JPS58160129A - 樹脂モ−ルド成形におけるゲ−トの割れ残り防止方法 - Google Patents
樹脂モ−ルド成形におけるゲ−トの割れ残り防止方法Info
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- JPS58160129A JPS58160129A JP4324882A JP4324882A JPS58160129A JP S58160129 A JPS58160129 A JP S58160129A JP 4324882 A JP4324882 A JP 4324882A JP 4324882 A JP4324882 A JP 4324882A JP S58160129 A JPS58160129 A JP S58160129A
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- molding
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- mold
- semiconductor devices
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/38—Cutting-off equipment for sprues or ingates
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
零発明鉱檎脂毫−ルド氏形におけるゲートの−れ１Ｂ４
夛防止方汲に関するものでるシ、さらに詐しくはＩｉｌ
毫−ルド劇半導体装装置の令−ルド成形に際し、威Ｆｅ
月金抛に設けられた層形用の矢田ピンに高さの差を与え
ることによって樹脂トの割れｌ！Ｉ４１Ｉ防止方法（関
するものである。
夛防止方汲に関するものでるシ、さらに詐しくはＩｉｌ
毫−ルド劇半導体装装置の令−ルド成形に際し、威Ｆｅ
月金抛に設けられた層形用の矢田ピンに高さの差を与え
ることによって樹脂トの割れｌ！Ｉ４１Ｉ防止方法（関
するものである。
樹１１令−ルド抛牛櫓体装置は、複数の放熱板とそれに
対応する複数組のり−Ｆフレームとを一体に成形したリ
ボン状のフレームを用い、各放熱敬重にそれぞれ牛導体
素子をＩ！置し九状塾で該牛導体素子上ＫＩＭＭ１％−
ルドＪｌｌを形成して製造する・ 在来の一脂毫−ルド成形ニーにおｉては、キャビディ内
に注入さｔ′Ｌ！え樹脂が候化し良後、成形石金撤を一
虐央出ピンで成形品を４上け、該成形品をＩＲ，形用金
厳から離撤させて−たが、突出しビンはＩｉｌ、形品に
丸し突上は作用を与えるだけでＴｏゐから、ｋ繍モール
Ｆ層、該樹脂モールド層ＫＭりて延設され九ゲートおよ
びテンナを単ＫｉＥｆｌｉ石会皺から一時に龜−させる
だけで−ＩＩ１１モールド層と樹脂注入用ゲートとＯ陶
に該ゲートを釦膳すのに必要な折）自は作用を与えるも
ので岐なかりた。この九め層温後、ｗｌ、形品から樹脂
注入用のゲートを切電す工程を設ける必さらに％ ｍ＆
４に一ルド製牛導体装置の製造、に便用される熱硬化性
樹脂は、放熱板、半導体素子およびリードフレームに対
する付着性が高いので最終製品の品質向上に対しては好
都合である牛−、キャビティ内に注入された樹脂が硬化
した後＃ｃｗ脂モールド層を樹脂注入ルゲートから切離
すこと＃′ｉ容易でなかつ九。
対応する複数組のり−Ｆフレームとを一体に成形したリ
ボン状のフレームを用い、各放熱敬重にそれぞれ牛導体
素子をＩ！置し九状塾で該牛導体素子上ＫＩＭＭ１％−
ルドＪｌｌを形成して製造する・ 在来の一脂毫−ルド成形ニーにおｉては、キャビディ内
に注入さｔ′Ｌ！え樹脂が候化し良後、成形石金撤を一
虐央出ピンで成形品を４上け、該成形品をＩＲ，形用金
厳から離撤させて−たが、突出しビンはＩｉｌ、形品に
丸し突上は作用を与えるだけでＴｏゐから、ｋ繍モール
Ｆ層、該樹脂モールド層ＫＭりて延設され九ゲートおよ
びテンナを単ＫｉＥｆｌｉ石会皺から一時に龜−させる
だけで−ＩＩ１１モールド層と樹脂注入用ゲートとＯ陶
に該ゲートを釦膳すのに必要な折）自は作用を与えるも
