JPS6359101A - マイクロ波回路接続装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は別々の基板上に構成された複数のマイクロ波回
路を接続するマイクロ波回路接続装置に関するものであ
る。

従来の技術 第６図はこの従来のマイクロ波回路接続装置の平面図お
よび側面図を示すものであり、１３は接地導体１は第１
のセラミック基板、２は第２のセラミック基板、３はマ
イクロストリップ導体、４はマ・イクロストリップ導体
である。５は、マイクロストリップ導体３およびマイク
ロストリップ導体４とほぼ同等の幅をもつ銅箔であり、
マイクロストリップ導体３およびマイクロストリップ導
体４にハンダ付けされている。６は基板１と基板２との
間隙である。

以上のように構成されたマイクロ波回路接続装置におい
ては、マイクロストリップ導体３より伝送された信号は
銅箔５を経てマイクロストリップ線路４に伝達する。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のような構成では、マイクロ波回路接
続装置全体を温度変化の激しい場所に放置した場合、基
板１．基板２のそれぞれの温度変化による膨張もしくは
収縮により間隙６の大きさが変化し、銅箔５がその変化
に追従できずにマイクロストリップ導体３またはマイク
ロストリップ導体４よりはがれ接続不良が生ずるという
第１の問題点と、銅箔５をマイクロストリップ線路４と
マイクロストリップ線路６にいちいちノ−ンダ付けしな
くてはならないという第２の問題点を有していた。

本発明はかかる点に鑑み、温度変化の激しい場所に放置
した場合でも高周波的に接続不良が生じず、しかも従来
より少ない工数で組み立て可能なマイクロ波回路接続装
置を提供することを目的とする。

問題点を解決するだめの手段 本発明は、異なった基板上にあるマイクロストリップ線
路のマイクロストリップ導体間で長さ４分の１波長のイ
ンタデジタル結合回路を形成し両基板間に間隙をもうけ
たマイクロ波回路接続装置である。

作　　用 本発明は、異なった基板上にあるマイクロストリップ線
路を電磁的な結合を利用して接続することで基板間に間
隙を設け、温度変化による基板の膨張や収縮による回路
接続部分の破損をさける。

実施例 第１図ａ、ｂは本発明の第１の実施例におけるマイクロ
波回路接続装置の平面図および側面図を示すものであり
、第６図と同一物については同一番号を付して説明する
。１は第１のセラミック基板、２は第２のセラミック基
板、３，４はそれぞれマイクロストリップ導体、６はセ
ラミック基板１とセラミック基板２の間隙、７ａは基板
１の凹部、７ｂは基板２の凹部、８ａは基板１の凸部、
８ｂは基板２の凸部である。９はマイクロストリップ導
体３のうちマイクロストリップ導体４に電磁的に結合す
る結合導体部であり、１０はマイクロストリップ導体４
の結合導体部９に電磁的に結合する結合導体部である。

結合導体部９と１０はインタデジタル結合回路１２を形
成し使用周波数の４分の１波長の長さを有し、間隙６は
インタディジタル結合回路１２のインピダンスがマイク
ロストリップ導体３およびマイクロストリップ導体４に
近くなるように設定する。１３は接地導体である。

以上のように構成された第１図の実施例のマイクロ波回
路接続装置について、以下その動作を説明スる。マイク
ロストリップ導体３に高周波、信号が印加されると、イ
ンタディジタル結合回路１２を介して、マイクロストリ
ップ導体４に高周波信号がスムーズに伝達する。以上の
ような構成では、マイクロストリップ導体３とマイクロ
ストリップ導体４を機械的に接続しないので、セラミッ
ク基板１および、セラミック基板２が温度変化により膨
張もしくは収縮した場合でもこの装置が破損することは
ない。

以上のように、本実施例によれば、別々の基板上にある
マイクロストリップ導体３の先端とマイクロストリップ
導体の先端とでインタデジタル結合回路１２を形成し基
板間に間隙を設けることによシ、高周波結合特性は維持
し、単純な構造で温度変化により破損しない、しかも、
直流遮断機能を有するマイクロ波接続回路を得る。

第２図ａ、ｂは、本発明の第２の実施例におけるマイク
ロ波回路接続装置の平面図と側面図を示すものであり、
第１図、第６図と同一物については同一番号を付して説
明する。結合導体部９の線路幅をマイクロストリップ導
体３の約半分とし、部分１０の線路幅をマイクロストリ
ップ導体４の約半分とし、マイクロストリップ導体３と
マイクロストリップ導体４を直線上に配置した以外は第
１図に示した第１の実施例と同様な構成である。

以上のように構成された第２の実施ｕ＋Ｊのマイクロ波
回路接続装置について、以下その動作を説明する。マイ
クロストリップ導体３に高周波信号が印加されると、結
合導体部９とからなるインタデジタル結合回路１２が電
磁的に結合してマイクロストリップ導体４に高周波信号
が伝達する。以上のような構成では、マイクロストリッ
プ導体３とマイクロストリップ導体４を機械的に接続し
ないので、セラミック基板１およびセラミック基板２が
温度変化により膨張もしくは収縮した場合でも本装置が
破損することがない。しかも、マイクロストリップ導体
３とマイクロストリップ導体４を直線上に配置したため
、狭い場所に構成可能となる。

以上のように、本実施例によれば、別々の基板上にある
マイクロストリップ導体３とマイクロストリップ導体４
の先端を狭めて、それぞれの狭めた結合導体部９，１０
で長さ４分の１波長のインタデジタル結合回路を設ける
ことによシ、単純な構造で、温度変化により破損しない
、しかも、直流遮断機能を有する小型のマイクロ波接続
回路を得る。

第３図は、本発明の第３の実施例におけるマイクロ波回
路接続装置の平面図を示すものであり、第１図、第２図
、第６図と同一物については同一番号を付して説明をす
る。１は第１のセラミック基板、２は第２のセラミック
基板、３と４はそれぞれマイクロストリップ導体、６は
セラミック基板１とセラミック基板２の間隙、７はセラ
ミック基板１の凹部、８はセラミック基板２の凸部であ
り、凹部７と凸部８は係合可能な形状とする。凹部７、
凸部８はそれぞれマイクロストリップ導体３およびマイ
クロストリップ導体４上に構成される。ｓａ、ｓｂはマ
イクロストリップ導体３のうちマイクロストリップ線路
４に電磁的に結合する結合導体部であり、１０はマイク
ロストリップ線路４のうち、結合導体部９に電磁的に結
合する部分である。結合導体部９ａ、９ｂおよび１ｏは
使用する周波数の４分の１波長の長さのインタデジタル
結合回路１２で、間隙６はインタディジタル結合回路１
２のインビゼ°ンスがマイクロストリップ導体３やマイ
クロストリップ導体４のインピーダンスになるべく近く
なるように設定する。

以上のように構成された第３図の実施例のマイクロ波回
路接続装置について、以下その動作を説明する。マイク
ロストリップ導体３に高周波信号が印加されると、結合
導体部９ａ、９ｂおよび１゜が電磁的に結合してマイク
ロストリップ導体４に高周波信号が伝達する。以上のよ
うな構成では、マイクロストリップ導体３とマイクロス
トリップ導体４を機械的に接続しないので、セラミック
基板１およびセラミック基板２が温度変化により膨張も
しくは収縮した場合でも、本装置が破損することはない
。

以上のように、この実施例によれば別々の基板上のマイ
クロストリップ導体３とマイクロストリップ導体４にそ
れぞれ凹部７と凸部８を設は係合させてインタデジタル
結合回路１２を設けてマイクロストリップ導体３とマイ
クロストリップ導体４を高周波で導通させ、セラミック
基板１とセラミック基板２の間に間隙６をもうけること
により、温度変化により破損しないマイクロ波接続回路
を得る。

第４図は、本発明の第４の実施例におけるマイクロ波回
路接続装置の平面図を示すものであり、第１図、第２図
、第３図、第６図と同一物については同一番号を付して
説明する。マイクロストリップ導体３とマイクロストリ
ップ導体４０間を弾力性と高特性インピーダンスを有す
るボンディングワイヤ１１をたわませて接続するという
魚身外は、第３図に示した第３の実施例と同様な構成で
ある。

以上のように構成された第４の実施例のマイクロ波回路
接続装置について、以下その動作を説明する。マイクロ
ストリップ線路３に高周波信号が印加されると、結合導
体部９ａ　、　９ｂおよび１゜がインタデジタル結合回
路１２となり、マイクロストリップ導体４に高周波信号
が伝達する。マイクロストリップ導体３に印加された直
流分は、ボンディングワイヤ１１を介してマイクロスト
リップ導体４に伝達する。ボンディングワイヤは高特性
インピーダンスのだめチョークとなり高周波特性に影響
を与えない。以上のような構成では、セラミック基板１
およびセラミック基板２が温度変化により膨張もしくは
収縮した場合でも、ボンディングワイヤ１１は柔軟性を
有し、たわませであるので、間隙６が変化しても切断し
たりマイクロストリップ線路３またはストリップ線路４
からはがれたりしない。また、高周波成分は、結合導体
部ｓａ、９ｂおよび１０からなるインタデジタル結合回
路１２により基板の膨張や収縮に関係なくマイクロスト
リップ導体３よりマイクロストリップ導体４に伝達する
。

