JPS6358860A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6358860A JPS6358860A JP61204218A JP20421886A JPS6358860A JP S6358860 A JPS6358860 A JP S6358860A JP 61204218 A JP61204218 A JP 61204218A JP 20421886 A JP20421886 A JP 20421886A JP S6358860 A JPS6358860 A JP S6358860A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- case
- synthetic resin
- cover
- lid
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims abstract description 21
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 abstract 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 abstract 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 abstract 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特に電力用のモジュール
の外装に関するものである。
の外装に関するものである。
従来、この種の半導体装置は第２図および第３図に示す
ように構成されており、これを同図に基づいて概略説明
すると、符号１は金属製のベース板２上に取り付けられ
半導体チップ３を封止するエポキシ系の合成樹脂４がそ
の内部に充填された筒状のケース、５はこのケース１の
開口部に前記合成樹脂４によって装着され外部電極端子
挿通用の孔５ａを有する蓋体、６〜８および９〜１１は
この蓋体５の孔５ａに挿通されかつ前記ベース板２上に
取り付けられた外部接続用の主電極端子と補助電極端子
である。また、１２はこれら電極端子６〜１１と前記半
導体チップ３とを接続するアルミワイヤ、１３はこれら
アルミワイヤ１２および前記半導体チップ３を覆うゲル
、１４は前記ベース板２と前記電極端子６〜１１との間
に介装する絶縁基板である。
ように構成されており、これを同図に基づいて概略説明
すると、符号１は金属製のベース板２上に取り付けられ
半導体チップ３を封止するエポキシ系の合成樹脂４がそ
の内部に充填された筒状のケース、５はこのケース１の
開口部に前記合成樹脂４によって装着され外部電極端子
挿通用の孔５ａを有する蓋体、６〜８および９〜１１は
この蓋体５の孔５ａに挿通されかつ前記ベース板２上に
取り付けられた外部接続用の主電極端子と補助電極端子
である。また、１２はこれら電極端子６〜１１と前記半
導体チップ３とを接続するアルミワイヤ、１３はこれら
アルミワイヤ１２および前記半導体チップ３を覆うゲル
、１４は前記ベース板２と前記電極端子６〜１１との間
に介装する絶縁基板である。
次に、このように構成された半導体装置の組立方法につ
いて説明する。
いて説明する。
先ず、ベース板２上に絶縁基板１４．電極端子６〜１１
および半導体チップ３をＩ＋＠次半田付けする。次に、
アルミワイヤ１２によって半導体チップ３と電極端子６
〜１１とを接続する。そして、ベース板２上にケース１
を接着し、このケース１内にゲル１３１合成樹脂４を順
次注入した後、この合成樹脂４によってケース１の開口
部に蓋体５を取り付ける。
および半導体チップ３をＩ＋＠次半田付けする。次に、
アルミワイヤ１２によって半導体チップ３と電極端子６
〜１１とを接続する。そして、ベース板２上にケース１
を接着し、このケース１内にゲル１３１合成樹脂４を順
次注入した後、この合成樹脂４によってケース１の開口
部に蓋体５を取り付ける。
このようにして半導体装置を組み立てることができる。
ところで、この種の半導体装置においては、蓋体５のケ
ース１への装着時に高温（１５０°）のオーブン（図示
せず）内で合成樹脂４を硬化させる必要がある。
ース１への装着時に高温（１５０°）のオーブン（図示
せず）内で合成樹脂４を硬化させる必要がある。
ところが、従来の半導体装置においては、蓋体５に補強
機能が何等備えられておらず、このため蓋体５が第３図
（ａ）に示すように表面側に反っていると、同図（ｂ）
に示すようにケース１と蓋体５との間に隙間が生じ、熱
膨張によって合成樹脂４がケース１外に漏洩したり補助
電極端子９〜１１が傾斜したりするという問題があった
。
機能が何等備えられておらず、このため蓋体５が第３図
（ａ）に示すように表面側に反っていると、同図（ｂ）
に示すようにケース１と蓋体５との間に隙間が生じ、熱
膨張によって合成樹脂４がケース１外に漏洩したり補助
電極端子９〜１１が傾斜したりするという問題があった
。
本発明はこのような事情に鑑みなされたもので、密着し
た状態でケースに蓋体を取り付けることができ、もって
合成樹脂のケース外への漏洩および補助電極端子の傾斜
の発生を防止することができる半導体装置を提供するも
