SU773793A1 - Способ изготовлени полупроводниковых интегральных бипол рных схем - Google Patents
Способ изготовлени полупроводниковых интегральных бипол рных схем Download PDFInfo
- Publication number
- SU773793A1 SU773793A1 SU772540035A SU2540035A SU773793A1 SU 773793 A1 SU773793 A1 SU 773793A1 SU 772540035 A SU772540035 A SU 772540035A SU 2540035 A SU2540035 A SU 2540035A SU 773793 A1 SU773793 A1 SU 773793A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- layer
- regions
- operations
- type
- transistors
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
- H01L21/26506—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors
- H01L21/26513—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation in group IV semiconductors of electrically active species
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8222—Bipolar technology
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
- H01L27/06—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration
- H01L27/0611—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region
- H01L27/0641—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a non-repetitive configuration integrated circuits having a two-dimensional layout of components without a common active region without components of the field effect type
- H01L27/0647—Bipolar transistors in combination with diodes, or capacitors, or resistors, e.g. vertical bipolar transistor and bipolar lateral transistor and resistor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
Изобретение относитс к микроэлектронике , конкретно к способам изготовлени полупроводниковых интегральных сХем (ИС) и может быть ис-5 пользовано дл изготовлени различных твердотельных цифровых и логических устройств на основе бипол рных транзисторов .
Известен способ изготовлени полу-JO проводниковой интегральной бипол рной по планарно-эпитаксиальной технологии с использованием скрытого коллекторного сло и метода двойной диффузии дл создани базового и 5 эмиттерного слоев ij .
По этому способу изготавливают устройства, в которых изол ци отдельных транзисторов в интегральной схеме осуществл етс с помощью специ-20 ально созданного р-п перехода. Дл этого в эпитаксиальную структуру со скрытым слоем, состо щую из полупроводниковой подложки р-типа проводимости -и эпитаксиальной пленки 25 проводимости провод т разделительную диффузию. При ЭТО1-1- в эпитаксиальную пленку загон ют акцепторную примесь, котора при разгонке образует области р-типа проводимости, смыкающийс с jO
подложкой. Указанные области выдел ют в эпитаксиальном слое отдельные изолированные друг от друга карманы, в которых формируют транзисторы и другие элементы схемы.
Недостатками указанного способа вл ютс его больша трудоемкость и низка интеграци изготовленных по нему схем. Последнее обусловлено тем, что больша часть площади ИС зан та областью разделительной диффузии, котора служит только дл изол ции и не несет более никакого функционального назначени .
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому вл етс способ изготовлени полупроводниковых интегральных бипол рных схем, включающий и формирование в приповерхностном слое полупроводниковой подложки р-типа проводимости скрытого сло п-типа проводимости, выращивание эпитаксиального сло р-типа проводимости, формирование в эпитаксиальном слое областей п-типа.
П+-1
+ -П
создание областей p-типа и п -типа и формирование сло металлической разводки 22 .
Известный способ вл етс достаточно трудоемким. Кроме того, степень интеграции схем, получаемых по данному способу, недостаточно велика .
Цель изобретени - увеличение степени интеграции интегральных схем.
Поставленна цель достигаетс тем, что при создании областей и ( типа посредством ионного легировани , используют один маскирующий слой,первой производ т загонку примеси с наибольшей концентрацией в изготавливаемой конструкции, разгонку легирующих примесей в этих област х производ т в инертной среде, а окна, вскрытые дл формировани указанных областей, оставл ют открытыми вплоть до создани сло металлической разводки.
В предлагаемом способе изготовлени интегральной схемы после выращивани на эпитаксиальной структуре первого маскирующего окисла последн не подвергаетс более термическим операци м в окислительной атмосфере. При таком процессе толщина окисла оказываетс одинаковой на всей структуре и, следовательно, становитс возможным применение дл разводки металлических слоев меньшей ширины и меньшей толщины, так как на плоской поверхности веро тность разрыва тонких металлических проводников резко уменьшаетс . Уменьшение ширины проводников металлической разводки приводит к значительному уменьшению площади, занимаемой схемой на кристалле. Уменьшение толщины металлической разводки также приводит к уменьшению этой площади, так как при этому удаетс , уменьшить промежутки мажду соседними металлическими проводниками.
