JPS636563A - 電子写真感光体 - Google Patents

電子写真感光体

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JPS636563A
JPS636563A JP14829286A JP14829286A JPS636563A JP S636563 A JPS636563 A JP S636563A JP 14829286 A JP14829286 A JP 14829286A JP 14829286 A JP14829286 A JP 14829286A JP S636563 A JPS636563 A JP S636563A
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JP
Japan
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formula
ring
general formula
group
electrophotographic photoreceptor
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JP14829286A
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English (en)
Inventor
Hajime Miyazaki
宮崎 元
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Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Publication of JPS636563A publication Critical patent/JPS636563A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0664Dyes
    • G03G5/0675Azo dyes
    • G03G5/0694Azo dyes containing more than three azo groups

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、新規な電子写真感光材料を利用した電子写真
感光体に関し、さらに詳しくは特定の分子構造を有する
テトラキスアゾ顔料を光導電層中に含有する電子写真感
光体に関する。
[従来の技術] 従来より、光導電性を示す顔料や染料については数多く
の文献などで発表されている。
例えば、RCA  Review  Vol、23、P
、423〜F、419 (1962,9)ではフタロシ
アニン顔料の光導電性について発表がなされており、ま
た、このフタロシアニン顔料を用いた電子写真感光体が
米国特許第3397086号明細書や米国特許第381
6118号明細書などに記載されている。その他に、電
子写真感光体に用いる有機半導体としては、例えば米国
特許第4315983号明細書、米国特許第43271
69号明細書やRe5each  Disclosur
e20517 (1981,5)に記載されているピリ
リウム系染料、米国特許第3824099号明細書に記
載されているスクエアリック酸メチン染料、米国特許第
3898084号明細書、米国特許第4251613号
明細書などに記載されているジスアゾ顔料などが挙げら
れる。
このような有機半導体は、無機半導体に比べて合成が容
易で、しかも要求する波長域の光に対して光導電性をも
つような化合物として合成することができ、このような
有機半導体の被膜を導電性基盤に形成した電子写真感光
体は、感色性が良くなるという利点を有しているが、感
度および耐久性において実用できるものは、ごく僅かで
ある。
[発明が解決しようとする問題点] 本発明の目的は、新規な光導電性材料を提供することで
あり、さらに別の目的は、現存する全ての電子写真プロ
セスにおいても使用可能であり、実用的な高感度特性と
縁り返し使用における安定な電位特性を有する電子写真
感光体を提供することである。
し問題点を解決する手段、作用] 本発明は、導電性基盤上に光導電層を有する電子写真感
光体において、光導電層が、 −膜中 (式中、Aはフェノール性OH基を有するカプラー残基
を示す) で示されるテトラキスアゾ顔料を含有することを特徴と
する電子写真感光体から構成される。
上記−膜中(1)においてAの示すカプラー残基のより
好ましい具体例としては、下記−膜中(%式% 式中、又はベンゼン環と縮合してナフタレン環、アンス
ラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール環、ジ
ベンゾフラン環、ベンゾナフトフラン環、ジフェニレン
サルファイド環から選ばれる多環芳香族環あるいはへテ
ロ環を形成する残基を示す。
Xの結合した環はナフタレン環、アンスラセン環、カル
