JPS635604A - Nam回路 - Google Patents
Nam回路Info
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- JPS635604A JPS635604A JP61149139A JP14913986A JPS635604A JP S635604 A JPS635604 A JP S635604A JP 61149139 A JP61149139 A JP 61149139A JP 14913986 A JP14913986 A JP 14913986A JP S635604 A JPS635604 A JP S635604A
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- Amplifiers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
以下の順序に従って本発明を説明する。
A、産業上の利用分野
B1発明の概要
C0従来技術[第6図]
D1発明が解決しようとする問題点[第7図]E1問題
点を解決するための手段 F6作用 G、実施例[第1図乃至第5図] H0発明の効果 (A、産業上の利用分野) 本発明はNAM回路、特に2つの入力信号の差が小さく
とも正確に動作する直線性の良好なNAM回路に関する
。
点を解決するための手段 F6作用 G、実施例[第1図乃至第5図] H0発明の効果 (A、産業上の利用分野) 本発明はNAM回路、特に2つの入力信号の差が小さく
とも正確に動作する直線性の良好なNAM回路に関する
。
(B、発明の概要)
本発明は、NAM回路において、
2つの入力信号の差が小さな場合における特性の直線性
を良くするため、 2つのバートンアンプの出力端子どうしを接続してなる
ものであり、 従って、本発明NAM回路によれば、NAM回路を構成
する2つのバートンアンプの帰還回路を成す2つのトラ
ンジスタは人力信号にほんの僅かでもレベル差があると
そのレベルの高低関係に応じていずれか一方のみが帰還
動作をし他方が帰還不能になる。従って、僅かなレベル
差があっても上記2つのトランジスタのうちの一方の帰
逼動作によって−方のバートンアンプのみが動作し、N
AM回路が正確に動作するので人力信号のレベル差が小
さい範囲における直線性を良好にすることができる。
を良くするため、 2つのバートンアンプの出力端子どうしを接続してなる
ものであり、 従って、本発明NAM回路によれば、NAM回路を構成
する2つのバートンアンプの帰還回路を成す2つのトラ
ンジスタは人力信号にほんの僅かでもレベル差があると
そのレベルの高低関係に応じていずれか一方のみが帰還
動作をし他方が帰還不能になる。従って、僅かなレベル
差があっても上記2つのトランジスタのうちの一方の帰
逼動作によって−方のバートンアンプのみが動作し、N
AM回路が正確に動作するので人力信号のレベル差が小
さい範囲における直線性を良好にすることができる。
(C,従来技術)[第6図コ
NAM回路として第6図に示す回路が知られている。こ
のNAM回路はエミッタフロア回路を構成する2つのN
PN)ランジスタQa、Qbのエミッタどうしを接続し
たものであり、Ioはエミッタとアースとの間に接続さ
れた定電流回路である。−方のエミッタフロアトランジ
スタQaは高周波の入力信号Vinを受け、他方のエミ
ッタフロアトランジスタQbは一定のレベルの直流電圧
V refを入力化−号として受ける。そして、もし、
V in> V refのときは、トランジスタQa、
QbのエミッタのレベルはトランジスタQaの(動きに
よりVin(正確にはそれよりVBga [V、(a
;トランジスタQaのベース・エミッタ間電圧]低くな
る)になる。そのときトランジスタQbはベースのレベ
ルがエミッタのレベルより低くなるのでカットオフする
。また、Vref>VinのときはトランジスタQa、
QbのエミッタレベルがトランジスタQbの働きにより
Vrcf (正確にはそれよりVaI:b [VBc
b : トランジスタQbのベース・エミッタ間電圧]
低くなる)になり、トランジスタQaはベースレベルの
方がエミッタレベルよりも低いのでカットオフする。
のNAM回路はエミッタフロア回路を構成する2つのN
PN)ランジスタQa、Qbのエミッタどうしを接続し
たものであり、Ioはエミッタとアースとの間に接続さ
れた定電流回路である。−方のエミッタフロアトランジ
スタQaは高周波の入力信号Vinを受け、他方のエミ
ッタフロアトランジスタQbは一定のレベルの直流電圧
V refを入力化−号として受ける。そして、もし、
V in> V refのときは、トランジスタQa、
QbのエミッタのレベルはトランジスタQaの(動きに
よりVin(正確にはそれよりVBga [V、(a
;トランジスタQaのベース・エミッタ間電圧]低くな
る)になる。そのときトランジスタQbはベースのレベ
ルがエミッタのレベルより低くなるのでカットオフする
。また、Vref>VinのときはトランジスタQa、
QbのエミッタレベルがトランジスタQbの働きにより
Vrcf (正確にはそれよりVaI:b [VBc
b : トランジスタQbのベース・エミッタ間電圧]
低くなる)になり、トランジスタQaはベースレベルの
方がエミッタレベルよりも低いのでカットオフする。
このように第6図に示す回路は常に2つの人力信号のう
ちレベルの高い方の電圧を出力する働きをし、2つの入
力信号を謂わば非相加的に混合するのでNon Ad
d Mixerの頭文字をとってNAM回路と称され
る。そして、特にその2つの人力信号のうちの一方を一
定のレベルを有する直流電圧にした場合には、変化する
入力信号をその直流電圧でスライスするスライス回路と
して機能する。このようなスライス回路は例えばテレビ
ジョン放送の映像信号から同期信号を除去するのに用い
られている。
ちレベルの高い方の電圧を出力する働きをし、2つの入
力信号を謂わば非相加的に混合するのでNon Ad
d Mixerの頭文字をとってNAM回路と称され
る。そして、特にその2つの人力信号のうちの一方を一
定のレベルを有する直流電圧にした場合には、変化する
入力信号をその直流電圧でスライスするスライス回路と
して機能する。このようなスライス回路は例えばテレビ
ジョン放送の映像信号から同期信号を除去するのに用い
られている。
(D、発明が解決しようとする問題点)[第7図]
ところで、第6図に示した従来のNAM回路には2つの
人力信号の差が小さいと人出力特性の直線性が悪くなる
という問題があった。この点について詳細に説明する。
人力信号の差が小さいと人出力特性の直線性が悪くなる
という問題があった。この点について詳細に説明する。
VB、=VTfLn (IE/Is )とすると次式
が成立する。
が成立する。
V in −Vref = V、Ea −VBEbV(
、U7 = Vref −VnEt)[!X11(VB
Ea/ VT ) + eXI)(Vacb/ VT
)1/I。
、U7 = Vref −VnEt)[!X11(VB
Ea/ VT ) + eXI)(Vacb/ VT
)1/I。
上記式から次式が導びきだされる。
Vout −Vref =−VTj2n In /Is
(1+exp[(V in −V ref)/ V
Tl )従って、入力信号Vinと出力信号VouL
との関係はその差の絶対値が50mV以下のとき第7図
に示すように直線性が悪くなる。即ち、−方の入力信号
が一定レベルの直流電圧V refである場合において
は他方の人力信号Vinと出力信号Voutとの関係は
、理想的には、入力信号VjnがV refより小さい
ときはV out = V ref、入力信号Vinが
V refより大きいときはVout=Vinとなり、
V out = V refという関係を示す横軸に平
行な直線と、VouL=Vinという関係を示す傾き4
5゜の直線とからなる特性曲線になる筈である。しかし
、実際には上述したように上記2つの直線の交わる部分
で丸味を帯び、直線性が悪くなる。従って、2つの人力
信号の差が小さい場合には出力信号のレベルが不正確に
なるという問題があった。
(1+exp[(V in −V ref)/ V
Tl )従って、入力信号Vinと出力信号VouL
との関係はその差の絶対値が50mV以下のとき第7図
に示すように直線性が悪くなる。即ち、−方の入力信号
が一定レベルの直流電圧V refである場合において
は他方の人力信号Vinと出力信号Voutとの関係は
、理想的には、入力信号VjnがV refより小さい
ときはV out = V ref、入力信号Vinが
V refより大きいときはVout=Vinとなり、
V out = V refという関係を示す横軸に平
行な直線と、VouL=Vinという関係を示す傾き4
5゜の直線とからなる特性曲線になる筈である。しかし
、実際には上述したように上記2つの直線の交わる部分
で丸味を帯び、直線性が悪くなる。従って、2つの人力
信号の差が小さい場合には出力信号のレベルが不正確に
なるという問題があった。
また、入力信号と出力電圧との間にはトランジスタのベ
ース・エミッタ間電圧VBEのレベル差が生じる。そし
て、VnEは温度依存性を有するので、温度によって入
力信号と出力電圧との間のレベル差が変動し、出力電圧
に温度による誤差も現われる。
ース・エミッタ間電圧VBEのレベル差が生じる。そし
て、VnEは温度依存性を有するので、温度によって入
力信号と出力電圧との間のレベル差が変動し、出力電圧
に温度による誤差も現われる。
本発明はこのような開運点を解決すべく為されたもので
あり、入力信号と出力信号との間のレベル差が小さくて
も正確に変動し、直線性に優れ、入出力間にベース・エ
ミッタ間電圧によるレベルシフトがなく、且つ出力電圧
が温度依存性を持たない新規なNAM回路を提供するこ
とを目的とするものである。
あり、入力信号と出力信号との間のレベル差が小さくて
も正確に変動し、直線性に優れ、入出力間にベース・エ
ミッタ間電圧によるレベルシフトがなく、且つ出力電圧
が温度依存性を持たない新規なNAM回路を提供するこ
とを目的とするものである。
(E、問題点を解決するための手段)
本発明NAM回路は上記問題点を解決するため、互いに
異なる入力信号を受ける2つのバートンアンプをその出
力側の1つの定電流手段を共有するように出力側にて接
続してなることを特徴とするものである。
異なる入力信号を受ける2つのバートンアンプをその出
力側の1つの定電流手段を共有するように出力側にて接
続してなることを特徴とするものである。
(F、作用)
本発明NAM回路によれば、NAM回路を構成する2つ
のバートンアンプの帰還回路を成す2つのトランジスタ
は人力信号にほんの僅かでもレベル差があるとそのレベ
ルの高低関係に応していずれか一方のみが帰還動作をし
他方が帰還不能になる。従って、僅かなレベル差があっ
ても上記2つのトランジスタのいずれか一方の帰遷動作
によって2つの入力信号のレベ1しの高低関係に応じた
方のバートンアンプのみが正確に動作し、入力信号のレ
ベル差が小さい範囲における直線性を良好にすることが
できる。しかも、従来のようにトランジスタのエミッタ
側から出力を取り出すのではなくバートンアンプの人力
信号を受けるトランジスタと対を成すトランジスタのベ
ースから出力を取り出すので人力信号と出力信号との間
にはベース・エミッタ間電圧によるレベルオフセットが
生じない。依って、出力電圧が温度特性を持たない。
のバートンアンプの帰還回路を成す2つのトランジスタ
は人力信号にほんの僅かでもレベル差があるとそのレベ
ルの高低関係に応していずれか一方のみが帰還動作をし
他方が帰還不能になる。従って、僅かなレベル差があっ
ても上記2つのトランジスタのいずれか一方の帰遷動作
によって2つの入力信号のレベ1しの高低関係に応じた
方のバートンアンプのみが正確に動作し、入力信号のレ
ベル差が小さい範囲における直線性を良好にすることが
できる。しかも、従来のようにトランジスタのエミッタ
側から出力を取り出すのではなくバートンアンプの人力
信号を受けるトランジスタと対を成すトランジスタのベ
ースから出力を取り出すので人力信号と出力信号との間
にはベース・エミッタ間電圧によるレベルオフセットが
生じない。依って、出力電圧が温度特性を持たない。
(G、実施例)[第1図乃至第5図コ
以下、本発明NAM回路を図示実施例に従って詳細に説
明する。
明する。
第1図は本発明NAM回路の第1の実施例を示す回路図
である。
である。
Qlはベースに高周波入力端子Vinを受け、コレクタ
が電源端子(+)に接続されたNPNトランジスタで、
そのエミッタは定電流回路11の電流流入端に接続され
ている。該定電流回路11の電流流出端は接地されてい
る。Q2はエミッタがトランジスタQ1のエミッタに接
続されたNPNトランジスタで、そのコレクタは負荷抵
抗R1を介して電源端子に接続され、そしてベースが定
電流回路I2の電流流入端に接続されている。この定電
流回路I2の電流流出端は接地されている。
が電源端子(+)に接続されたNPNトランジスタで、
そのエミッタは定電流回路11の電流流入端に接続され
ている。該定電流回路11の電流流出端は接地されてい
る。Q2はエミッタがトランジスタQ1のエミッタに接
続されたNPNトランジスタで、そのコレクタは負荷抵
抗R1を介して電源端子に接続され、そしてベースが定
電流回路I2の電流流入端に接続されている。この定電
流回路I2の電流流出端は接地されている。
Q3は帰還用のNPNトランジスタで、そのコレクタは
電源端子に、ベースは負荷抵抗R2とトランジスタQ2
のコレクタとの接続点に、エミッタはトランジスタQ2
のベースに接続されている。
電源端子に、ベースは負荷抵抗R2とトランジスタQ2
のコレクタとの接続点に、エミッタはトランジスタQ2
のベースに接続されている。
そして、これらQl、Q2.11、Q3、R1、■2に
よって1つのバートンアンプが構成される。
よって1つのバートンアンプが構成される。
Q4はベースに基準電圧V rcfを受けるNPNトラ
ンジスタで、コレクタは電源端子に接続され、エミッタ
は定電流回路I3の電流流入端に接続されている。該定