のである。
た状態でケースに蓋体を取り付けることができ、もって
合成樹脂のケース外への漏洩および補助電極端子の傾斜
の発生を防止することができる半導体装置を提供するも
のである。
本発明に係る半導体装置は、ケースの開口部に合成樹脂
によって装着され外部電極端子挿通用の孔を有する蓋体
の裏側に面方向に延在する多数のリブを設けたものであ
る。
によって装着され外部電極端子挿通用の孔を有する蓋体
の裏側に面方向に延在する多数のリブを設けたものであ
る。
本発明においては、蓋体の表面側への反りを阻止するこ
とができる。
とができる。
第１図は本発明に係る半導体装置の蓋体を示す斜視図で
、同図において第２図および第３図と同一の部材につい
ては同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。同図に
おいて、符号２１で示すものは前記蓋体５と同一の機能
をもつ１板状の蓋体で、裏側には断面矩形状に形成され
面方向に延在する多数のリブ２２が格子状に設けられて
おり、また前記主電極端子６〜８と外部配線（図示せず
）とを固定するためのナンド受け２３〜２５が設けられ
ている。さらに、この蓋体２１には、前記主電極端子６
〜８が挿通する孔２６〜２８および前記補助電極端子９
〜１１が挿通する孔２９〜３１が設けられている。なお
、蓋体２１はその板厚ができるだけ均一で小さい寸法に
設定することが望ましい。
、同図において第２図および第３図と同一の部材につい
ては同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。同図に
おいて、符号２１で示すものは前記蓋体５と同一の機能
をもつ１板状の蓋体で、裏側には断面矩形状に形成され
面方向に延在する多数のリブ２２が格子状に設けられて
おり、また前記主電極端子６〜８と外部配線（図示せず
）とを固定するためのナンド受け２３〜２５が設けられ
ている。さらに、この蓋体２１には、前記主電極端子６
〜８が挿通する孔２６〜２８および前記補助電極端子９
〜１１が挿通する孔２９〜３１が設けられている。なお
、蓋体２１はその板厚ができるだけ均一で小さい寸法に
設定することが望ましい。
このように構成された半導体装置においては、その組み
立てが従来の組立方法と同様の組立方法によって行われ
る。
立てが従来の組立方法と同様の組立方法によって行われ
る。
すなわち、先ず、ベース板２上に絶縁基板１４゜電極端
子６〜１１および半導体チップ３を順次半田付けする。
子６〜１１および半導体チップ３を順次半田付けする。
次に、アルミワイヤ１２によって半導体チップ３と電極
端子６〜１１とを接続する。
端子６〜１１とを接続する。
そして、ベース板２上にケース１を接着し、このケース
１内にゲル１３９合成樹脂４を順次注入した後、この合
成樹脂４によってケースｌの開口部に蓋体２１を取り付
ける。この場合、高温のオーブン（図示せず）内で合成
樹脂を硬化させるが、蓋体２１の裏側に設けられた補強
部材としてのリブ２２によって蓋体２１には表面側への
反りがないから、ケース１への蓋体２１の取り付けを密
着した状態で行うことができる。
１内にゲル１３９合成樹脂４を順次注入した後、この合
成樹脂４によってケースｌの開口部に蓋体２１を取り付
ける。この場合、高温のオーブン（図示せず）内で合成
樹脂を硬化させるが、蓋体２１の裏側に設けられた補強
部材としてのリブ２２によって蓋体２１には表面側への
反りがないから、ケース１への蓋体２１の取り付けを密
着した状態で行うことができる。
なお、本発明におけるリブの断面形状は前述した実施例
に限定されず、例えば断面円形状に形成したものでもよ
く、その形状は適宜変形することが自由である。
に限定されず、例えば断面円形状に形成したものでもよ
く、その形状は適宜変形することが自由である。
以上説明したように本発明によれば、ケースの開口部に
合成樹脂によって装着され外部電極端子挿通用の孔を有
する蓋体の裏側に面方向に延在する多数のリブを設けた
ので、蓋体の表面側への反りを確実に阻止することがで
きる。したがって、密着した状態でケースに蓋体を取り
付けることができるから、合成樹脂のケース外への漏洩
および補助電極端子の傾斜の発生を防止することができ
る。
合成樹脂によって装着され外部電極端子挿通用の孔を有
する蓋体の裏側に面方向に延在する多数のリブを設けた
ので、蓋体の表面側への反りを確実に阻止することがで
きる。したがって、密着した状態でケースに蓋体を取り
付けることができるから、合成樹脂のケース外への漏洩
および補助電極端子の傾斜の発生を防止することができ
る。
第１図は本発明に係る半導体装置の蓋体を示す斜視図、
第２図は半導体装置の一部を破断して示す斜視図、第３
図（ａｌおよび（ｂｌは従来の半導体装置の組立例を示
す側面図である。 １・・・・ケース、３・・・・半導体チップ、４・・・
・合成樹脂、６〜８・・・・主電極端子、９〜１１・・
・・補助電極端子、１３・・・・ゲル、２１・・・・蓋
体、２２・・・・リブ、２６〜３１・・・・孔。 代 理 人 大岩増雄 ２６〜３１：に １３：ケ”Ｉし
第２図は半導体装置の一部を破断して示す斜視図、第３
図（ａｌおよび（ｂｌは従来の半導体装置の組立例を示
す側面図である。 １・・・・ケース、３・・・・半導体チップ、４・・・
・合成樹脂、６〜８・・・・主電極端子、９〜１１・・
・・補助電極端子、１３・・・・ゲル、２１・・・・蓋
体、２２・・・・リブ、２６〜３１・・・・孔。 代 理 人 大岩増雄 ２６〜３１：に １３：ケ”Ｉし
Claims (2)
- （１）半導体チップを封止する合成樹脂がその内部に充
填された筒状のケースと、このケースの開口部に前記合
成樹脂によって装着され外部電極端子挿通用の孔を有す
る蓋体とを備えた半導体装置において、前記蓋体の裏側
に面方向に延在する多数のリブを設けたことを特徴とす
る半導体装置。 - （２）リブは格子状に形成されている特許請求の範囲第
１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61204218A JPS6358860A (ja) | 1986-08-28 | 1986-08-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61204218A JPS6358860A (ja) | 1986-08-28 | 1986-08-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6358860A true JPS6358860A (ja) | 1988-03-14 |
Family
ID=16486792
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61204218A Pending JPS6358860A (ja) | 1986-08-28 | 1986-08-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6358860A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009248760A (ja) * | 2008-04-07 | 2009-10-29 | Nsk Ltd | 電動パワーステアリング装置 |
-
1986
- 1986-08-28 JP JP61204218A patent/JPS6358860A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009248760A (ja) * | 2008-04-07 | 2009-10-29 | Nsk Ltd | 電動パワーステアリング装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4731644A (en) | Semiconductor power module with ceramic substrate | |
| EP1841303B1 (en) | Electronic control device | |
| JP3432982B2 (ja) | 表面実装型半導体装置の製造方法 | |
| JPH04354360A (ja) | 電子装置 | |
| JPH06275773A (ja) | 集積化バッテリマウントを有する表面装着可能集積回路パッケージ | |
| JPH0640560B2 (ja) | 電子機械式時計機構の回路担体用の導体軌道・ネットワ−クを装着する方法とそのネットワ−ク | |
| JP2017157769A (ja) | 樹脂封止型車載制御装置 | |
| JP2020513143A (ja) | 底接続型トレイを有するバッテリーパック及びその製造方法 | |
| JP4964858B2 (ja) | 充電池用保護回路モジュール | |
| JP2003022789A (ja) | バッテリーとその製造方法 | |
| JPS6358860A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2003031979A (ja) | コントロールユニット及びその製造方法 | |
| JPH10116961A (ja) | 複合半導体装置及びそれに使用する絶縁ケース | |
| JPH11177017A (ja) | 複合半導体装置 | |
| JPS61194754A (ja) | 半導体装置 | |
| JP4241081B2 (ja) | モジュール部品 | |
| JP2005317859A (ja) | 太陽電池モジュール用端子ボックス | |
| KR100201391B1 (ko) | 에리어 어레이 패키지 | |
| JP2004103842A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH11260963A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2604102Y2 (ja) | 気密端子 | |
| JP2531852Y2 (ja) | ハイブリッドｉｃ用端子構造 | |
| JP2018116978A (ja) | 半導体装置の製造方法および端子固定治具 | |
| JP2003234095A (ja) | 充電池用保護回路モジュール及びその製造方法 | |
| JP2016152369A (ja) | 電子制御ユニット |