Другой особенностью процесса вл етс то, что при отсутствии операций окислени окна, вскрытые дл формировани областей п и р , остаютс открытыми вплоть до нанесени металлической разводки. Это дополнительно позвол ет уменьшить число технологических операций, в частности, становитс ненужной операци вскрыти контактных окон. При этом также достигаетс увеличение интеграции схемы при сохранении минимальных размеров элементов. Это увеличение интерации обусловлено тем, что в таком технологическом процессе обе области и и р могут быть сделаны минимальными , т.е. их размеры ограничены только возможност ми примен емо го оборудовани . В обычном процессе эти размеры не могут быть сделаны такими малыми, так как они должны быть больше чем размеры контактных окон к ним.
Согласно предлагаемому способу операции загонки при формировании областей п и р производ т посредством ионного легировани .
После загонки примеси в первые области, например в области п, в том же окисле вскрывают окна дл загонки примеси во вторые области, например области р. При загонке примеси во вторые области открыты ркна, вскрытые как дл загонки в пер4 вые, так и дл загонки во вторые области, и примесь попадает в те и другие области. Это накладывает требование на последовательность операций загонки. Первой должна производитьс загонка той примеси, концентраци которой в изготавливаемой конструкции должна быть больше. В этом случае втора загонка не измен ет тип проводимости в первых област х. Если, например, конструкци такова, что концентраци в област х п должна быть больше, чем концентраци в област х , то первой из двух указанных операций загонки должна производитьс загонка донорной примеси в области .
Разгонку акцепторной и донорной примесей в област х п и р производ т в инертной среде. Это предохран ет окна, необходимые дл контакта активных областей с металлической разводкой, от окислени и избавл ет от необходимости проведени операции вскрыти контактных окон. Дл уменьшени числа технологических операций разгонку акцепторной и донорной примесей производ т одновременно . Если конструкци такова, что к распределению примесей в област х п и предъ вл ютс требовани , которые не могут быть удовлетворены при одновременной разгонке, приходитс проводить разгонку акцепторной и донорной примесей раздельно, при обе разгонки провод тс в инертной среде.
Claims (2)
- Пример. Изготавливают ИС, содержащую КИД-транзисторы. На крем- ниевой подложке КДБ-10 с помощью операций 1-ой фотолитографии и диффузии сурьмы формируют области скрытого сло п-типа проводимости. Затем методом хлоридной эпитаксии выращивают монокристаллический слой кремни р-типа проводимости толщиной 2 мкм с удельным сопротивлением 0,5 Ом-см. Затем в локальные участки поверхности , выделенные с помощью 2-ой фотолитографии провод т ионную загонку фосфора. Энерги ионов при загонке составл ет 40 кэВ, а внедренна доза paвн eтJ:; 7 мкк/см. В качестве маскирующего покрыти при ионном внедрении используют фоторезист. После сн ти фоторезиста провод т разгонку фосфора с одновременным окислением поверхности . Разгонку провод т в сухом кислороде 60 мин, затем во влажном кислороде 20 мин и вновь в сухом кислороде 40 мин. Температура при 5 разгонке составл ет . При этом на поверхности структуры вырастает окисел толщиной А,-о,4 мкм. Этот окисел вл етс маскирукщим окислом при последующих операци х загонки. В нем с помощью 3-й фотолитографии вскрывают окна, через которые метод ионного легировани внедр ют одноза р дные ионы фосфора с энергией 40 к Внедренна доза составл ет 700 мкк/ /см. Затем в том же окисле с помощьто 4-ой фотолитографии вскрывают окна дл загонки бора и производ т загонку однозар дных ионов бора с„ энергией 40 кеВ и дозой 70 мкк/см. Разгонку и отжиг внедренных примесе провод т в азоте при температуре 1000°С в течение 30 мин.. После этого напыл ют слой алюмини толщиной 1 мкм и с помощью 5-ой фотолитографии провод т формирование разводки. Использование способа позвол ет изготовить бипол рную схему посто нного запоминающего устройства с информационной емкостью 64К. Устройство занимает на кристалле менее 30 мм и содержит более 80 тыс. транзисторо т.е. на каждом квадратном ми шиметре расположено в среднем около 2700 транзисторов. Така интеграци на бипол рных схемах достигнута впер вые. Применение способа позвол ет также значительно уменьшить число .технологических операций при изготовлении схемы. По сравнению с наименее трудоемким способом изготовлени бипол рных схем - способом коллекторно-изолирующей диффузии, предлагаелвлй способ содержит меньше операций фотолитографии, меньшей операций диффузии, меньше операций окислени . Это приводит к уменьшению количества и других вспомогательных операций, таких как операции отмывки перед тер мйческими процессами, операции сн ти примесно-силикатных стекол, операции контрол и пр. Формула изобретени Способ изготовлени полупроводниковых интегральных бипол рных схем, включающий формирование в приповерхностном слое полупроводниковой подложки р-типа проводимости скрытого сло п-типа проводимости, выращивание эпитаксиального сло р-типа проводимости , формирование в эпитаксиальном слое областей п-типа, создание областей и п -типа, формирование сло металлической разводки, о тличающийс тем, что, с целью увеличени степени интеграции интегральных схем, при создании областей р -типа и п -типа посредством ионного легировани , используют один маскирующий слой окисла, в котором вскрывают окна дл формировани ука-i занных областей, затем производ т загонку примеси с наибольшей концентрацией в изготавливаемой конструкции , после чего загон ют примесь второго типа проводимости, причем разгонку легирующих примесей в этих област х производ т в инертной среде, а окна, вскрытые дл формировани указанных областей, оставл ют открытыми вплоть до создани сло металлической разводки. Источники информации, прин тые во внимание при экспертизе 1.Патент США № 3260902, кл. 317-235, опублик. 1966.