電流回路13の電流流出端は接地されている。q5はエ
ミッタがトランジスタQ4のエミッタト接続されたNP
Nトランジスタで、ベースが上記トランジスタQ2のベ
ースに接続され、コレクタが上記負荷抵抗R2とは別の
負荷抵抗R2を介して電源端子に接続されている。
ンジスタで、コレクタは電源端子に接続され、エミッタ
は定電流回路I3の電流流入端に接続されている。該定
電流回路13の電流流出端は接地されている。q5はエ
ミッタがトランジスタQ4のエミッタト接続されたNP
Nトランジスタで、ベースが上記トランジスタQ2のベ
ースに接続され、コレクタが上記負荷抵抗R2とは別の
負荷抵抗R2を介して電源端子に接続されている。
Q6は帰還用のNPNトランジスタで、ベースが負荷抵
抗RILとトランジスタQ5との接続点に接続され、;
レクタが電源端子に接続され、エミッタがトランジスタ
Q5のベースに接続されている。そして、これらQ4、
Q5、■3、R2、Q6ELび前述の定電流回路12に
よって別のバートンアンプが構成される。但し、定電流
回路I2はこの基準電圧V refを受けるバートンア
ンプと上記の入力信号Vinを受けるバートンアンプと
によって共有される。
抗RILとトランジスタQ5との接続点に接続され、;
レクタが電源端子に接続され、エミッタがトランジスタ
Q5のベースに接続されている。そして、これらQ4、
Q5、■3、R2、Q6ELび前述の定電流回路12に
よって別のバートンアンプが構成される。但し、定電流
回路I2はこの基準電圧V refを受けるバートンア
ンプと上記の入力信号Vinを受けるバートンアンプと
によって共有される。
第1図に示すNAM回路は1つの定電流回路I2を2つ
のバートンアンプが出力側の定電流回路として共有する
ようにその2つのバートンアンプの出力端子どうしを接
続してなるものであり、トランジスタQ2、Q5のベー
スがNAM回路の出力点となる。
のバートンアンプが出力側の定電流回路として共有する
ようにその2つのバートンアンプの出力端子どうしを接
続してなるものであり、トランジスタQ2、Q5のベー
スがNAM回路の出力点となる。
トランジスタQl、Q2、Q3等からなるバートンアン
プは単独では次のように動作する。
プは単独では次のように動作する。
トランジスタQ1は入力電圧Vinを受けるとそれには
ベース・エミッタ間電圧VBと1に対応した電流が流れ
る。そして、トランジスタQ1のエミッタ電流とトラン
ジスタQ2のエミッタ電流の和は一定であるので、若し
入力端子Vinが高くトランジスタQ1に大きな電流が
流れるとトランジスタQ2には小さなT f、しか流れ
ない。すると、負荷抵抗R2の端子電圧が低くなり、帰
還用トランジスタQ3のベースレベルが高くなる。そめ
結果、帰還用トランジスタQ3の働きによりトランジス
タQ2のベースのレベル(換言すればバートンアンプの
出力電圧)が高くなり、トランジスタQ1のベースのレ
ベルに等しくなる。このように、常にバートンアンプの
出力電圧V outは全帰還され入力端子Vinに等し
くなる。
ベース・エミッタ間電圧VBと1に対応した電流が流れ
る。そして、トランジスタQ1のエミッタ電流とトラン
ジスタQ2のエミッタ電流の和は一定であるので、若し
入力端子Vinが高くトランジスタQ1に大きな電流が
流れるとトランジスタQ2には小さなT f、しか流れ
ない。すると、負荷抵抗R2の端子電圧が低くなり、帰
還用トランジスタQ3のベースレベルが高くなる。そめ
結果、帰還用トランジスタQ3の働きによりトランジス
タQ2のベースのレベル(換言すればバートンアンプの
出力電圧)が高くなり、トランジスタQ1のベースのレ
ベルに等しくなる。このように、常にバートンアンプの
出力電圧V outは全帰還され入力端子Vinに等し
くなる。
これはトランジスタQ4、Q5.Q6からなるバートン
アンプにも同じようにあてはまる。
アンプにも同じようにあてはまる。
ところで、このバートンアンプを出力端子にて互いに接
続したNAM回路の動作は次のようになる。
続したNAM回路の動作は次のようになる。
入力端子V in>基準電圧V refのときは、トラ
ンジスタQ2のコレクタに流れる電流がトランジスタQ
5のコレクタに流れる電流よりも小さくなり、従って、
トランジスタQ3のベースの方かトランジスタQ6のベ
ースよりもレベルが高くなる。そして、トランジスタQ
3の働きによりNAM回路の出力端子のレベルは入力電
圧Vinを受けるトランジスタQ1のベースのレベルと
等しくなる。−方、トランジスタQ6はベースの電位が
低いのにエミッタ(NAM回路の出力端子)のレベルは
高いのでカットオフする。従って、定電流回路I2を流
れる電流はすべてトランジスタQ3のコレクタ電流で占
める状態になる。そして、帰還用トランジスタQ6がカ