以上のように、本実施例によれば別々のセラミック基板
上のマイクロストリップ線路３とマイクロストリップ線
路を電磁的に結合させ、さらに、たわませたボンディン
グワイヤ１１で接続することにより、高周波以外に直流
電流を伝送でき、しかも、温度変化による破損を生じな
いマイクロ波回路接続装置を得る。

第５図は、本発明の第６の実施例におけるマイクロ波回
路接続装置の平面図を示すものであり、第１図、第２図
、第３図、第４図、第６図と同一物については同一番号
を付して説明する。セラミック基板１とセラミック基板
２の間隙６に斜線で示示した弾力性を有する誘電体１４
を挿入した魚身外は第３図に示した第３の実施例と同様
な構成である。

以上のように構成された第６の実施列のマイクロ波回路
接続装置について、以下その動作を説明する。マイクロ
ストリップ線路３に高周波信号が印加され、結合導体部
ｓａ、９ｂおよび１ｏからなるインタデジタル結合回路
１２を通じてマイクロストリップ導体４に高周波信号が
伝達する。誘電体１４はインタデジタル結合回路のイン
ピーダンスをマイクロストリップ導体３とマイクロスト
リップ導体４により正確に整合するのに用いる。

以上のような構成では、セラミック基板１およびセラミ
ック基板２が温度変化により膨張もしくは収縮した場合
、間隙６の変化に応じて誘電体１４がその弾性により厚
みを変化させ、破損することはない。しかも、誘電体１
１の誘電率で厚みを調整することで容易にインタデジタ
ル結合回路のマイクロストリップ導体３およびマイクロ
ストリップ導体４とのインピーダンス整合をとることが
でき、透過損失の低減が容易となる。

以上のように、本実施例によれば、インタデジタル回路
の間隙に誘電体を挿入することにより高性能でしかも温
度変化による劣化を生じないマイクロ波回路接続装置を
得ることができる。

なお、第１．第２．第３．第４．第６の実施例路用基板
でもよいし、それぞれを別の材質としてもよい。第１．
第２．第３．第４．第５の実施例において、マイクロス
トリップ導体３とマイクロストリップ導体４は同じ線路
幅でもよいし、異なった線路幅でもよい。また、第５の
実施例で誘電体１４を間隙全体に挿入したが、インタデ
ィジタル結合回路１２の間隙だけでもよい。

発明の詳細 な説明したように、本発明によれば、高周波透過特性を
損なわずに、温度変化によって破損を生じないマイクロ
波回路接続装置を得ることができ、しかも、直流遮断効
果を有し、また、場合によってはポンディング等により
直流を伝導できる構造にすることもでき、その実用的効
果は大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例におけるマイクロ波回路接続
装置の平面図、および側面図、第２図は同曲の実施例に
おけるマイクロ波回路接続装置の平面図および側面図、
第３図、第４図、第６図はそれぞれ同池の実施例におけ
るマイクロ波回路接続装置の平面図、第６図は従来例に
おけるマイクロ波回路接続装置の平面図および側面図で
ある。 １．２・・・・・・セラミック基板、３，４・・・・・
・マイクロストリップ導体、５・・・・・・銅箔、６・
・・・・・間隙、１２・・・・・・インタディジタル結
合回路、１４・・・・・・誘電体。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第　
１　図 （ａ） 第２図 （ａ） ａ ｔｂノ 第３図 第４図 第５図 第６図

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）第１のマイクロストリップ線路のマイクロストリ
   ップ導体の先端と、第２のマイクロストリップ線路のマ
   イクロストリップ導体の先端におおよそ４分の１波長の
   長さのインタデジタル結合回路を形成し、第１のマイク
   ロストリップ線路と第２のマイクロストリップ線路の間
   に間隙をもうけたことを特徴とするマイクロ波回路接続
   装置。
2. （２）第１のマイクロストリップ線路と第２のマイクロ
   ストリップ線路の間隙に弾力性のある誘電体を挿入した
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のマイクロ
   波回路接続装置。
3. （３）第１のマイクロストリップ線路のマイクロストリ
   ップ導体と第２のマイクロストリップ線路のマイクロス
   トリップ導体を、弾力性のある導電性の物質で接続した
   ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載もしくは第
   ２項記載のマイクロ波回路接続装置。