バゾール環、ベンズカルバゾール環とすることがより望
ましい。
R1およびR2は水素原子、置換基を宥してもよいアル
キル基、アラルキル基、アリール基、ヘテロ環あるいは
R1とR2の結合する窒素原子と共に環状アミノ基を示
す。
アルキル基の具体例としては、メチル、エチル、プロピ
ル、ブチルなどの基が挙げられ、アラルキル基の具体例
としては、ベンジル、フェネチル、ナフチルメチルなど
の基が挙げられ、アリール基の具体例としては、フェニ
ル、ジフェニル、ナフチル、アンスリルなどの基が挙げ
られ、ヘテロ環基の具体例としては、カルバゾール、ジ
ベンゾフラン、ベンズイミダシロン、ベンズチアゾール
、チアゾール、ピリジンなどの基が挙げられる。
−膜中   R3 H −般式  k 一般式   ・−Y〜、 H −般式  、Y−1 −膜中(3)および(4)中、R3およびR4は置換基
を有してもよいアルキル基、アラルキル基あるいはアリ
ール基を示し、これらの基の具体例としては、前記R1
,R2と同じ具体例の基が挙げられる。
一般式(2)〜(4)中、R1−R4の示すアルキル基
、アラルキル基、アリール基、ヘテロ環基が宥してもよ
い置換基としては、例えばメチル、エチル、プロピルな
どのアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシなど
のフルコキシ基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨ
ウ素原子などのハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ジ
メチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ、ジ
フェニルアミノなどの置換アミノ基などが挙げられる。
一般式(5)および(6)中、Yは芳香族炭化水素の2
価の基あるいは窒素原子をヘテロ原子として含むヘテロ
環の2価の基を示す。
芳香族炭化水素の2価の基としては、0−フェニレンな
どの単環式芳香族炭化水素の2価の基、O−ナフチレン
、ペリナフチレン、1.2−アンスリレン、9.10−
フェナンスレンなどの縮合多環式芳香族炭化水素の2価
の基が挙げられる。
また1、窒素原子をヘテロ原子として含むヘテロ環の2
価の基としては、3.4ピラゾールジイル、2,3−ピ
リジンジイル、4,5−ピリミジンジイル、6,7−イ
ンダゾールジイル、6.7−キラリンジイルなどの5〜
6員環の2価の基が挙げられる。
一般式(7)中、R5は置換基を有してもよいフェニル
、ナフチル、アンスリル、ピレニルなどの7リール基あ
るいはピリジル、チエニル、フリル、カルバゾリルなど
のへテロ環基を示す。
上記基の置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素
原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子。
メチル、エチル、プロピル、ブチルなどのアルキル基、
メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなどのフル
コキシ基、ニトロ基、シアノ基、ジメチルアミノ、ジエ
チルアミノ、ジプロピルアミノ、ジベンジルアミノ、ジ
フェニルアミノ、モルホリノ、ピペリジノ、ピロリジノ
などの置換アミン基などが挙げられる。
一般式(8)中、R6およびR7は、置換基を有しても
よいアルキル基、アラルキル基、アリール基あるいはへ
テロ環を示す、アルキル基の具体例としてはメチル、エ
チル、プロピル、ブチルなどの基、アラルキル基の具体
例としてはベンジル、フェネチル、ナフチルメチルなど
の基、アリール基の具体例としてはフェニル、ナフチル
、アンスリル、ジフェニルなどの基、ヘテロ環基として
はカルバゾール、ジベンゾフラン、ベンズイミダシロン
、ベンズチアゾール、チアゾール、ピリジンなどの基が
挙げられる。上記基の有する置換基の例としては、前記
R5における置換基と同様の基が挙げられる。
本発明に用いるテトラキスアゾ顔料の一般的な製法を説
明する。
一般式(1)で示される顔料は、ジニトロフェナンスレ
ンキノンとジニトロジベンジルをアルカリ存在下縮合し
、得られるテトラニトロ体を還元し、得られるテトラキ
スアミンを、亜硝酸ソーダあるいはニトロシル硫酸によ
りジアゾ化し、得られるオクタアゾ化合物をフェノール
性OH基を有するカプラー成分とカップリング反応させ
ることで製造することができる。
以下に本発明に用いるテトラキスアゾ顔料の代表的な例
を列挙する。
(式中、Aはフェノール性OH基を有するカブラ−残基
を示す) 以下の顔料例としては、その構造は、上記−膜中中のA
で示されるカップラー成分のみ相違するので、Aの部分
のみを掲記する。
顔料例     −膜中(1)中のA CコH5 CH CH。
CユHr 上記具体例で記載したテトラキスアゾ顔料は、該記載に
よって特許請求の範囲を限定するものではない。
前述のテトラキスアゾ顔料を含有する被膜は光導電性を
示し、下記電子写真感光体の感光層に用いることができ
る。
即ち、本発明の具体例では、導電性基盤の上に前記テト
ラキスアゾ顔料を真空蒸着法により被膜形成するか、あ
るいは適当なバインダー中に分散含有させて被膜形成す
ることにより、光導電層に該顔料を含有する電子写真感
光体とする。
好ましい具体例としては、感光層を電荷発生層と電荷輸
送層に機能分離した電子写真感光体における電荷発生層
として、上記光導電性被膜を適用したものである。
電荷発生層は、十分な吸光度を得るために、できる限り
多くのテトラキスアゾ顔料を含有し、かつ、発生した電
荷キャリアの飛程を短くするために薄膜層、例えば5用
以下、好ましくは0.O1〜1ルの範囲の膜厚を持つ薄
膜層とすることが好ましい。
これは、入射光量の大部分が電荷発生層で吸収されて、
多くの電荷キャリアを生成すること、さらに発生した電
荷キャリアを再結合や捕獲(トラップ)により失活する
ことなく電荷輸送層に注入する必要があることに起因し
ている。
電荷発生層は、テトラキスアゾ顔料を適当なバインダー
に分散させ、これを導電性基盤の上に塗工することによ
って形成でき、また真空蒸着装置により蒸着膜を形成す
ることによって作成することができる。
電荷発生層を塗工によって形成する際に用いるバインダ
ーとしては広範な絶縁性樹脂から選択でき、またポリ−
N−ビニルカルバゾール、ポリビニルアンスラセンやポ
リビニルピレンなどの有機導電性ポリマーから選択でき
る。好ましくはポリビニルブチラール、ボリアリレート
(ビスフェノールAとフタル酸の縮重合体など)、ポリ
カーボネート、ポリエステル、フェノキシ樹脂、ポリ酢
酸ビニル、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド、ポリア
ミド、ポリビニルピリジン、セルロース系樹脂、ウレタ
ン樹脂、ニボキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコー
ル、ポリビニルピロリドンなどの絶縁性樹脂を挙げるこ
とができる。
電荷発生層中に含有する樹脂は、80重量%以下、好ま
しくは40重量%以下が適している。
これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹脂の種類によって異
なり、また、後記電荷輸送層や下引き層を溶解しないも
のから選択することが好ましい。
具体的には、メタノール、エタノール、イソプロパツー
ルなどのアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン
、シクロヘキサノンなどのケトン類、N、N−ジメチル
ホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミドなどのア
ミド類、ジメチルスルホキシドなどのスルホキシド類、
テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコール
モノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢
酸エチルなどのエステル類、クロロホルム、塩化メチレ
ン、ジクロルエチレン、四塩化炭素、トリクロルエチレ
ンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類あるいはベンゼン
、トルエン、キシレン、リグロイン、モノクロルベンゼ
ン、ジクロルベンゼンなどの芳香族炭化水素類などを用
いることができる。
塗工は、浸漬コーティング法、スプレーコーティング法
、スピンナーコーティング法、ビードコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法
、ローラーコーティング法、カーテンコーティング法な
どの手段を用いて行なうことができる。乾燥は、室温に
おける指触乾燥後、加熱乾燥する方法が好ましい、加熱
乾燥は30〜200 ’Cの温度で5分〜2時間の範囲
の時間で、静止または送風下で行なうことができる。
電荷輸送層は、前述の電荷発生層と電気的に接続されて
おり、電界の存在下で電荷発生層から注入された電荷キ
ャリアを受は取るとともに、これらの電荷キャリアを表
面まで輸送できる機能を有している。電荷輸送層は、電
荷発生層の上に積層されていてもよく、またその下に積
層されていてもよい。
電荷輸送層が電荷発生層の上に形成される場合、電荷輸
送層における電荷キャリアを輸送する物質(以下、電荷
輸送物質という)は、前述の電荷発生層が感応する電磁
波の波長域に実質的に非感応性であることが好ましい、
ここでいう電磁波とは、γ線、X線、紫外線、可視光線
、近赤外線、赤外線、遠赤外線などを包括する広義の光
線の定義を包含する。
電荷輸送層の光感応性波長域が電荷発生層のそれと一致
またはオーバーラツプする時には、両者で発生した電荷
