JPS6355933A - 位置決め装置 - Google Patents

位置決め装置

Info

Publication number
JPS6355933A
JPS6355933A JP61201053A JP20105386A JPS6355933A JP S6355933 A JPS6355933 A JP S6355933A JP 61201053 A JP61201053 A JP 61201053A JP 20105386 A JP20105386 A JP 20105386A JP S6355933 A JPS6355933 A JP S6355933A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
zone plate
wafer
plates
diffracted light
mask
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP61201053A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH067543B2 (ja
Inventor
Shigeru Kawai
滋 河合
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP61201053A priority Critical patent/JPH067543B2/ja
Publication of JPS6355933A publication Critical patent/JPS6355933A/ja
Publication of JPH067543B2 publication Critical patent/JPH067543B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、位置決め装置に関し、特にICなどの製造に
おいて、ウェハとマスクの位置合わせを高精度に行うた
めの位置決め装置に関するものである。
(従来の技術) VLSIの高密度化に伴い、回路パターンの微細化が進
んでいる。VLSIを製作するリングラフィ技術におい
て、ウェハとマスクの相対的位置を高精度に決める必要
がある。現在、このような位置決めはウェハとマスクそ
れぞれに描かれている多数の直線平行縞を一致させる方
法などが行われている。しかし、このような方法の配置
精度は、0、2μm程度で、エキシマレーザやX線を用
いて、さらに微細なパターンを転写する目的には適さな
い。これらのリングラフィでは、0.01〜0.05μ
mの配置精度が必要であるが、現段階では、このような
位置決めの確立された方法はない。
このような高精度の配置を実現するために、モアレ縞を
用いた位置決め技術が開発されている。
モアレ縞を用いた高精度位置決め法は、例えば雑誌「ア
プライド・オプティックス(Applied0ptic
s) J 1972年2455〜2459頁に記載の論
文[モアレ技術を用いたフォトリソグラフィック’vス
ク位置合わせ(Photol ithographic
 MaskAl ignment Us ing Mo
 i re Techn 1ques )Jに詳しく述
べられている。この方法は、異なるピッチを持つ等間隔
同心円編を重ね合わせ、それらの差周波数として生じる
モアレ縞の形状を顕微鏡によって観測し、位置合わせす
るものでおる。この場合、0.2μmの配WL精度が得
られた。しかし、この方法は、縞の形状を認識する必要
があるため、自動測定には適していない。
この方法全改良して、同じピッチを持つ等間隔直線縞を
重ね合わせて生じるモアレ縞の回折光を観測して位置合
わせする方法が考えられた。これについては、例えば、
「ジャーナルオプバキューム丈イエンステクノロジ(J
ournal of VacumeScience  
Technologie)  J  1983 年B1
−1276〜1279頁に記載の論文[X線リングラフ
ィ用2重格子位置決め技術(A Dual Grati
ng Alignm−ent Technique f
or X−ray Lithography)コに詳し