ットオフ状態になって動作しないので、基準電圧V r
efを受ける方のバートンアンプはそれの入力信号であ
る基準電圧Vrefを出力電圧V outとして出力し
ようとする働きを全く失う。従って、入力電圧V in
>基準電圧Vrefのときは出力電圧Vout=入力電
圧Vinとなる。
ンジスタQ2のコレクタに流れる電流がトランジスタQ
5のコレクタに流れる電流よりも小さくなり、従って、
トランジスタQ3のベースの方かトランジスタQ6のベ
ースよりもレベルが高くなる。そして、トランジスタQ
3の働きによりNAM回路の出力端子のレベルは入力電
圧Vinを受けるトランジスタQ1のベースのレベルと
等しくなる。−方、トランジスタQ6はベースの電位が
低いのにエミッタ(NAM回路の出力端子)のレベルは
高いのでカットオフする。従って、定電流回路I2を流
れる電流はすべてトランジスタQ3のコレクタ電流で占
める状態になる。そして、帰還用トランジスタQ6がカ
ットオフ状態になって動作しないので、基準電圧V r
efを受ける方のバートンアンプはそれの入力信号であ
る基準電圧Vrefを出力電圧V outとして出力し
ようとする働きを全く失う。従って、入力電圧V in
>基準電圧Vrefのときは出力電圧Vout=入力電
圧Vinとなる。
それとは逆に基準電圧Vref>入力電圧Vinのとき
はトランジスタQ3がカットオフし、入力端子Vinを
受ける方のバートンアンプは帰還がかからず受けた入力
電圧Vinをそのまま出力しようとする働きを失う。従
って、基準電圧V refを受けるバートンアンプの働
きにより出力電圧Vout=基準電圧V refの状態
が実現する。
はトランジスタQ3がカットオフし、入力端子Vinを
受ける方のバートンアンプは帰還がかからず受けた入力
電圧Vinをそのまま出力しようとする働きを失う。従
って、基準電圧V refを受けるバートンアンプの働
きにより出力電圧Vout=基準電圧V refの状態
が実現する。
ところでl Vin−Vref lが小さい場合、具
体的には50mV以下の場合には帰還用トランジスタQ
3とQ4の双方に電流が流れるが、しかし、例えばV
in> V refであると例えその差が僅かであって
もトランジスタQ3のベースレベルの方がトランジスタ
Q4のベースレベルよりも高くなりトランジスタQ3に
流れる電流が大きくなるので、その分トランジスタQ6
に流れる電流が小さくなる。そして、少しでも電流が大
きいトランジスタ(今の場合Q3)の方がベース・エミ
ッタ間電圧VBEか大きくなり、帰還をかけることがで
きるのに対して、流れるTL流が小さいトランジスタ(
今の場合Q6)は帰還をかけることができない。Vre
f>Vinの場合でも同じである。従って、入力端子V
inと出力電圧V outとの差がどんなに小さくても
差がある限り、どちらかのバートンアンプがバートンア
ンプとしての機能を維持しもう一方のバートンアンプが
バートンアンプとしての機能を失う。即ち、−方のバー
トンアンプが機能し他方のバートンアンプが機能を失う
状態から上記他方のバートンアンプが機能し上記−方の
バートンアンプが機能を失う状態への切換わりがきわめ
てシャープになる。従って、第2図に示すようにきわめ
て直線性の良い入出力特性が得られる。
体的には50mV以下の場合には帰還用トランジスタQ
3とQ4の双方に電流が流れるが、しかし、例えばV
in> V refであると例えその差が僅かであって
もトランジスタQ3のベースレベルの方がトランジスタ
Q4のベースレベルよりも高くなりトランジスタQ3に
流れる電流が大きくなるので、その分トランジスタQ6
に流れる電流が小さくなる。そして、少しでも電流が大
きいトランジスタ(今の場合Q3)の方がベース・エミ
ッタ間電圧VBEか大きくなり、帰還をかけることがで
きるのに対して、流れるTL流が小さいトランジスタ(
今の場合Q6)は帰還をかけることができない。Vre
f>Vinの場合でも同じである。従って、入力端子V
inと出力電圧V outとの差がどんなに小さくても
差がある限り、どちらかのバートンアンプがバートンア
ンプとしての機能を維持しもう一方のバートンアンプが
バートンアンプとしての機能を失う。即ち、−方のバー
トンアンプが機能し他方のバートンアンプが機能を失う
状態から上記他方のバートンアンプが機能し上記−方の
バートンアンプが機能を失う状態への切換わりがきわめ
てシャープになる。従って、第2図に示すようにきわめ
て直線性の良い入出力特性が得られる。
そして、入力端子Vin、基準電圧V refと出力電
圧VouLとの間には従来においては存在していたトラ
ンジスタのベース・エミッタ間電圧VREによるレベル
オフセットが全く存在しない。従って、そのベース・エ