ので岐なかりた。この九め層温後、ｗｌ、形品から樹脂
注入用のゲートを切電す工程を設ける必さらに％ ｍ＆
４に一ルド製牛導体装置の製造、に便用される熱硬化性
樹脂は、放熱板、半導体素子およびリードフレームに対
する付着性が高いので最終製品の品質向上に対しては好
都合である牛−、キャビティ内に注入された樹脂が硬化
した後＃ｃｗ脂モールド層を樹脂注入ルゲートから切離
すこと＃′ｉ容易でなかつ九。
本発明の主要な目ｗ！Ｊは、在来の僑脂令−ルドｍ＊導
体輌薯Ｏ製造方法に詔められた上記の如婁欠点を解消し
得るｆｒ親なＷ脂モールド成形におけるゲートの割れａ
か防止方法をＩｊ４′ＩａすることＫある。
体輌薯Ｏ製造方法に詔められた上記の如婁欠点を解消し
得るｆｒ親なＷ脂モールド成形におけるゲートの割れａ
か防止方法をＩｊ４′ＩａすることＫある。
而して本発明Ｏ１ｋかる目的は、１１にモールド鯨牛擲
俸Ｖｉ瞳の毫−ルド武形に際し、樹脂モールド層が先金
に＊化すゐ以前に、款形用金脂に設けられ九高さの異な
る突出ビンによ〉前記樹脂モールド本生導体装置１１［
０＊熱板下−を傾斜させなから央上げ、樹脂モールド層
と顛ＩＩＩＩｌ令−ルド層に向りて延設され九Ｉｔ脂怪
入用ゲートとの間を折ｊｌ自け、Ｉｆｊ＆モールＦ層と
ゲートとを切離す樹脂モールド成形におけるゲートの餉
れ残り防止方法を採用することＫよりて工業的に有利に
達成することができる。
俸Ｖｉ瞳の毫−ルド武形に際し、樹脂モールド層が先金
に＊化すゐ以前に、款形用金脂に設けられ九高さの異な
る突出ビンによ〉前記樹脂モールド本生導体装置１１［
０＊熱板下−を傾斜させなから央上げ、樹脂モールド層
と顛ＩＩＩＩｌ令−ルド層に向りて延設され九Ｉｔ脂怪
入用ゲートとの間を折ｊｌ自け、Ｉｆｊ＆モールＦ層と
ゲートとを切離す樹脂モールド成形におけるゲートの餉
れ残り防止方法を採用することＫよりて工業的に有利に
達成することができる。
以下、添付図画の例示に基いて本発明を詳述する。図−
において第１図は突出ビン作ｆＩＪ１ｔＪの樹脂モール
ド型半導体装置１ｌｌｌおよび成形殉金智の−Ｓ碩謝正
ｒ！Ｑ図であシ、また協−一は突出ビン作動後の１１に
モールド型半導体装置および成形〜金梱の一郵破１１１
＋ｒｌＥ面図である。
において第１図は突出ビン作ｆＩＪ１ｔＪの樹脂モール
ド型半導体装置１ｌｌｌおよび成形殉金智の−Ｓ碩謝正
ｒ！Ｑ図であシ、また協−一は突出ビン作動後の１１に
モールド型半導体装置および成形〜金梱の一郵破１１１
＋ｒｌＥ面図である。
これらの因−において樹脂モー〜ド朧牛導体装ｍ−は、
被数の放熱板（３）とそＱＫ対すする複数組のリードフ
レーム（る；とを一体に成形したリボン状の７レームよ
シな如、各ＪＩＬ静板−）上にそれぞれ図示しない半導
体素子を載置し九状急で成形出金＃Ｍ（旬、（８Ｊ内に
配置し、牛導体素子上に―＆Ｖ毫−へＦ層１４）を形成
して製造する。そしてモールド成形工程終了後、ｌｉｉ
＊ ｏ放熱板（１）およびそれに対応する娠歓組のリ
ードフレーム（ｓ＋ ＩＩ Ｏタイバ一部を切断して最
終製品に仕上ける。
被数の放熱板（３）とそＱＫ対すする複数組のリードフ
レーム（る；とを一体に成形したリボン状の７レームよ
シな如、各ＪＩＬ静板−）上にそれぞれ図示しない半導
体素子を載置し九状急で成形出金＃Ｍ（旬、（８Ｊ内に
配置し、牛導体素子上に―＆Ｖ毫−へＦ層１４）を形成
して製造する。そしてモールド成形工程終了後、ｌｉｉ
＊ ｏ放熱板（１）およびそれに対応する娠歓組のリ
ードフレーム（ｓ＋ ＩＩ Ｏタイバ一部を切断して最
終製品に仕上ける。
ＷＩ１図において放熱板（組上に一着堪れ内部配義処瑞
を施した図示しな一半導体索子は、成漏用会温の上ｍ
（８７Ｋ設けられたランチ（１）およびゲ−Ｎ！ｌを経
て該上園關のキャビティ内に注入された＃！ｋｉｌ！！
化性ＩＩＩＩ化性１ニ１１１ド層（４）を形成する。な
お放熱板（３）およびリードフレーム挿）Ｋは所定値１
１に図示しない位＊ａ定用の孔が穿設されてお〉、この
孔は成撒用金淑の下姻（１ＫＷｋけられた図示しなめゲ
ージビンに欽まシ込み、熱硬化性樹脂の注入に先立って
、熱板（ｌｌおよびリードフレーム（ＩＩを所定値１１
