JPS6356515A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents

半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Info

Publication number
JPS6356515A
JPS6356515A JP20001386A JP20001386A JPS6356515A JP S6356515 A JPS6356515 A JP S6356515A JP 20001386 A JP20001386 A JP 20001386A JP 20001386 A JP20001386 A JP 20001386A JP S6356515 A JPS6356515 A JP S6356515A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vinylphenol
resin
curing agent
resin composition
epoxy resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP20001386A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0651785B2 (ja
Inventor
Makoto Yamagata
誠 山縣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP20001386A priority Critical patent/JPH0651785B2/ja
Publication of JPS6356515A publication Critical patent/JPS6356515A/ja
Publication of JPH0651785B2 publication Critical patent/JPH0651785B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は熱衝撃を受けた場合の耐クラツク性や、耐湿性
に優れる半導体封止用低応力エピキシ樹脂組成物に係わ
るものである。
〔従来技術〕
近年、半導体関連技術の進歩はめざましく、LSI0集
績度は加速度的に向上し、それに伴い配線の微細化とチ
ップサイズの大型化が進んでいる。
この傾向は樹脂封止LSIのアルミ配線変形、ズッシベ
ーシ璽ンクラック、樹脂クラックなどの故障を深刻化さ
せた。これらの問題の解決の為に、現在、半導体封止用
樹脂の低応力化が強く求められている。
従来から、シリコーンを使用した低応力エピキシ樹脂組
成物は色々と検討されているが、シリコーンオイルや有
機変性シリコーンオイルを用いる方法〔特開昭58−2
1417、特開昭59−81328、特開昭60−30
157、特開昭60−13841 )では、いずれの場
合も成形性(特に硬化性、パリ、離型性)及び耐湿性等
に問題があっ九。
又、シリコーンを使用しない低応力樹脂組成物も色々と
検討されている。たとえば合成ゴムを添加したシエゼキ
シ樹脂、硬化剤等に反応させる事が検討されて来た。(
特開昭58−176958、特開昭60−31251、
特開昭6O−8315)t、がしながら、シリコーンを
用いる場合と同様の欠点があった。
〔発明の目的〕
本発明は従来、成形性、耐湿性等に問題があシ、市場レ
ベルでの適用ができなかったシリコーンによる低応力エ
ピキシ樹脂組成物のこれらの欠点を改良し、産業工業レ
ベルでの適用、即ち、実用的製品の開発を目的として研
究した結果、ビニルフェノール変性フェノールノボラッ
クト水素基含有オルガノ、0 リシロキサンの反応物を
硬化剤として用いる事によシ、熱衝撃を受けた場合の耐
クラツク性、耐湿性に優れ石低応力エピキシ樹脂組成物
が得られる事を見い出したものである。
〔発明の構成〕
本発明はフェノールとホルマリンとビニルフェノールを
酸性触媒下縮合させた1、ビニルフェノール変性フェノ
ールノボラックと水素基含有オルガノコリシロキサンの
反応物を硬化剤の全部又は一部として含むことを特徴と
するエピキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤、シリカ充填剤
等よシなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。
本発明において用いられる水素基含有オルガノピリシロ
キサンとしては、側鎖又は末端KSl−H結合有するオ
ルガノコリシロキサンを言い一般式等で表わされるもの
を言う。分子量については任意であシ、一般にHオイル
と称されるシリコーンオイル状のものから、シリコーン
生ゴムと言われる高分子量のもの迄あらゆるものを用い
ることができる。
これら水素基含有オルガノピリシロキサンとビニルフェ
ノール起源の樹脂中のビニル基との反応はヒドロシリル
化反応であシ、白金系の触媒等(例えば塩化白金酸)を
用いる事により容易に行なう事ができる。
との反応を行なう事によシ、硬化物からシリコーンのブ
リードを防ぐ事が出来、かつモルフォロジー的にも均一
にシリコーンが硬化物中に分散した低応力エピキシ樹脂
組成物を得る事ができる。
との様なエピキシ樹脂はオルガノピリシロキサン成分が
樹脂中に1μm以下の微粒子として分散した海島構造の
エピキシ樹脂であシ熱衝撃を受けた耐クラツク性に優れ
るだけでなく、オルガノはリシロキサン成分が樹脂と結
合している為、樹脂からブリードする事がない為、成形
性、耐湿性等にも優れている。
この様にして得られる変性硬化剤は硬化剤の全部又は一
部として用いる事ができる。但し、硬化物中にオルガノ
ピリシロキサン成分として1重量%以上になる様に配合
する事がmtしく、これ以下だと応力特性が劣る場合が
見られる。又、硬化物中の樹脂成分(エピキシ樹脂と硬
化剤)の重量総量のh以上にオルガノポリシロキサン成
