すような動
作をするようになる。まず、フローティングゲートとな
る多結晶シリコン膜１７、及びＮ型拡散層１８からなる
トランジスタにおいて、上部のコントロ−ル−１・とじ
て働く多結晶シリコン膜２２を高電位“Ｍｌ“にし、前
記拡散層１８間に電場勾配をつけることにより、前記多
結晶シリコン膜１７内に電子の注入を行う。電子が過剰
に入った多結晶シリコン膜１７は、低電位になり、見か
け上、前記多結晶シリコン膜１７を、ゲー１へ電極とす
るトランジスタのしきい値電圧は、上昇したように成る
。こうしてフローティングゲートにデータが書き込まれ
たことになる。
作をするようになる。まず、フローティングゲートとな
る多結晶シリコン膜１７、及びＮ型拡散層１８からなる
トランジスタにおいて、上部のコントロ−ル−１・とじ
て働く多結晶シリコン膜２２を高電位“Ｍｌ“にし、前
記拡散層１８間に電場勾配をつけることにより、前記多
結晶シリコン膜１７内に電子の注入を行う。電子が過剰
に入った多結晶シリコン膜１７は、低電位になり、見か
け上、前記多結晶シリコン膜１７を、ゲー１へ電極とす
るトランジスタのしきい値電圧は、上昇したように成る
。こうしてフローティングゲートにデータが書き込まれ
たことになる。
書き込まれたデータは、同様の方法で、拡散層２０．２
１及び、ゲート酸化膜１９がら成る消去用Ｉ・ランジス
タを使って消去可能である。まず、拡散層２０．２１間
に電位差を発生させ、多結晶シリコン膜２２を低電位”
Ｌ“′にする。こうすることで、多結晶シリコン膜１７
へ前記消去用１〜ランシスターからホールの注入を行な
い、前記多結晶シリコンｊ摸１７内の電荷の中和を行う
ことができる。
１及び、ゲート酸化膜１９がら成る消去用Ｉ・ランジス
タを使って消去可能である。まず、拡散層２０．２１間
に電位差を発生させ、多結晶シリコン膜２２を低電位”
Ｌ“′にする。こうすることで、多結晶シリコン膜１７
へ前記消去用１〜ランシスターからホールの注入を行な
い、前記多結晶シリコンｊ摸１７内の電荷の中和を行う
ことができる。
以上説明したように本発明においては、基板上に形成さ
れたｎ型トランジスタ上部及び側面にｐ型のＭｏｓ＋〜
ランジスタを形成する事により、前記ＥＥＰＲＯＭ素子
の１個当りの面積を小さくする事ができるという効果か
あ。また側面部のＭｏ３ トランジスタのチャネル長し
は、前記ポリシリコン膜２３の膜厚及びイオン注入時の
イオン源の飛程の制御性を考えると平面上での選択エツ
チングによるチャネル長の制御より精密に行うことがで
きると考えられる。またｎ型、ｐ型のＭＯＳトランジス
タが同一平面にない構造を作る事が可能である為容量サ
イリスタ現象によるラッチアップ現象を防止することも
可能となる。
れたｎ型トランジスタ上部及び側面にｐ型のＭｏｓ＋〜
ランジスタを形成する事により、前記ＥＥＰＲＯＭ素子
の１個当りの面積を小さくする事ができるという効果か
あ。また側面部のＭｏ３ トランジスタのチャネル長し
は、前記ポリシリコン膜２３の膜厚及びイオン注入時の
イオン源の飛程の制御性を考えると平面上での選択エツ
チングによるチャネル長の制御より精密に行うことがで
きると考えられる。またｎ型、ｐ型のＭＯＳトランジス
タが同一平面にない構造を作る事が可能である為容量サ
イリスタ現象によるラッチアップ現象を防止することも
可能となる。
さらにフローティングゲートへの電荷の注入及び注出は
二種類のキャリアを使用して２つの酸化膜を介して行な
われている為、１つの酸化膜当りの電荷量を半分にする
ことが可能となる。これにより素子の寿命が向上するこ
とが期待できる。
二種類のキャリアを使用して２つの酸化膜を介して行な
われている為、１つの酸化膜当りの電荷量を半分にする
ことが可能となる。これにより素子の寿命が向上するこ
とが期待できる。
第１図は本発明の一実施例を説明するための本発明を適
用したＥＥＰＲＯＭ素子の断面図、第２図は従来の相補
型Ｍｏ５ｔ〜ランジスタ素子の断面図、第３図は従来の
電気的に消去できるＰＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）素子の断
面図である。 １・・・Ｎ型基板、２・・・Ｐ型拡散層、３・・・Ｐ型
ウェル、４・・・Ｎ型拡散層、５・・・Ｐ型基板、６・
・・拡散層、７拡散層、８・・・セレクトゲーＩ〜、９