ミッタ間電圧VBEが温度により変化するという性質に
起因した出力電圧の温度依存性がなくなる。
圧VouLとの間には従来においては存在していたトラ
ンジスタのベース・エミッタ間電圧VREによるレベル
オフセットが全く存在しない。従って、そのベース・エ
ミッタ間電圧VBEが温度により変化するという性質に
起因した出力電圧の温度依存性がなくなる。
第3図は本発明NAM回路の変形例を示すもので、この
NAM回路は各バートンアンプの負荷手段をカレントミ
ラーからなる能動負荷により構成したものである。Ql
、Q8及びQ9、QIOはカレントミラー回路を構成す
るトランジスタであり、このようにすると、トランジス
タQ3あるいはQ6による帰還量を大きくすることがで
きる。
NAM回路は各バートンアンプの負荷手段をカレントミ
ラーからなる能動負荷により構成したものである。Ql
、Q8及びQ9、QIOはカレントミラー回路を構成す
るトランジスタであり、このようにすると、トランジス
タQ3あるいはQ6による帰還量を大きくすることがで
きる。
従って、出力電圧Voutを入力電圧Vinあるいは基
準電圧VouLにより迅速に追随させることができ、特
性がより良好になる。
準電圧VouLにより迅速に追随させることができ、特
性がより良好になる。
第4図は本発明NAM回路の第2の実施例を示す回路図
である。このNAM回路は、−方のバートンアンプが動
作し他方のバートンアンプが遊ぶ状態と、他方のバート
ンアンプが動作し一方のバートンアンプが遊ぶ状態との
間の切換り時にトランジスタQ2あるいはトランジスタ
Q5が飽和しその飽和による遅れが生じることを防止す
るようにしたものである。
である。このNAM回路は、−方のバートンアンプが動
作し他方のバートンアンプが遊ぶ状態と、他方のバート
ンアンプが動作し一方のバートンアンプが遊ぶ状態との
間の切換り時にトランジスタQ2あるいはトランジスタ
Q5が飽和しその飽和による遅れが生じることを防止す
るようにしたものである。
即ち、仮に入力電圧VinがV refを中心としてそ
れより高くなったり低くなったりする正弦波の信号であ
るとすると、入力端子VinがV refよりも高い半
周期だけ入力端子Vinの波形が出力側にそのまま現わ
れ、入力端子VinがV refよりも低い半周期には
V refが出力側に現われなければならない。しかる
に、第1図に示す回路だと実際には第5図で実線にて示
す波形になる。これは、トランジスタQ2とQ5とが交
互に飽和するためである。第5図においてQ2はトラン
ジスタQ2の飽和による遅れ時間、Q5はトランジスタ
Q5の飽和による遅れ時間である。この点について共体
的に説明すると、Vref>Vinの場合には定電流回
路■1に流れる電流のほとんどはトランジスタQ2を流
れ、トランジスタQ2が飽和する。従って、Vref>
Vinの状態からV in> V refの状態への切
換わりの際に遅れQ2が生じる。同様に、Vref<V
inの場合にはトランジスタQ5が飽和し、Vref<
Vinの状態からVref>Vinの状態への切換わり
の際に遅れQ5が生じる。
れより高くなったり低くなったりする正弦波の信号であ
るとすると、入力端子VinがV refよりも高い半
周期だけ入力端子Vinの波形が出力側にそのまま現わ
れ、入力端子VinがV refよりも低い半周期には
V refが出力側に現われなければならない。しかる
に、第1図に示す回路だと実際には第5図で実線にて示
す波形になる。これは、トランジスタQ2とQ5とが交
互に飽和するためである。第5図においてQ2はトラン
ジスタQ2の飽和による遅れ時間、Q5はトランジスタ
Q5の飽和による遅れ時間である。この点について共体
的に説明すると、Vref>Vinの場合には定電流回
路■1に流れる電流のほとんどはトランジスタQ2を流
れ、トランジスタQ2が飽和する。従って、Vref>
Vinの状態からV in> V refの状態への切
換わりの際に遅れQ2が生じる。同様に、Vref<V
inの場合にはトランジスタQ5が飽和し、Vref<
Vinの状態からVref>Vinの状態への切換わり
の際に遅れQ5が生じる。
第4図に示すNAM回路はそこでその飽和を防止して周
波数特性を良くするようにしたものである。
波数特性を良くするようにしたものである。
同図において、Dlは負荷抵抗R2とトランジスタQ2
との間に接続されたダイオード、Dlは別の負荷抵抗R
ILとトランジスタQ5との間に接続されたダイオード
である。
との間に接続されたダイオード、Dlは別の負荷抵抗R
ILとトランジスタQ5との間に接続されたダイオード
である。
QllはトランジスタQ5の飽和を防止するためのトラ
ンジスタで、そのベースはトランジスタQ3のベースと