く述べられている。この方法では、ウェハとマスクにそ
れぞれ描画されている同一の等間隔直線縞を重ね合わせ
、相対的な位置関係のずれによって変化するモアレ縞に
レーザ光を照射し、その±1次回折光の強度変化を観測
して、位置合わせする方法である。この方法では、10
nm の配置精度が得られている。この方法は、光の強
度を測定するために、高精度の自動測定が可能である。
しかし、逆に、縞ピッチよりも大きな変化を測定できず
、例えば、1μn】ピッチの縞を用いる場合、別の方法
で1μmの位置合わせを行った後にこの方法を用いて高
neの位置合わせ金行うことになる。従って、2回の位
置決めが必要で、プロセスが複雑となる。
これらの欠点を改良するために2枚のゾーンプレートを
重ね合わせて生じるモアレ縞に単色光を入射させて生じ
る回折光を分割光検出器によって検出し、この分割光検
出器からの信号を用いてウェハ等を位置決めする位置決
め方法が考えられた。
この方法については、例えば特願昭61−002396
「位置決め方法」に詳しく述べられている。
(発明が解決しようとする問題点) 上述した従来の位置決め方法は、マスクとウェハの互い
の平面における位置決めを行うのみで、マスクとウェハ
の間隔が所定の値になるように位置決することはできな
かった。
従ってマスクパターンをウェハに転写する際に、光源の
光がマスクパターンのエツジで回折され、ぼけて転写さ
れないようにするためには、他の方法でマスクとウェハ
の間隔を測定してマスクとウェハの間隔方向の位置決め
をする必要がちった。
(問題点を解決するための手段) 本発明の位置決め装置b−1基準ゾーンプレートと、こ
の基準ゾーンプレートに重ねるように配置される配置ゾ
ーンプレートを移動させる移動手段と、前記基準ゾーン
プレートおよび前記配置ゾーンプレートにコヒーレント
光を照射して得られる回折光が所定の位置に生じたこと
を検出する第1の光検出器と、前記基準ゾーンプレート
および前記配置ゾーンプレートにコヒーレンNu照射し
て得られる回折光の集光位置が所定の位置に生じ九こと
を検出する第2の光検出器とを含んで構成される。
(発明の作用・原理) ゾーンプレートを2枚重ね合わせた時に生じる゛モアレ
縞の形状は解析的に求めることができる。
例えば、同心円の縞からなる焦点距離の異なった基準ゾ
ーンプレートと配置ゾーンプレートを重ね合わせた時に
生じるモアレ縞は以下のようになる。
基準ゾーンプレートの中心を原点とし、配置ゾーンプレ
ートが基準ゾーンプレートに対し−(、x方向にΔx+
Y方向にΔyずれているとすると、2つのホログラムは
、それぞれ x” −)−y” = ma2− ・=(1)(X−Δ
x)2+(y−Δy )” = nb2−−(2)のよ
うに曹き表わされる。a、bはそれぞれ基準ゾーンプレ
ートの最小円の半径と配置ゾーンプレートの最小少円の
半径、m、nは正の整数を表す。
モアレ縞は、(1)、 (2)式の交点として表わされ
、1=mthnとおいて、 となシ、ゾーンプレート状のモアレ縞が生じる。
ここで、Cはat btΔX、Δyの関数であるが、ゾ
ーンプレート状モアレ縞の円の半径が相対的に変化する
のみで、本質的な項ではない。第2図に、基準ゾーンプ
レート101と配置ゾーンプレート102t−重ね合わ
せて生じるモアレ縞103の例を示す。
配置ゾーンプレートの中心座標を(ΔX1Δyl)から
(△X2.Δyz)に変化させた場合、ゾーンプレート
状モアレ縞の中心は ずれる。従って、半径aとbがわずかに異なる場合、a
2/(b2干a2)が大きくなり、感度が高くなる。例
えば、1)=1.1gとすれば、ゾーンプレート状モア
レ縞の中心は配置ゾーンプレートの中心座標の4.8倍
移動する。
また、等間隔直線縞構造金持つ単純格子(ゾーンプレー
トの−81)に同心円の縞からなるゾーングレートを重
ね合わせた時に生じるモアレ縞は以下のよりになる。ゾ
ーンプレートがy軸に平行な単純格子に対して、X方向
にΔX、y方向にΔyずれているとすると、単純格子と
ゾーンプレートは、それぞれ x = ma              ・・・(4
)(X−Δx)”+(y−Δy)2=nb2     
°°゛15iのように書き表わされる。aは単純格子の
縞のピッチ、bはゾーンプレートの最小円中ffi、m
、 nは正の整数を表わす。モアレ縞は、 (1)、 
(2)式の交点として表わされ、 l=m−1−nとおいて、 (X−Δx−e )”+(y−ΔY)2=lb2+d 
 −161となシ、ゾーンプレート状の縞が生じる。こ
こで、eはa、bの関数、dida、b、ΔX、Δyの
関数である。配置するホログラムの中心座標を(ム、。
Δyt)から(△x7.Δyt)に変化させた場合、ゾ
ーンプレート状のモアレ縞の中心は(△x2−ΔX1.
△y2−Δ3’+ )ずれる。
一方、モアレ縞はゾーンプレート状であるために、コヒ
ーレント光を入射させると球面波の回折光を生じる。正
の回折光は集光されるので、集光点におけるビームの移
動量を測定することにより、基準ホログラムと配置ホロ
グラムの相対的な位置関係を決定できる。この時、集光
点は、配置ホログラムの移動に比例して動くので、基準
ホログラムと配置ホログラムのずれが大きい場合にも、
その量を観測できる。
基準ゾーンプレートと配置ゾーンプレートラ重ね合わせ
て生じるモアレ縞による回折光は、2枚のゾーンプレー
トによる2回の回折光と解釈される。従って、2枚のゾ
ーンプレートの間隔が変化すると、回折光の焦点距離が
変化する。(3)式の負号に相当するモアレ縞の+1次
回折光は、基準ゾーンプレートの+1次光と配置ゾーン
プレートの一1次光による回折光と考えることができる
。基準ゾーンプレートと配置ゾーンプレートの焦点距式
で表わされる。
例えば、f1= 5 m、  f、=−5,1閣 とす
れば、距離dが50μmから49μmに変化した時、焦
点距離Fは1.1 ym長くなるこの焦点距離の変化を
測定することによって、ゾーンプレート間の距離を求め
ることができる (実施例) 次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は、本発明の一実施例を示す系統図である。始め
に、第1図に示すウェハ2は取り付けず、マスク1を取
シ付けた状態で、マスク1の一部に描画しである基準ゾ
ーンプレート5に、レーザ9から出射した光をハーフミ
ラ−10で反射させて、照射し、基準ゾーンプレート5
からの+1次回折光が収束して4分割光検出器12に入
射するようにマニピーレータ3によりマスク1を移動さ
せる。
この4分割光検出器12は光ディスクのレーザヘッドの
焦点位置合わせに用いられているものと同じもので、第
3図に示すように受光面がa−d面に4分割された構造
を持つ。例えば、X方向(面aとdの境界および面すと
Cの境界に沿う方向)の位置合わせを行うには、演算回
路16によりa面とb面の光検出信号の和とC面とd面
の信号の和の差動をとる。この時、信号はマニピュレー
タ3によるマスク1のX方向の移動に伴って第4図に示
すS字状の曲線を描く。0点を通過した時に、基準ゾー
ンプレート5の+1次回折光がm aI b面とc、d
面の中間位置を通過したことになる。
同様に、a面とC面の光検出信号の和とb面とC面の光
検出信号の和の差動信号から基準ゾーンプレート5のX
方向の位置合わせが可能である。
マスク1の基準ゾーンプレート15と対角線をなす位置
に、基準ゾーンプレート5と同一の基準ゾーングレート
7および光検出器15、演算回路19があり、2カ所で
の測定によりマスク1の回転に対しても位置合わせ6丁
能でめる。
各位置におけるX方向、X方向の信号、合計4個の信号
は例えばGP−IBインタフェースを装[したパソコン
などのプロセッサ20に入力され、4個の信号がすべて
第4図に示したS字状信号の0点を示すように、例えば
、精密ステージとパルスモータおよびGP−IB装備の
パルスモータ駆動装置を備えたマニピュレータ3に信号
を送り、マスク1を移動させる。4個の信号がすべて0
点の位置に合った時、このマスク1は、装置に対して位
置合わせできたことになる。この時、ビーム径の1/1
00程度の位置ずれを検出できる。従って数μmにビー
ムを絞ることができれば、#nm程度の位置ずれを検出
できる。
次に、基準ゾーンプレート5,7とウェハ2に記録され
ている配置ゾーンプレート6.8を重ね合わせて生じる
モアレ縞にレーザ9から出射した光をミラー11で折り
返して照射し、モアレ縞からの+1次回折光が収束して
