JPH06267129A

JPH06267129A - 光磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH06267129A
Application number: JP5080163A
Authority: JP
Inventors: Satoru Kikitsu; 哲喜々津; Katsutaro Ichihara; 勝太郎市原; Susumu Hashimoto; 進橋本; Keiichirou Yuzusu; 圭一郎柚須; Koichiro Inomata; 浩一郎猪俣; Akio Hori; 昭男堀
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1993-03-15
Filing date: 1993-03-15
Publication date: 1994-09-22
Anticipated expiration: 2018-03-04
Also published as: JP3381960B2

Abstract

(57)【要約】【目的】変調磁界の小さい磁性人工格子薄膜を用いた光
磁気記録媒体、及び磁性人工格子薄膜を用い、光変調ダ
イレクトオーバーライトの可能な光磁気記録媒体を提供
することを目的としている。【構成】磁性体薄膜と貴金属薄膜とが交互に積層さ
れ、垂直磁気異方性を有する磁性人工薄膜からなる記録
層を形成して光磁気記録媒体を作製し、記録層の磁化を
Ｍ_S、膜厚をｄとしたときに、ｄとＭ_Sとの積を６５０
０ｎｍ・ｅｍｕ／ｃｃ以下に設定する。また、上記記録
層に静磁的に結合するようにバイアス層を設けて光磁気
記録媒体を作製し、ｄとＭ_Sとの積を３０００ｎｍ・
ｅｍｕ／ｃｃ以下に設定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はいわゆる磁性人工格子薄
膜を利用した光磁気記録媒体に関し、さらには直接重ね
書きが可能な光磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】垂直磁気異方性を持つ磁性体薄膜にレー
ザを照射し、情報の記録・再生・消去を行う光磁気記録
技術は、光記録技術の有する高記録密度性や媒体の可換
性といった特徴と、磁気記録技術の有するデータの書換
え性とを併せ持つメモリ技術として実用化されている。

【０００３】しかし、光磁気記録では、レンズによって
絞りこんだレーザビームスポットによって記録・消去・
再生を行っているため、記録密度はレーザの波長によっ
て上限が与えられる。現在よく使われている波長８３０
〜７８０ｎｍの半導体レーザを用いて、十分なキャリア
−ノイズ比（Ｃ／Ｎ）で記録・再生ができるのはトラッ
クピッチで１．６μｍ程度の密度であり、現行のレー
ザ、記録媒体、及び記録方法を用いる限りこれ以上の記
録密度を得ることはできない。

【０００４】この問題点を解決するために、レーザの波
長を短くしてビームスポット径を小さくする方法が検討
されている。従来用いられてきたアモルファス希土類−
遷移金属合金薄膜（ＲＥ−ＴＭ）は、短波長でカー回転
角が減少するため、上記のような短波長レーザを用いた
高密度記録に用いるには信号強度を増加させる工夫が必
要となる。

【０００５】この欠点を補う新しい高密度記録材料とし
て、近年Ｃｏに代表される磁性薄膜と、Ｐｔ、Ｐｄなど
に代表される貴金属薄膜を多数回積層させた磁性人工格
子薄膜が研究されている。

【０００６】しかし、磁性人工格子薄膜全体の飽和磁化
はＲＥ−ＴＭに比べて大きく、そのため自己漏洩磁界が
大きくなり、記録・消去が可能な磁界幅（変調磁界）が
大きくなるという欠点がある。このため、実用化するた
めに必要な、１ｋＯｅ程度以下の外部磁界で記録・消去
が可能であるという条件を満たすのが困難である。

【０００７】また、磁性人工格子薄膜を用いた光磁気記
録媒体を直接重ね書き（オーバーライト）することがで
きれば、高速・高密度の記録媒体が実現するが、交換結
合方式による光変調ダイレクトオーバーライト（例えば
特開昭６２−１７５９４８）を行うには、数ｋＯｅ以上
の磁界が印加される初期化プロセスにおいて磁化反転し
てはならない、という条件を満たす必要があり、保磁力
が数ｋＯｅ程度以下と小さい磁性人工格子薄膜をこのオ
ーバーライト方式に用いることは困難である。

【０００８】さらに、磁性人工格子を用いた光磁気記録
媒体において再生信号を大きくするためには、カー回転
角などの磁気光学効果を増大させればよいが、磁気光学
効果に直接寄与するのがＣｏ等の磁性体であるため、磁
性体の量はできるだけ多いほが好ましい。従って、磁性
人工格子の各層の膜厚比をｔ_M／ｔ_N（ただし、ｔ_Mは
磁性体薄膜、ｔ_Nは貴金属薄膜）で表わした場合に、ｔ
_M／ｔ_Nの値はできるだけ大きいほうが好ましい。しか
しながら、この値が１／２を超えて大きくなると角形比
が低下し、良好な垂直磁化膜が得られないという問題が
ある（J.Appl.Phys.,67(4), p2136, (1990) ）。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような事
情に鑑みてなされたものであって、その目的は、第１
に、変調磁界の小さい磁性人工格子薄膜を記録層として
用いた光磁気記録媒体を提供することにある。第２に、
再生信号が大きく、かつ変調磁界の小さい磁性人工格子
薄膜を記録層として用いた光磁気記録媒体を提供するこ
とにある。第３に、磁性人工格子薄膜を用い、光変調直
接重ね書き（ダイレクトオーバーライト）が可能な光磁
気記録媒体を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、第１に、磁性体薄膜と貴金属薄膜とが交
互に積層され、垂直磁気異方性を有する磁性薄膜からな
る記録層を備えた光磁気記録媒体であって、前記磁性薄
膜の磁化をＭ_S、膜厚をｄとしたときに、ｄとＭ_Sとの
積が６５００ｎｍ・ｅｍｕ／ｃｃ以下であることを特徴
とする光磁気記録媒体を提供する。

【００１１】第２に、記録層と、この記録層に静磁的に
結合されたバイアス層からなる光磁気記録媒体であっ
て、前記記録層が磁性体薄膜と貴金属薄膜とが交互に積
層され、垂直磁気異方性を有する磁性薄膜であり、その
磁化をＭ_S、膜厚をｄとしたときに、ｄとＭ_Sとの積が
３０００ｎｍ・ｅｍｕ／ｃｃ以下であることを特徴とす
る光磁気記録媒体を提供する。

【００１２】第３に、磁性体薄膜と貴金属薄膜とが交互
に積層され、その状態を（Ｍ／Ｎ）ｎ（ただし、Ｍは磁
性体薄膜、Ｎは貴金属薄膜、ｎは積層数）で表わし、１
層当りの膜厚比をｔ_M／ｔ_N（ただし、ｔ_Mは磁性体薄
膜、ｔ_Nは貴金属薄膜）で表わした場合に、１≦ｎ≦
５、かつ０．６≦ｔ_M／ｔ_Nの条件を満足し、垂直磁気
異方性を有する磁性薄膜からなる記録層を備えた光磁気
記録媒体であって、前記磁性薄膜の磁化をＭ_S、膜厚を
ｄとしたときに、ｄとＭ_Sとの積が６５００ｎｍ・ｅｍ
ｕ／ｃｃ以下であることを特徴とする光磁気記録媒体を
提供する。

【００１３】第４に、記録層と、この記録層に静磁的に
結合されたバイアス層からなる光磁気記録媒体であっ
て、前記記録層が磁性体薄膜と貴金属薄膜とが交互に積
層され、その状態を（Ｍ／Ｎ）ｎ（ただし、Ｍは磁性体
薄膜、Ｎは貴金属薄膜、ｎは積層数）で表わし、１層当
りの膜厚比をｔ_M／ｔ_N（ただし、ｔ_Mは磁性体薄膜、
ｔ_Nは貴金属薄膜）で表わした場合に、１≦ｎ≦５、か
つ０．６≦ｔ_M／ｔ_Nの条件を満足し、垂直磁気異方性
を有する磁性薄膜であり、その磁化をＭ_S、膜厚をｄと
したときに、ｄとＭ_Sとの積が３０００ｎｍ・ｅｍｕ／
ｃｃ以下であることを特徴とする光磁気記録媒体を提供
する。

【００１４】第５に、磁性体薄膜と貴金属薄膜とが交互
に積層され、磁性薄膜が非磁性層を介して積層された垂
直磁気異方性を有する積層体からなる記録層を備えた光
磁気記録媒体であって、前記積層体の磁化をＭ_S、膜厚
をｄとしたときに、ｄとＭ_Sとの積が６５００ｎｍ・ｅ
ｍｕ／ｃｃ以下であることを特徴とする光磁気記録媒体
を提供する。

【００１５】第６に、記録層と、この記録層に静磁的に
結合されたバイアス層からなる光磁気記録媒体であっ
て、前記記録層が磁性体薄膜と貴金属薄膜とが交互に積
層され、磁性薄膜が非磁性層を介して積層された垂直磁
気異方性を有する積層体からなり、その磁化をＭ_S、膜
厚をｄとしたときに、ｄとＭ_Sとの積が３０００ｎｍ・
ｅｍｕ／ｃｃ以下であることを特徴とする光磁気記録媒
体を提供する。

【００１６】この発明の第１の態様により変調磁界が小
さい磁性人工格子薄膜を記録層として用いた光磁気記録
媒体が提供される。また、第３及び第５の態様により、
再生信号が大きく、かつ変調磁界の小さい磁性人工格子
薄膜を記録層として用いた光磁気記録媒体が提供され
る。さらに、第２、第４、第６の態様により磁性人工格
子薄膜を用い、光変調直接重ね書き（ダイレクトオーバ
ーライト）が可能な光磁気記録媒体が提供される。

【００１７】先ず、本発明の第１の態様について説明す
る。

【００１８】図１は本発明の第１の態様に係る光磁気記
録媒体の典型的な断面構成を示す。図１において、１１
は基板、１２は干渉層、１３は磁性人工格子薄膜からな
る記録層、１４は保護層、１７は外部印加磁石、１８は
レーザ光である。

【００１９】記録層１３は磁性体薄膜（以下、磁性層と
いう）と貴金属薄膜（以下、貴金属層という）を交互に
積層した磁性人工格子薄膜薄膜からなる。各層の界面は
原子オーダーで平坦である必要はない。また、磁性層と
貴金属層の厚さは、磁性人工格子薄膜が垂直磁気異方性
を持つ限りにおいて特に限定されない。また、各層の厚
さは、磁性人工格子薄膜全体を通して常に一定の厚さで
ある必要はない。磁性層を構成する材料としては磁性金
属であるＣｏが代表的であるが、他にＦｅ、Ｎｉ等が挙
げられる。また、磁性層はこれらの複合系でも構わな
い。貴金属層を構成する材料としては、Ｐｔが代表的で
あるが、他にＰｄ、Ｒｕ、Ａｕ、Ａｇ等が挙げられ、こ
れも複合系でも構わない。また、保磁力の向上、角形比
の向上のために、貴金属あるいは他の材料からなる下地
層を最初に積層することも可能である。記録層１３は、
その磁化をＭ_S、膜厚をｄとしたときに、ｄとＭ_Sとの
積が６５００ｎｍ・ｅｍｕ／ｃｃ以下である。これによ
り自己漏洩磁界を低減し、変調磁界を実用的な８００
Ｏｅ以下にすることができる。

【００２０】干渉層１２、保護層１４は通常の光磁気記
録媒体で用いるＳｉ−Ｎ、Ｓｉ−Ｏ、Ｚｒ−Ｏ、Ａｌ−
Ｏ、Ａｌ−Ｎ、Ｚｎ−Ｓ、Ｔｉ−Ｏ等の金属化合物材料
や保護機能を高めるなど本発明とは別の目的で金属元素
等を添加した金属化合物材料、プラズマ重合膜等の有機
物材料などの非磁性体であり、用いるレーザの波長に対
して本発明を実施する上で必要な透光性を有していれば
何を用いてもかまわない。また、保護層１４は透光性を
有していなくてもかまわない。なお、干渉層１２と保護
層１４は必須なものではなく、省略することもできる。

【００２１】基板１１としては、ガラス、ポリカーボネ
イト、ポリメチルメタクリレート、ポリオレフィン等従
来より光ディスク基板として用いられている材料等の中
から幅広く選択が可能である。

【００２２】上記の光磁気記録媒体の記録・消去・再生
時には外部磁石１７を使って外部磁界Ｈ_exを印加しても
よい。外部磁石は電磁石であっても永久磁石であっても
かまわない。Ｈ_exは必ずしも必要ではなく、また、再生
時のみに印加しても、記録・消去・再生全過程を通して
印加してもよい。

【００２３】次に、本発明の第２の態様について説明す
る。

【００２４】図２に本発明の光磁気記録媒体の典型的な
断面構成を示す。図２において、２１は基板、２２は干
渉層、２３は磁性人工格子薄膜からなる記録層、２４は
保護層、２５は中間層、２６はバイアス層、２７は外部
印加磁石、２８はレーザ光である。

【００２５】磁性人工格子薄膜からなる記録層２３は、
図１の記録層と、ｄとＭ_Sの積の条件を除いて同じもの
である。そして、そのｄとＭ_Sとの積を３０００ｎｍ・
ｅｍｕ／ｃｃ以下になるように設定して自己漏洩磁界を
更に低減し、その磁性人工格子薄膜に静磁的に結合され
たバイアス層を積層して、光変調ダイレクトオーバーラ
イトを実現するものである。

【００２６】バイアス層２６は記録層２３に対しその磁
化の反転に必要なバイアス磁界を与えるためのものであ
り、本発明の主旨を逸脱しない範囲で、それ自体単層で
あっても多層であってもかまわない。熱伝導率の大きい
中間層２５を設けることによって、交換力、漏洩磁界が
適切になるように各層の温度上昇をコントロールするこ
ともできる。また、透明な誘電体層を中間層２５として
用いることによって、カー回転角の増加、各層の吸収率
のコントロールといった干渉層としての役割を担わせる
こともできる。なお、この態様において最低限必要なの
は記録層２３、バイアス層２６であって、記録層２３と
バイアス層２６が静磁結合が主となるように積層されて
いれば中間層２５は必ずしも必要がなく、例えば記録層
の表面を酸化等で改質させたものでもかまわない。

【００２７】干渉層２２、中間層２５、保護層２４は通
常の光磁気記録媒体で用いるＳｉ−Ｎ、Ｓｉ−Ｏ、Ｚｒ
−Ｏ、Ａｌ−Ｏ、Ａｌ−Ｎ、Ｚｎ−Ｓ、Ｔｉ−Ｏ等の金
属化合物材料や保護機能を高めるなど本発明とは別の目
的で金属元素等を添加した金属化合物材料、プラズマ重
合膜等の有機物材料などの非磁性体で、用いるレーザの
波長に対して本発明を実施する上で必要な透光性を有し
ていれば何を用いてもかまわない。また、保護層２４は
透光性を有していなくてもかまわない。なお、干渉層２
２及び保護層２４は必須なものではなく、省略すること
もきる。

【００２８】なお、基板２１は第１の態様における基板
１１と同様なものを用いることができる。また、外部磁
石２７は第１の態様の外部磁石１７と同様のものを用い
ることができる。さらに、Ｈ_exは必ずしも必要ではな
く、また、再生時のみに印加しても、記録・消去・再生
全過程を通して印加してもよい。

【００２９】次に、本発明の第３の態様について説明す
る。

【００３０】図３に本発明の第３の態様に係る光磁気記
録媒体の典型的な断面構成を示す。図３において、３１
は基板、３２は干渉層、３３は磁性人工格子薄膜からな
る記録層、３４は保護層、３７は外部印加磁石、３８は
レーザ光である。

【００３１】基板３１、干渉層３２、保護層３４は第１
の態様と同様に構成される。また、干渉３２、保護層３
４は必須なものではなく、省略することもできる。

【００３２】記録層１３は、図４に示すように、磁性層
４１及び貴金属層４２の（Ｍ／Ｎ）ユニットをｎ回積層
して構成されている。磁性層４１を構成する材料として
は磁性金属であるＣｏが代表的であるが、他にＦｅ、Ｎ
ｉ等が挙げられる。また、磁性層４１はこれらの複合系
でも構わない。貴金属層４２を構成する材料としては、
Ｐｔが代表的であるが、他にＰｄ、Ｒｕ、Ａｕ、Ａｇ等
が挙げられ、これも複合系でも構わない。十分な保磁力
を得るためには、磁性層４１の膜厚ｔ_Mと貴金属層４２
の膜厚ｔ_Nとの比ｔ_M／ｔ_Nが０．６以上であることが
必要である。また、磁性体の比率が高くなると垂直磁化
膜が得にくくなるため、ｔ_M／ｔ_Nは３以下であること
が好ましい。

【００３３】磁性層の厚さｔ_Mは、あまり厚いと垂直磁
化膜が得にくくなるので、その厚さは１６オングストロ
ーム以下が好ましい。また、あまり薄すぎると良好な磁
性を示さなくなるため、最低２オングストローム（以下
Ａと記す）であることが好ましい。さらに好ましくは、
３Ａ≦ｔ_M≦１５Ａである。

【００３４】貴金属層の厚さｔ_Nは、あまり薄すぎると
垂直磁化膜が得にくくなるので、その厚さは最低２Ａあ
ることが好ましい。また、磁性層間の磁気的結合を疎外
しない程度の厚さである１６Ａ以下であることが好まし
い。さらに好ましくは、３Ａ≦ｔ_N≦１５Ａである。

【００３５】積層数ｎは、多すぎると角形比が低下し、
良好な垂直磁化膜が得られなくなるので、５以下に規定
される。

【００３６】磁性体層、貴金属層の界面は原子オーダー
で平坦であってもなくてもよい。また、保磁力の向上、
角形比の向上のために、貴金属あるいは他の材料からな
る下地層を最初に積層することも可能である。なお、外
部磁石３７は第１の態様の外部磁石１７と同様のものを
用いることができる。

【００３７】次に、本発明の第４の態様について説明す
る。

【００３８】図５に本発明の第４の態様に係る光磁気記
録媒体の典型的な断面構成を示す。図５において、５１
は基板、５２は干渉層、５３は磁性人工格子薄膜からな
る記録層、５４は保護層、５５は中間層、５６はバイア
ス層、５７は外部印加磁石、５８はレーザ光である。

【００３９】磁性人工格子薄膜からなる記録層５３は、
図４で示した第３の態様と同様な構造を有しているが、
ｄとＭ_Sの積の条件が異なる。そして、そのｄとＭ_Sと
の積を３０００ｎｍ・ｅｍｕ／ｃｃ以下になるように設
定して自己漏洩磁界を更に低減し、その磁性人工格子薄
膜に静磁的に結合されたバイアス層を積層して、光変調
ダイレクトオーバーライトを実現するものである。

【００４０】バイアス層５６は記録層５３に対しその磁
化の反転に必要なバイアス磁界を与えるためのものであ
り、第２の態様におけるバイアス層２６と基本的に同じ
ものである。すなわち、記録層５３との間で静磁結合が
主となるような結合を形成する。

【００４１】干渉層５２、中間層５５、保護層５４も第
２の態様における干渉層２２、中間層２５、保護層２４
と同様に構成される。なお、基板５１は第１の態様にお
ける基板１１と同様なものを用いることができる。ま
た、外部磁石５７は第１の態様の外部磁石１７と同様の
ものを用いることができる。さらに、Ｈ_exは必ずしも必
要ではなく、また、再生時のみに印加しても、記録・消
去・再生全過程を通して印加してもよい。