キャリアが相互に捕獲し合い、結果的には感度の低下の
原因となる。
電荷輸送物質としては、電子輸送性物質と正孔輸送性物
質があり、電子輸送性物質としてはクロルアニル、ブロ
モアニル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジ
メタン、2,4.7−ドリニトロー9−フルオレノン、
2,3,5.7−テトラニトロ−9−フルオレノン、2
,4.7−)ジニトロ−9−ジシアノメチレンフルオレ
ノン、2.4,5.7−テトラニトロキサントン、2゜
4.8−)リニトロチオキサントンなどの電子吸引性物
質やこれら電子吸引性物質を高分子化したものなどが挙
げられる。
正孔輸送性物質としては、ピレン、N−エチルカルバゾ
ール、N−インプロピルカルバゾール、N−メチル−N
−フェニルヒドラジノ−3−メチリデン−9−エチルカ
ルバゾール、N、N−ジフェニルヒドラジノ−3−メチ
リデン−9−エチルカルバゾール、N、N−ジフェニル
ヒドラジノ−3−メチリデン−10−二チルフェノチア
ジン。
N、N−ジフェニルヒドラジノ−3−メチリデン−10
−二チルフェノキサジン、p−ジエチルアミノベンズア
ルデヒド−N、N−ジフェニルヒドラゾン、p−ジエチ
ル7ミノベンズアルデヒドーN−α−ナフチル−N−フ
ェニルヒドラゾン、P−ピロリジノベンズアルデヒド−
N、N−ジフェニルヒドラゾン、1,3.3−)ウメチ
ルインドレニン−ω−アルデヒド−N、N−ジフェニル
ヒドラゾン、P−ジエチルベンズアルデヒド−3−メチ
ルベンズチアゾリノン−2−ヒドラゾン等のヒドラゾン
類、2.5−ビス(p−ジエチルアミノフェニル)−1
,3,4−オキサジアゾール、1−フェニル−3−(p
−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミ
ノフェニル)ピラゾリン、1−[キノリル(2)]−3
−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエチ
ルアミノフェニル)ピラゾリン、1−[ピリジル(2)
]−3−(p−ジエチルアミノスチリル)−5−(p−
ジエチルアミノフェニル)ヒラゾリン、l−[6−メド
キシーピリジル(2)]−3−(p−ジエチルアミノス
チリル)−5−(p−ジエチルアミノフェニル)ピラゾ
リン、l−[ピリジル(3)]−3−(p−ジエチルア
ミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフェニル)
ピラゾリン、1−[レピジル(2)]−3−(p−ジエ
チルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフェ
ニル)ピラゾリン、1−[ピリジル(2)]−3−(p
−ジエチルアミノスチリル)−4−メチル−5−(p−
ジエチルアミノフェニル)ピラゾリン、l−[ピリジル
(2)コー3−(α−メチル−p−ジエチルアミノスチ
リル)−5−(P−ジエチルアミノフェニル)ピラゾリ
ン、1−7エニルー3−(p−ジエチルアミノスチリル
)−4−メチル−5−(p−ジエチルアミノフェニル)
ヒラゾリン、1−2ェニル−3−(α−ベンジル−p−
ジエチルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノ
フェニル)ピラゾリン、スピロピラゾリン等のピラゾリ
ン類、2−(p−ジエチルアミノスチリル)−6−ジニ
チルアミノベンズオキサゾール、2−(p−ジエチルア
ミノスチリル)−4−(p−ジメチルアミノフェニル)
−5−(2−クロロフェニル)オキサゾール等のオキサ
ゾール系化合物、2−(p−ジエチルアミノスチリル)
−6−ジニチルアミノベンゾチアゾール等のチアゾール
系化合物、ビス(4−ジエチルアミノ−2−メチルフェ
ニル)−フェニルメタン等のトリアリールメタンン系化
合物、1,1−ビス(4−N、N−ジエチルアミノ−2
−メチルフェニル)へブタン、1,1,2.2−テトラ
キス(4−N、N−ジメチルアミノ−2−メチルフェニ
ル)エタン等のボリアリールアルカン類、トリフ二ニル
アミン、ポリ−N−ビニルカルバゾール。
ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリビニ
ルアクリジン、ポリ−9−ビニルフェニルアントラセン
、ピレン−ホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾール
ホルムアルデヒド樹脂等が挙げられる。
またこれらの電荷輸送物質は1種または2種以上組合せ
て用いることができる。
電荷輸送物質が成膜性を有していないときには、適当な
バインダーを選択することによって被膜形成できる。
バインダーとして使用できる樹脂は、例えば。
アクリル樹脂、ボリアリレート、ポリエステル、ポリカ
ーボネート、ポリスチレン、アクリロニトリル−スチレ
ンコポリマー、アクリロニトリル−ブタジェンコポリマ
