JPS6365251U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6365251U JPS6365251U JP15908286U JP15908286U JPS6365251U JP S6365251 U JPS6365251 U JP S6365251U JP 15908286 U JP15908286 U JP 15908286U JP 15908286 U JP15908286 U JP 15908286U JP S6365251 U JPS6365251 U JP S6365251U
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- JP
- Japan
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- film
- semiconductor device
- semiconductor
- thin film
- wiring portion
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
第１図ａ〜ｇは本考案の半導体装置をその製造
工程に基づいて説明した図である。第２図ａ〜ｆ
は従来の半導体装置をその製造工程に基づいて説
明した図である。 １…基板、２，２′…電極、３…ＳｉＮｘ層、
４…ａ―Ｓｉ層、５…ＳｉＮｘ層、６…ポリイミ
ド層、７…Ａｌ配線層、８…トランジスタ部、９
…コンタクト部。
工程に基づいて説明した図である。第２図ａ〜ｆ
は従来の半導体装置をその製造工程に基づいて説
明した図である。 １…基板、２，２′…電極、３…ＳｉＮｘ層、
４…ａ―Ｓｉ層、５…ＳｉＮｘ層、６…ポリイミ
ド層、７…Ａｌ配線層、８…トランジスタ部、９
…コンタクト部。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 同一基板上に形成された薄膜トランジスタ
と薄膜トランジスタを駆動するマトリツクス配線
部を有する半導体装置に於いて、薄膜トランジス
タを構成するゲート絶縁膜、半導体膜及びパツシ
ベーシヨン膜の３種類の膜とポリイミド膜により
マトリツクス配線部の層間絶縁膜を構成すること
を特徴とする半導体装置。 (2) ゲート絶縁膜、半導体膜及びパツシベーシ
ヨン膜の各々が、シリコン窒化物、非晶質シリコ
ン及びシリコン窒化物であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15908286U JPS6365251U (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15908286U JPS6365251U (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6365251U true JPS6365251U (ja) | 1988-04-30 |
Family
ID=31083177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15908286U Pending JPS6365251U (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6365251U (ja) |
-
1986
- 1986-10-17 JP JP15908286U patent/JPS6365251U/ja active Pending