JPS6360080A - 磁気デイスク基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は記憶媒体として用いられる磁気ディスクのため
の基板の製造方法に関する。

〈従来の技術〉 高密度記録用の薄膜タイプの磁気ディスクの基板は、そ
の取扱いの便宜のために十分な強度が必要であり、磁気
媒体をスパッタリングする際の温度上昇に耐え得るよう
な耐熱性を備え、高密度の磁気記録を可能にしかつ磁気
ヘッドの１習接に対する所要の耐摩耗性を確保するよう
に高い表面精度及び十分な硬度を有する必要がある。

従来は、第２図に示されたように、アルミ合金からなる
薄板のブランクの両面を表面研磨し、研磨された面に無
電解ニック°ルめっきを行ったり、アルマイト被膜処理
を行なうことにより表面層５を形成し、更にこの表面層
の表面を研磨することにより、その表面にクロム、鉄、
ニッケル、コバルトなどからなる磁気膜をスパッタリン
グもしくはメッキにより形成し、更にその表面に保護膜
を形成して磁気ディスクを完成するようにしていた。

しかるに、このような表面層５を良好に形成するために
は、アルミ芯板１の表面粗さが０．０１５μｍ程度の高
い精度を有する乙のであることが必要となり、特に非金
属介在物を含まない高価なアルミ合金素材を必要とし、
またアルミ合金が比較的軟質であるためにその表面加工
が困難であり、磁気ディスク基板のコストアップの原因
となっていた。また無電解ニッケルめっき層は、厚さが
１０〜２０μｍ程度でおるために強度が必ずし＝ｂ十分
でなく、また２５０℃付近で磁気変態を起し、そのため
に磁気膜をスパッタリングする際の基板表面の温度上昇
に伴い磁気特性の劣化を生じたり、或いはそのために温
度上昇を抑えた特殊なスパッタリング工程が必要となり
、製造工程に多大な時間を要する原因となっていた。更
に、アルマイト処理を行なった場合には、十分な強度が
得られるように表面層の厚さを十分大きくした場合には
、表面にボア等の欠陥を生じ易くなる。また、研磨過程
が２回必要でおるために製造コストが高騰し、製造に多
大な時間が必要となる。

そこで、特公昭５３−３７２０２号公報に開示されてい
るように、アルミニウムからなる芯板の表面にスパッタ
リングによりセラミックス材料の微粉末を付着させて硬
質の表面層を形成することが提案されている。しかしな
がら、表面層をスパッタリング或いは蒸着により形成す
る場合、被膜の形成に時間を要し、熱が放散するために
、被膜の厚さを約１μｍ以上にすることが困難である。

硬質被膜が薄い場合には、磁気ディスクの強度が不十分
となり、磁気ヘッドの接触で磁性膜が破壊されたり、或
いは磁気ディスクを床に落した場合に破損するなど取扱
い上の問題が発生し易い。

〈発明が解決しようとする問題点〉 このような従来技術の問題点に鑑み、本発明の主な目的
は、磁気ディスク基板として必要な強度、耐熱性、表面
精度及び表面硬度を有する改良された磁気ディスク用基
板を提供することにある。

〈問題点を解決するための手段〉 このような目的は、本発明によれば、磁気ディスク基板
の製造方法で市って、セラミック初１１またはガラス材
料からなる薄板の片面にニッケル、チタン、ニッケル合
金またはチタン合金をコーティングする過程と、前記薄
板の前記片面を、アルミニウムもしくはアルミニウム合
金からなる芯板の表面に、インナート材を介して圧接す
る過程とを有する磁気ディスク基板の製造方法を提供す
ることにより達成される。

〈作用〉 このように表面硬化層としてセラミック或いはガラス層
を用いることにより、十分な強度、耐熱性、緻密性及び
硬度が得られる。特に、ニッケル、チタン或いはこれら
の合金はガラス系材料に対する付着性が良く、また圧接
過程をインサート材と芯板との間の共晶温度より高くし
かも芯板の溶融点或いは表面層の軟化点以下の温度によ
り行なうことにより、芯板とインサート材との間の接合
力を確保することができる。