ー、ポリビニルブチラール。
ポリビニルホルマール、ポルスルホン、ポリアクリルア
ミド、ポリアミド、塩素化ゴムなどの絶縁性樹脂あるい
はポリ−N−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラ
セン、ポリビニルピレンなどの有機光導電性ポリマーを
挙げることができる。
電荷輸送層は、電荷キャリアを輸送できる限度があるの
で、必要以上に膜厚を厚くすることができない、−般的
には、5〜30ルの範囲であるが、好ましい範囲は8〜
20−である。
塗工によって電荷輸送層を形成する際には、前述したよ
うな適当なコーティング法を用いることができる。
このような電荷発生層と電荷輸送層の積層構造からなる
感光層は、導電層を有する基体(導電性基盤)の上に設
けられる。
導電層を有する基体としては、基体自体が導電性をもつ
もの、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、亜
鉛、ステンレス、バナジウム、モリブデン、クロム、チ
タン、ニッケル、インジウム、金、白金等を用いること
ができ、その他にアルミニウム、アルミニウム合金、酸
化インジウム、酸化錫、酸化インジウム−酸化錫合金等
を真空蒸着法によって被膜形成された層を有するプラス
チック(例えばポリエチレン、ポリプロピレン、墳化ビ
ニル樹脂、ポリエチレンテレフタレート。
アクリル樹脂、ポリフッ化エチレンなど)、導電性粒子
(例えばカーボンブラック、銀粒子など)全適当なバイ
ンダーとともにプラスチック上に被覆した基体、導電性
粒子をプラスチックや紙に含浸した基体や導電性ポリマ
ーを有するプラスチック等を用いることができる。
導電層と感光層の中間に、バリヤー機能と接着機能をも
つ下引き層を設けることもできる。
下引き層は、カゼイン、ポリビニルアルコール、ニトロ
セルロース、エチレン−アクリル酸コポリマー、ポリア
ミド(ナイロン6、ナイロン66、ナイロン610.共
重合ナイロン、アルコキシメチル化ナイロンなど)、ポ
リウレタン、ゼラチン、酸化アルミニウムなどによって
形成できる。
下引き層の膜厚は、0.1〜5ル、好ましくは0.5〜
3JLの範囲が適当である。
導電層、電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した感光体
を使用する場合において、電荷輸送物質が電子輸送性物
質からなるときは、電荷輸送層表面を正に帯電する必要
があり、帯電後露光すると露光部では電荷発生層におい
て生成した電子が電荷輸送層に注入され、その後、表面
に達して正電荷を中和し、表面電位の減衰が生じ、未露
光部との間に静電コントラストが生じる。
このようにしてできた静電潜像を負荷電性のトナーで現
像すれば、可視像が得られる。これを直接定着するか、
あるいはトナー像を紙やプラスチックフィルムなどに転
写後、現像し、定着することができる。
また感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後、
現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方
法、定着方法は公知の剤や公知の方法のいずれを採用し
てもよく、特定のものに限定されない。
一方、電荷輸送物質が正孔輸送性物質からなる場合、電
荷輸送層表面を負に帯電する必要があり、帯電後、露光
すると露光部では電荷発生層において生成した正孔が電
荷輸送層に注入され、その後、表面に達して負電荷を中
和し1表面型位の減衰が生じ、未露光部との間に静電コ
ントラストが生じる。
現像時には電子輸送性物質を用いた場合とは逆に正荷電
性トナーを用いる必要がある。
導電層、電荷輸送層、電荷発生層の順にa層した感光体
を使用する場合において、電荷輸送物質が電子輸送性物
質からなるときは、電荷発生層表面を負に帯電する必要
があり、帯電後露光すると露光部では電荷発生層におい
て生成した電子が電荷輸送層に注入され、その後、基盤
に達する。
−方、電荷発生層において生成した正孔は表面に達し表
面電位の減衰が生じ、未露光部との間に静電コントラス
トが生じる。
このようにしてできた静電潜像を正荷電性のトナーで現
像すれば、可視像が得られる。これを直接定着するか、
あるいはトナー像を紙やプラスチックフィルムなどに転
写後、現像し、定着することができる。
また感光体上の静電潜像を転写紙の絶縁層上に転写後、
現像し、定着する方法もとれる。現像剤の種類や現像方
法、定着方法は公知の剤や公知の方法のいずれを採用し
てもよく、特定のものに限定されない。
これに対して、電荷発生層が正孔輸送性物質からなると
きは、電荷発生層表面を正に帯電する必要があり、帯電
後、露光すると露光部では電荷発生層において生成した
正孔が電荷輸送層に注入され、その後、基盤に達する。
一方、電荷発生層において生成した電子は表面に達し表
面電位の減衰が生じ、未露光部との間に静電コントラス