に一定する。この後加圧下で７ＩＯ”ｏ 乃至／ ７
０＠０に加熱された熱硬化性ＩＩＩ！Ｉ脂を１抛（ＩＩ
Ｋ設けられ九キャビディ内に注入し、前記の如く半導体
素子を楡う＊に＝に一ルド層１４）を形成する・暢コ泗
Ｋ１１ｎて、Ｍ＊化性樹脂の注入後−乃ｌｊ分崗が経過
し４１１Ｉｉ１毫−ルド層−Ｊが先金に硬化するｆ［＃
に上抛偵１を外し、この状態で下ｍ ｔｓｔＫｆｉｋけ
られた高さの異なる突出ビンＩＩＩ、１？ｌＫよ）伽脂
モールド抛半導体Ｖ７を瞳−の放熱板（１）の下Ｍを傾
斜させながら突上げ、ＩＩＩｊ１ｍ毫−ルド渥牛導体５
Ｎ１１１１９を下型（８１からｍ型させふとともに１４
ｉｌＷＩ毫−ルド層（４）と該樹脂モールド層４４４に
向ってランナ口）から延びるａｉｍ注大川ゲートとの間
を新砂−げ、ＩｉＩ脂モールドｊｌｌｋｌとゲートは１
とを切離す。
を施した図示しな一半導体索子は、成漏用会温の上ｍ
（８７Ｋ設けられたランチ（１）およびゲ−Ｎ！ｌを経
て該上園關のキャビティ内に注入された＃！ｋｉｌ！！
化性ＩＩＩＩ化性１ニ１１１ド層（４）を形成する。な
お放熱板（３）およびリードフレーム挿）Ｋは所定値１
１に図示しない位＊ａ定用の孔が穿設されてお〉、この
孔は成撒用金淑の下姻（１ＫＷｋけられた図示しなめゲ
ージビンに欽まシ込み、熱硬化性樹脂の注入に先立って
、熱板（ｌｌおよびリードフレーム（ＩＩを所定値１１
に一定する。この後加圧下で７ＩＯ”ｏ 乃至／ ７
０＠０に加熱された熱硬化性ＩＩＩ！Ｉ脂を１抛（ＩＩ
Ｋ設けられ九キャビディ内に注入し、前記の如く半導体
素子を楡う＊に＝に一ルド層１４）を形成する・暢コ泗
Ｋ１１ｎて、Ｍ＊化性樹脂の注入後−乃ｌｊ分崗が経過
し４１１Ｉｉ１毫−ルド層−Ｊが先金に硬化するｆ［＃
に上抛偵１を外し、この状態で下ｍ ｔｓｔＫｆｉｋけ
られた高さの異なる突出ビンＩＩＩ、１？ｌＫよ）伽脂
モールド抛半導体Ｖ７を瞳−の放熱板（１）の下Ｍを傾
斜させながら突上げ、ＩＩＩｊ１ｍ毫−ルド渥牛導体５
Ｎ１１１１９を下型（８１からｍ型させふとともに１４
ｉｌＷＩ毫−ルド層（４）と該樹脂モールド層４４４に
向ってランナ口）から延びるａｉｍ注大川ゲートとの間
を新砂−げ、ＩｉＩ脂モールドｊｌｌｋｌとゲートは１
とを切離す。
１１１図に例示する実施塾様においては、ゲー） １！
Ｉ ＩＩＩＪ Ｋ位置する第１の突出ビン（１１がラン
チ（１）の下側および放熱板（３）の下側でかクリート
７レーム挿；に近接して位置する鶴コの突出ビン（６）
よ如も短く形成されているから、突出ビン（６１および
（７〕を同時に上方に回って押上けると先ず鶴コの突出
ピン（６）が放熱板（３１の下向を押圧し、次ｉでＩ８
／および拓コの突出ビンの兼さＯ１！に相当する時間葦
を画いて集／の突出ビン（１）が放熱板（１）の下ｔｈ
Ｊｆ：押圧する。このため１ｉｉ１１キ一ルド漏牛椿体
＊ＩＩＥ輪は） ａｌ ４８７から１握するとともにゲ
−）ｌｌｌと＊ｊｉ＆モールドＰＩＩＩ軸）との陶を上
方に向ってマ字状に折）曲け、この折〉曲げ力によって
１１＆モ一ルド層１４１とゲート（＝１とを自動的に切
離す。この突出ビン（＄１および（１）Ｏ作動時に，放
熱板＋３１ Ｔｏるいはリードフレーム（６）Ｋ穿設さ
れ友前記位ｍＩ！１定用孔は１畠（８）に設けられた図
示しないゲージビンＫｆｉ！ｔ Ｇ込み、傭脂毫−ルド
智牛導体装置１１ｋｕＩｋの上下方向および横方向のが
たつきを制−するから、突出ビン＋６１および（７）の
上昇によって樹脂モールド型半榔体ｇＪ！璽１１０１ｃ
皺形を生せしめるような過度の傾斜は防止される。しか
し最終集品の変形を減少させるため、突出ビン（１！ｊ
と１７）の灸さのＭは、ゲートｔｚ＋と樹脂モールＦ都
の切朧しが可能な範−で出来得る限り少なくすることが
好まし１０ 以上の説明に例らかなように、本兜物方法は４１１１ｊ
ｉｋモ一ルド層（４！が完全に！Ｉｌｋ、化する以１１
Ｉ忙高さの機なＡＩ！Ａ出ピン（＠１％（７ｉによシ伽
脂そ−ルド製牛擲体装ｍ叩１のＮｊｃ熊板（３）下向を
所定の傾斜角の軛−で傾斜させながら突上け、該−脂モ
ールド抛牛擲体＊に歇を下動（８１から触動せしめると
ともに１１１１１ｉモ一ルド層（４）とゲート（！Ｊと
の間を切議す鴨ので６って、手作意によるゲート（１）
の切崩し工程を完全に省略することができる。
Ｉ ＩＩＩＪ Ｋ位置する第１の突出ビン（１１がラン
チ（１）の下側および放熱板（３）の下側でかクリート
７レーム挿；に近接して位置する鶴コの突出ビン（６）
よ如も短く形成されているから、突出ビン（６１および
（７〕を同時に上方に回って押上けると先ず鶴コの突出
ピン（６）が放熱板（３１の下向を押圧し、次ｉでＩ８
／および拓コの突出ビンの兼さＯ１！に相当する時間葦
を画いて集／の突出ビン（１）が放熱板（１）の下ｔｈ
Ｊｆ：押圧する。このため１ｉｉ１１キ一ルド漏牛椿体
＊ＩＩＥ輪は） ａｌ ４８７から１握するとともにゲ
−）ｌｌｌと＊ｊｉ＆モールドＰＩＩＩ軸）との陶を上
方に向ってマ字状に折）曲け、この折〉曲げ力によって
１１＆モ一ルド層１４１とゲート（＝１とを自動的に切
離す。この突出ビン（＄１および（１）Ｏ作動時に，放
熱板＋３１ Ｔｏるいはリードフレーム（６）Ｋ穿設さ
れ友前記位ｍＩ！１定用孔は１畠（８）に設けられた図
示しないゲージビンＫｆｉ！ｔ Ｇ込み、傭脂毫−ルド
智牛導体装置１１ｋｕＩｋの上下方向および横方向のが
たつきを制−するから、突出ビン＋６１および（７）の
上昇によって樹脂モールド型半榔体ｇＪ！璽１１０１ｃ
皺形を生せしめるような過度の傾斜は防止される。しか
し最終集品の変形を減少させるため、突出ビン（１！ｊ
と１７）の灸さのＭは、ゲートｔｚ＋と樹脂モールＦ都
の切朧しが可能な範−で出来得る限り少なくすることが
好まし１０ 以上の説明に例らかなように、本兜物方法は４１１１ｊ
ｉｋモ一ルド層（４！が完全に！Ｉｌｋ、化する以１１
Ｉ忙高さの機なＡＩ！Ａ出ピン（＠１％（７ｉによシ伽
脂そ−ルド製牛擲体装ｍ叩１のＮｊｃ熊板（３）下向を
所定の傾斜角の軛−で傾斜させながら突上け、該−脂モ
ールド抛牛擲体＊に歇を下動（８１から触動せしめると
ともに１１１１１ｉモ一ルド層（４）とゲート（！Ｊと
の間を切議す鴨ので６って、手作意によるゲート（１）
の切崩し工程を完全に省略することができる。
したがって本発明方法は、製品ｏ、！ｉ！Ｉ＊向上なら
びに工数の減少忙顧着な改醤効朱ｔもたらす
びに工数の減少忙顧着な改醤効朱ｔもたらす
集１図は突出ビン作ｆＩＪ前の樹脂モールド勘牛椿体装
−および成形用金製の−Ｓ破欺止向図であり、′＊た協
コ図り突出ビン作動後の樹脂モールド型半場体装萌およ
び成形用金製の−ｓ＋１ＬＩＩＩ止■図である。 （ｌＩ・・ランナ、１２）・・ゲー）、１ｍｌ・・放鈴
叡、（４）・舎ａｉｒ脂モールド層、（５）・・リード
フレーム、１６１．１７＋・・突出ビン、１８八（８１
・・成形用金製、４１０．・・・ｗ線上−ルド抛半導俸
ｇＩ装置。
−および成形用金製の−Ｓ破欺止向図であり、′＊た協
コ図り突出ビン作動後の樹脂モールド型半場体装萌およ
び成形用金製の−ｓ＋１ＬＩＩＩ止■図である。 （ｌＩ・・ランナ、１２）・・ゲー）、１ｍｌ・・放鈴
叡、（４）・舎ａｉｒ脂モールド層、（５）・・リード
フレーム、１６１．１７＋・・突出ビン、１８八（８１
・・成形用金製、４１０．・・・ｗ線上−ルド抛半導俸
ｇＩ装置。
Claims (1)
- １１＋ Ｉｉ脂上モールド−半導体装置モールド成形
後、成形出金ｌＮｌｌ１ｃ設けられた高さの興なる突出
ビンによシｌａ紀４ＩＩｔｊ１モールド劇牛噂体装置を
傾斜させなから突上け、樹脂そ−ルド層と該樹脂モール
ド層に同りて延設され九樹脂注入用ゲートとの陶を折如
曲げ、ｉＭｋモールド層とゲートとを切ｌすことを特徴
とする樹ＩＩ！キールド成形におけるゲートの割れ残り
防止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4324882A JPS58160129A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 樹脂モ−ルド成形におけるゲ−トの割れ残り防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4324882A JPS58160129A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 樹脂モ−ルド成形におけるゲ−トの割れ残り防止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58160129A true JPS58160129A (ja) | 1983-09-22 |
