JPS636333B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS636333B2 JPS636333B2 JP4324882A JP4324882A JPS636333B2 JP S636333 B2 JPS636333 B2 JP S636333B2 JP 4324882 A JP4324882 A JP 4324882A JP 4324882 A JP4324882 A JP 4324882A JP S636333 B2 JPS636333 B2 JP S636333B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- mold layer
- semiconductor device
- gate
- resin mold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 62
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 62
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 28
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 8
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 7
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/38—Cutting-off equipment for sprues or ingates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は樹脂モールド成形におけるゲートの割
れ残り防止方法に関するものであり、さらに詳し
くは樹脂モールド型半導体装置のモールド成形に
際し、成形用金型に設けられた離形用の突出ピン
に高さの差を与えることによつて樹脂モールド層
とゲートとの間を切離す新規なゲートの割れ残り
防止方法に関するものである。
れ残り防止方法に関するものであり、さらに詳し
くは樹脂モールド型半導体装置のモールド成形に
際し、成形用金型に設けられた離形用の突出ピン
に高さの差を与えることによつて樹脂モールド層
とゲートとの間を切離す新規なゲートの割れ残り
防止方法に関するものである。
樹脂モールド型半導体装置は、複数の放熱板と
それに対応する複数組のリードフレームとを一体
に成形したリボン状のフレームを用い、各放熱板
上にそれぞれ半導体素子を載置した状態で該半導
体素子上に樹脂モールド層を形成して製造する。
それに対応する複数組のリードフレームとを一体
に成形したリボン状のフレームを用い、各放熱板
上にそれぞれ半導体素子を載置した状態で該半導
体素子上に樹脂モールド層を形成して製造する。
在来の樹脂モールド成形工程においては、キヤ
ビテイ内に注入された樹脂が硬化した後、成形用
金型を開き突出ピンで成形品を突上げ、該成形品
を成形用金型から離型させていたが、突出しピン
は成形品に対し突上げ作用を与えるだけであるか
ら、樹脂モールド層、該樹脂モールド層に向つて
延設されたゲートおよびランナを単に成形用金型
から同時に離型させるだけで樹脂モールド層と樹
脂注入用ゲートとの間に該ゲートを切離すのに必
要な折り曲げ作用を与えるものではなかつた。こ
のため離型後、成形品から樹脂注入用のゲートを
切離す工程を設ける必要があり製造効率の向上に
障害が認められた。
ビテイ内に注入された樹脂が硬化した後、成形用
金型を開き突出ピンで成形品を突上げ、該成形品
を成形用金型から離型させていたが、突出しピン
は成形品に対し突上げ作用を与えるだけであるか
ら、樹脂モールド層、該樹脂モールド層に向つて
延設されたゲートおよびランナを単に成形用金型
から同時に離型させるだけで樹脂モールド層と樹
脂注入用ゲートとの間に該ゲートを切離すのに必
要な折り曲げ作用を与えるものではなかつた。こ
のため離型後、成形品から樹脂注入用のゲートを
切離す工程を設ける必要があり製造効率の向上に
障害が認められた。
さらに、樹脂モールド型半導体装置の製造に使
用される熱硬化性樹脂は、放熱板、半導体素子お
よびリードフレームに対する付着性が高いので最
終製品の品質向上に対しては好都合である半面、
キヤビテイ内に注入された樹脂が硬化した後に樹
脂モールド層を樹脂注入用ゲートから切離すこと
は容易でなかつた。
用される熱硬化性樹脂は、放熱板、半導体素子お
よびリードフレームに対する付着性が高いので最
終製品の品質向上に対しては好都合である半面、
キヤビテイ内に注入された樹脂が硬化した後に樹
脂モールド層を樹脂注入用ゲートから切離すこと
は容易でなかつた。
本発明の主要な目的は、在来の樹脂モールド型
半導体装置の製造方法に認められた上記の如き欠
点を解消し得る新規な樹脂モールド成形における
ゲートの割れ残り防止方法を提案することにあ
る。
半導体装置の製造方法に認められた上記の如き欠
点を解消し得る新規な樹脂モールド成形における
ゲートの割れ残り防止方法を提案することにあ
る。
而して本発明の斯かる目的は、樹脂モールド型
半導体装置のモールド成形に際し、樹脂モールド
層が完全に硬化する以前に、成形用金型に設けら
れた高さの異なる突出ピンにより前記樹脂モール
ド型半導体装置の放熱板下面を傾斜させながら突
上げ、樹脂モールド層と該樹脂モールド層に向つ
て延設された樹脂注入用ゲートとの間を折り曲
げ、樹脂モールド層とゲートとを切離す樹脂モー
ルド成形におけるゲートの割れ残り防止方法を採
用することによつて工業的に有利に達成すること
ができる。
半導体装置のモールド成形に際し、樹脂モールド
層が完全に硬化する以前に、成形用金型に設けら
れた高さの異なる突出ピンにより前記樹脂モール
ド型半導体装置の放熱板下面を傾斜させながら突
上げ、樹脂モールド層と該樹脂モールド層に向つ
て延設された樹脂注入用ゲートとの間を折り曲
げ、樹脂モールド層とゲートとを切離す樹脂モー
ルド成形におけるゲートの割れ残り防止方法を採
用することによつて工業的に有利に達成すること
ができる。
以下、添付図面の例示に基いて本発明を詳述す
る。図面において第１図は突出ピン作動前の樹脂
モールド型半導体装置および成形用金型の一部破
断正面図であり、また第２図は突出ピン作動後の
樹脂モールド型半導体装置および成形用金型の一
部破断正面図である。
る。図面において第１図は突出ピン作動前の樹脂
モールド型半導体装置および成形用金型の一部破
断正面図であり、また第２図は突出ピン作動後の
樹脂モールド型半導体装置および成形用金型の一
部破断正面図である。
これらの図面において樹脂モールド型半導体装
置１０は、複数の放熱板３とそれに対応する複数
組のリードフレーム５とを一体に成形したリボン
状のフレームよりなり、各放熱板３上にそれぞれ
図示しない半導体素子を載置した状態で成形用金
型８，８′内に配置し、半導体素子上に樹脂モー
ルド層４を形成して製造する。そしてモールド成
形工程終了後、複数の放熱板３およびそれに対応
する複数組のリードフレーム５間のタイバー部を
切断して最終製品に仕上げる。
置１０は、複数の放熱板３とそれに対応する複数
組のリードフレーム５とを一体に成形したリボン
状のフレームよりなり、各放熱板３上にそれぞれ
図示しない半導体素子を載置した状態で成形用金
型８，８′内に配置し、半導体素子上に樹脂モー
ルド層４を形成して製造する。そしてモールド成
形工程終了後、複数の放熱板３およびそれに対応
する複数組のリードフレーム５間のタイバー部を
切断して最終製品に仕上げる。
第１図において放熱板３上に固着され内部配線
処理を施した図示しない半導体素子は、成型用金
型の上型８′に設けられたランナ１およびゲート
２を経て該上型８′のキヤビテイ内に注入された
熱硬化性樹脂によつて被覆され樹脂モールド層４
を形成する。なお放熱板３およびリードフレーム
５には所定位置に図示しない位置固定用の孔が穿
設されており、この孔は成形用金型の下型８に設
けられた図示しないゲージピンに嵌まり込み、熱
硬化性樹脂の注入に先立つて放熱板３およびリー
ドフレーム５を所定位置に固定する。この後加圧
下で180℃乃至170℃に加熱された熱硬化性樹脂を
上型８′に設けられたキヤビテイ内に注入し、前
記の如く半導体素子を覆う樹脂モールド層４を形
成する。
処理を施した図示しない半導体素子は、成型用金
型の上型８′に設けられたランナ１およびゲート
２を経て該上型８′のキヤビテイ内に注入された
熱硬化性樹脂によつて被覆され樹脂モールド層４
を形成する。なお放熱板３およびリードフレーム
５には所定位置に図示しない位置固定用の孔が穿
設されており、この孔は成形用金型の下型８に設
けられた図示しないゲージピンに嵌まり込み、熱
硬化性樹脂の注入に先立つて放熱板３およびリー
ドフレーム５を所定位置に固定する。この後加圧
下で180℃乃至170℃に加熱された熱硬化性樹脂を
上型８′に設けられたキヤビテイ内に注入し、前