トが生じる。現像時には電子輸送性物質を用いた場合と
は逆に負荷電性トナーを用いる必要がある。
また1本発明の電子写真感光体においては、前記ヒドラ
ゾン類、ピラゾリン類、オキサゾール類、チアゾール類
、トリアリールメタン類、ボリアリールアルカン類、ト
リフェニルアミン、ポリ−N−ビニルカルバゾール類な
どの有機光導電性物質や酸化亜鉛、硫化カドミウム、セ
レンなどの無機光導電性物質の増感剤として一般式(1
)で規定するテトラキスアゾ顔料を含有させた感光被膜
とすることができる。
この感光被膜は、前記光導電性物質と前記テトラキスア
ゾ顔料をバインダーとともに塗工することによって被膜
形成される。
さらに本発明の電子写真感光体として、前記特定のテト
ラキスアゾ顔料を電荷輸送物質とともに同一層に含有さ
せた電子写真感光体を挙げることができる。
この際、前記電荷輸送物質の他にポリ−N−ビニルカル
バゾールとトリニトロフルオレノンからなる電荷移動錯
体化合物を用いることができる。
この例の電子写真感光体は、テトラキスアゾ顔料と電荷
移動錯体化合物をテトラヒドロフランに溶解されたポリ
エステル溶液中に分散させた後、被膜形成させることに
より作成される。
上記したいずれの型の電子写真感光体においても、使用
する顔料は、−膜中(1)で示されるテトラキスアゾ顔
料から選ばれる少なくとも1種類の顔料を含有し、その
結晶形は、非晶質、結晶質のいずれでもよい。
場合により、光吸収の異なる顔料を組合せて使用し感光
体の感度を高めたり、パンクロマチックな感光体を得る
などの目的で、−膜中(1)で示されるテトラキスアゾ
顔料を2種類以上組合せたり、あるいは公知の染料、顔
料から選ばれた電荷発生物質と組合せて使用することが
できる。
本発明の電子写真感光体は、電子写真複写機に使用する
他、レーザープリンターやCRTプリンター、LEDプ
リンター、液晶プリンター、レーザー製版などの電子写
真応用分野にも広く使用することができる。
[実施例] 実施例1〜25 アルミ板上にカゼインのアンモニア水溶液(カゼイン1
1 、2g、アンモニア水1g、水222m文)をマイ
ヤーバーで乾燥後の膜厚が1.0ルとなるように塗布、
乾燥した。
次に、前記テトラキスアゾ顔料例(1)の顔料5gをエ
タノール95mfLにブチラール樹脂(ブチラール化度
63モル%)2gを溶解した液に加え、サンドミルで2
時間分散した。この分散液を、先に形成したカゼイン層
の上に乾燥後の膜厚が0.5gとなるようにマイヤーパ
ーで塗布、乾燥して電荷発生層を形成した。
次いで、p−ジエチルアミノベンズアルデヒド−N−α
−ナフチル−N−フェニルヒドラゾンを5gとポリメチ
ルメタクリレート(数平均分子量10万)5gをベンゼ
ン70 m lに溶解し、これを電荷発生層の上に乾燥
後の膜厚が12JLとなるようにマイヤーバーで塗布、
乾燥して電荷輸送層を形成し、実施例1の電子写真感光
体とした。
前記顔料例(1)に代え、下記の実験成績の欄に記載す
る前記テトラキスアゾ顔料例の顔料を用い、実施例2〜
25に対応する電子写真感光体を実施例1と同様の手段
で作成した。
上記作成した電子写真感光体を、川口電機体製静電複写
紙試験装置M o d e文 5P−428を用いて、
スタティック方式、−5KVでコロナ帯電し、暗所で1
秒間保持した後、照度2ルツクスで露光し、帯電特性を
調べた。
帯電特性として、表面電位(Vo )と1秒間暗減衰さ
せた時の電位を1/2に減衰するに必要な露光量(El
/2)を測定した。
1      (1)   600   3.92  
    (2)   650   2.03     
 (3)   600   2.04      (4
)   610   2.55      (5)  
 610   3.06      (6)   60
0   3.57      (7)   600  
 3.88      (8)   600   3.
09     (12)   610   3.410
     (14)   590   3.411  
   (15)   600   3.012    
 (17)   610   2.813     (
18)   600   2.914     (19
)   600   2.515     (21) 
  610   2.516       (22) 
    590     3.017       (
23)     600     2.718    
   (25)     600     3.219
       (26)     610     2
.020       (28)     590  
   3.521       (29)     6
00     4.022       (30)  
   590     4.023       (3
1)     600     4.524     
  (34)     600     3.025 
      (35)     610     3.