【００４２】次に本発明の第５の態様について説明す
る。

【００４３】この態様における光磁気記録媒体の構造
は、基本的に第３の態様と同じであり、例えば図３に示
した構造を有している。ただし記録層は第３の態様と異
なる構造を有している。この態様における記録層の構造
例を図６に示す。図６において、６１は磁性層、６２は
貴金属層、６３は非磁性層であり、磁性層６１及び貴金
属層６２の（Ｍ／Ｎ）ユニットをｎ回積層した（Ｍ／
Ｎ）_nユニットが非磁性層６３を介してｍ回積層されて
いる。

【００４４】磁性層６１及び貴金属層６２は、第３の態
様の磁性層４１及び貴金属層４２と同様に構成される。
また（Ｍ／Ｎ）_nユニットに関しては、ｔ_M／ｔ_Nの制
限を除いて第３の態様と同様である。

【００４５】非磁性層６３は、これを介して対向してい
る垂直磁化膜の磁気的相互作用を消す機能を有してお
り、非磁性体であればよい。例えば、ＳｉＯ₂、Ａｌ₂
Ｏ₃、各種ガラス、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃ
ｕ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｓｉなどが挙げられる。非磁性層６３
の膜厚は磁気的結合を遮断する観点からは１０Ａ以上で
あることが好ましい。しかし、磁気光学効果を考慮する
と光の損失を最低限にするためにできるだけ薄いことが
望ましい。また、あまり厚いと磁気的に一体となった積
層膜としては取り扱えなくなる。従って、膜厚の上限は
１００Ａ程度であることが好ましい。さらに好ましくは
２０Ａ〜１００Ａの範囲である。なお、（Ｍ／Ｎ）_nユ
ニットの最後の貴金属層を厚くして、この非磁性層の機
能をもたせることも可能である。

【００４６】この態様においては、記録層が垂直磁化膜
でありさえすればよいから、磁性層６１の膜厚ｔ_Mと貴
金属層６２の膜厚ｔ_Nとの比ｔ_M／ｔ_Nには第３の態様
のような制限は存在しない。しかし、磁性金属量を多く
する観点からは第３の態様のように規定することが好ま
しい。さらに好ましくは、０．３≦ｔ_M／ｔ_N≦３であ
る。

【００４７】非磁性層として貴金属以外の層を用いた場
合には、垂直磁気異方性を向上させるために、必ず貴金
属層が非磁性層との界面に位置するような構成にするこ
とが好ましい。

【００４８】次に、本発明の第６の態様について説明す
る。

【００４９】この態様における光磁気記録媒体の構造
は、基本的に第４の態様と同じであり、例えば図５に示
した構造を有している。ただし、磁性人工格子薄膜から
なる記録層の構造が異なっている。すなわち、この態様
における記録層の構造自体は第５の態様の記録層と同様
であるが、ｄとＭ_Sの積の条件が異なる。そして、その
ｄとＭ_Sとの積を３０００ｎｍ・ｅｍｕ／ｃｃ以下にな
るように設定して自己漏洩磁界を更に低減し、その磁性
人工格子薄膜に静磁的に結合されたバイアス層を積層し
て、光変調ダイレクトオーバーライトを実現するもので
ある。

【００５０】

【作用】本発明の第１の態様は、磁性体薄膜と貴金属薄
膜とを交互に積層した垂直磁気異方性を有する磁性薄膜
を記録層とし、その磁化Ｍ_Sと膜厚ｄとの積を６５００
ｎｍ・ｅｍｕ／ｃｃ以下とすることによって自己漏洩磁
界を低減し、変調磁界（記録・消去が可能な磁界の幅）
を実用的な８００Ｏｅ以下とするものである。

【００５１】自己漏洩磁界を低減することによって変調
磁界を小さくする作用について説明する。一般に光磁気
記録媒体での記録過程は以下のように説明される。記録
媒体にレーザを照射すると、照射された部分の温度が上
昇し、磁性体層のキュリー温度Ｔ_cを超えた部分では磁
化が消失する。レーザ照射後の冷却過程において、外部
から磁界が印加されていれば、媒体温度がＴ_c以下とな
り磁化が再び発生するときに磁化が外部磁界の向きに揃
い反転磁区ができる。

【００５２】ところで、レーザ照射によって記録媒体の
温度が上昇した場合、磁化の空間分布ができるため、自
己漏洩磁界が発生する。磁性人工格子薄膜のような、磁
化が温度に対して一様に減少する熱磁気特性を持つ材料
の場合、この漏洩磁界の向きは冷却部分の磁化の向きと
は逆の向き、すなわち、通常の記録過程においては反転
磁区ができる向きとなる。自己漏洩磁界が大きいと、反
転磁区を消去しようとする場合には、記録方向の自己漏
洩磁界があるためより消去方向に大きな磁界が必要であ
り、また、反転磁区を形成しようとする場合には、一度
磁化反転を起こした部分から発生するその磁化の向きと
逆方向の自己漏洩磁界のため迷路状磁区が発生しやす
く、記録方向により大きな磁界が必要となる。すなわ
ち、消去時には消去方向に、記録時には記録方向に、自
己漏洩磁界分以上の余分な磁界が必要となり、変調磁界
は大きくなる。したがって、変調磁界を小さくするには
自己漏洩磁界を小さくすればよいということになる。

【００５３】自己漏洩磁界は、理論的には磁化の大きさ
に比例し、膜厚と正の相関がある。従って、磁性層の飽
和磁化Ｍ_Sと厚さｄとの積Ｍ_S・ｄの大きさと変調磁界
との関係を模式的に示すと図７のようになる。この関係
を用いれば、変調磁界はＭ_S・ｄという物理量によって
制御することが可能であることが理解される。すなわ
ち、この関係から、Ｍ_S・ｄを６５００ｎｍ・ｅｍｕ／
ｃｃ以下になるように制御することにより、変調磁界を
実用的な８００Ｏｅ以下となるようにすることができ
るのである。