、4分割光検出器13.14に入射するようにマニピュ
レータ4によりウェハ2を移動させる。光検出器13.
14は、光検出器12.15と同一のもので、演算口“
“・IE1ml/>霞”″”14141′位置合わせた
手順と同様に、ウェハ2″II:マスク1に対して、位
置合わせできる。
ゾーンプレート5,6および7,8からの回折光の一部
ヲビームスプリッタ21.22によって折シ返し、円筒
レンズ23.24に入射させる。
円筒レンズ23.24e通った光の所定の位置のビーム
形状はウェハとマスクの間隔の変化に伴って、第5図の
ように変化する。ゾーンプレート5゜6の間隔およびゾ
ーンプレート7.8の間隔が所望の間隔の際に、ビーム
形状が真円となる位置に4分割光検出器25.26を置
く。第5図(a)〜(C)は4分割光検出25.26に
おける円筒レンズ23.24からの光のビーム形状10
4を示し、それぞれゾーングレート5,60間隔または
ゾーンプレート7.80間隔が狭い場合、所望の間隔の
場合および広い場合である。光検出器25゜26の4分
割面のa面とC面の光検出信号の和とb面とC面の光検
出信号の和の差動信号を演算回路27.28によってと
ると、第4図に示すものと同様なS字状信号が得られる
マニピユレータ4にウェハ2をウェハ2の面の方向のほ
かウェハ2の面と垂直な方向にも移動させることのでき
るものを用い、ウェハ2をその面と垂直な方向に移動さ
せながら演算回路27.28からの差動信号の0点を検
出して光検出器25゜26で光ビームの集光位置を検出
することにより、マスク1とウェハ2の間隔を高精度に
所望の値に決めることができる。
本実施例で%(3)式のモアレ縞の中心が配置ゾーンプ
レートの中心座標の10倍移動するように設計して、こ
のモアレ縞により、ビームを数μmに絞ることができた
。この時、配置ゾーンプレートを位置決めできた状態か
ら1m1以上ずらして、観測始め、モアレ縞の数十nm
の移動を検知して、配置ゾーングレートを数nmの精度
で位置決めできた。さらに、マスク1とウェハ2の間隔
f:、1μm以下の精度で決めることができた。
なお、レーザ9の光として波長の長いものを用いれば、
レーザ9の光はウェハ2を透過し、光を配置ゾーングレ
ート6,8を透過させて回折させることかできる。また
、第1図に示す実施例と異り、レーザ9等と光検出器1
2〜15,26.28等をウェハ2に対し同じ側に配置
し、光を配置ゾーンプレート6.8で反射させて回折さ
せるようにしても本発明は適用が可能である。
(発明の効果) 以上詳述したように、本発明の位置決め装filを用い
れば、基準ゾーンプレートと配置ゾーンプレートによる
モアレ縞の回折光を利用することにより、配置ゾーンプ
レートを高精度で位置決めできるとともに、基準ゾーン
プレートと配置ゾーンプレートの間隔を高精度に所望の
値にすることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例の系統図、第2図は基準ゾ
ーンプレートと配置ゾーンプレートを重ね合わせて生じ
るモアレ縞の例を示す図、第3図は第1図に示す4分割
光検出器12〜15の構成図、第4図は4分割光検出器
からの出力信号を示すグラフ、第5図は第1図に示す光
検出器25゜26でのゾーンプレート5〜8からの光ビ
ームの形状を示す図である。 1・・・・・・マスク、2・・・ウェハ、3.4・・・
・・・マニピーレータ、5,7・・・・・・基準ゾリン
0L−1−,6,8・・パ°゛配置シーC7°t−1−
19−°・・″レーザ、10・・・・・・ハーフミラ−
111・・・・・・ミラー、12,13,14゜15.
25.26・・・・・・光検出器、16,17,18゜
19.27.28・・・・・・演算回路、20・・・・
・・プロセッサ、21,22・・・・・・ビームスプリ
ッタ、23゜24゛−°−・円筒レンズ、101・・・
・・・基準ゾ七ノ’L−7−。 102・・・・・・配置ソ′−〕フ’I1.−/−11
03・・・・・・モアレ縞。 5/J。 代理人 弁理士  内 原  (晋 □、。 2S光簗七巻 躬 Z 図 帛3 口 牢4 回 早、5図 (α)間Tf1戸N攻(い (b)竹Vのγ憧 (C)lvI隔炉°店い