3さらに、実施例2,3.16および19で作成した電
子写真感光体を使用して、緑り返し使用時の明部電位と
暗部電位の変動を測定した。
測定方法は、−5KVのコロナ帯電器、露光光学系、現
像器、転写帯電器、除電露光光学系およびクリーナーを
備えた電子写真複写機のシリンダーに感光体を貼り付け
た。この複写機はシリンダーの駆動に伴い、転写紙上に
画像が得られる構成になっている。
初期の明部電位(VL )と暗部電位(Vo )をそれ
ぞれ−100v、−600V付近に設定し、s 、oo
o回使用した後の明部電位(VL)と暗部電位(VD 
)を測定した。
2  600  Zoo   590 13016  
600  Zoo   580 150実施例26 実施例1と同様にして電荷発生層まで形成した層の上に
、2,4.7−1リニトロ−9−フルオレノン5gとポ
リ−4,4′−ジオキシジフェニル−2,2−プロパン
カーボネート(数平均分子量30万)5gとをテトラヒ
ドロフラン70m1に溶解して調製した塗布液を、乾燥
後の塗工量が10g/m2となるように塗布、乾燥した
こうして作成した電子写真感光体を実施例1と同様にし
て帯電特性を測定した。この時、帯電極性は十とした。
結果を示す。
vO:+500V El/2:5.5  文ux、sec 実施例27 アルミ蒸着ポリエチレンテレフタレートフィルムのアル
ミ面上に、膜厚0.5JLのポリビニルアルコールの被
膜を形成した。
次に、実施例1で用いたテトラキスアゾ顔料分散液を先
のポリビニルアルコール層の上に乾燥後の膜厚が0.5
牌となるようにマイヤーバーで塗布、乾燥して電荷発生
層を形成した。
次いで、l−[ピリジル(2) ] −3−(p −ジ
エチルアミノスチリル)−5−(p−ジエチルアミノフ
ェニル)ピラゾリンを5gとボリアリレート(ビスフェ
ノールAとテレフタル酸−イソフタル酸の縮重合体)の
5gをテトラヒドロフラン70m1に溶解した液を上記
電荷発生層の上に乾燥後の膜厚が10牌となるように塗
布、乾燥して電荷輸送層を形成した。
作成した電子写真感光体の帯電特性および耐久特性を実
施例1と同様にして測定した。
帯電特性 v、ニー600V El/2:5.5  lux、sea 酎久持久 特性0 100   580 140 上記の結果から明らかなように、感度も良く、耐久使用
時の電位の安定性も良好であった。
実施例28 厚さ100uのアルミ板上にカゼインのアンモニア水溶
液を塗布、乾燥して0.5ルの下引き層を形成した。
次に、2,4.7−ドリニトロー9−フルオレノン5g
とポリ−N−ビニルカルバゾール(数平均分子量30万
)5gをテトラヒドロフラン70m1に溶解して電荷移
動錯体化合物を形成した。
この電荷移動錯体化合物と前記テトラキスアゾ顔料例(
2)の顔料1gをポリエステル(商品名バイロン、東洋
紡績■製)5gをテトラヒドロフランVtm文に、溶解
した液に加え分散した。
この分散液を上記下引き層の上に塗布、乾燥して12勝
の感光層を形成した。
こうして作成した電子写真感光体の帯電特性を実施例1
と同様の方法により測定した。但し、帯電は十とした。
結果を示す。
Vo  :+600V El/2:3.Olux、sec 実施例29 実施例28で用いたカゼイン層を形成したアルミ板のカ
ゼイン層上に、実施例1と同様の組成の電荷輸送層、T
L電荷発生層順次粒層し、層構成を相違する他は実施例
1と全く同様の手段で電子写真感光体を作成し、実施例
1と同様に帯電特性を測定した。但し、帯電極性を十と
した。
V□:+600V E 1/2 : 4 、 O文ux、sec実施例30 テトラキスアゾ顔料例(20)の顔料を用い、他は実施
例1と全く同様にして電子写真感光体を作成し、780
umに発振波長をもつ半導体レーザーにより露光した。
780umにおける分光感度: 1.2延J / c m 2 (半減露光量)次に、該
感光体と同様の光導電層をレーザープリンター(LBP
−CX、キャノン体製)のドラム上に形成して、実写テ
ストを行なったところ、カブリのない良好な画像が得ら
れた。
また、上記テストを1万回繰り返しても同様の結果が得
られ、変わることはなかった。
実施例31〜34 実施例30のテトラキスアゾ顔料例(20)の顔料に代
えて、テトラキスアゾ顔料例(12)、(19)、(2
5)、(31)の顔料を用いた他は同様にしてドラム状
の感光体をそれぞれ作成した。
各電子写真感光体の780umにおける分光感度を測定
した結果を示す。
実施例 顔料例 半減露光量(JLJ/cm2)31 
 (12)   1.2 32  (19)   1.3 33   (25)     2.0 34   (31)     2.5 次に、実施例30と同様にして実写テストを行なったと
ころ、それぞれ、カブリのない画像が得られ、これは、
1万回繰り返しても変化を認めなかった。
[発明の効果] 本発明の電子写真感光体は、特定のテトラキスアゾ顔料
を光導電層に含有せしめたことにより。
該顔料を含有する感光層内部におけるキャリア発生効率
あるいはキャリア輸送効率のいずれか一方または双方が