【００５４】第３の態様では、第１の態様にさらにカー
回転角を大きくして再生出力を増加させ、保磁力を大き
くするという点を加味したものである。カー回転角を大
きくして再生出力を増加させるためには磁性体量を増加
させることが好ましいが、従来の磁性人工格子薄膜では
積層数を１０回以上、全膜厚を数１００Ａとするのが常
識であっため、磁性体量を増加させるために磁性層を厚
くすると十分な垂直磁気異方性及び角形比が得られなか
った。この態様では積層数を５以下に規定して垂直磁気
異方性や角形比を十分なものとすると共に、ｔ_M／ｔ_N
を０．６以上に設定して保磁力を上昇させる。これによ
り、大きなカー回転角を得ることができ、再生出力を増
加させることができる。

【００５５】このような構成にすることにより、静的な
磁気特性は光磁気記録媒体にとって好ましいものとなる
が、さらに動的な記録特性を十分なものとする観点か
ら、第１の態様と同様にｄとＭ_Sとの積を６５００ｎｍ
・ｅｍｕ／ｃｃ以下に規定するのである。

【００５６】第５の態様では、第３の態様に係る光磁気
記録媒体よりも、さらに垂直磁気異方性を改善するもの
である。上述したように、カー回転角を増加させるため
には磁性人工格子薄膜中の磁性層の厚さを増せばよい
が、この場合には垂直磁気異方性が小さくなって満足な
垂直磁化膜が得られない恐れがある。この問題を解決す
るためには積層数ｎを小さくすればよいが、ｎが小さい
分だけ磁性層の増加量は自ずと制限され、大きな効果は
期待できない。そこで、第５の態様では、磁性人工格子
薄膜を非磁性層を介して積層し、このような問題を解決
している。すなわち、この態様では、（Ｍ／Ｎ）_nユニ
ットを非磁性層を介して複数回積層するので、各ユニッ
トの積層数ｎが小さくてもｔ_M／ｔ_Nを大きくとること
により磁性体量を十分に増加させることができ、カー回
転各を大きくすることができる。また各ユニットのｎが
小さければ垂直磁気異方性が損なわれることがない。し
かも、この態様では磁性体量の増加に伴うカー回転角の
増大効果に加えて、非磁性層の存在によるカー回転増大
効果を得ることもできる。すなわち、非磁性層は、各
（Ｍ／Ｎ）_nユニットの磁気的相互作用を消し、かつ全
体として一体となった積層膜として扱うことがことが可
能であることに加えて、非磁性層がある程度透光性を有
することにより光学干渉が生じ、カー回転角が増加する
のである。このような光学干渉は、非磁性層の厚さを２
０〜１００Ａ程度に設定することにより、ある程度の透
光性を有する薄膜が光学定数の異なる層に挟まれて多数
積層された状態となっているために生じるのである。

【００５７】このような構造の磁性人工格子薄膜が、静
的な磁気特性に関して光磁気記録媒体にとって好ましい
特性を有することはすでに報告されている（K.Yusuら：
Jpn.J.Appl.Phys.,Vol.31(1992) pp435-438,Part1,No2
B) 。しかしながら、動的な光磁気記録特性に関しては
十分とはいえず、その観点から第１の態様と同様にｄと
Ｍ_Sとの積を６５００ｎｍ・ｅｍｕ／ｃｃ以下に規定す
るのである。

【００５８】第２、第４、第６の態様では、上記のｄと
Ｍ_Sとの積を３０００ｎｍ・ｅｍｕ／ｃｃ以下に設定し
て自己漏洩磁界を更に低減し、上記各構成を有する磁性
人工格子薄膜からなる記録層にバイアス層を静磁的に結
合させることにより、光変調ダイレクトオーバーライト
を実現するものである。

【００５９】バイアス層を静磁的に結合するように積層
することによって、静磁結合方式の光強度変調ダイレク
トオーバーライト（市原ら：Ｊ．Ｍａｇｎ．Ｓｏｃ．Ｊ
ｐｎ．，１５−Ｓ１，ｐ．３１５（１９９１））が可能
となる。この方式には、前述の交換結合方式のような記
録層に課せられる保磁力の制限がないので、保磁力の小
さい磁性人工格子薄膜でもこのような記録層として十分
に適用することができる。ただし、記録層の磁界感度は
通常の光磁気記録媒体よりも良いことが必要で、２０
０Ｏｅ以下である（市原ら、日本応用磁気学会第７３
回研究会資料，ｐ．９９（１９９２））。上述したよう
にＭ_S・ｄの大きさと変調磁界との間には図７のような
関係があり、この関係からＭ_S・ｄを３０００ｎｍ・ｅ
ｍｕ／ｃｃ以下になるように制御することにより、変調
磁界を２００Ｏｅ以下となるようにすることができる
ことが把握され、光変調ダイレクトオーバーライトが実
現されるのである。

【００６０】

【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。（実施例１）この実施例では、図８に示す構成を有する
光磁気記録媒体を作製した。図８において７１は基板、
７２は干渉層、７３は磁性人工格子薄膜からなる記録
層、７４は保護層である。記録層７３は、Ｐｔ下地層７
５上にＣｏ層７６とＰｔ層７７とが交互に積層されて構
成されている。基板７１としては５インチのグルーブつ
きガラスディスクを用いた。干渉層７２及び保護層７４
には、それぞれ、６０ｎｍ及び４０ｎｍのＳｉ−Ｎを用
いた。Ｐｔ下地層７５は５ｎｍ、Ｐｔ層７７は１．４３
ｎｍの厚さに設定した。成膜は全てマグネトロンスパッ
タ法によって行った。

【００６１】この試料に対して、波長８３０ｎｍの半導
体レーザを用い、線速８ｍ／ｓ、記録パワー６ｍＷ、記
録周波数１ＭＨｚ、記録パルス幅４００ｎｓで記録実験
を行った。

【００６２】実験に用いた試料と記録実験の結果を表１
に示す。パラメータとしてＣｏ層の厚さと積層数を変え
た。各試料とも同じ記録感度になるように、Ｈ_C＝０と
なる温度（磁化反転温度と考えられる）を約２００℃に
揃えてある。実験で得られたＭ_S・ｄと変調磁界との関
係を図９に示す。この結果より、通常の光磁気記録装置
で印加可能な８００Ｏｅの変調磁界で記録・消去が可能
なのは、Ｍ_S・ｄの値が６５００ｎｍ・ｅｍｕ／ｃｃ以
下であることが確認された。また、静磁結合方式のダイ
レクトオーバーライト媒体では、変調磁界が２００Ｏ
ｅ以下であることが必要であるが、この図からこれを満
足するのに必要なＭ_S・ｄの値は３０００ｎｍ・ｅｍｕ
／ｃｃ以下であることが確認された。

【００６３】

【表１】（実施例２）この実施例では図１０に示す構成を有する
光磁気記録媒体を作製した。図１０において８１は基
板、８２は干渉層、８３は磁性人工格子薄膜からなる記
録層、８４は保護層、８５は中間層、８６は第１バイア
ス層、８７は第２バイアス層である。第１バイアス層８
６と第２バイアス層８７とはお互いに交換力が作用しあ
うように積層されている。記録層８３は、Ｐｔ下地層９
１上にＣｏ層９２とＰｔ層９３とが交互に積層されて構
成されている。基板８１としては５インチのグルーブつ
きガラスディスクを用いた。干渉層８２、保護層８４、
中間層８５には、それぞれ、６０ｎｍ、４０ｎｍ、２０
ｎｍのＳｉ−Ｎを用いた。記録層８３としては、表１に
示した積層数４のもの（Ｍ_S・ｄ＝２２４０ｎｍ・ｅｍ
ｕ／ｃｃ、変調磁界９０Ｏｅ）を用いた。第１バイア
ス層８６には２００ｎｍの（Ｇｄ₇₅Ｔｂ₂₅）_0.18（Ｆｅ
₉₇Ｃｏ₃）_0.82、第２バイアス層８７には２００ｎｍ
の（Ｇｄ₅₀Ｔｂ₅₀）_0.26（Ｆｅ₅₀Ｃｏ₅₀）_0.74を用い
た。成膜は全てマグネトロンスパッタ法によって行っ
た。

【００６４】図１１に、第１バイアス層８６の熱磁気特
性を示す。ここでは、第１バイアス層の保磁力Ｈ_C1及び
飽和磁化Ｍ_S1、第２バイアス層から第１バイアス層への
交換力Ｈ_W21を示している。全ての温度においてＨ_W21
はＨ_C1を上回っており、記録・消去過程において第２バ
イアス層が磁化反転しない限り第１バイアス層も磁化反
転しないことを意味している。Ｍ_S1がゼロになる温度
（キュリー温度）Ｔ_cb1は２２０℃である。図１２に、
第２バイアス層８７の熱磁気特性を示す。ここでは、第
２バイアス層の保磁力Ｈ_C2、飽和磁化Ｍ_S2を示してい
る。２００℃近辺にＨ_C2が発散する補償温度Ｔ_compが存
在するので、第２バイアス層自体は磁化反転しにくい。
従って、第１、第２バイアス層は記録・消去過程におい
て磁化反転を起こしにくい。

【００６５】この媒体に対し、レーザ照射パワーを、図
１３に示すような、再生レベルＰ_r以上の消去レベルＰ
_eに記録レベルＰ_Wを重畳したものに設定して照射する
ことによって、ダイレクトオーバーライトを行うことが
できる。

【００６６】ダイレクトオーバーライトが行われる作用
について以下に述べる。消去レベル照射時、記録レベル
照射時ともに、レーザ照射によって第１、第２バイアス
層に磁化分布ができるので、前記したような漏洩磁界が
バイアス層の外に向かって発生し、記録層に印加され
る。

【００６７】図１４にオーバーライト動作原理の模式的
な図を示す。この図には、第１、第２バイアス層から記
録層に印加される漏洩磁界Ｈ₁、及び、記録層の磁化反
転温度Ｔ_CSの等温線の２次元分布が示されている。最も
上の図が記録レベルのレーザ照射直後の状態で、図の上
から下に向かって時間が経過する。１０１はＴ_CSの等温
線（等Ｔ_CS線）、１０２は外部印加磁界、１０３は第
１、第２バイアス層が発生する漏洩磁界の和Ｈ₁、１０
４は等Ｔ_CS線上での漏洩磁界と外部磁界の和、１０５は
反転磁区である。（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）の順
に時間が経過する。（ａ）は媒体の温度が最高温度に達
した時刻である。図１４のｘ，ｙ軸はディスク平面、ｚ
軸は磁界強度を表わす。磁界の向きは、図の上向きが記
録層が磁化反転する向きとした。

【００６８】先ず、図１４左側のＰ_W照射時について説
明する。レーザが照射された直後（（ａ））は、等Ｔ_CS
線１０１は大きく広がり、等Ｔ_CS線位置でのＨ₁は下向
き、すなわち消去条件が満たされている。この後、冷却
過程が進むにつれ、記録層とバイアス層の間の熱拡散に
より、等Ｔ_CS線１０１が収縮し、（ｂ）に示すように等
Ｔ_CS線上のＨ₁は記録方向に増加していき、（ｃ）で記
録方向となり、以降の時刻で記録層の磁化が反転を始め
る。（ｃ）以降、Ｈ₁は常に上向きで、等Ｔ_CS線が消滅
する時刻（ｄ）までに斜線部で示した反転磁区１０５が
形成される。

【００６９】次に、図１４右側のＰ_e照射時について説
明する。Ｐ_eはＰ_Wより小さいので、最高温度到達時の
様子は（ｂ）に示すようになっている。記録時と同程度
の大きさの等Ｔ_CS線が得られているにもかかわらず、Ｈ
₁は小さい。これは、レーザ照射直後のため、記録層と
バイアス層の間の温度差が大きく、記録層に比べ第１、
第２バイアス層の温度が相対的に低いためである。この
温度差の影響は等Ｔ_CS線が記録層から消滅してしまう
（ｄ）以降の時刻まで残り、等Ｔ_CS線上のＨ₁は消去方
向のままで記録層に反転磁区は形成されない。Ｐ_e照射
時の時刻（ｂ）の等Ｔ_CS線の大きさが、Ｐ_W照射時の時
刻（ｄ）で示した反転磁区よりも大きければ、完全なオ
ーバーライトができる。

【００７０】上記のダイレクトオーバーライトの原理を
踏まえて、この試料に対して、波長８３０ｎｍの半導体
レーザを用い、線速９ｍ／ｓ、記録パルス幅５００ｎｓ
の条件で記録実験を行った。外部磁界−３０Ｏｅ、Ｐ_W
１３ｍＷ、Ｐ_e９．４ｍＷの条件で１ＭＨｚと１．２５
ＭＨｚの間でダイレクトオーバーライトができた。キャ
リア−ノイズ比は３２ｄＢであった。