分がなる様に配合すると硬化特性に著しい劣化が見られ
る。
本発明において用いられるエピキシ樹脂としては、ビス
フェノールAエイキシ樹月旨、ノボラック型エピキシ樹
脂、脂環式1はキシ樹脂等のタイプを使用し、これらの
工はキシ樹脂は単独で使用しても、二種以上混合して使
用してもよい。
硬化剤としては多塩基性カルボン酸無水物を単独もしく
は、二種以上混合して使用する。これらの例としては無
水フタル酸、無水へキサヒドロフタル酸、無水テトラヒ
ドロフタル酸、無水コハク酸、無水マレイン酸等がある
。あるいは硬化剤として、フェノールノボラック樹脂を
使用してもよい。また硬化剤のエピキシ樹脂に配合する
量は、1エゴキシ当量に対して、0.5〜1.2当量が
望ましく、それ以外では成形性に重大な欠陥を起こす事
がある。
硬化促進剤としては ■第3級アミン又この誘導体 トリメチルアミン、トリエチルアミン、2.3.4.6
.7.8.9.10−オクタハイドロ−ピラオド(1,
2−a)アゼピン等又は、これらの第4アンモニウム塩 ■有機ホスフィン化合物 (!L)第1、第2、第3ホスフィン:オクチルホスフ
ィン、ジフェニルホスフィン、ブチルフェニルホスフィ
ン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリフェニルホス
フィン等、 缶)有機第3ホスフインとπ結合を有する化合物のベメ
イン型付加物:無水マレイン酸−トリフェニルホスフィ
ン付加物、チオイソシアネート−トリフェニルホスフィ
ン付加物、ジアゾジフェニルメタン−トリフェニルホス
フィン付加物5(c)有機* x * ニラAm : 
(fBsPcHtgl )■cte 。
(f33PEt )■l01t: g3PEt )■B
reetc■有機アルミニウム化合物 (a) At(OR)3 [R: H、アルキル基、ア
リール基、アリール基含有炭化水素基]:アルオニウム
イソゾロゼキシド、アルミニウムn−ブトキシド、アル
ミニウムtert−ブトキシド、アルミニウムsec 
−7’チレート、アルミニウムベンゾエート等、(b)
アルミニウムのβジケトン錯体(アルミニウムキレート
)ニアルミニウムアセチルアセトナト、アルミニウムト
リプルオロアセチルアセトナト、アルミニウムインクフ
ルオロアセチルアセトナト等、 ■チタン化合物 ブチルチタネート、チタン白等、 ■WI 類 ノZラドルエンスルホン酸 等をあげることができる。
〔発明の効果〕
このように本発明方法に従うと、成形性、耐湿性に優れ
、かつ熱衝撃を受けた場合の耐クラツク性等にすぐれる
低応力エピキシ樹脂組成物を得ることができる。特に、
半導体封止用途では今後ますますプラスチックノζツケ
ージ化が予想され、又、そのためにプラスチックの低応
力化が要求されている今日においては本発明の産業的意
味役割は非常に大きい。
〔実施例〕
以下、半導体封止用成形材料での検討例で説明する。例
で用いた部は全て重量部である。本発明による実施例は
従来の技術による比較例に比べ成形性・耐湿性拳耐クラ
ック性の点で優れておシ工業的に利用できる高付加価値
を有している。
例で用いた水素基含有オルガノ+6 リシロキサンは次
の通シである。
オルガノポリシロキサン鳳:平均構造式オルガノポリシ
ロキサンb:平均構造式例て用いたビニルフェノール変
性フェノールノボラックと水素基含有オルガノピリシロ
キサンの反応物は次の通シである。
反応物■(硬化剤■) フェノールとホルムアルデヒドとビニルフェノール(モ
ル比で0.7 : 0.75 : 0.3 ’)を硫酸
触媒下反応後精製したビニルフェノール変性フェノール
ノボラック80部に対しオルガノ−リシロキサンa20
部を塩化白金酸触媒下反応させ精製する事によシ得た反
応物、軟化点90℃ 反応物■(硬化剤■) 上記と同様にして得たビニルフェノール変性フェノール
ノボラック80部に対しオルガノゼリシロキサンb20
部を塩化白金酸触媒下反応させ精製する事によシ得た反
応物、軟化点95℃硬化剤■ フェノールノボラック;群栄化学 kiP−120例で
用いた原料は次の通υである。
・オルトクレゾールノボラック型エピキシ樹脂:日本化
薬 EOCN −1025−65・硬化剤/フェノール
ノボラック: 群栄化学 MP−120 ・硬化促進剤: ケーアイ化成PP−360/四国化成2MZ = 9/
1・充填材: 龍 森 溶融シリカ ・表面処理剤 日本ユニカー A−186 ・離塑剤: ヘキストジャノζン ヘキス)OP/ヘキス) S =
 1/1適応例 硬化剤として■、■、■、”/@ = 1 /1 、■
)=1/1なる5水準を取シこれにエゼキシ樹脂をエポ
キシ基/フェノール性水醗基=1/1 (モル比)比率
で合計が30部になるよう仕込む、さらに硬化促進剤0
.2部、充填材70部、表面処理剤α5部、離型剤0.
4部を加え混合後二軸押出機を用い混練し材料化を行っ
た。計5mの成形性、耐クラツク性、耐湿性を比較検討
した結果、本発明による樹脂組成物を用いた場合、従来
の7エノールノポラツクを硬化剤として単独で用いる場
合に比べ、いずれも特性が極めて優れることが判った。
表−1に結果をまとめた。
*1.16 pin DIPを成形した時のリードビン
上のハ’l)発生程度で判定メイバ一部までの距離の一
以下の時A、″/4〜恥の時B、X〜%の時C1%以上
(タイバーを超えた)D *2TCT 、  4 w X 9 tpnの大きさの
模擬素子を封止した1 6 pin DIPに一65℃
(30分)、室温(5分)2150℃(30分)なる熱
衝撃を200サイクル与えクラック発生数/総数で判定 *3TST、4 m+ x 6 vmの大きさの模擬素
子を封止した1 6 pin DIPに一165℃(2
分)、−150’C(2分)なる熱衝撃を200サイク
ル与えクラック発生数/総数で判定 *4耐湿性、アルミ模擬素子を封止した1 6 pin
DIPを135℃、100チの条件で 1000 hr保管しアルミ腐食による不良率/総数で
判定