良くなることが推定され、高感度で耐久使用時における
電位安定性の優れた電子写真感光体が得られ、さらに、
半導体レーザーの発振波長域においても高感度でカブリ
のない良好な画像が得られるという顕著な効果を奏する

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)導電性基盤上に光導電層を有する電子写真感光体
    において、光導電層が、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(1) (式中、Aはフェノール性OH基を有するカプラー残基
    を示す) で示されるテトラキスアゾ顔料を含有することを特徴と
    する電子写真感光体。
  2. (2)一般式(1)においてAが、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(2) (式中、Xはベンゼン環と縮合してナフタレン環、アン
    スラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール環、
    ジベンゾフラン環、ベンゾナフトフラン環、ジフェニレ
    ンサルファイド環から選らばれる多環芳香族環あるいは
    ヘテロ環を形成する残基を示し、R_1およびR_2は
    水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、アラルキ
    ル基、アリール基、ヘテロ環あるいはR_1とR_2の
    結合する窒素原子と共に環状アミノ基を示す、)で示さ
    れる特許請求の範囲第1項記載の電子写真感光体。
  3. (3)一般式(1)においてAが、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(3) (式中、R_3は置換基を有してもよいアルキル基、ア
    ラルキル基あるいはアリール基を示す、)で示される特
    許請求の範囲第1項記載の電子写真感光体。
  4. (4)一般式(1)においてAが、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(4) (式中、R_4は置換基を有してもよいアルキル基、ア
    ラルキル基あるいはアリール基を示す、)で示される特
    許請求の範囲第1項記載の電子写真感光体。
  5. (5)一般式(1)においてAが、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(5) (式中、Yは芳香族炭化水素の2価の基あるいは窒素原
    子をヘテロ原子として含むヘテロ環の2価の基を示す、
    )で示される特許請求の範囲第1項記載の電子写真感光
    体。
  6. (6)一般式(1)においてAが、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(6) (式中、Yは芳香族炭化水素の2価の基あるいは窒素原
    子をヘテロ原子として含むヘテロ環の2価の基を示す、
    )で示される特許請求の範囲第1項記載の電子写真感光
    体。
  7. (7)一般式(1)においてAが、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(7) (式中、R_5は置換基を有してもよいアリール基ある
    いはヘテロ環、Xはベンゼン環と縮合してナフタレン環
    、アンスラセン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾー
    ル環、ジベンゾフラン環、ベンゾナフトフラン環、ジフ
    ェニレンサルファイド環から選らばれる多環芳香族環あ
    るいはヘテロ環を形成する残基を示す、)で示される特
    許請求の範囲第1項記載の電子写真感光体。
  8. (8)一般式(1)においてAが、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼(8) (式中、R_6およびR_7は置換基を有してもよいア
    ルキル基、アラルキル基、アリール基あるいはヘテロ環
    、Xはベンゼン環と縮合してナフタレン環、アンスラセ
    ン環、カルバゾール環、ベンズカルバゾール環、ジベン
    ゾフラン環、ベンゾナフトフラン環、ジフェニレンサル
    ファイド環から選らばれる多環芳香族環あるいはヘテロ
    環を形成する残基を示す、)で示される特許請求の範囲
    第1項記載の電子写真感光体。
  9. (9)導電層と一般式(1)で示されるテトラキスアゾ
    顔料を含有する電荷発生層と電荷輸送層の少なくとも3
    層からなる特許請求の範囲第1項、第2項、第3項、第
    4項、第5項、第6項、第7項または第8項記載の電子
    写真感光体。
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