記の如く半導体素子を覆う樹脂モールド層４を形
成する。
第２図において、熱硬化性樹脂の注入後２乃至
３分間が経過し樹脂モールド層４が完全に硬化す
る直前に上型８′を外し、この状態で下型８に設
けられた高さの異なる突出ピン６，７により樹脂
モールド型半導体装置１０の放熱板３の下面を傾
斜させながら突上げ、樹脂モールド型半導体装置
１０を下型８から離型させるとともに、樹脂モー
ルド層４と該樹脂モールド層４に向つてランナ１
から延びる樹脂注入用ゲートとの間を折り曲げ、
樹脂モールド層４とゲート２とを切離す。
３分間が経過し樹脂モールド層４が完全に硬化す
る直前に上型８′を外し、この状態で下型８に設
けられた高さの異なる突出ピン６，７により樹脂
モールド型半導体装置１０の放熱板３の下面を傾
斜させながら突上げ、樹脂モールド型半導体装置
１０を下型８から離型させるとともに、樹脂モー
ルド層４と該樹脂モールド層４に向つてランナ１
から延びる樹脂注入用ゲートとの間を折り曲げ、
樹脂モールド層４とゲート２とを切離す。
第２図に例示する実施態様においては、ゲート
２側に位置する第１の突出ピン７がランナ１の下
側および放熱板３の下側でかつリードフレーム５
に近接して位置する第２の突出ピン６よりも短く
形成されているから、突出ピン６および７を同時
に上方に向つて押上げると先ず第２の突出ピン６
が放熱板３の下面を押圧し、次いで第１および第
２の突出ピンの長さの差に相当する時間差を置い
て第１の突出ピン７が放熱板３の下面を押圧す
る。このため樹脂モールド型半導体装置１０は下
型８から離型するとともにゲート２と樹脂モール
ド層４との間を上方に向つてＶ字状に折り曲げ、
この折り曲げ力によつて樹脂モールド層４とゲー
ト２とを自動的に切離す。この突出ピン６および
７の作動時に、放熱板３あるいはリードフレーム
５に穿設された前記位置固定用孔は下型８に設け
られた図示しないゲージピンに嵌まり込み、樹脂
モールド型半導体装置１０の上下方向および横方
向のがたつきを制御するから、突出ピン６および
７の上昇によつて樹脂モールド型半導体装置１０
に変形を生ぜしめるような過度の傾斜は防止され
る。しかし最終製品の変形を減少させるため、突
出ピン６と７の長さの差は、ゲート２と樹脂モー
ルド部の切離しが可能な範囲で出来得る限り少な
くすることが好ましい。
２側に位置する第１の突出ピン７がランナ１の下
側および放熱板３の下側でかつリードフレーム５
に近接して位置する第２の突出ピン６よりも短く
形成されているから、突出ピン６および７を同時
に上方に向つて押上げると先ず第２の突出ピン６
が放熱板３の下面を押圧し、次いで第１および第
２の突出ピンの長さの差に相当する時間差を置い
て第１の突出ピン７が放熱板３の下面を押圧す
る。このため樹脂モールド型半導体装置１０は下
型８から離型するとともにゲート２と樹脂モール
ド層４との間を上方に向つてＶ字状に折り曲げ、
この折り曲げ力によつて樹脂モールド層４とゲー
ト２とを自動的に切離す。この突出ピン６および
７の作動時に、放熱板３あるいはリードフレーム
５に穿設された前記位置固定用孔は下型８に設け
られた図示しないゲージピンに嵌まり込み、樹脂
モールド型半導体装置１０の上下方向および横方
向のがたつきを制御するから、突出ピン６および
７の上昇によつて樹脂モールド型半導体装置１０
に変形を生ぜしめるような過度の傾斜は防止され
る。しかし最終製品の変形を減少させるため、突
出ピン６と７の長さの差は、ゲート２と樹脂モー
ルド部の切離しが可能な範囲で出来得る限り少な
くすることが好ましい。
以上の説明に明らかなように、本発明方法は樹
脂モールド層４が完全に硬化する以前に高さの異
なる突出ピン６，７により樹脂モールド型半導体
装置１０の放熱板３下面を所定の傾斜角の範囲で
傾斜させながら突上げ、該樹脂モールド型半導体
装置を下型８から離型せしめるとともに樹脂モー
ルド層４とゲート２との間を切離すものであつ
て、手作業によるゲート２の切離し工程を完全に
省略することができる。
脂モールド層４が完全に硬化する以前に高さの異
なる突出ピン６，７により樹脂モールド型半導体
装置１０の放熱板３下面を所定の傾斜角の範囲で
傾斜させながら突上げ、該樹脂モールド型半導体
装置を下型８から離型せしめるとともに樹脂モー
ルド層４とゲート２との間を切離すものであつ
て、手作業によるゲート２の切離し工程を完全に
省略することができる。
したがつて本発明方法は、製品の品質向上なら
びに工数の減少に顕著な改善効果をもたらす。
びに工数の減少に顕著な改善効果をもたらす。