〈実施例〉 以下、本発明の好適実施例を添付の図面について詳しく
説明する。

第１図は本発明に基づく磁気ディスク基板の断面図であ
る。まず比較的安価なアルミ合金もしくは純アルミニウ
ムからなる芯板１を準僅するが、従来技術に基づく場合
と異なり、その表面粗さが比較的問題とならない。次に
、厚さが約５０μｍ〜５００μｍのソーダ石灰ガラスか
らなるガラス薄板２の片面にニッケル膜３をイオンブレ
ーティングなどのＰＶＤ　（物理的蒸着）或いはメッキ
などにより０．５μｍ〜５０μｍの厚さに成膜する。

薄板２は、アルミナ、ジルコニア、炭化硅素、窒化硅素
などのセラミックス材料或いは石英ガラス、硼硅酸ガラ
スなどのガラス貿祠料からなるものであっても良く、ニ
ッケル膜３は、チタン、ニッケル合金またはチタン合金
からなるものであっても良い。次に、ニッケル膜３と芯
板１の表面との間に０．５μｍ〜１００μｍの厚さのイ
ンサート材としての銅薄板４を挟設し、５４８°Ｃ〜６
３０’Ｃの温度にて互いに圧接する。

このようにして得られた磁気ディスク基板は、３５０℃
の温度にて磁気膜をスパッタリングする場合でも何ら悲
影響を受けることがない。また、４００℃に加熱してこ
れを水中に没入させる急冷過程を５サイクル繰返しても
、割れや変形などの異常を生じることがなかった。また
、ガラス薄板２の面取りを行なったサンプルについて、
約１メートルの高さから塩化ビニールタイル上に落した
場合にも破損や割れが生じなかった。また、このような
リーンプルにより割れ試験を行なった所、ガラス層の割
れが発生した場合でも、接合面が剥離することがなく、
十分な接合強度が得られていることが見出された。

インサート材としては銅が好適であるが、銅はガラスに
対する付着性が良くない。しかしながら、ニッケル、チ
タンなどはガラスに対する付着性が良い。インサート材
を用いない場合には、アルミニウム製の芯板１の表面に
へ１２０３膜が形成され、ニッケル１３との間の接合ノ
Ｊが問題となるが、銅薄板４からなるインサート材を用
い、しかも銅とアルミニウムとの間の共晶′ｇＡ度以上
の温度により圧接を行なうため、十分な接合力が得られ
る。

〈発明の効果〉 本発明の効果は以下の通りでおる。

０表面層が非磁性でｆ！Ｊ！？］な材質からなり、その
厚さも任意に調節可能であるため、強度が高く緻密な表
面層を得ることができる。

０表面の特性は接合された硬質層により得られるため、
芯板として用いられアルミ合金は安価な一般材で良くコ
スト低下が図れる。

■接合前の芯板の表面粗さの影響は少なく、研磨が困難
なアルミ合金の表面研磨が必要なくなり、同じくコスト
低下が図れる。

■接合方法を３００℃以上の耐熱性のある方法（蝋付け
、拡散接合など）とすれば、磁気膜をスパッタリング法
により効率的に成膜することができ、磁気特性の向上と
生産性の向上が図れる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に基づく磁気ディスク基板の断面図であ
る。 第２図は従来形式の磁気ディスク基板の断面図である。 １・・・芯板　　　　　　２・・・ガラス薄板３・・・
ニッケル膜　　　４・・・銅薄板５・・・表面層

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）磁気ディスク基板の製造方法であって、セラミッ
   ク材料またはガラス材料からなる薄板の片面にニッケル
   、チタン、ニッケル合金またはチタン合金をコーティン
   グする過程と、 前記薄板の前記片面を、アルミニウムもしくはアルミニ
   ウム合金からなる芯板の表面に、インサート材を介して
   圧接する過程とを有する磁気ディスク基板の製造方法。
2. （２）前記圧接過程が、前記芯板の材料と前記インサー
   ト材の材料との共晶温度よりも高く、かつ前記ガラス層
   の軟化温度及び前記芯板の材料の溶融温度よりも低い温
   度にて行われることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   に記載のディスク基板の製造方法。
3. （３）前記インサート材が銅または銅合金からなること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項若しくは第２項に記
   載の磁気ディスク基板。