- 2.Патент США № 3575741, кл. 317-235, опублик. 1972 (прототип ) .
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU772540035A SU773793A1 (ru) | 1977-11-02 | 1977-11-02 | Способ изготовлени полупроводниковых интегральных бипол рных схем |
US05/954,574 US4247343A (en) | 1977-11-02 | 1978-10-25 | Method of making semiconductor integrated circuits |
FR7830290A FR2408216A1 (fr) | 1977-11-02 | 1978-10-25 | Procede de fabrication de circuits integres a semi-conducteurs et circuit integre obtenu par ce procede |
DE19782846881 DE2846881A1 (de) | 1977-11-02 | 1978-10-27 | Verfahren zur herstellung integrierter halbleiterschaltungen und nach diesem verfahren hergestellte schaltung |
JP13468578A JPS5499582A (en) | 1977-11-02 | 1978-11-02 | Semiconductor ic and method of fabricating same |
GB7842879A GB2009498B (en) | 1977-11-02 | 1978-11-02 | Methods of making semiconductor integrated circuits and circuits made by such method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU772540035A SU773793A1 (ru) | 1977-11-02 | 1977-11-02 | Способ изготовлени полупроводниковых интегральных бипол рных схем |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU773793A1 true SU773793A1 (ru) | 1980-10-23 |
Family
ID=20731526
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU772540035A SU773793A1 (ru) | 1977-11-02 | 1977-11-02 | Способ изготовлени полупроводниковых интегральных бипол рных схем |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4247343A (ru) |
JP (1) | JPS5499582A (ru) |
DE (1) | DE2846881A1 (ru) |
FR (1) | FR2408216A1 (ru) |
GB (1) | GB2009498B (ru) |
SU (1) | SU773793A1 (ru) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5632762A (en) * | 1979-08-27 | 1981-04-02 | Fujitsu Ltd | Semiconductor device |
JPS5685848A (en) * | 1979-12-15 | 1981-07-13 | Toshiba Corp | Manufacture of bipolar integrated circuit |
NL8104862A (nl) * | 1981-10-28 | 1983-05-16 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting, en werkwijze ter vervaardiging daarvan. |
US5504363A (en) * | 1992-09-02 | 1996-04-02 | Motorola Inc. | Semiconductor device |
US5661047A (en) * | 1994-10-05 | 1997-08-26 | United Microelectronics Corporation | Method for forming bipolar ROM device |
US6835634B1 (en) | 1995-08-25 | 2004-12-28 | Micron Technology, Inc. | Streamlined field isolation process |
KR100740126B1 (ko) * | 2006-02-02 | 2007-07-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 이차 전지 모듈용 격벽 및 이를 포함하는 이차 전지 모듈 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3930909A (en) * | 1966-10-21 | 1976-01-06 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device utilizing simultaneous outdiffusion during epitaxial growth |
US3735481A (en) * | 1967-08-16 | 1973-05-29 | Hitachi Ltd | Method of manufacturing an integrated circuit having a transistor isolated by the collector region |
US3575741A (en) * | 1968-02-05 | 1971-04-20 | Bell Telephone Labor Inc | Method for producing semiconductor integrated circuit device and product produced thereby |
US3717507A (en) * | 1969-06-19 | 1973-02-20 | Shibaura Electric Co Ltd | Method of manufacturing semiconductor devices utilizing ion-implantation and arsenic diffusion |
US4054899A (en) * | 1970-09-03 | 1977-10-18 | Texas Instruments Incorporated | Process for fabricating monolithic circuits having matched complementary transistors and product |
US3752715A (en) * | 1971-11-15 | 1973-08-14 | Ibm | Production of high speed complementary transistors |
FR2209217B1 (ru) * | 1972-11-10 | 1977-12-16 | Lignes Telegraph Telephon | |
JPS5548704B2 (ru) * | 1973-06-01 | 1980-12-08 | ||