| JPS636333B2 JPS636333B2 (ja) | 1988-02-09 |
Family
ID=12658575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4324882A Granted JPS58160129A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | 樹脂モ−ルド成形におけるゲ−トの割れ残り防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58160129A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63124426A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-05-27 | Nec Kyushu Ltd | 半導体樹脂封止装置 |
| US4888307A (en) * | 1986-08-27 | 1989-12-19 | Sgs Microelettronica S.P.A. | Method for manufacturing plastic encapsulated semiconductor devices |
| JPH07156215A (ja) * | 1993-12-10 | 1995-06-20 | Nec Corp | 樹脂封止半導体装置用ゲート分離装置 |
| US6187247B1 (en) | 1998-05-13 | 2001-02-13 | Velcro Industries B.V. | Injection molding parts with fastener elements |
| JP2008118012A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Apic Yamada Corp | ディゲート装置及びディゲート方法 |
-
1982
- 1982-03-17 JP JP4324882A patent/JPS58160129A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4888307A (en) * | 1986-08-27 | 1989-12-19 | Sgs Microelettronica S.P.A. | Method for manufacturing plastic encapsulated semiconductor devices |
| JPS63124426A (ja) * | 1986-11-12 | 1988-05-27 | Nec Kyushu Ltd | 半導体樹脂封止装置 |
| JPH07156215A (ja) * | 1993-12-10 | 1995-06-20 | Nec Corp | 樹脂封止半導体装置用ゲート分離装置 |
| US6187247B1 (en) | 1998-05-13 | 2001-02-13 | Velcro Industries B.V. | Injection molding parts with fastener elements |
| JP2008118012A (ja) * | 2006-11-07 | 2008-05-22 | Apic Yamada Corp | ディゲート装置及びディゲート方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS636333B2 (ja) | 1988-02-09 |
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