第１図は突出ピン作動前の樹脂モールド型半導
体装置および成形用金型の一部破断正面図であ
り、また第２図は突出ピン作動後の樹脂モールド
型半導体装置および成形用金型の一部破断正面図
である。 １……ランナ、２……ゲート、３……放熱板、
４……樹脂モールド層、５……リードフレーム、
６，７……突出ピン、８，８′……成形用金型、
１０……樹脂モールド型半導体装置。
体装置および成形用金型の一部破断正面図であ
り、また第２図は突出ピン作動後の樹脂モールド
型半導体装置および成形用金型の一部破断正面図
である。 １……ランナ、２……ゲート、３……放熱板、
４……樹脂モールド層、５……リードフレーム、
６，７……突出ピン、８，８′……成形用金型、
１０……樹脂モールド型半導体装置。
Claims (1)
- １ 樹脂モールド型半導体装置のモールド成形
後、成形用金型に設けられた高さの異なる突出ピ
ンにより前記樹脂モールド型半導体装置を傾斜さ
せながら突上げ、樹脂モールド層と該樹脂モール
ド層に向つて延設された樹脂注入用ゲートとの間
を折り曲げ、樹脂モールド層とゲートとを切離す
ことを特徴とする樹脂モールド成形におけるゲー
トの割れ残り防止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4324882A JPS58160129A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 樹脂モ−ルド成形におけるゲ−トの割れ残り防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4324882A JPS58160129A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 樹脂モ−ルド成形におけるゲ−トの割れ残り防止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58160129A JPS58160129A (ja) | 1983-09-22 |
| JPS636333B2 true JPS636333B2 (ja) | 1988-02-09 |
Family
ID=12658575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4324882A Granted JPS58160129A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 樹脂モ−ルド成形におけるゲ−トの割れ残り防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58160129A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0257681A3 (en) * | 1986-08-27 | 1990-02-07 | STMicroelectronics S.r.l. | Method for manufacturing plastic encapsulated semiconductor devices and devices obtained thereby |
| JPS63124426A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-05-27 | Nec Kyushu Ltd | 半導体樹脂封止装置 |
| JP2555963B2 (ja) * | 1993-12-10 | 1996-11-20 | 日本電気株式会社 | 樹脂封止半導体装置用ゲート分離装置 |
| US6187247B1 (en) | 1998-05-13 | 2001-02-13 | Velcro Industries B.V. | Injection molding parts with fastener elements |
| JP5537760B2 (ja) * | 2006-11-07 | 2014-07-02 | アピックヤマダ株式会社 | ディゲート装置及びディゲート方法 |
-
1982
- 1982-03-17 JP JP4324882A patent/JPS58160129A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58160129A (ja) | 1983-09-22 |
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