JPS6350878B2 - - Google Patents
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- JPS6350878B2 JPS6350878B2 JP54032393A JP3239379A JPS6350878B2 JP S6350878 B2 JPS6350878 B2 JP S6350878B2 JP 54032393 A JP54032393 A JP 54032393A JP 3239379 A JP3239379 A JP 3239379A JP S6350878 B2 JPS6350878 B2 JP S6350878B2
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、特定な平面パターンを用いて非導電
性基体上に設けた導電性で且つハンダ付け可能な
導電路を有し且つ集積抵抗層を有するプリント回
路の製造方法に関する。
性基体上に設けた導電性で且つハンダ付け可能な
導電路を有し且つ集積抵抗層を有するプリント回
路の製造方法に関する。
例えばフエノール樹脂―またはエポキシ樹脂積
層プレス成形物の如き種々の基体上にアデイテイ
ブ法で導電路を作ることは周知である。既に公知
に成つているあらゆるアデイテイブ法の場合、
種々の方法段階で相違する場合にも基体と追加的
に被覆する金属層（殆ど銅）との間の付着性を保
証するべき接合剤を必要とする。特にこのこと
は、導電路が通例の如くハンダ付け可能でなけれ
ばならない場合に言える。接合剤自体は、一般に
アクリルニトリル―ブタジエン共重合体、即ち熱
反応性フエノール化合物にて硬化するニトリル―
ゴムを基体とする熱硬化性接合剤である。この種
の合成樹脂は公知のABS―合成樹脂（アクリル
ニトリル／ブタジエン／スチレン）にならつて
ABP―合成樹脂（アクリルニトリル／ブタジエ
ン／フエノール）とも称されている。
層プレス成形物の如き種々の基体上にアデイテイ
ブ法で導電路を作ることは周知である。既に公知
に成つているあらゆるアデイテイブ法の場合、
種々の方法段階で相違する場合にも基体と追加的
に被覆する金属層（殆ど銅）との間の付着性を保
証するべき接合剤を必要とする。特にこのこと
は、導電路が通例の如くハンダ付け可能でなけれ
ばならない場合に言える。接合剤自体は、一般に
アクリルニトリル―ブタジエン共重合体、即ち熱
反応性フエノール化合物にて硬化するニトリル―
ゴムを基体とする熱硬化性接合剤である。この種
の合成樹脂は公知のABS―合成樹脂（アクリル
ニトリル／ブタジエン／スチレン）にならつて
ABP―合成樹脂（アクリルニトリル／ブタジエ
ン／フエノール）とも称されている。
既に、基体が接合剤層を備えているプリント回
路を製造する方法は公知である。このものは、例
えばエポキシ―またはフエノール樹脂の如き硬化
性樹脂と例えば珪酸塩または金属酸化物の如き微
細粒子状添加物との混合物より成る。この接合剤
層は少なくとも部分的にまたは完全に硬化され、
その際基体表面への付着が保証される。導電性金
属層を被覆する前に、接合剤層を化学的なエツチ
ング処理に委ねる。それ以前に、接合剤層を機械
的に粗面化処理することができる。この場合、添
加物の微粒子は、粉砕されそしてこれに続くエツ
チング処理の際に樹脂成分を害することなしに溶
解される。孔や切込みのある表面が生じる。この
表面上に電気的方法で導電性金属層が設けられ
る。化学的エツチング処理は苛性ソーダ溶液、弱
酸または有機溶剤にて行う。この方法段階は、廃
水問題は全く別のこととしても、エツチング処理
の為に必要なエツチング剤の損失を伴う。更に、
継続的にコントロールして正確に浴管理すること
および時々浴を新しくすることが必要である。銅
層と基体との間に接合剤が存在するプリント回路
を製造する為の別のアデイテイブ法も公知であ
る。この接合剤は、にアクリルニトリル―ブタジ
エンとフエノール樹脂―これらはメチルエチルケ
トンに溶解している―で組成されている。140℃
で2.5時間の乾燥時間の後に、接合剤は105〜
108M.Ωの表面抵抗を示す。銅メツキ前に接合剤
を、硫酸、水およびクロム酸より成る混合物にて
エツチングする。この活性化処理の際にブタジエ
ン成分が他の両方の成分よりも迅速に酸化作用さ
れる。これによつて、ブタジエン鎖の存在してい
た所に分子の孔が生じ、その孔に次いで化学的に
メツキした銅が固定され得る。
路を製造する方法は公知である。このものは、例