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. フェノールとホルマリンとビニルフェノールを酸性触媒
    下縮合させたビニルフェノール変性フェノールノボラッ
    クと水素基含有オルガノポリシロキサンの反応物を含む
    ことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
JP20001386A 1986-08-28 1986-08-28 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 Expired - Fee Related JPH0651785B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20001386A JPH0651785B2 (ja) 1986-08-28 1986-08-28 半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20001386A JPH0651785B2 (ja) 1986-08-28 1986-08-28 半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6356515A true JPS6356515A (ja) 1988-03-11
JPH0651785B2 JPH0651785B2 (ja) 1994-07-06

Family

ID=16417345

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20001386A Expired - Fee Related JPH0651785B2 (ja) 1986-08-28 1986-08-28 半導体封止用エポキシ樹脂組成物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0651785B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04214714A (ja) * 1990-12-11 1992-08-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH0625370A (ja) * 1992-05-14 1994-02-01 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコーン変性アラルキル樹脂
JPH11286647A (ja) * 1998-04-03 1999-10-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固定抵抗器用塗料
JP2006258362A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 Sanyo Electric Co Ltd 天井埋込型空気調和装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04214714A (ja) * 1990-12-11 1992-08-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2541015B2 (ja) * 1990-12-11 1996-10-09 信越化学工業株式会社 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH0625370A (ja) * 1992-05-14 1994-02-01 Shin Etsu Chem Co Ltd シリコーン変性アラルキル樹脂
JPH11286647A (ja) * 1998-04-03 1999-10-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 固定抵抗器用塗料
JP2006258362A (ja) * 2005-03-17 2006-09-28 Sanyo Electric Co Ltd 天井埋込型空気調和装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0651785B2 (ja) 1994-07-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2642470B2 (ja) 封止用樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置
KR101997351B1 (ko) 에폭시 수지 조성물
JP2002097257A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2002047394A (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH08157561A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPS6356515A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPS61168618A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH09241483A (ja) エポキシ樹脂組成物
JP2002003577A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPS6317926A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP3649540B2 (ja) エポキシ樹脂組成物
JPH07242799A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH0977958A (ja) エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JPS6317922A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP2823632B2 (ja) 高耐熱性エポキシ樹脂組成物
JPS6356516A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP2823636B2 (ja) 高耐熱性エポキシ樹脂組成物
JPH04328117A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPS6189221A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH0320350A (ja) エポキシ樹脂組成物
JP2001310930A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2812173B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH0517558A (ja) エポキシ樹脂組成物
JPH0697324A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH11269345A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees