JPS6352355A - 熱磁気記録方法 - Google Patents
熱磁気記録方法Info
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- JPS6352355A JPS6352355A JP61194962A JP19496286A JPS6352355A JP S6352355 A JPS6352355 A JP S6352355A JP 61194962 A JP61194962 A JP 61194962A JP 19496286 A JP19496286 A JP 19496286A JP S6352355 A JPS6352355 A JP S6352355A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B11/10506—Recording by modulating only the light beam of the transducer
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- G11B11/10521—Direct overwriting, i.e. performing erasing and recording using the same transducing means using a single light spot
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
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- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
以下の順序で本発明を説明する。
Ａ、産業上の利用分野
Ｂ１発明の概要
Ｃ０従来の技術
り９発明が解決しようとする問題点
Ｅ０問題点を解決するための手段
Ｆ１作用
Ｇ、実施例
Ｇ−１，熱磁気記録媒体の構成
Ｇ−２，（君化状呟の遷移
Ｇ−３，温度に応した磁化状態の変化
Ｇ−４，オーバーライド条１牛
Ｇ−５，再生・保存のための磁化状態
Ｇ−６．熱磁気記録媒体の具体例
Ｇ−７，他の実施例
Ｈ６発明の効果
Ａ、産業上の利用分野
本発明は、光磁気記録方法あるいは熱磁気記録方法に関
するものであり、特に、磁性二層膜を有する熱磁気記録
媒体を用いてｐ（Ｈ気記録を行う方法に関する。
するものであり、特に、磁性二層膜を有する熱磁気記録
媒体を用いてｐ（Ｈ気記録を行う方法に関する。
Ｂ１発明の概要
本発明は、磁気的に結合された第１、第２の磁性薄膜を
積層して得られる（Ｈ性二層膜を有する熱ｃｄ気記録媒
体に対して熱磁気記録を行う方法において、少な（とも
記録に先立ち、（４５性二層膜の第２の磁性薄膜の磁気
モーメントの向きを一方向に揃えておき、第１の磁性薄
膜の略々キュリー温度ＴＣＩ以上でかつ第２の磁性薄膜
の副格子磁化反転の生じない温度Ｔ１ と、この温度Ｔ
１以上でかつ第２の磁性ｇｉ膜の補償温度以上であり、
該第２の磁性薄膜の副格子磁化を反転させるに充分な温
度Ｔ２とのいずれかの状態に加熱されるように、記録し
ようとする１３号に応じて加熱状態を切換変調し、これ
らの各温度Ｔ１あるいはＴ２から冷却される過程で少な
くとも第１の磁性３膜に信号に応じた副格子磁化を記録
形成するとともに、第２の磁性薄膜の副格子磁化を冷却
過程で反転させることにより、媒体の加熱温度変調とい
う簡単な方法でオーバーライドを可能とするものである
。
積層して得られる（Ｈ性二層膜を有する熱ｃｄ気記録媒
体に対して熱磁気記録を行う方法において、少な（とも
記録に先立ち、（４５性二層膜の第２の磁性薄膜の磁気
モーメントの向きを一方向に揃えておき、第１の磁性薄
膜の略々キュリー温度ＴＣＩ以上でかつ第２の磁性薄膜
の副格子磁化反転の生じない温度Ｔ１ と、この温度Ｔ
１以上でかつ第２の磁性ｇｉ膜の補償温度以上であり、
該第２の磁性薄膜の副格子磁化を反転させるに充分な温
度Ｔ２とのいずれかの状態に加熱されるように、記録し
ようとする１３号に応じて加熱状態を切換変調し、これ
らの各温度Ｔ１あるいはＴ２から冷却される過程で少な
くとも第１の磁性３膜に信号に応じた副格子磁化を記録
形成するとともに、第２の磁性薄膜の副格子磁化を冷却
過程で反転させることにより、媒体の加熱温度変調とい
う簡単な方法でオーバーライドを可能とするものである
。
Ｃ０従来の技術
光磁気記録方法あるいは熱磁気記録方法においては、垂
直磁化膜等の磁性薄膜を存する記録媒体に対し、磁化の
方向を面に垂直な一方向に予め揃えて所謂初期化を施し
ておき、この磁化方向と反対向きの垂直磁化を有するビ
ットをレーザ光照射等の局部加熱により形成することに
よって、２値化された情報を記録している。
直磁化膜等の磁性薄膜を存する記録媒体に対し、磁化の
方向を面に垂直な一方向に予め揃えて所謂初期化を施し
ておき、この磁化方向と反対向きの垂直磁化を有するビ
ットをレーザ光照射等の局部加熱により形成することに
よって、２値化された情報を記録している。
この光磁気記録あるいは熱磁気記録方法においては、情
報の吉き換えに先立って記録された情報の消去の過程（
上記初期化に相当）を要し、高転送レートでの記録を実
現できない。これに対し、このような独立の消去過程が
不要の記録方式としての所謂オーバーライドの方式が幾
つか提案されている。このオーバーライド方式の熱磁気
記録方法の中で有望視されている方法としては、例えば
媒体に対する外部磁場のへ性を情ｆＥｊ（８号に応じて
切換反転する外部Ｅｎ場変調法と、記録用のヘッドの他
に消去用のへノドを設ける２ヘツド法とが知られている
。外部磁場変調法とは、例えば特開昭６０−４８８０６
号公報等に開示されているように、膜面に垂直な磁化容
易軸を有する非晶質フェリ磁性薄膜記録媒体に対する昇
温用ビームの照射領域に入力デジタル信号電流の状態に
対応する極性の（ｉｌ場を印加することにより記録を行
うものである。
報の吉き換えに先立って記録された情報の消去の過程（
上記初期化に相当）を要し、高転送レートでの記録を実
現できない。これに対し、このような独立の消去過程が
不要の記録方式としての所謂オーバーライドの方式が幾
つか提案されている。このオーバーライド方式の熱磁気
記録方法の中で有望視されている方法としては、例えば
媒体に対する外部磁場のへ性を情ｆＥｊ（８号に応じて
切換反転する外部Ｅｎ場変調法と、記録用のヘッドの他
に消去用のへノドを設ける２ヘツド法とが知られている
。外部磁場変調法とは、例えば特開昭６０−４８８０６
号公報等に開示されているように、膜面に垂直な磁化容
易軸を有する非晶質フェリ磁性薄膜記録媒体に対する昇
温用ビームの照射領域に入力デジタル信号電流の状態に
対応する極性の（ｉｌ場を印加することにより記録を行
うものである。
Ｂ０発明が解決しようとする問題点
ところで、上述のような外部磁場変調法によって情報転
送レートの高い高速記録を行おうとすると、例えばＭＨ
ｚオーダで動作する電磁石が必要となり、このような電
磁石の作製は困難であり、作製できたとしても消費電力
及び発熱が大きく実用的でない。また、上記２ヘツド法
は、余分なヘッドを必要とし、２つのヘッドを離して設
置しなければならず、ドライブシステムへの負担が大き
く、経済性が悪く、量産にも向かない等の欠点を有して
いる。
送レートの高い高速記録を行おうとすると、例えばＭＨ
ｚオーダで動作する電磁石が必要となり、このような電
磁石の作製は困難であり、作製できたとしても消費電力
及び発熱が大きく実用的でない。また、上記２ヘツド法
は、余分なヘッドを必要とし、２つのヘッドを離して設
置しなければならず、ドライブシステムへの負担が大き
く、経済性が悪く、量産にも向かない等の欠点を有して
いる。
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであり
、レーザ光等による媒体の加熱温度を切換制御するのみ
で容易に書き換え（オーバーライド記録）が可能な熱磁
気記録方法の提供を目的とする。
、レーザ光等による媒体の加熱温度を切換制御するのみ
で容易に書き換え（オーバーライド記録）が可能な熱磁
気記録方法の提供を目的とする。
Ｅ０問題点を解決するための手段
本発明に係る熱磁気記録方法は、上述の問題点を解決す
るために、第１、第２の磁性薄膜が磁気的に結合されて
積層され、これらの第１、第２の磁性３膜の各磁気モー
メントが互いに逆向きに結合されている部分を有する積
層膜を含むｐ（Ｑ気記録媒体を用い、上記第１の磁性薄
膜の略々キュリー温度Ｔ、Ｉ以上でかつ上記第２の磁性
薄膜の副格子磁化の反転の生じない温度Ｔ、に加熱する
第１の加熱状態と、上記温度Ｔｅ１以上でかつ上記第２
の磁性薄膜の副格子磁化を反転させるに充分な温度Ｔ２
に加熱する第２の加熱状態とを、記録しようとする情報
信号に応して変調し、上記第２の磁性薄膜は、室温と上
記第２の加熱状態の温度Ｔ２との間に補償点を有し、上
記それぞれの加熱状態から冷却する過程で、上記第１、
第２の石ｄ性薄膜の交換結合力により上記第１の磁性薄
膜副格子磁化の向きが上記第２の磁性薄膜の副格子磁化
の向きに揃えられて熱磁気記録媒体に記録磁化を形成す
るとともに、室温までの冷却過程で第２の磁性薄膜の副
格子磁化が反転することを特徴としている。
るために、第１、第２の磁性薄膜が磁気的に結合されて
積層され、これらの第１、第２の磁性３膜の各磁気モー
メントが互いに逆向きに結合されている部分を有する積
層膜を含むｐ（Ｑ気記録媒体を用い、上記第１の磁性薄
膜の略々キュリー温度Ｔ、Ｉ以上でかつ上記第２の磁性
薄膜の副格子磁化の反転の生じない温度Ｔ、に加熱する
第１の加熱状態と、上記温度Ｔｅ１以上でかつ上記第２
の磁性薄膜の副格子磁化を反転させるに充分な温度Ｔ２
に加熱する第２の加熱状態とを、記録しようとする情報
信号に応して変調し、上記第２の磁性薄膜は、室温と上
記第２の加熱状態の温度Ｔ２との間に補償点を有し、上
記それぞれの加熱状態から冷却する過程で、上記第１、
第２の石ｄ性薄膜の交換結合力により上記第１の磁性薄
膜副格子磁化の向きが上記第２の磁性薄膜の副格子磁化
の向きに揃えられて熱磁気記録媒体に記録磁化を形成す
るとともに、室温までの冷却過程で第２の磁性薄膜の副
格子磁化が反転することを特徴としている。
Ｆ０作用
レーザ光等の加熱ビームの強度や照射時間等を記録しよ
うとする情報信号に応じて変調してやることにより、容
易に記録の書き換え所謂オーバーライドが行える。
うとする情報信号に応じて変調してやることにより、容
易に記録の書き換え所謂オーバーライドが行える。
Ｃ０実施例
第１図は本発明の一実施例を説明するための温度変化に
伴う磁化状態の変化を示し、第２図は該実施例に用いら
れる記録媒体の断面構造を概略的に示している。第１図
においては、第２図の記録媒体内の磁性二層膜の各副格
子磁化を筒略化して示しており、温度及び外部磁場に応
じてこれみの磁化の状態が変化する。
伴う磁化状態の変化を示し、第２図は該実施例に用いら
れる記録媒体の断面構造を概略的に示している。第１図
においては、第２図の記録媒体内の磁性二層膜の各副格
子磁化を筒略化して示しており、温度及び外部磁場に応
じてこれみの磁化の状態が変化する。
すなわち、第１図において、第１、第２の磁性薄膜３．
４の互いに磁気的に結合されている各磁気モーメントが
互いに同じ向き（＋ｆｆｉ化状ＧＡ）の記録部分と、互
いに逆向き（磁化状態Ｃ）の記録部分とを有する８層膜
（磁性二Ｎ膜５）に対し、第１の磁性ｙｉ膜３の略々キ
ュリー温度ＴＣ１以上でかつ第２の磁性薄膜４の副格子
磁化反転の生じない温度Ｔ、に加熱する第１の加熱状態
と、上記温度ＴＣ１以上でかつ第２の磁性薄膜４の副格
子磁化を反転させるに充分な温度Ｔ２に加熱する第２の
加熱状態とを、記録しようとする情報信号に応じて変調
し、上記それぞれの加熱状態から冷却することにより熱
磁気記録媒体に記録磁化を形成する。
４の互いに磁気的に結合されている各磁気モーメントが
互いに同じ向き（＋ｆｆｉ化状ＧＡ）の記録部分と、互
いに逆向き（磁化状態Ｃ）の記録部分とを有する８層膜
（磁性二Ｎ膜５）に対し、第１の磁性ｙｉ膜３の略々キ
ュリー温度ＴＣ１以上でかつ第２の磁性薄膜４の副格子
磁化反転の生じない温度Ｔ、に加熱する第１の加熱状態
と、上記温度ＴＣ１以上でかつ第２の磁性薄膜４の副格
子磁化を反転させるに充分な温度Ｔ２に加熱する第２の
加熱状態とを、記録しようとする情報信号に応じて変調
し、上記それぞれの加熱状態から冷却することにより熱
磁気記録媒体に記録磁化を形成する。
ここで、第２の磁性薄膜４は、室温Ｔ、と上記第２の加
熱状態の温度Ｔ２との間に補償点を有し、また、冷却の
過程で第２の磁性薄膜４の副格子磁化の向きが反転する
。
熱状態の温度Ｔ２との間に補償点を有し、また、冷却の
過程で第２の磁性薄膜４の副格子磁化の向きが反転する
。
Ｇ−１，熱磁気記録媒体の構成
先ず、本発明実施例に用いられる熱磁気記Ｓゑ媒体（あ
るいは光磁気記録媒体）の構造について、第２図を参照
しながら簡単に説明する。ガラス板やアクリル板等の透
明基板１の一方の面（図中下方の面）に、保護膜又は干
渉膜となる退引誘電体膜２を介して、第１、第２の磁性
薄膜３．４より成る磁性二層膜５を積層形成している。
るいは光磁気記録媒体）の構造について、第２図を参照
しながら簡単に説明する。ガラス板やアクリル板等の透
明基板１の一方の面（図中下方の面）に、保護膜又は干
渉膜となる退引誘電体膜２を介して、第１、第２の磁性
薄膜３．４より成る磁性二層膜５を積層形成している。
この磁性二層膜５の表面（図中下面）には、保護膜とし
ての誘電体膜６が被着形成されている。なお、上記誘電
体膜２や誘電体膜６は無くともよく、また、誘電体膜６
は金属膜でもよい。
ての誘電体膜６が被着形成されている。なお、上記誘電
体膜２や誘電体膜６は無くともよく、また、誘電体膜６
は金属膜でもよい。
ここで、上記磁性二層膜５を構成する第１、第２の磁性
薄膜３．４としては、種々の＆ｉ性材料が考えられるが
、本実施例においては、Ｎｄ、 Ｓｍ、 Ｇｄ、Ｔｂ、
ＤＹ、ｌｌｏ等の希土類金属（ＲＥ）の１種類あるい
は２種類以上がｘ−１０〜４０ａｔＩ１１％と、Ｃｒ−
。
薄膜３．４としては、種々の＆ｉ性材料が考えられるが
、本実施例においては、Ｎｄ、 Ｓｍ、 Ｇｄ、Ｔｂ、
ＤＹ、ｌｌｏ等の希土類金属（ＲＥ）の１種類あるい
は２種類以上がｘ−１０〜４０ａｔＩ１１％と、Ｃｒ−
。
ＭｎＸＦｅ５ Ｃｏ、 Ｎｉ、、Ｃｕ等の遷移金属（Ｔ
Ｍ）の１種類あるいは２種類以上が１ ｚ＝９０〜６
０ ａｔｍ％とで構成される非晶質合金ＲＥ、ＴＭ、、
を想定している。これ以外の元素を少量添加してもよい
。
Ｍ）の１種類あるいは２種類以上が１ ｚ＝９０〜６
０ ａｔｍ％とで構成される非晶質合金ＲＥ、ＴＭ、、
を想定している。これ以外の元素を少量添加してもよい
。
このＲＥ−ＴＭ非晶質合金磁性材料において、ＲＥがＮ
ｄあるいはＳｍの場合を除いては、ＲＥの磁気モーメン
トとＴＭの磁気モーメントは反平行に結合し、その結果
所謂フェリ磁性を示すとともに、正味の磁化はこれらＲ
Ｅ及びＴＭの各副格子ぞｄ化の差（磁化の向きに応じた
正負を考慮するときには各副格子磁化の和）となる。希
土類金属（ＲＥ）がＮｄ、 Ｓｍのいずれか、あるいは
その混合により構成される場合は、ＲＥの（ｎ気モーメ
ントとＴＭのしきモーメントは平行に結合して、所謂フ
ェ口磁性を示し、この場合の正味の磁化はＲＥ及びＴＭ
の各副格子磁化の和となる。本実施例ではＮｄ、Ｓｍを
除＜ＲＥ、すなわち、ＲＥ ＝Ｇｄ、 Ｔｂ、 Ｄｙ、
Ｈ。
ｄあるいはＳｍの場合を除いては、ＲＥの磁気モーメン
トとＴＭの磁気モーメントは反平行に結合し、その結果
所謂フェリ磁性を示すとともに、正味の磁化はこれらＲ
Ｅ及びＴＭの各副格子ぞｄ化の差（磁化の向きに応じた
正負を考慮するときには各副格子磁化の和）となる。希
土類金属（ＲＥ）がＮｄ、 Ｓｍのいずれか、あるいは
その混合により構成される場合は、ＲＥの（ｎ気モーメ
ントとＴＭのしきモーメントは平行に結合して、所謂フ
ェ口磁性を示し、この場合の正味の磁化はＲＥ及びＴＭ
の各副格子磁化の和となる。本実施例ではＮｄ、Ｓｍを
除＜ＲＥ、すなわち、ＲＥ ＝Ｇｄ、 Ｔｂ、 Ｄｙ、
Ｈ。
の場合についての説明を行う。
このような積層構造の執磁気記録媒体１０に対して、例
えば第３図に示すように、記録あるいは再生のためのレ
ーザ光Ｒが第２図の透明基板１側から入射され、また保
護膜となる上記誘電体膜６側かみ第３図の磁石１１等に
よる外部磁界Ｈｅχが印加される。この第３図の例は、
ディスク状の熱磁気記録媒体１０を示しており、駆動モ
ータ１５のスピンドル１６によりディスク状記録媒体１
０が回転駆動されるようになっている。
えば第３図に示すように、記録あるいは再生のためのレ
ーザ光Ｒが第２図の透明基板１側から入射され、また保
護膜となる上記誘電体膜６側かみ第３図の磁石１１等に
よる外部磁界Ｈｅχが印加される。この第３図の例は、
ディスク状の熱磁気記録媒体１０を示しており、駆動モ
ータ１５のスピンドル１６によりディスク状記録媒体１
０が回転駆動されるようになっている。
このようなＲＥ−７Ｍ合金材料の磁性薄１１’Ｅ！３．
４が積層されて得られる磁性二層膜５の磁化状態は、各
薄膜３．４のキュリー温度Ｔ （１％ Ｔ （ｚ以下の
温度領域においては、第４図に示すような４つの状ＧＡ
−Ｄを採ることが可能である。なお、両薄膜３．４の磁
化容易軸はいずれも面に垂直方向く所謂垂直磁化膜）で
あるものとするが、少なくとも一方のみが垂直磁化膜で
あってもよい。
４が積層されて得られる磁性二層膜５の磁化状態は、各
薄膜３．４のキュリー温度Ｔ （１％ Ｔ （ｚ以下の
温度領域においては、第４図に示すような４つの状ＧＡ
−Ｄを採ることが可能である。なお、両薄膜３．４の磁
化容易軸はいずれも面に垂直方向く所謂垂直磁化膜）で
あるものとするが、少なくとも一方のみが垂直磁化膜で
あってもよい。
第４図において、状態Ａ及び状態Ｂは、第１層の磁性薄
膜３と第２層の磁性薄膜４の各ＴＭの磁気モーメントの
方向（図中実線の矢印）が同一であり、また各ＲＥの磁
気モーメントの方向（図中破線の矢印）が同一である。
膜３と第２層の磁性薄膜４の各ＴＭの磁気モーメントの
方向（図中実線の矢印）が同一であり、また各ＲＥの磁
気モーメントの方向（図中破線の矢印）が同一である。
これに対し、第４図の状、ＱＣ及び状態りでは、第１層
薄膜３と第１層薄膜３の各ＴＭの磁気モーメント（図中
実線の矢印）、及び各ＲＥの磁気モーメント（破線の矢
印）がそれぞれ互いに反対方向を向いており、層間の界
面近傍において、ＴＭの磁気モーメント、及びＲＥの磁
気モーメントの各方向が１８０゛変化する領域（所謂磁
壁）が存在する。この領域あるいは磁壁を界面磁壁７と
いい、この部分に界面磁壁エネルギ（単位面積当たりσ
ｗ ｅｒ、Ｈ／ｃｍ” ）が蓄えられる。
薄膜３と第１層薄膜３の各ＴＭの磁気モーメント（図中
実線の矢印）、及び各ＲＥの磁気モーメント（破線の矢
印）がそれぞれ互いに反対方向を向いており、層間の界
面近傍において、ＴＭの磁気モーメント、及びＲＥの磁
気モーメントの各方向が１８０゛変化する領域（所謂磁
壁）が存在する。この領域あるいは磁壁を界面磁壁７と
いい、この部分に界面磁壁エネルギ（単位面積当たりσ
ｗ ｅｒ、Ｈ／ｃｍ” ）が蓄えられる。
Ｇ−２，磁化状態の遷移
ここで、上記外部磁場Ｈｅｘ （Ｏｅ）が印加された場
合の第４図の各状態Ａ−Ｄの単位面積当たりのｉｆｆ気
的エネルギＥＡ、Ｅｓ 、Ｅｃ及びＥＤは、所謂ゼーマ
ンエネルギ及び上記界面１壁工ネルギ密度σ、により近
似的に記述することができる。
合の第４図の各状態Ａ−Ｄの単位面積当たりのｉｆｆ気
的エネルギＥＡ、Ｅｓ 、Ｅｃ及びＥＤは、所謂ゼーマ
ンエネルギ及び上記界面１壁工ネルギ密度σ、により近
似的に記述することができる。
ＥＡ＝−Ｍｓ、ｈｌＨｅｘ−Ｍｓ、ｈｚＨｅｘＥ＋＋
＝ Ｍｓ＋ ｈ ＋ Ｈｅｘ＋ ＭＳ２ ｈ ｚＨｅ
ｘＥｃ ＝ Ｍｓ＋ｈｌＨｅｘ−Ｍ５ｚｈｚＨｅｘ＋
ｄｗＥｏ ＝−Ｍｓ＋ｈ＋Ｈｅｘ工ＭｓｚｈｚＨｅｘ＋
σｗいずれも単位は（ｅｒｇ／ｃｍ２） これらの弐において、Ｍ ３１、Ｍ、！はそれぞれ各磁
性薄膜３．４の飽和磁化Ｍ ｓ （ｅｍｕ／ｃｍ’）を
示し、ｈＩ、 ｈｚは各薄膜３．４の膜厚（ｃｍ）を示
す。飽和磁化Ｍ、は、ＲＥ（希土類金属）副格子磁化Ｍ
１からＴＭ（遷移金属）副格子ｆｎ化ＭＴＭを差し引い
た値で定義したものであり、 Ｍ、＝Ｍや（ＭＴＨ （一般にはＭ、＝ｊＭ□−ＭｔＨｊ） 従って、Ｍａｔ≧ＭＴＭの場合にはＭ、≧０となり、Ｍ
、、＜Ｍ、、の場合はＭ、〈０となる。また、両薄嗅３
．４共に、その角形比を１とし、外部磁場については第
４図中の磁場Ｈｅｘ方向を正として計算している。ただ
し、実際には角形比が１であることは必ずしも要求され
ない。なお、上記各状９． Ａ〜Ｄの（ｎ気的エネルギ
は、ゼーマンエネルギ及び上記らを用いて近似的に求め
ており、より厳３には、隣接する磁区（ビット）からの
浮遊Ｔｆｌ場を考慮する必要があるが、本明細書中では
省略している。
＝ Ｍｓ＋ ｈ ＋ Ｈｅｘ＋ ＭＳ２ ｈ ｚＨｅ
ｘＥｃ ＝ Ｍｓ＋ｈｌＨｅｘ−Ｍ５ｚｈｚＨｅｘ＋
ｄｗＥｏ ＝−Ｍｓ＋ｈ＋Ｈｅｘ工ＭｓｚｈｚＨｅｘ＋
σｗいずれも単位は（ｅｒｇ／ｃｍ２） これらの弐において、Ｍ ３１、Ｍ、！はそれぞれ各磁
性薄膜３．４の飽和磁化Ｍ ｓ （ｅｍｕ／ｃｍ’）を
示し、ｈＩ、 ｈｚは各薄膜３．４の膜厚（ｃｍ）を示
す。飽和磁化Ｍ、は、ＲＥ（希土類金属）副格子磁化Ｍ
１からＴＭ（遷移金属）副格子ｆｎ化ＭＴＭを差し引い
た値で定義したものであり、 Ｍ、＝Ｍや（ＭＴＨ （一般にはＭ、＝ｊＭ□−ＭｔＨｊ） 従って、Ｍａｔ≧ＭＴＭの場合にはＭ、≧０となり、Ｍ
、、＜Ｍ、、の場合はＭ、〈０となる。また、両薄嗅３
．４共に、その角形比を１とし、外部磁場については第
４図中の磁場Ｈｅｘ方向を正として計算している。ただ
し、実際には角形比が１であることは必ずしも要求され
ない。なお、上記各状９． Ａ〜Ｄの（ｎ気的エネルギ
は、ゼーマンエネルギ及び上記らを用いて近似的に求め
ており、より厳３には、隣接する磁区（ビット）からの
浮遊Ｔｆｌ場を考慮する必要があるが、本明細書中では
省略している。
次二二、第１層薄膜９３の保磁力あるいはｆｎ化反転磁
場をＨｃ １（Ｏｅ）とし、第２Ｍ薄Ｈ２４の磁化反転
磁場をＨｃｚ（Ｏｅ）とするとき、先ず第１Ｎの４１１
ｎ Ｆｉｌｌ 膜３が磁化反転するために必要なエネ
ルギ、すなわち保五仕力エネルギＥ ＋ （ｅｒｇ／ｃ
ｍ”）は・Ｅ＋＝ ２１ Ｍｓ＋ ！ ｈ＋Ｈｃ＋また
同様に、第２層の（Ｅ性薄膜４が磁化反転するために必
要なエネルギＥ ｚ （ｅｒｇ／ｃｍ２）は、Ｅｚ＝
２１ Ｍｓｚ ｌ ｈｚＨｃｚと表される。
場をＨｃ １（Ｏｅ）とし、第２Ｍ薄Ｈ２４の磁化反転
磁場をＨｃｚ（Ｏｅ）とするとき、先ず第１Ｎの４１１
ｎ Ｆｉｌｌ 膜３が磁化反転するために必要なエネ
ルギ、すなわち保五仕力エネルギＥ ＋ （ｅｒｇ／ｃ
ｍ”）は・Ｅ＋＝ ２１ Ｍｓ＋ ！ ｈ＋Ｈｃ＋また
同様に、第２層の（Ｅ性薄膜４が磁化反転するために必
要なエネルギＥ ｚ （ｅｒｇ／ｃｍ２）は、Ｅｚ＝
２１ Ｍｓｚ ｌ ｈｚＨｃｚと表される。
磁化状態が１（＝Ａ−Ｄ）からｊ（＝Ａ−Ｄ、ｉ≠ｊ）
へ遷手多するためには、Ｅｉ−ＥＪ （これをＥ ｉ
ｊと表す）が上記磁化反転エネルギ（Ｅ、、Ｅ２又はＥ
、＋Ｅ、）よりも大きいことが条件となる。例えば、状
態Ａから状態Ｂへ遷移するための必要条件は、 ＥＡｌ＝ＥＡ Ｅａ＞Ｅ＋＋ＥＸ 従って、 一２Ｍ５＋ｔ＋＋Ｈｅｘ−２ＭｓｘｈＪｅｘ ＞２１Ｍ
ｓ ＋Ｈｈ ＋ＨＣ＋ ＋ ２１Ｍ ｉｚｌ ｈｔＨ
ｃｚと与えられる。
へ遷手多するためには、Ｅｉ−ＥＪ （これをＥ ｉ
ｊと表す）が上記磁化反転エネルギ（Ｅ、、Ｅ２又はＥ
、＋Ｅ、）よりも大きいことが条件となる。例えば、状
態Ａから状態Ｂへ遷移するための必要条件は、 ＥＡｌ＝ＥＡ Ｅａ＞Ｅ＋＋ＥＸ 従って、 一２Ｍ５＋ｔ＋＋Ｈｅｘ−２ＭｓｘｈＪｅｘ ＞２１Ｍ
ｓ ＋Ｈｈ ＋ＨＣ＋ ＋ ２１Ｍ ｉｚｌ ｈｔＨ
ｃｚと与えられる。
Ｇ−３，温度に応した磁化状態の変化
次に、第１図を参照しながら、レーザ光照射等による温
度変化に応した磁性二層膜５の各層の磁化状態の変化に
ついて説明する。この第１図において、各層の磁性薄膜
３．４内の実線の矢印は、ＴＭ ＜５移金属）の磁気モ
ーメントを、また破線の矢印はＲＥ（希土類金属）の磁
気モーメントをそれぞれ示している。
度変化に応した磁性二層膜５の各層の磁化状態の変化に
ついて説明する。この第１図において、各層の磁性薄膜
３．４内の実線の矢印は、ＴＭ ＜５移金属）の磁気モ
ーメントを、また破線の矢印はＲＥ（希土類金属）の磁
気モーメントをそれぞれ示している。
先ず、上記記録媒体１０内の磁性二層膜５のうち、記録
しようとする部位が室温ＴＩにおいて第１図の状ＭＡに
あるとする。この状ＧＡにある磁性二層膜５の部位に対
してレーザ光を照射して記録を行うわけであるが、この
ときのレーザ光の強度あるいは照射時間を記録信号に応
して変調制御することによって、二層膜５の加熱温度Ｔ
が第１の温度Ｔ、と第２の温度Ｔ２とのいずれかに選択
的に切換制御されるようにする。ここで、第１の温度Ｔ
１は、第１の磁性薄膜３の略々キュリー温度ＴＣ１以上
でかつ後述する外部εＨ場旧により第２の磁性薄膜４の
副格子磁化の反転の生じない温度である。第２の温度Ｔ
２は、上記温度Ｔ３以上でかつ第２の磁性薄膜４の副格
子磁化を上記外部磁場Ｈｅｘにより反転させるに充分な
温度であり、また第２の磁性薄膜４の補償点より高い温
度である。すなわち、第２の磁性薄膜４の磁化及び保磁
力の温度特性は例えば第５図のようになっており、室温
Ｔえと上記第２の加熱温度Ｔ２との間に補償点温度Ｔ８
゜１．が存在している。また定性的には、外部磁場Ｈｅ
ｘと保磁力Ｈ０との関係は、室温Ｔ。
しようとする部位が室温ＴＩにおいて第１図の状ＭＡに
あるとする。この状ＧＡにある磁性二層膜５の部位に対
してレーザ光を照射して記録を行うわけであるが、この
ときのレーザ光の強度あるいは照射時間を記録信号に応
して変調制御することによって、二層膜５の加熱温度Ｔ
が第１の温度Ｔ、と第２の温度Ｔ２とのいずれかに選択
的に切換制御されるようにする。ここで、第１の温度Ｔ
１は、第１の磁性薄膜３の略々キュリー温度ＴＣ１以上
でかつ後述する外部εＨ場旧により第２の磁性薄膜４の
副格子磁化の反転の生じない温度である。第２の温度Ｔ
２は、上記温度Ｔ３以上でかつ第２の磁性薄膜４の副格
子磁化を上記外部磁場Ｈｅｘにより反転させるに充分な
温度であり、また第２の磁性薄膜４の補償点より高い温
度である。すなわち、第２の磁性薄膜４の磁化及び保磁
力の温度特性は例えば第５図のようになっており、室温
Ｔえと上記第２の加熱温度Ｔ２との間に補償点温度Ｔ８
゜１．が存在している。また定性的には、外部磁場Ｈｅ
ｘと保磁力Ｈ０との関係は、室温Ｔ。
及び上記温度Ｔ２で外部磁場Ｈｅｘが保磁力Ｈ６より太
きく （Ｈｅｘ＞Ｈ（） 、上記温度Ｔ、及び補償点
温度Ｔ ｅｌｌｌｌｌｌで保磁力Ｈ６が外部磁場Ｈｅｘ
より大きい（Ｈｅｘ＜Ｈｃ）。従って、第２の磁性薄膜
４の磁化は、上記第３図の磁石１１からの外部磁場Ｈｅ
ｘにより、室温Ｔ８及び上記温度Ｔ２で副格子磁化の向
きが反転させられることになる。より厳書な定量的な条
件は、後述のＧ−４の項で説明を行う。
きく （Ｈｅｘ＞Ｈ（） 、上記温度Ｔ、及び補償点
温度Ｔ ｅｌｌｌｌｌｌで保磁力Ｈ６が外部磁場Ｈｅｘ
より大きい（Ｈｅｘ＜Ｈｃ）。従って、第２の磁性薄膜
４の磁化は、上記第３図の磁石１１からの外部磁場Ｈｅ
ｘにより、室温Ｔ８及び上記温度Ｔ２で副格子磁化の向
きが反転させられることになる。より厳書な定量的な条
件は、後述のＧ−４の項で説明を行う。
ところで、上記各温度Ｔ１あるいはＴ２までの加熱が終
了し、二層膜５の温度ＴがＴ、１となったときには、第
１の磁性薄膜３に磁化が再び現れるが、その方向の決定
に関しては、外部磁場等によるゼーマンエネルギではな
く二層間の所謂交換結合力が支配的となるようにする。
了し、二層膜５の温度ＴがＴ、１となったときには、第
１の磁性薄膜３に磁化が再び現れるが、その方向の決定
に関しては、外部磁場等によるゼーマンエネルギではな
く二層間の所謂交換結合力が支配的となるようにする。
すなわち、第１の磁性薄膜３の自発磁化が現れる温度Ｔ
（ＴＣ近傍）において、 σｗ＞ ２１Ｍｓ＋ｌ ｈ ＋ １Ｈｅｘｌの条件を満
足するように、外部磁場Ｈｅｘ及び層間の界面磁壁エネ
ルギσ、に対する第１の磁性薄膜３の飽和磁化Ｍ ｓ
ｌ及び膜厚ｈ１を選定する。従って、媒体温度ＴがＴＣ
１となるときの磁化状態としては、磁性二層膜５の各層
の磁気モーメントの向きの揃った状態Ａあるいは状ＢＢ
のいずれかとなり、上記加熱時の温度がＴ１のとき状態
Ａに、また加熱時の温度がＴ！のとき状６Ｂになる。
（ＴＣ近傍）において、 σｗ＞ ２１Ｍｓ＋ｌ ｈ ＋ １Ｈｅｘｌの条件を満
足するように、外部磁場Ｈｅｘ及び層間の界面磁壁エネ
ルギσ、に対する第１の磁性薄膜３の飽和磁化Ｍ ｓ
ｌ及び膜厚ｈ１を選定する。従って、媒体温度ＴがＴＣ
１となるときの磁化状態としては、磁性二層膜５の各層
の磁気モーメントの向きの揃った状態Ａあるいは状ＢＢ
のいずれかとなり、上記加熱時の温度がＴ１のとき状態
Ａに、また加熱時の温度がＴ！のとき状６Ｂになる。
さらに媒体の上記記録部分が冷却されて例えば室温Ｔえ
程度となったときには、状態への部分は元の初期状態と
同し磁化状ｇＡに、また状ＧＢの部分は元の初期状態と
磁気モーメントの向きが逆の状ＶＢになるが、室温Ｔ、
近傍では、磁化状態がＢからＣへ遷移する条件、すなわ
ちＥ！ｌｃ＜Ｅ２を満足するため、第２の磁性薄膜４の
磁気モーメントの向きが反転し、磁性二層膜５の磁化状
！虫は前記第４図の状態Ｃとなる。
程度となったときには、状態への部分は元の初期状態と
同し磁化状ｇＡに、また状ＧＢの部分は元の初期状態と
磁気モーメントの向きが逆の状ＶＢになるが、室温Ｔ、
近傍では、磁化状態がＢからＣへ遷移する条件、すなわ
ちＥ！ｌｃ＜Ｅ２を満足するため、第２の磁性薄膜４の
磁気モーメントの向きが反転し、磁性二層膜５の磁化状
！虫は前記第４図の状態Ｃとなる。
次に、熱磁気記録媒体１０の磁性二層膜５のうち、磁化
状態が上記状態Ｃの記録部分に対して加熱が施される場
合には、該部分が上記温度ＴＣＩを越えた時点で第１の
磁性３膜３の磁化が消失し、上述した状ＢＡから加熱さ
れた場合と同様の磁化状態となる。従って、上記温度Ｔ
１↓こまで加熱されて冷却された部分は上記状ＧＡとな
り、上記ｔＷ度Ｔ２にまで加熱されて冷却された部分は
上記状６、 Ｂを経て状ＢＣとなるから、これらの前払
温度Ｔ＋ 、Ｔｚに応じた記ｉ３磁化状態が得られる。
状態が上記状態Ｃの記録部分に対して加熱が施される場
合には、該部分が上記温度ＴＣＩを越えた時点で第１の
磁性３膜３の磁化が消失し、上述した状ＢＡから加熱さ
れた場合と同様の磁化状態となる。従って、上記温度Ｔ
１↓こまで加熱されて冷却された部分は上記状ＧＡとな
り、上記ｔＷ度Ｔ２にまで加熱されて冷却された部分は
上記状６、 Ｂを経て状ＢＣとなるから、これらの前払
温度Ｔ＋ 、Ｔｚに応じた記ｉ３磁化状態が得られる。
このようにして、磁性二層膜５の第１、第２の磁性薄膜
３．４の互いに磁気的に結合される磁気モーメントが互
いに同し向きの記録部分（状ＢＡの部分に相当）と、磁
気モーメントが互いに逆向きの記録部分（状Ｆ３Ｃの部
分に相当）とに対して、上記各加熱温度Ｔ ＋ 、Ｔ
ｚにまで情報信号に応して変調して加熱することにより
、もとの磁化状態にかかわりなく新たな磁化状態を記録
形成でき、所謂オーバーライドが実現できる。
３．４の互いに磁気的に結合される磁気モーメントが互
いに同し向きの記録部分（状ＢＡの部分に相当）と、磁
気モーメントが互いに逆向きの記録部分（状Ｆ３Ｃの部
分に相当）とに対して、上記各加熱温度Ｔ ＋ 、Ｔ
ｚにまで情報信号に応して変調して加熱することにより
、もとの磁化状態にかかわりなく新たな磁化状態を記録
形成でき、所謂オーバーライドが実現できる。
Ｇ−４，オーバーライド条件
次に、上述のようなオーバーライドを実現するための条
件について説明する。
件について説明する。
第１図に示すような外部磁場Ｈｅχが印加された状態で
、媒体の磁性二層膜５の温度Ｔが変化するとき、先ず、
室温Ｔ、Ｉから上記第１の磁性薄膜３のキュリー温度Ｔ
ｅ１までの温度範囲（Ｔ、ＳＴ＜Ｔ ｃ ＋ ）におい
て、磁化状態Ａが他の（■化状態に遷移しない条件は、 ２Ｍｉ＋ｈ＋）ｌｅｘ−２ＭｓｚｈＪｅｘ＜ ２１Ｍ
ｓ＋ｌ ｈｕｌｃ＋ ＋ ２１Ｍ ｓｔ１ｈＪｃｚ２Ｍ
ｓ＋ｈ＋ｌ１ｅＸ−ｄｗ ＜２１Ｍ５＋ｌ ｈ＋Ｈｃ＋
−２Ｍ５ｚｈｚＨｅｘ−σ、＜２１Ｍ ３ｚ） ｈｚ’
Ａｃｔまた、磁化状態Ｃが他の磁化状態に遷移しない条
件は、 ２９ｓ＋ｌｌ＋）Ｉｅｘ＋ ｄｗ ＜２１Ｍ５＋ｌ ｈ
＋）Ｉｃ＋−２Ｍ３．ｈＪｅｘ＋σｗ ＜ ２１Ｍ ｓ
ｚｌ ｈＪｃｚとなる０次に、磁性二層膜５の７温度Ｔ
が上記温度ＴＣ１から上記第２の加熱温度Ｔ２までの’
ｌＬ度範囲（Ｔ ｃ ＋ ＜ Ｔ ＜ Ｔ ｚ ）にお
いて、第２の磁性薄膜４の磁気モーメントが反転しない
条件は、ＩＨｅｘｌ＜ Ｈｃｚ さらに、磁性二層膜５の温度Ｔが上記温度Ｔｚを越えた
とき（Ｔ＞Ｔ、）に、第２の磁性３膜４の副格子磁化が
反転するための条件は、 ＩＨｅｘｉ＞ Ｈｃ ｔ となる。
、媒体の磁性二層膜５の温度Ｔが変化するとき、先ず、
室温Ｔ、Ｉから上記第１の磁性薄膜３のキュリー温度Ｔ
ｅ１までの温度範囲（Ｔ、ＳＴ＜Ｔ ｃ ＋ ）におい
て、磁化状態Ａが他の（■化状態に遷移しない条件は、 ２Ｍｉ＋ｈ＋）ｌｅｘ−２ＭｓｚｈＪｅｘ＜ ２１Ｍ
ｓ＋ｌ ｈｕｌｃ＋ ＋ ２１Ｍ ｓｔ１ｈＪｃｚ２Ｍ
ｓ＋ｈ＋ｌ１ｅＸ−ｄｗ ＜２１Ｍ５＋ｌ ｈ＋Ｈｃ＋
−２Ｍ５ｚｈｚＨｅｘ−σ、＜２１Ｍ ３ｚ） ｈｚ’
Ａｃｔまた、磁化状態Ｃが他の磁化状態に遷移しない条
件は、 ２９ｓ＋ｌｌ＋）Ｉｅｘ＋ ｄｗ ＜２１Ｍ５＋ｌ ｈ
＋）Ｉｃ＋−２Ｍ３．ｈＪｅｘ＋σｗ ＜ ２１Ｍ ｓ
ｚｌ ｈＪｃｚとなる０次に、磁性二層膜５の７温度Ｔ
が上記温度ＴＣ１から上記第２の加熱温度Ｔ２までの’
ｌＬ度範囲（Ｔ ｃ ＋ ＜ Ｔ ＜ Ｔ ｚ ）にお
いて、第２の磁性薄膜４の磁気モーメントが反転しない
条件は、ＩＨｅｘｌ＜ Ｈｃｚ さらに、磁性二層膜５の温度Ｔが上記温度Ｔｚを越えた
とき（Ｔ＞Ｔ、）に、第２の磁性３膜４の副格子磁化が
反転するための条件は、 ＩＨｅｘｉ＞ Ｈｃ ｔ となる。
次に、上記加熱状態からの冷却過程において、熱磁気記
録媒体ｌＯの磁性二層膜５の記録部分の温度Ｔが略々上
記キュリー温度ＴＣ＋（第１の磁性薄膜３のキュリー温
度）に達した（Ｔ ＝ Ｔ、、）とき、第１の磁性薄膜
３の磁化の向きが、第２層の磁性薄膜４の磁化と所謂交
換結合力により決定される条件は、 ｄｗ ＞２１Ｍ５＋ｌｂ＋１ｌｌｅｘｌまた、上記温度
Ｔｅｌを下回って室温Ｔ８までの温度範囲（ＴえＳＴ
＜Ｔ ｃ ＋ ）においてｔｎ化状態Ａが他の磁化状態
に遷移しない条件は、上述した加熱過程の場合と同様で
あり、磁化状態Ｂが状態Ｃに遷移するための条件は、 ２Ｍｓ、ｈ＋）Ｉｅｘ＋２Ｍ５ｚｈ２Ｈｅｘ＜ ２ Ｉ
Ｍ ｓ＋ｌ ｈ＋し＋ ＋２１Ｍ ｓｚｆ ｈＪｃ２２
Ｍｓｔｂ＋Ｈｅｘ ｅｗ ＜２１Ｍ５＋ｌ ｈ＋Ｈｃ
＋２Ｍ５ｚｈＪｅｘ−ｄｗ 〉２１Ｍ５ｚｌｈｔＨ（２
である。
録媒体ｌＯの磁性二層膜５の記録部分の温度Ｔが略々上
記キュリー温度ＴＣ＋（第１の磁性薄膜３のキュリー温
度）に達した（Ｔ ＝ Ｔ、、）とき、第１の磁性薄膜
３の磁化の向きが、第２層の磁性薄膜４の磁化と所謂交
換結合力により決定される条件は、 ｄｗ ＞２１Ｍ５＋ｌｂ＋１ｌｌｅｘｌまた、上記温度
Ｔｅｌを下回って室温Ｔ８までの温度範囲（ＴえＳＴ
＜Ｔ ｃ ＋ ）においてｔｎ化状態Ａが他の磁化状態
に遷移しない条件は、上述した加熱過程の場合と同様で
あり、磁化状態Ｂが状態Ｃに遷移するための条件は、 ２Ｍｓ、ｈ＋）Ｉｅｘ＋２Ｍ５ｚｈ２Ｈｅｘ＜ ２ Ｉ
Ｍ ｓ＋ｌ ｈ＋し＋ ＋２１Ｍ ｓｚｆ ｈＪｃ２２
Ｍｓｔｂ＋Ｈｅｘ ｅｗ ＜２１Ｍ５＋ｌ ｈ＋Ｈｃ
＋２Ｍ５ｚｈＪｅｘ−ｄｗ 〉２１Ｍ５ｚｌｈｔＨ（２
である。
以上の全てのオーバーライド条件を満足する磁性二層膜
５を用いることにより、前述したようなオーバーライド
が可能になる。
５を用いることにより、前述したようなオーバーライド
が可能になる。
次に、室温において保存している状態にあっては、磁化
状６Ａはそのまま保たれることは勿論であるが、磁化状
、ｌ！ｉ７Ｃは、そのままの状ｇＣでも、磁化状１１１
ｑＢに遷移した状態のいずれでもよい。従って、磁化状
ｇＣのまま変化しない条件は、σ’ ＜２１Ｍ５＋Ｉ
ｈ＋）！ｃ＋ σ、〈２１Ｍ ｓｚｌ ｈｚＨｃｘ となり、磁化状態Ｃが磁化状態Ｂに遷移するための条件
は、 ｄｗ ＜２１Ｍ５ｌ ｈ＋Ｈｃ＋ グｗ ＞２１Ｍ５ｚｌｈＪｃｚ となり、これらのいずれかの条件が満足されれば充分で
ある。
状６Ａはそのまま保たれることは勿論であるが、磁化状
、ｌ！ｉ７Ｃは、そのままの状ｇＣでも、磁化状１１１
ｑＢに遷移した状態のいずれでもよい。従って、磁化状
ｇＣのまま変化しない条件は、σ’ ＜２１Ｍ５＋Ｉ
ｈ＋）！ｃ＋ σ、〈２１Ｍ ｓｚｌ ｈｚＨｃｘ となり、磁化状態Ｃが磁化状態Ｂに遷移するための条件
は、 ｄｗ ＜２１Ｍ５ｌ ｈ＋Ｈｃ＋ グｗ ＞２１Ｍ５ｚｌｈＪｃｚ となり、これらのいずれかの条件が満足されれば充分で
ある。
ところで、以上のオーバーライド条件において、媒体加
熱ときに磁化状態Ｃから他の磁化状態に遷移しないため
の条件の一部が満足されない場合、すなわち媒体が室温
Ｔ１から上記第１のキュリー温度ＴＣＩに加熱される間
（Ｔ諏＜Ｔ＜Ｔｅ１）にモｄ化状ＱＣが状ＢＡに遷移す
る場合を考えると、この温度範囲内で、 ２Ｍｓ＋ｔ＋＋Ｈｅｘ＋σｗ ＝２１Ｍｓ＋ｌ ｂ＋
Ｈｃ＋となるような温度ＴＣＡが存在することになる。
熱ときに磁化状態Ｃから他の磁化状態に遷移しないため
の条件の一部が満足されない場合、すなわち媒体が室温
Ｔ１から上記第１のキュリー温度ＴＣＩに加熱される間
（Ｔ諏＜Ｔ＜Ｔｅ１）にモｄ化状ＱＣが状ＢＡに遷移す
る場合を考えると、この温度範囲内で、 ２Ｍｓ＋ｔ＋＋Ｈｅｘ＋σｗ ＝２１Ｍｓ＋ｌ ｂ＋
Ｈｃ＋となるような温度ＴＣＡが存在することになる。
この場合、オーバーライドが可能となるためには、媒体
が上記−度Ｔｔにまで加熱された後に冷却されるときに
、磁化状ＢＢから状態Ｃに遷移する温度をＴ２Ｃとする
と、 Ｔ、、＜ＴＣ。
が上記−度Ｔｔにまで加熱された後に冷却されるときに
、磁化状ＢＢから状態Ｃに遷移する温度をＴ２Ｃとする
と、 Ｔ、、＜ＴＣ。
が必要条件となる。なお、この条件式が満たされない場
合でも、ＴｉｃからＴＣＡに冷却される時間内に第１層
の磁性薄膜３が磁化反転を生じなければ、オーバーライ
ドが可能である。このようなＴ、Ａが存在する場合には
、再生時のＴがＴ＜ＴＣＡを満足する温度範囲内で再生
することが必要とされることは勿論である。
合でも、ＴｉｃからＴＣＡに冷却される時間内に第１層
の磁性薄膜３が磁化反転を生じなければ、オーバーライ
ドが可能である。このようなＴ、Ａが存在する場合には
、再生時のＴがＴ＜ＴＣＡを満足する温度範囲内で再生
することが必要とされることは勿論である。
ここで、上述の説明においては、状ｇＡ、Ｂ及び状Ｂｃ
を用いて磁化状態の変化を説明しているが、初期状態の
第２の磁性薄膜４の磁気モーメントの向きを上記と逆に
揃える場合には、状態Ａ、Ｂ及び状、ＧＤを用いても同
様なオーバーライドが可能である。すなわちこの場合に
は、状Ｑ Ｂを上述の実施例の状態Ａに対応させ、同様
に、状態Ａを已に、状態りをＣに、さらに状ＧＣをＤ４
こ、それぞれ対応させるとともに、飽和磁化Ｍ、の定義
を、 〜１．＝ＭＴＭ Ｍａｗ に変更することにより、前述のオーバーライドの各条件
式をそのまま適用することができる。
を用いて磁化状態の変化を説明しているが、初期状態の
第２の磁性薄膜４の磁気モーメントの向きを上記と逆に
揃える場合には、状態Ａ、Ｂ及び状、ＧＤを用いても同
様なオーバーライドが可能である。すなわちこの場合に
は、状Ｑ Ｂを上述の実施例の状態Ａに対応させ、同様
に、状態Ａを已に、状態りをＣに、さらに状ＧＣをＤ４
こ、それぞれ対応させるとともに、飽和磁化Ｍ、の定義
を、 〜１．＝ＭＴＭ Ｍａｗ に変更することにより、前述のオーバーライドの各条件
式をそのまま適用することができる。
Ｇ−５，再生・保存のための磁化状態
ところで、オーバーライドを行うためには、前述したよ
うに信号の記録状態（第１の磁性薄膜３の磁化の向き）
にかかわらず、第２の磁性薄膜４の磁化の向きを同一方
向に揃えておくことが必要とされ、磁性二層膜５の各層
（第１、第２の磁性薄膜３．４）の磁気モーメントの向
きが互いに同じ向きの記録部分と、互いに逆向きの記録
部分とが存在する。しかしながら、再生時や記録媒体の
保存時等には、このような磁性二Ｎ膜５の各層の磁気モ
ーメントの向きが互いに逆となる反平行状態の部分が存
在すると、次のような不都合がある。
うに信号の記録状態（第１の磁性薄膜３の磁化の向き）
にかかわらず、第２の磁性薄膜４の磁化の向きを同一方
向に揃えておくことが必要とされ、磁性二層膜５の各層
（第１、第２の磁性薄膜３．４）の磁気モーメントの向
きが互いに同じ向きの記録部分と、互いに逆向きの記録
部分とが存在する。しかしながら、再生時や記録媒体の
保存時等には、このような磁性二Ｎ膜５の各層の磁気モ
ーメントの向きが互いに逆となる反平行状態の部分が存
在すると、次のような不都合がある。
すなわち、先ず、各薄膜３．４が上記反平行状態になっ
ていると、再生特性を向上させるためには第１の薄膜３
の膜厚り、を厚くしなければならず、磁化過程の計算か
ら第２の薄膜４の膜厚ｈ２も厚い方がよいことから、磁
性二層膜５の膜厚はかなり厚くなってしまい、上記加熱
を行うために大出力レーザを必要とするが、このような
大出力レーザの供給は現状では困難である。また、室温
等での保存時においても、磁性二層膜５の各層の磁気モ
ーメントが反平行状態では、磁場や熱に対して不安定で
ある。さらに、この反平行状態は、一方の磁性薄膜３の
みが情轢を担っている状態であり、カー効果を利用して
再生する場合、この薄膜３からしか情報を読み出せない
。特に、上述のように、第１の薄膜３のキュリー温度Ｔ
ＣＩより第２の薄膜４のキュリー温度ＴＣ２の方が高い
（ＴＣ＋＜Ｔｅｘ）場合には、各薄膜３．４のカー回転
角θ、いθ、２は一般にθ。の方が大きい（θ□くθ。
ていると、再生特性を向上させるためには第１の薄膜３
の膜厚り、を厚くしなければならず、磁化過程の計算か
ら第２の薄膜４の膜厚ｈ２も厚い方がよいことから、磁
性二層膜５の膜厚はかなり厚くなってしまい、上記加熱
を行うために大出力レーザを必要とするが、このような
大出力レーザの供給は現状では困難である。また、室温
等での保存時においても、磁性二層膜５の各層の磁気モ
ーメントが反平行状態では、磁場や熱に対して不安定で
ある。さらに、この反平行状態は、一方の磁性薄膜３の
みが情轢を担っている状態であり、カー効果を利用して
再生する場合、この薄膜３からしか情報を読み出せない
。特に、上述のように、第１の薄膜３のキュリー温度Ｔ
ＣＩより第２の薄膜４のキュリー温度ＴＣ２の方が高い
（ＴＣ＋＜Ｔｅｘ）場合には、各薄膜３．４のカー回転
角θ、いθ、２は一般にθ。の方が大きい（θ□くθ。
）ため、第２の薄膜４側から信号続出を行った方がＳＮ
比がよくなるわけであるが、上記反平行状態のままでは
このような読み出しは行えない、このようなことから、
再生時や記録媒体の保存時等には、第２のａＭ２４の磁
気モーメントの向きを第１の薄膜３の磁気モーメントの
向きと同じにすることが望ましい。
比がよくなるわけであるが、上記反平行状態のままでは
このような読み出しは行えない、このようなことから、
再生時や記録媒体の保存時等には、第２のａＭ２４の磁
気モーメントの向きを第１の薄膜３の磁気モーメントの
向きと同じにすることが望ましい。
このための条件について説明すると、第１図の磁化状、
ＳＡ及びＣの記録部分を有する（■気記録媒体に対して
、外部磁場Ｈｅｘと同し方向を正方向とする外部磁場Ｈ
ｅｘ＋を印加し、磁化状態Ｃを磁化状、Ｑ１３へと遷移
させるための条件は、２Ｍｓ＋ｈ＋Ｈｅｘ、−１−σ、
＜２１Ｍ５＋ｌｌ＋＋）Ｉｃ＋−２Ｍ１ｚｈＪｅＸ＋
＋σｗ ＞２１Ｍ５ｚｌ ｈＪｃｚとなる。なお、これ
と同時に、磁化状態Ａが他の磁化状態に遷移しないため
の条件一 ２Ｍ５＋ｔｌ＋ＨｅＸ＋−２Ｍ５ｚｈＪｅＸ＋く２１〜
ｆｓ＋ｌｈ＋Ｈｃ＋＋２１ＭｓｚｌｈｚＨｃｚ２Ｍｓｌ
ｈ＋ＨｅＸ＋−σ、＜２１〜（ｓ＋ｌ ｈ＋Ｈｃ＋２Ｍ
１ＪｚＨｅＸ＋ ｔｙｗ ＜２１Ｍ５ｉｌｈＪｃｔが
必要であることは勿論である。
ＳＡ及びＣの記録部分を有する（■気記録媒体に対して
、外部磁場Ｈｅｘと同し方向を正方向とする外部磁場Ｈ
ｅｘ＋を印加し、磁化状態Ｃを磁化状、Ｑ１３へと遷移
させるための条件は、２Ｍｓ＋ｈ＋Ｈｅｘ、−１−σ、
＜２１Ｍ５＋ｌｌ＋＋）Ｉｃ＋−２Ｍ１ｚｈＪｅＸ＋
＋σｗ ＞２１Ｍ５ｚｌ ｈＪｃｚとなる。なお、これ
と同時に、磁化状態Ａが他の磁化状態に遷移しないため
の条件一 ２Ｍ５＋ｔｌ＋ＨｅＸ＋−２Ｍ５ｚｈＪｅＸ＋く２１〜
ｆｓ＋ｌｈ＋Ｈｃ＋＋２１ＭｓｚｌｈｚＨｃｚ２Ｍｓｌ
ｈ＋ＨｅＸ＋−σ、＜２１〜（ｓ＋ｌ ｈ＋Ｈｃ＋２Ｍ
１ＪｚＨｅＸ＋ ｔｙｗ ＜２１Ｍ５ｉｌｈＪｃｔが
必要であることは勿論である。
これらの条件を、使用温度あるいは再生時の媒体温度に
おいて満足することが必要とされるが、さらに、熱磁気
記録媒体の異なる位置に他の外部磁場Ｈａｘ□等が印加
されている場合は、上記条件の上に、下記条件を満足す
ることが必要とさ机る。
おいて満足することが必要とされるが、さらに、熱磁気
記録媒体の異なる位置に他の外部磁場Ｈａｘ□等が印加
されている場合は、上記条件の上に、下記条件を満足す
ることが必要とさ机る。
ここで、外部（Ｒ場Ｈｅｘｔの方向は、上記外部磁場Ｈ
，，１の方向と同じ向きを正とし、Ｈｅｘｚ＜０の場合
あり得るものとする。先ず、石ｄ化状ＱＡが他の磁化状
態に遷移しない条件は、上記条件式のＨ・％１をＨｏ、
に置き換えることで得られる。次に、上記状態Ｃから遷
移せられた磁化状態Ｂが、他の状籟に遷移しないための
条件は、 ２Ｍｓ＋ｌ’ｌ＋ Ｈｅｘｘ＋２Ｍ５ｚｔｌｚＨ＊ｘｚ
＜ ２ ＩＭ ５１１ｈ＋Ｈｃｌ” ２ ＩＭ ｓｔｌ
ｈＪｃｚ２Ｍｓ ｌ ｈ −Ｈ−−ｚ−σｗ ＜２１
Ｍ５１１１Ｔ＋ｌＩｃ＋２Ｍ５ｚｈｚ Ｈ−、ｌｚ−σ
ｗ ＜２１Ｍ５２１ ｈＪｃｚとなる。
，，１の方向と同じ向きを正とし、Ｈｅｘｚ＜０の場合
あり得るものとする。先ず、石ｄ化状ＱＡが他の磁化状
態に遷移しない条件は、上記条件式のＨ・％１をＨｏ、
に置き換えることで得られる。次に、上記状態Ｃから遷
移せられた磁化状態Ｂが、他の状籟に遷移しないための
条件は、 ２Ｍｓ＋ｌ’ｌ＋ Ｈｅｘｘ＋２Ｍ５ｚｔｌｚＨ＊ｘｚ
＜ ２ ＩＭ ５１１ｈ＋Ｈｃｌ” ２ ＩＭ ｓｔｌ
ｈＪｃｚ２Ｍｓ ｌ ｈ −Ｈ−−ｚ−σｗ ＜２１
Ｍ５１１１Ｔ＋ｌＩｃ＋２Ｍ５ｚｈｚ Ｈ−、ｌｚ−σ
ｗ ＜２１Ｍ５２１ ｈＪｃｚとなる。
この再生・保存のための磁化状態の説明においても、状
ＢＡ、Ｂ及び状態Ｃを用いて磁化状態の変化を説明して
いるが、初期状態の第２の磁性薄膜４の副格子ｒ磁化の
向きを上記と逆に揃える場合には、状ＧＡ、Ｂ及び状Ｂ
Ｄを用いても同様な磁化状態の遷移が可能である。すな
わちこの場合には、状ＧＢを上述の実施例の状態Ａに対
応させ、同様に、状態ＡをＢに、状ＢＤをＣに、さらに
状態ＣをＤに、それぞれ対応させ、オーバーライド終了
時の磁化状ｇＨ）を、再生・保存に適した石Ｒ化状態Ａ
に遷羊多させるようにするものである。
ＢＡ、Ｂ及び状態Ｃを用いて磁化状態の変化を説明して
いるが、初期状態の第２の磁性薄膜４の副格子ｒ磁化の
向きを上記と逆に揃える場合には、状ＧＡ、Ｂ及び状Ｂ
Ｄを用いても同様な磁化状態の遷移が可能である。すな
わちこの場合には、状ＧＢを上述の実施例の状態Ａに対
応させ、同様に、状態ＡをＢに、状ＢＤをＣに、さらに
状態ＣをＤに、それぞれ対応させ、オーバーライド終了
時の磁化状ｇＨ）を、再生・保存に適した石Ｒ化状態Ａ
に遷羊多させるようにするものである。
Ｇ−６熱磁気記録媒体の具体何
次に、上記熱磁気記録媒体１０内の磁性二層膜５の各磁
性薄膜３．４として用いられる磁性材料の具体例につい
て説明する。
性薄膜３．４として用いられる磁性材料の具体例につい
て説明する。
所謂ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用いて、上
記第２図の退引基板ｌとなるスライドガラス上に、上記
第１、第２の磁性薄膜３．４となるＲ Ｅ−ＴＭフェリ
礎性′３膜を（誘電体膜２を介さずに）順次被着形成し
て磁性二層膜５を構成する。この場合、ＲＥ−７Ｍフェ
リ（■性薄膜３．４については、ＲＭ（希土類金属）と
ＴＭ（遷移金属）とを交互に４層させることにより形成
しており、これらの磁性ｙｉ膜３．４より成る磁性二層
膜５の酸化防止のため、表面側（第２図の下面側）には
厚さ８００人の保護ＩＩ！Ｊ６を被着形成している。
記第２図の退引基板ｌとなるスライドガラス上に、上記
第１、第２の磁性薄膜３．４となるＲ Ｅ−ＴＭフェリ
礎性′３膜を（誘電体膜２を介さずに）順次被着形成し
て磁性二層膜５を構成する。この場合、ＲＥ−７Ｍフェ
リ（■性薄膜３．４については、ＲＭ（希土類金属）と
ＴＭ（遷移金属）とを交互に４層させることにより形成
しており、これらの磁性ｙｉ膜３．４より成る磁性二層
膜５の酸化防止のため、表面側（第２図の下面側）には
厚さ８００人の保護ＩＩ！Ｊ６を被着形成している。
また、二層膜５と同一条件で各層の羊層膜を作製し、各
層の磁気特性及び上記界面磁壁エネルギ密度σ、を評価
した。ここで、各薄膜３．４の材料、膜厚及び室温にお
ける特性を第１表に示す。
層の磁気特性及び上記界面磁壁エネルギ密度σ、を評価
した。ここで、各薄膜３．４の材料、膜厚及び室温にお
ける特性を第１表に示す。
第１表
以下余白
これらの第１、第２の磁性薄膜３．４は、いずれも室温
において、その磁化はＲＥの副格子磁化の方がＴＭ副格
子磁化より太きく （ＲＥリッチ）、第１層の薄膜３
は１３０℃付近に、第２フの薄膜４は１５５℃付近にそ
れぞれｉｆ！気補償点を有している。室温での界面磁壁
エネルポ書度σ８は、ｌ。
において、その磁化はＲＥの副格子磁化の方がＴＭ副格
子磁化より太きく （ＲＥリッチ）、第１層の薄膜３
は１３０℃付近に、第２フの薄膜４は１５５℃付近にそ
れぞれｉｆ！気補償点を有している。室温での界面磁壁
エネルポ書度σ８は、ｌ。
８ （ｅｒｇ／ｃｍ”）である。
このような二層Ｂ！２５を作製した媒体試料に、外部磁
場２０ｋＯｅを印加し、磁化状、蚊が、上記第４図の状
ＢＡとなるように初期化を行った。次に、上記第１図の
外部磁場Ｈｅｘとして２．３ｋＯｅを印加した状態で、
上記試料を温度Ｔにまで加熱し、その後、室温まで冷却
した。この間、スライドガラス等の上記通関基板１側か
ら波長８３０ｎｍの直線偏光の光を照射して所謂カー効
果により、磁化状態の観察を行った。このとき、上記力
ｕ熱温度Ｔを１５０℃とした場合には、加熱・冷却後の
磁化状態は加熱前と変化がなく、上記状、健Ａとなって
いた。これに対して、加熱温度Ｔを２００℃とした場合
には、昇温時にＴ＝１７８℃において第２石の磁性薄膜
３がぞ■化反転を生した。また、冷却過程での磁化状態
は、Ｔ＝１３０℃のとき、上記状ＩＢとなることが認め
られた。さらに、Ｔ＝４７℃において磁化状６．Ｂから
磁化状態Ｃへの遷移が生じ、その状態で室温Ｔ、まで冷
却され、Ｈｅｘ＝０としても状態の変化は見られなかっ
た。
場２０ｋＯｅを印加し、磁化状、蚊が、上記第４図の状
ＢＡとなるように初期化を行った。次に、上記第１図の
外部磁場Ｈｅｘとして２．３ｋＯｅを印加した状態で、
上記試料を温度Ｔにまで加熱し、その後、室温まで冷却
した。この間、スライドガラス等の上記通関基板１側か
ら波長８３０ｎｍの直線偏光の光を照射して所謂カー効
果により、磁化状態の観察を行った。このとき、上記力
ｕ熱温度Ｔを１５０℃とした場合には、加熱・冷却後の
磁化状態は加熱前と変化がなく、上記状、健Ａとなって
いた。これに対して、加熱温度Ｔを２００℃とした場合
には、昇温時にＴ＝１７８℃において第２石の磁性薄膜
３がぞ■化反転を生した。また、冷却過程での磁化状態
は、Ｔ＝１３０℃のとき、上記状ＩＢとなることが認め
られた。さらに、Ｔ＝４７℃において磁化状６．Ｂから
磁化状態Ｃへの遷移が生じ、その状態で室温Ｔ、まで冷
却され、Ｈｅｘ＝０としても状態の変化は見られなかっ
た。
次に、状、ＱＣとなっている試料に対しても同様に外部
磁場Ｈｅｘとして２．３ｋＯｅを印加し、加熱・冷却を
行った。この場合、媒体加熱温度Ｔが１５０℃のとき、
加熱・冷却後の磁化状態は状態Ａとなり、Ｔ＝２００℃
のときの冷却後の磁化状態はＣとなった。
磁場Ｈｅｘとして２．３ｋＯｅを印加し、加熱・冷却を
行った。この場合、媒体加熱温度Ｔが１５０℃のとき、
加熱・冷却後の磁化状態は状態Ａとなり、Ｔ＝２００℃
のときの冷却後の磁化状態はＣとなった。
Ｇ−７，他の実施例
なお、本発明は、上記実施例のみに限定されるものでは
なく、例えば熱磁気記録媒体の磁性二層膜の各層として
は、フェリ磁性薄膜以外にフェロ磁性薄膜も使用できる
。
なく、例えば熱磁気記録媒体の磁性二層膜の各層として
は、フェリ磁性薄膜以外にフェロ磁性薄膜も使用できる
。
以上、本発明の具体例を二層間の磁気的結合エネルギが
両層の交換結合による例をもって説明したが、この磁気
的結合エネルギは、両層の静磁気結合によるもの、ある
いは交換結合に加えて静磁気結合によるものであっても
かまわない。
両層の交換結合による例をもって説明したが、この磁気
的結合エネルギは、両層の静磁気結合によるもの、ある
いは交換結合に加えて静磁気結合によるものであっても
かまわない。
Ｈ９発明の効果
本発明の熱磁気記録方法によれば、レーザ光等の加熱ビ
ームの強度や照射時間を情報信号に応して変調し、媒体
の加熱温度を第１、第２の温度の間で切換制御するだけ
の簡単な構成により、媒体に対する情報の記録が有効に
行える。
ームの強度や照射時間を情報信号に応して変調し、媒体
の加熱温度を第１、第２の温度の間で切換制御するだけ
の簡単な構成により、媒体に対する情報の記録が有効に
行える。
第１図は本発明の一実施例の動作を説明するための磁化
状態図、第２図は該実施例に用いられる熱（■気記録媒
体の積層構造を概略的に示す要部断面図、第３図は記録
装置の一例を概略的に示す概略構成図、第４図は磁化状
態の遷移を説明するための図、第５図は第２の磁性薄膜
４の磁化及び保磁力の温度特性を示すグラフである。 ３・λ・第１の磁性薄膜 ４・・・第２の磁性３膜 ５・・・磁性二Ｎ膜 ７・・・界面磁壁
状態図、第２図は該実施例に用いられる熱（■気記録媒
体の積層構造を概略的に示す要部断面図、第３図は記録
装置の一例を概略的に示す概略構成図、第４図は磁化状
態の遷移を説明するための図、第５図は第２の磁性薄膜
４の磁化及び保磁力の温度特性を示すグラフである。 ３・λ・第１の磁性薄膜 ４・・・第２の磁性３膜 ５・・・磁性二Ｎ膜 ７・・・界面磁壁
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 第１、第２の磁性薄膜が磁気的に結合されて積層され、
これらの第１、第２の磁性薄膜の各磁気モーメントが互
いに逆向きに結合されている部分を有する積層膜を含む
熱磁気記録媒体を用い、上記第１の磁性薄膜の略々キュ
リー温度Ｔ＿Ｃ＿１以上でかつ上記第２の磁性薄膜の副
格子磁化の反転が生じない温度Ｔ＿１に加熱する第１の
加熱状態と、上記温度Ｔ＿Ｃ＿１以上でかつ上記第２の
磁性薄膜の副格子磁化を反転させるに充分な温度Ｔ＿２
に加熱する第２の加熱状態とを、記録しようとする情報
信号に応じて変調し、 上記第２の磁性薄膜は、室温と上記第２の加熱状態の温
度Ｔ＿２との間に補償点を有し、 上記それぞれの加熱状態から冷却する過程で、上記第１
、第２の磁性薄膜の交換結合力により上記第１の磁性薄
膜副格子磁化の向きが上記第２の磁性薄膜の副格子磁化
の向きに揃えられて熱磁気記録媒体に記録磁化を形成す
るとともに、室温までの冷却過程で第２の磁性薄膜の副
格子磁化が反転することを特徴とする熱磁気記録方法。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61194962A JPS6352355A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | 熱磁気記録方法 |
| CA000544667A CA1322408C (en) | 1986-08-20 | 1987-08-17 | Thermomagnetic recording method applying power modulated laser on a magnetically coupled double layer structure of perpendicular anisotropy film |
| DE3783833T DE3783833T3 (de) | 1986-08-20 | 1987-08-18 | Methode zum thermomagnetischen Aufzeichnen durch Anlegung eines leistungsmodulierten Lasers an eine magnetisch gekoppelte Doppelschicht-Struktur mit quermagnetischem anisotropischem Film. |
| EP87111990A EP0257530B2 (en) | 1986-08-20 | 1987-08-18 | Thermo-magnetic recording method applying power modulated laser on magnetically coupled double layer structure of perpendicular anisotropy film |
| AU77146/87A AU593127B2 (en) | 1986-08-20 | 1987-08-18 | Thermo-magnetic recording method applying power modulated laser on magnetically coupled double layer structure of perpendicular antisotropy film |
| AT87111990T ATE85144T1 (de) | 1986-08-20 | 1987-08-18 | Methode zum thermomagnetischen aufzeichnen durch anlegung eines leistungsmodulierten lasers an eine magnetisch gekoppelte doppelschicht-struktur mit quermagnetischem anisotropischem film. |
| CN87106297A CN1012656B (zh) | 1986-08-20 | 1987-08-20 | 热磁记录方法 |
| US07/087,440 US4955007A (en) | 1986-08-20 | 1987-08-20 | Thermomagnetic recording method applying power modulated laser on a magnetically coupled double layer structure of perpendicular anisotropy film |
| KR1019870009085A KR950013704B1 (ko) | 1986-08-20 | 1987-08-20 | 열자기 기록 방법 및 열자기 기록 매체의 신호 재생 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61194962A JPS6352355A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | 熱磁気記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6352355A true JPS6352355A (ja) | 1988-03-05 |
Family
ID=16333225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61194962A Pending JPS6352355A (ja) | 1986-08-20 | 1986-08-20 | 熱磁気記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6352355A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6464152A (en) * | 1987-05-20 | 1989-03-10 | Nippon Telegraph & Telephone | Magneto-optical recording system |
| EP0901121A2 (en) * | 1988-07-13 | 1999-03-10 | Sony Corporation | Thermomagnetic recording method |
| US6132862A (en) * | 1991-05-16 | 2000-10-17 | Sony Corporation | Magneto-optical recording medium |
-
1986
- 1986-08-20 JP JP61194962A patent/JPS6352355A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6464152A (en) * | 1987-05-20 | 1989-03-10 | Nippon Telegraph & Telephone | Magneto-optical recording system |
| EP0901121A2 (en) * | 1988-07-13 | 1999-03-10 | Sony Corporation | Thermomagnetic recording method |
| EP0901121B1 (en) * | 1988-07-13 | 2003-05-21 | Sony Corporation | Thermomagnetic recording method |
| US6132862A (en) * | 1991-05-16 | 2000-10-17 | Sony Corporation | Magneto-optical recording medium |
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