【００７１】なお、図１０において、人工格子薄膜８
３、中間層８５を除いた構成の試料を試作し、上記と同
じ条件で記録実験を行ったところ、記録信号が検出でき
ず、第１、第２バイアス層の磁化反転は起こっていない
ことをあらかじめ確認しておいた。（実施例３）実施例２と同様な構成の光磁気記録媒体
で、磁性人工格子記録層の部分を表１に示した積層数５
のもの（Ｍ_S・ｄ＝２６３０ｎｍ・ｅｍｕ／ｃｃ、変調
磁界１５０Ｏｅ）とした試料を作製した。この試料に対
して、波長８３０ｎｍの半導体レーザを用い、線速９ｍ
／ｓ、記録パルス幅５００ｎｓの条件で記録実験を行っ
た。外部磁界−３０Ｏｅ、Ｐ_W１３ｍＷ、Ｐ_e９．４ｍ
Ｗの条件で１ＭＨｚと１．２５ＭＨｚの間のオーバーラ
イトができた。キャリア−ノイズ比は２５ｄＢであっ
た。（実施例４）この実施例では、上述した図３に示す構成
を有する光磁気記録媒体を作製した。基板３１としては
５インチのグルーブつきガラスディスクを用いた。干渉
層３２及び保護層３４には、それぞれ、６０ｎｍ及び４
０ｎｍのＳｉ−Ｎを用いた。記録層３３は図４に示す構
造の磁性人工格子薄膜とし、磁性層４１として膜厚５Ａ
のＣｏ層、貴金属層４２として膜厚５ＡのＰｔ層を用い
た。成膜は全てＲＦマグネトロンスパッタ法によって行
った。スパッタは５mTorのＡｒガス雰囲気中で行った。
Ｃｏターゲット及びＰｔターゲットを用い、シャッタを
交互に開け閉めすることにより人工格子を作製した。

【００７２】その結果、人工格子の積層数が５以下の範
囲で、角形比＝１、保磁力０．８ｋＯｅ以上の良好な磁
気特性が得られた。積層数ｎ＝５の光磁気記録媒体につ
いて、ｄとＭ_Sとの積を求めたところ、３１２５ｎｍ・
ｅｍｕ／ｃｃであった。

【００７３】この試料に対して、波長８３０ｎｍの半導
体レーザを用い、線速８ｍ／ｓ、記録パワー１０ｍＷ、
記録周波数１ＭＨｚ、記録パルス幅４００ｎｓで記録実
験を行った。その結果±４００Ｏｅの外部磁界で十分
に記録及び消去を行うことができた。（実施例５）この実施例では、実施例４と同様な構造の
光磁気記録媒体を作製し、磁性層を膜厚５ＡのＣｏと
し、積層数ｎ＝２に固定して、磁性層と貴金属層との膜
厚比ｔ_M／ｔ_Nを変化させた。ｔ_M／ｔ_Nが０．５〜２
の間で角形比１となり、良好な角形比が得られることが
確認された、また、この試料のｄとＭ_Sとの積は１４７
０ｎｍ・ｅｍｕ／ｃｃであった。

【００７４】この試料に対して、波長８３０ｎｍの半導
体レーザを用い、線速８ｍ／ｓ、記録パワー１０ｍＷ、
記録周波数１ＭＨｚ、記録パルス幅４００ｎｓで記録実
験を行った。その結果±４００Ｏｅの外部磁界で十分
に記録及び消去を行うことができた。（実施例６）この実施例では、上述した図３に示す構成
を有し、磁性人工格子薄膜からなる記録層が図６に示す
構造を有する光磁気記録媒体を作製した。基板３１とし
ては５インチのグルーブつきガラスディスクを用いた。
干渉層３２及び保護層３４には、それぞれ、６０ｎｍ及
び４０ｎｍのＳｉ−Ｎを用いた。記録層の磁性層６１と
しては膜厚５ＡのＣｏ層、貴金属層６２としては膜厚５
ＡのＰｔ層、非磁性６３としては膜厚５ＡのＰｔ層を用
いた。また、磁性人工格子構造の記録層の下地層とし
て、最初の磁性層を成膜する前に、膜厚１０ＡのＰｔ層
を成膜した。（Ｍ／Ｎ）ユニットの積層数ｎは２とし、
（Ｍ／Ｎ）_nユニットの積層数ｍは３とした。なお、成
膜方法は実施例４と同様とした。

【００７５】この試料のカー回転角を測定したところ、
基板面入射で０．８２度という大きな値が得られた。ま
た、保磁力は０．８ｋＯｅであった。なお、この試料
のｄとＭ_Sとの積は３７５０ｎｍ・ｅｍｕ／ｃｃであっ
た。

【００７６】この試料に対して、波長８３０ｎｍの半導
体レーザを用い、線速８ｍ／ｓ、記録パワー１０ｍＷ、
記録周波数１ＭＨｚ、記録パルス幅４００ｎｓで記録実
験を行った。その結果±４００Ｏｅの外部磁界で十分
に記録及び消去を行うことができた。（実施例７）この実施例では図５に示す構成を有する光
磁気記録媒体を作製した。基板６１としては５インチの
グルーブつきガラスディスクを用いた。干渉層６２、保
護層６４、中間層６５には、それぞれ、６０ｎｍ、４０
ｎｍ、１５ｎｍのＳｉ−Ｎを用いた。人工格子薄膜から
なる記録層６３は図４に示す構造の磁性人工格子薄膜と
し、磁性層４１として膜厚５ＡのＣｏ層、貴金属層４２
として膜厚５ＡのＰｔ層を用いた。試料の作製方法は実
施例４と同様とした。この時ｄとＭ_Sとの積は２５００
ｎｍ・ｅｍｕ／ｃｃであった。

【００７７】バイアス層５６としては、第１バイアス層
と第２バイアス層との２層構造であって、お互いに交換
力が作用しあうように積層したものを用いた。第１バイ
アス層には２００ｎｍの（Ｇｄ₇₅Ｔｂ₂₅）_0.18（Ｆｅ₉₇
Ｃｏ₃）_0.82、第２バイアス層には２００ｎｍの（Ｇｄ
₅₀Ｔｂ₅₀）_0.26（Ｆｅ₅₀Ｃｏ₅₀）_0.74を用いた。これら
の組成は実施例２と同じであり、従って熱磁気特性も図
１１及び図１２に示すようになった。

