JPS6355542U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6355542U JPS6355542U JP14941386U JP14941386U JPS6355542U JP S6355542 U JPS6355542 U JP S6355542U JP 14941386 U JP14941386 U JP 14941386U JP 14941386 U JP14941386 U JP 14941386U JP S6355542 U JPS6355542 U JP S6355542U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- oxide film
- semiconductor device
- insulating film
- film
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
第１図は本考案の実施例を示す断面説明図、第
２図、第３図は従来例の断面説明図である。 １……基板、２……層間絶縁膜、３……アルミ
ニウム配線層、４……気相成長酸化膜、５……Ｓ
．Ｏ．Ｇ．膜、６……第２アルミニウム配線層、
７……気相成長酸化膜、８……気相成長窒化膜、
９……プラズマ窒化膜。
２図、第３図は従来例の断面説明図である。 １……基板、２……層間絶縁膜、３……アルミ
ニウム配線層、４……気相成長酸化膜、５……Ｓ
．Ｏ．Ｇ．膜、６……第２アルミニウム配線層、
７……気相成長酸化膜、８……気相成長窒化膜、
９……プラズマ窒化膜。
Claims (1)
- 多層配線構造を有する半導体装置において、配
線層の間の層間絶縁膜としてプラズマ気相成長法
による酸化膜を第１層とし、塗布焼成酸化膜を第
２層とし、気相成長酸化膜を第３層とする３層構
造から成る絶縁膜を用いることを特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14941386U JPS6355542U (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14941386U JPS6355542U (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6355542U true JPS6355542U (ja) | 1988-04-14 |
Family
ID=31064597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14941386U Pending JPS6355542U (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6355542U (ja) |
-
1986
- 1986-09-29 JP JP14941386U patent/JPS6355542U/ja active Pending