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基準ゾーンプレートと、この基準ゾーンプレートに重ね
    るように配置される配置ゾーンプレートを移動させる移
    動手段と、前記基準ゾーンプレートおよび前記配置ゾー
    ンプレートにコヒーレント光を照射して得られる回折光
    が所定の位置に生じたことを検出する第1の光検出器と
    、前記基準ゾーンプレートおよび前記配置ゾーンプレー
    トにコヒーレント光を照射して得られる回折光の集光位
    置が所定の位置に生じたことを検出する第2の光検出器
    とを含むことを特徴とする位置決め装置。
JP61201053A 1986-08-26 1986-08-26 位置決め装置 Expired - Lifetime JPH067543B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61201053A JPH067543B2 (ja) 1986-08-26 1986-08-26 位置決め装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61201053A JPH067543B2 (ja) 1986-08-26 1986-08-26 位置決め装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6355933A true JPS6355933A (ja) 1988-03-10
JPH067543B2 JPH067543B2 (ja) 1994-01-26

Family

ID=16434614

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61201053A Expired - Lifetime JPH067543B2 (ja) 1986-08-26 1986-08-26 位置決め装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH067543B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102981380A (zh) * 2011-09-07 2013-03-20 上海微电子装备有限公司 用于光刻设备的预对准装置及方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4360273A (en) * 1980-02-14 1982-11-23 Sperry Corporation Optical alignment of masks for X-ray lithography

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4360273A (en) * 1980-02-14 1982-11-23 Sperry Corporation Optical alignment of masks for X-ray lithography

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102981380A (zh) * 2011-09-07 2013-03-20 上海微电子装备有限公司 用于光刻设备的预对准装置及方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH067543B2 (ja) 1994-01-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0393775A1 (en) Apparatus for projecting a mask pattern on a substrate
JPS61501656A (ja) 重ねられた異なる格子を正確に位置合せさせるとともに間隙を測定する装置
JP2530587B2 (ja) 位置決め装置
EP0488798B1 (en) Position detecting method
JPS6355933A (ja) 位置決め装置
JPH02133913A (ja) 位置合わせ装置,露光装置及び素子製造方法
JP2723502B2 (ja) 位置決め方法
JP2910151B2 (ja) 位置検出装置
JPS60256002A (ja) 位置検出装置
JP2775988B2 (ja) 位置検出装置
JP2546317B2 (ja) 位置合わせ装置
JP2691298B2 (ja) 位置合わせ装置およびそれを備えた露光装置
JPH021503A (ja) 位置検出装置
JP2925168B2 (ja) 位置検出装置及び方法
JPH03278513A (ja) 位置合わせマーク及びこれを用いた位置合わせ方法
JP2513281B2 (ja) 位置合わせ装置
JPH0546969B2 (ja)
JPH0274804A (ja) 位置合わせ装置
JPS61236118A (ja) 位置検出方法
JPS6211779B2 (ja)
JP2513301B2 (ja) 位置検出装置
JPH0340417A (ja) 投影露光装置
JP3106490B2 (ja) 位置合せ装置及びそれを備えた露光装置
JP2924178B2 (ja) 位置検出装置
JP2683409B2 (ja) 位置合わせ装置