US3925105A (en) * | 1974-07-02 | 1975-12-09 | Texas Instruments Inc | Process for fabricating integrated circuits utilizing ion implantation |
US3971059A (en) * | 1974-09-23 | 1976-07-20 | National Semiconductor Corporation | Complementary bipolar transistors having collector diffused isolation |
CA1056513A (en) * | 1975-06-19 | 1979-06-12 | Benjamin J. Sloan (Jr.) | Integrated logic circuit and method of fabrication |
US4025364A (en) * | 1975-08-11 | 1977-05-24 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | Process for simultaneously fabricating epitaxial resistors, base resistors, and vertical transistor bases |
US4018627A (en) * | 1975-09-22 | 1977-04-19 | Signetics Corporation | Method for fabricating semiconductor devices utilizing oxide protective layer |
US4087900A (en) * | 1976-10-18 | 1978-05-09 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Fabrication of semiconductor integrated circuit structure including injection logic configuration compatible with complementary bipolar transistors utilizing simultaneous formation of device regions |
-
1977
- 1977-11-02 SU SU772540035A patent/SU773793A1/ru active
-
1978
- 1978-10-25 US US05/954,574 patent/US4247343A/en not_active Expired - Lifetime
- 1978-10-25 FR FR7830290A patent/FR2408216A1/fr active Granted
- 1978-10-27 DE DE19782846881 patent/DE2846881A1/de not_active Withdrawn
- 1978-11-02 GB GB7842879A patent/GB2009498B/en not_active Expired
- 1978-11-02 JP JP13468578A patent/JPS5499582A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5499582A (en) | 1979-08-06 |
FR2408216A1 (fr) | 1979-06-01 |
FR2408216B1 (ru) | 1983-12-02 |
GB2009498B (en) | 1982-06-30 |
DE2846881A1 (de) | 1979-05-03 |
US4247343A (en) | 1981-01-27 |
GB2009498A (en) | 1979-06-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2557750B2 (ja) | 光半導体装置 | |
JPH05347383A (ja) | 集積回路の製法 | |
US4891328A (en) | Method of manufacturing field effect transistors and lateral bipolar transistors on the same substrate | |
JPH02284462A (ja) | 単一集積回路チップ上に高電圧及び低電圧cmosトランジスタを形成するためのプロセス | |
JPH0348457A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR100189739B1 (ko) | 반도체 기판에 삼중웰을 형성하는 방법 | |
EP0051534B1 (en) | A method of fabricating a self-aligned integrated circuit structure using differential oxide growth | |
SU773793A1 (ru) | Способ изготовлени полупроводниковых интегральных бипол рных схем | |
US4184172A (en) | Dielectric isolation using shallow oxide and polycrystalline silicon | |
JPH065706B2 (ja) | BiCMOS素子の製造方法 | |
US4283235A (en) | Dielectric isolation using shallow oxide and polycrystalline silicon utilizing selective oxidation | |
US4231819A (en) | Dielectric isolation method using shallow oxide and polycrystalline silicon utilizing a preliminary etching step | |
US5929506A (en) | Isolated vertical PNP transistor and methods for making same in a digital BiCMOS process | |
GB1593937A (en) | I2l integrated circuitry | |
US5880002A (en) | Method for making isolated vertical PNP transistor in a digital BiCMOS process | |
JPS60241261A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH09115998A (ja) | 半導体集積回路の素子分離構造及び素子分離方法 | |
JPH03227054A (ja) | Cmosプロセスとコンパチブルな相補型バイポーラ・トランジスタ | |
JP2697631B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0778833A (ja) | バイポーラトランジスタとその製造方法 | |
JPH11340335A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS60244036A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JPS63144567A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH10289961A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0249020B2 (ru) |