・・・拡散層、１０・・・拡散層、１１・・・絶縁膜、
１２・・・フローティングゲート、１３・・・絶縁膜、
１４・・・コントロールゲート、】５・・・Ｐ型基板、
１６・・・ゲート酸化膜、１７・・・多結晶シリコン膜
、１８・・・Ｎ型拡散層、１つ・・・ゲート酸化膜、２
０・・・Ｐ型拡散層、２１・・・Ｐ型拡散層、２２・・
・多結晶シリコン膜、２３・・・多結晶シリコンガラス
。 、′１、 代理人 弁理士 内 原 晋 ゛） 〈−１ノ 第１図 第２図 箭３図
用したＥＥＰＲＯＭ素子の断面図、第２図は従来の相補
型Ｍｏ５ｔ〜ランジスタ素子の断面図、第３図は従来の
電気的に消去できるＰＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）素子の断
面図である。 １・・・Ｎ型基板、２・・・Ｐ型拡散層、３・・・Ｐ型
ウェル、４・・・Ｎ型拡散層、５・・・Ｐ型基板、６・
・・拡散層、７拡散層、８・・・セレクトゲーＩ〜、９
・・・拡散層、１０・・・拡散層、１１・・・絶縁膜、
１２・・・フローティングゲート、１３・・・絶縁膜、
１４・・・コントロールゲート、】５・・・Ｐ型基板、
１６・・・ゲート酸化膜、１７・・・多結晶シリコン膜
、１８・・・Ｎ型拡散層、１つ・・・ゲート酸化膜、２
０・・・Ｐ型拡散層、２１・・・Ｐ型拡散層、２２・・
・多結晶シリコン膜、２３・・・多結晶シリコンガラス
。 、′１、 代理人 弁理士 内 原 晋 ゛） 〈−１ノ 第１図 第２図 箭３図
Claims (2)
- （１）基板上に形成されたＭＯＳトランジスタのゲート
電極上部及び側面に絶縁膜を形成する工程と、前記ゲー
ト電極の囲りに多結晶シリコン膜を形成する工程と、該
多結晶シリコン膜に不純物を選択的に拡散し、拡散層を
形成する工程とを含み、前記基板上の前記トランジスタ
の上部又は側面にＭＯＳトランジスタを少なくとも１個
形成することを特徴とする半導体集積回路の製造方法。 - （２）基板上に形成されたＭＯＳトランジスタのゲート
電極の中央部に溝が形成されていることを特徴とする特
許請求の範囲第（１）項記載の半導体集積回路の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61210236A JPS6365675A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 半導体集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61210236A JPS6365675A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 半導体集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6365675A true JPS6365675A (ja) | 1988-03-24 |
Family
ID=16586037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61210236A Pending JPS6365675A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 半導体集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6365675A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5476801A (en) * | 1993-09-30 | 1995-12-19 | Cirrus Logic, Inc. | Spacer flash cell process |
-
1986
- 1986-09-05 JP JP61210236A patent/JPS6365675A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5476801A (en) * | 1993-09-30 | 1995-12-19 | Cirrus Logic, Inc. | Spacer flash cell process |
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