JPS6359266B2 - - Google Patents

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JPS6359266B2
JPS6359266B2 JP57135084A JP13508482A JPS6359266B2 JP S6359266 B2 JPS6359266 B2 JP S6359266B2 JP 57135084 A JP57135084 A JP 57135084A JP 13508482 A JP13508482 A JP 13508482A JP S6359266 B2 JPS6359266 B2 JP S6359266B2
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JP
Japan
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gate electrode
electrode
passivation film
amorphous silicon
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]

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  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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