同様に負荷抵抗RffiとダイオードD1との接続点に
接続され、コレクタは電源端子に接続され、エミッタは
トランジスタQ5のコレクタに接続されている。また、
Ql2はトランジスタQ2の飽和を防止するためのトラ
ンジスタで、そのベースはトランジスタQ6のベースと
同様に負荷抵抗RIlとダイオードD2との接続点に接
続され、コレクタは電源端子に接続され、エミッタはト
ランジスタQ2のコレクタに接続されている。
ンジスタで、そのベースはトランジスタQ3のベースと
同様に負荷抵抗RffiとダイオードD1との接続点に
接続され、コレクタは電源端子に接続され、エミッタは
トランジスタQ5のコレクタに接続されている。また、
Ql2はトランジスタQ2の飽和を防止するためのトラ
ンジスタで、そのベースはトランジスタQ6のベースと
同様に負荷抵抗RIlとダイオードD2との接続点に接
続され、コレクタは電源端子に接続され、エミッタはト
ランジスタQ2のコレクタに接続されている。
従って、例えばV in> V refになりトランジ
スタQ3により帰還がかがりQl、Q2、Q3等からな
るバートンアンプがバートンアンプ本来の動作をしてい
るときはトランジスタQ5が飽和しそれのコレクタのレ
ベルが下がろうとするが、しかし、そのときトランジス
タQllによってトランジスタQ5のコレクタのレベル
がこれのベースと等しいレベルに保たれるので、トラン
ジスタQ5のコレクタがベースよりもレベルが低くなる
ことを防止することができる。同様に、Vref>Vi
nの場合にはトランジスタQ2の飽和をトランジスタQ
12によって防止できる。従ってトランジスタQ2、Q
5の飽和による周波数特性の悪化を防止することができ
、2点鎖線で示すように遅延のない出力波形が得られる
。
スタQ3により帰還がかがりQl、Q2、Q3等からな
るバートンアンプがバートンアンプ本来の動作をしてい
るときはトランジスタQ5が飽和しそれのコレクタのレ
ベルが下がろうとするが、しかし、そのときトランジス
タQllによってトランジスタQ5のコレクタのレベル
がこれのベースと等しいレベルに保たれるので、トラン
ジスタQ5のコレクタがベースよりもレベルが低くなる
ことを防止することができる。同様に、Vref>Vi
nの場合にはトランジスタQ2の飽和をトランジスタQ
12によって防止できる。従ってトランジスタQ2、Q
5の飽和による周波数特性の悪化を防止することができ
、2点鎖線で示すように遅延のない出力波形が得られる
。
尚、上記各NAM回路はスライス回路として使用したも
のであったが、本発明NAM回路は必ずしもスライス回
路としてしか使用できないわけではなく、2つの人力信
号を非相加的に混合するものすべてに使用することがで
きる。
のであったが、本発明NAM回路は必ずしもスライス回
路としてしか使用できないわけではなく、2つの人力信
号を非相加的に混合するものすべてに使用することがで
きる。
(H,発明の効果)
以上に述べたように、本発明NAMl路は、互いに異な
る入力信号を受ける2つのバートンアンプをその出力側
の1つの定電流手段を共有するように出力側にて接続し
てなることを特徴とする。
る入力信号を受ける2つのバートンアンプをその出力側
の1つの定電流手段を共有するように出力側にて接続し
てなることを特徴とする。
従って、本発明NAM回路によれば、NAM回路を構成
する2つのバートンアンプの帰還回路を成す2つのトラ
ンジスタは人力信号にほんの僅かでもレベル差があると
そのレベルの高低関係に応じていずれか一方のみが帰還
動作をし他方が帰還動作不能になる。従って、僅かなレ
ベル差があっても上記2つのトランジスタのうちのいず
れかのトランジスタの帰還動作によってその帰還動作を
するトランジスタを有する方のバートンアンプのみがバ
ートンアンプ本来の動作をし、−方のバートンアンプの
みが動作する状態と他のバートンアンプのみが動作する
状態の切換わりがシャープである。依って、NAM回路
は常に正確に動作し、入力信号のレベル差が小さい範囲
における直線性を良好にすることができる。
する2つのバートンアンプの帰還回路を成す2つのトラ
ンジスタは人力信号にほんの僅かでもレベル差があると
そのレベルの高低関係に応じていずれか一方のみが帰還
動作をし他方が帰還動作不能になる。従って、僅かなレ
ベル差があっても上記2つのトランジスタのうちのいず
れかのトランジスタの帰還動作によってその帰還動作を
するトランジスタを有する方のバートンアンプのみがバ
ートンアンプ本来の動作をし、−方のバートンアンプの
みが動作する状態と他のバートンアンプのみが動作する
状態の切換わりがシャープである。依って、NAM回路
は常に正確に動作し、入力信号のレベル差が小さい範囲
における直線性を良好にすることができる。