【００７８】このような光磁気記録媒体に対して、図１
４の原理に従って、波長８３０ｎｍの半導体レーザを用
い、線速９ｍ／ｓ、記録パルス幅５００ｎｓの条件で記
録実験を行った。その結果１ＭＨｚと１．２５ＭＨｚの
間でダイレクトオーバーライトができた。（実施例８）この実施例では、上述した図５に示す構成
を有し、磁性人工格子薄膜からなる記録層が図６に示す
構造を有する光磁気記録媒体を作製した。基板５１とし
ては５インチのグルーブつきガラスディスクを用いた。
干渉層５２、保護層５４、中間層５５には、それぞれ、
６０ｎｍ、４０ｎｍ、１５ｎｍのＳｉ−Ｎを用いた。記
録層の磁性層６１としては膜厚５ＡのＣｏ層、貴金属層
６２としては膜厚５ＡのＰｔ層、非磁性６３としては膜
厚５ＡのＰｔ層を用いた。また、磁性人工格子構造の記
録層の下地層として、最初の磁性層を成膜する前に、膜
厚１０ＡのＰｔ層を成膜した。（Ｍ／Ｎ）ユニットの積
層数ｎは２とし、（Ｍ／Ｎ）_nユニットの積層数ｍも２
とした。なお、成膜方法は実施例４と同様とした。

【００７９】この試料のカー回転角を測定したところ、
基板面入射で０．７３度という大きな値が得られた。ま
た、保磁力は０．８ｋＯｅであった。なお、この試料
のｄとＭ_Sとの積は２５００ｎｍ・ｅｍｕ／ｃｃであっ
た。

【００８０】図１４に示すダイレクトオーバーライトの
原理を踏まえて、この試料に対して波長８３０ｎｍの半
導体レーザを用い、線速９ｍ／ｓ、記録パルス幅５００
ｎｓの条件で記録実験を行った。その結果１ＭＨｚと
１．２５ＭＨｚの間でダイレクトオーバーライトができ
た。

【００８１】

【発明の効果】本発明によれば、磁性人工格子薄膜を用
いた、高磁界感度の光磁気記録媒体を得ることができ
る。また、再生信号が大きく、かつ変調磁界の小さい磁
性人工格子薄膜を記録層として用いた光磁気記録媒体を
得ることができる。さらに、記録層として磁性人工格子
薄膜を用い、ダイレクトオーバーライトを行うことがで
きる光磁気記録媒体を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の態様に係る光磁気記録媒体の構
成を示す断面図。

【図２】本発明の第２の態様に係る光磁気記録媒体の構
成を示す断面図。

【図３】本発明の第３の態様に係る光磁気記録媒体の構
成を示す断面図。

【図４】図３における光磁気記録媒体の記録層の構造を
示す断面図。

【図５】本発明の第４の態様に係る光磁気記録媒体の構
成を示す断面図。

【図６】本発明の第５の態様に係る光磁気記録媒体の記
録層の構造を示す断面図。

【図７】飽和磁化Ｍ_Sと磁性体層の膜厚ｄとの積と変調
磁界との関係を模式的に示す図。

【図８】実施例１に用いた光磁気記録媒体の構成を示す
断面図。

【図９】実施例１における、飽和磁化Ｍ_Sと膜厚ｄとの
積と、変調磁界との関係を示す図。

【図１０】実施例２に用いた光磁気記録媒体の構成を示
す断面図。

【図１１】実施例２に用いた第１バイアス層の磁気特性
の温度依存性を示す図。

【図１２】実施例２に用いた第２バイアス層の磁気特性
の温度依存性を示す図。

【図１３】ダイレクトオーバーライト実験における照射
レーザパワーを示す図。

【図１４】ダイレクトオーバーライトの動作原理を模式
的に示す図。

【符号の説明】

１１，２１，３１，５１，７１，８１…基板、１２，２
２，３２，５２，７２，８２…干渉層、１３，２３，３
３，５３，７３，８３…磁性人工格子薄膜記録層、１
４，２４，３４，５４，７４，８４…保護層、１７，２
７，３７，５７…外部印加磁石、１８，２８，３８，５
８…レーザ光、２５，５５，８５…中間層、２６，５
６，８６，８７…バイアス層、４１，６１，７６，９２
…磁性層、４２，６２，７７，９３…貴金属層、６３…
非磁性層、７５，９１…下地層。

フロントページの続き (72)発明者柚須圭一郎神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地株式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者猪俣浩一郎神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地株式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者堀昭男神奈川県川崎市幸区柳町70番地株式会社東芝柳町工場内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁性体薄膜と貴金属薄膜とが交互に積層
され、垂直磁気異方性を有する磁性薄膜からなる記録層
を備えた光磁気記録媒体であって、前記記録層の磁化を
Ｍ_S、膜厚をｄとしたときに、ｄとＭ_Sとの積が６５０
０ｎｍ・ｅｍｕ／ｃｃ以下であることを特徴とする光磁
気記録媒体。
【請求項２】記録層と、この記録層に静磁的に結合さ
れたバイアス層からなる光磁気記録媒体であって、前記
記録層が磁性体薄膜と貴金属薄膜とが交互に積層され、
垂直磁気異方性を有する磁性薄膜であり、その磁化をＭ
_S、膜厚をｄとしたときに、ｄとＭ_Sとの積が３０００
ｎｍ・ｅｍｕ／ｃｃ以下であることを特徴とする光磁気
記録媒体。
【請求項３】磁性体薄膜と貴金属薄膜とが交互に積層
され、その状態を（Ｍ／Ｎ）ｎ（ただし、Ｍは磁性体薄
膜、Ｎは貴金属薄膜、ｎは積層数）で表わし、１層当り
の膜厚比をｔ_M／ｔ_N（ただし、ｔ_Mは磁性体薄膜、ｔ
_Nは貴金属薄膜）で表わした場合に、１≦ｎ≦５、かつ
０．６≦ｔ_M／ｔ_Nの条件を満足し、垂直磁気異方性を
有する磁性薄膜からなる記録層を備えた光磁気記録媒体
であって、前記記録層の磁化をＭ_S、膜厚をｄとしたと
きに、ｄとＭ_Sとの積が６５００ｎｍ・ｅｍｕ／ｃｃ以
下であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項４】磁性体薄膜と貴金属薄膜とが交互に積層
され、磁性薄膜が非磁性層を介して積層された垂直磁気
異方性を有する積層体からなる記録層を備えた光磁気記
録媒体であって、前記記録層の磁化をＭ_S、膜厚をｄと
したときに、ｄとＭ_Sとの積が６５００ｎｍ・ｅｍｕ／
ｃｃ以下であることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項５】記録層と、この記録層に静磁的に結合さ
れたバイアス層からなる光磁気記録媒体であって、前記
記録層が磁性体薄膜と貴金属薄膜とが交互に積層され、
磁性薄膜が非磁性層を介して積層された垂直磁気異方性
を有する積層体からなり、その磁化をＭ_S、膜厚をｄと
したときに、ｄとＭ_Sとの積が３０００ｎｍ・ｅｍｕ／
ｃｃ以下であることを特徴とする光磁気記録媒体。