また、従来のように゛トランジスタのエミッタ側から出
力を取り出すのではなくバートンアンプの入力信号を受
けるトランジスタと対を成すトランジスタのベースから
出力を取り出すので入力信号と出力信号との間にはベー
ス・エミッタ間電圧によるレベルオフセットが生じない
し、しかも、出力電圧が温度特性を持たなくなる。
力を取り出すのではなくバートンアンプの入力信号を受
けるトランジスタと対を成すトランジスタのベースから
出力を取り出すので入力信号と出力信号との間にはベー
ス・エミッタ間電圧によるレベルオフセットが生じない
し、しかも、出力電圧が温度特性を持たなくなる。
′!JJ1図乃至第5図は本発明NAM回路の一つの実
施例を説明するためのもので、第1図は本発明NAM回
路の第1の実施例を示す回路図、第2図は第1図に示す
NAM回路の入出力特性図、第3図は本発明NAM回路
の変形例を示す回路図、第4図は本発明NAM回路の第
2の実施例を示す回路図、第5は第1図に示したNAM
回路において生じ第4図に示したNAM回路において生
じない飽和による遅れを示すタイムチャート、第6図は
NAM回路の従来例を示す回路図、第7図は第6図のN
AM回路の入出力特性図である。 符号の説明 vin、vref・・・人力信号、 Ql: Q2.11、Q3、Q7、Q8、R2、R・・
・バートンアンプ、 Q4、Q5、[3,Q6、Q9、QIOlRQ、R・・
・バートンアンプ、 ■2・・・2つのバートンアンプに共有された定電流手
段。 出 願 人 ソニー株式会社 代理人弁理士 尾 川 秀 −昭in − 入出力特性図 第2図
施例を説明するためのもので、第1図は本発明NAM回
路の第1の実施例を示す回路図、第2図は第1図に示す
NAM回路の入出力特性図、第3図は本発明NAM回路
の変形例を示す回路図、第4図は本発明NAM回路の第
2の実施例を示す回路図、第5は第1図に示したNAM
回路において生じ第4図に示したNAM回路において生
じない飽和による遅れを示すタイムチャート、第6図は
NAM回路の従来例を示す回路図、第7図は第6図のN
AM回路の入出力特性図である。 符号の説明 vin、vref・・・人力信号、 Ql: Q2.11、Q3、Q7、Q8、R2、R・・
・バートンアンプ、 Q4、Q5、[3,Q6、Q9、QIOlRQ、R・・
・バートンアンプ、 ■2・・・2つのバートンアンプに共有された定電流手
段。 出 願 人 ソニー株式会社 代理人弁理士 尾 川 秀 −昭in − 入出力特性図 第2図
Claims (1)
- (1)互いに異なる入力信号を受ける2つのバートンア
ンプをその出力側の1つの定電流手段を共有するように
出力側にて接続してなる ことを特徴とするNAM回路
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61149139A JPS635604A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | Nam回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61149139A JPS635604A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | Nam回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS635604A true JPS635604A (ja) | 1988-01-11 |
Family
ID=15468607
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61149139A Pending JPS635604A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | Nam回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS635604A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02124307U (ja) * | 1989-03-24 | 1990-10-12 |
-
1986
- 1986-06-25 JP JP61149139A patent/JPS635604A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02124307U (ja) * | 1989-03-24 | 1990-10-12 |
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