えばエポキシ―またはフエノール樹脂の如き硬化
性樹脂と例えば珪酸塩または金属酸化物の如き微
細粒子状添加物との混合物より成る。この接合剤
層は少なくとも部分的にまたは完全に硬化され、
その際基体表面への付着が保証される。導電性金
属層を被覆する前に、接合剤層を化学的なエツチ
ング処理に委ねる。それ以前に、接合剤層を機械
的に粗面化処理することができる。この場合、添
加物の微粒子は、粉砕されそしてこれに続くエツ
チング処理の際に樹脂成分を害することなしに溶
解される。孔や切込みのある表面が生じる。この
表面上に電気的方法で導電性金属層が設けられ
る。化学的エツチング処理は苛性ソーダ溶液、弱
酸または有機溶剤にて行う。この方法段階は、廃
水問題は全く別のこととしても、エツチング処理
の為に必要なエツチング剤の損失を伴う。更に、
継続的にコントロールして正確に浴管理すること
および時々浴を新しくすることが必要である。銅
層と基体との間に接合剤が存在するプリント回路
を製造する為の別のアデイテイブ法も公知であ
る。この接合剤は、にアクリルニトリル―ブタジ
エンとフエノール樹脂―これらはメチルエチルケ
トンに溶解している―で組成されている。140℃
で2.5時間の乾燥時間の後に、接合剤は105〜
108M.Ωの表面抵抗を示す。銅メツキ前に接合剤
を、硫酸、水およびクロム酸より成る混合物にて
エツチングする。この活性化処理の際にブタジエ
ン成分が他の両方の成分よりも迅速に酸化作用さ
れる。これによつて、ブタジエン鎖の存在してい
た所に分子の孔が生じ、その孔に次いで化学的に
メツキした銅が固定され得る。
本発明の課題は、抵抗層が固有抵抗の広い範囲
内で変動し得てそして同時にハンダ付け可能な導
電路の為の良好な接合剤として役立つ、最初に挙
げた種類のプリント回路を製造する簡単なアデイ
テイブ法にある。
内で変動し得てそして同時にハンダ付け可能な導
電路の為の良好な接合剤として役立つ、最初に挙
げた種類のプリント回路を製造する簡単なアデイ
テイブ法にある。
この課題は本発明によれば、導電路の下に在り
且つ接合剤として作用する抵抗層が有機系結合剤
より成り、該結合剤中には抵抗値を決定する耐火
性で且つ１〜50重量％まで熱分解炭素にて被覆さ
れた＜20μmの大きさの微粒子および／またはカ
ーボンブラツクまたはグラフアイトが存在し且つ
化学的金属メツキに役立つ触媒が存在し、そして
上記有機系結合剤がカプロラクタムでブロツクさ
れたポリウレタン樹脂とシリコーン樹脂および／
またはアセタール樹脂および／またはビニルクロ
ライド―ビニルアセテート共重合体および／また
は飽和ポリエステルとの混合物であることによつ
て解決される。更に該結合剤は、カプロラクタム
でブロツクされたイソホロン―ジイソシアネート
とヒドロキシル基含有オキシエステルとの付加物
も可能である。温度係数を改善する為には、メラ
ミンホルムアルデヒド―アルキツド樹脂および／
またはエポキシ樹脂より成る混合物を結合剤に混
入してもよい。重量比が約１：１である場合に
は、温度係数は＋500pm／℃に達する。その組成
は、メラミンホルムアルデヒド―アルキツト樹脂
および／またはエポキシ樹脂エステルの割合が多
くなる方にずらした場合には、温度係数値は−
500ppm／℃にまで達し得る。
且つ接合剤として作用する抵抗層が有機系結合剤
より成り、該結合剤中には抵抗値を決定する耐火
性で且つ１〜50重量％まで熱分解炭素にて被覆さ
れた＜20μmの大きさの微粒子および／またはカ
ーボンブラツクまたはグラフアイトが存在し且つ
化学的金属メツキに役立つ触媒が存在し、そして
上記有機系結合剤がカプロラクタムでブロツクさ
れたポリウレタン樹脂とシリコーン樹脂および／
またはアセタール樹脂および／またはビニルクロ
ライド―ビニルアセテート共重合体および／また
は飽和ポリエステルとの混合物であることによつ
て解決される。更に該結合剤は、カプロラクタム
でブロツクされたイソホロン―ジイソシアネート
とヒドロキシル基含有オキシエステルとの付加物
も可能である。温度係数を改善する為には、メラ
ミンホルムアルデヒド―アルキツド樹脂および／
またはエポキシ樹脂より成る混合物を結合剤に混
入してもよい。重量比が約１：１である場合に
は、温度係数は＋500pm／℃に達する。その組成
は、メラミンホルムアルデヒド―アルキツト樹脂
および／またはエポキシ樹脂エステルの割合が多
くなる方にずらした場合には、温度係数値は−
500ppm／℃にまで達し得る。
抵抗値あるいは抵抗層の抵抗率は、結合剤中の
導電性で耐火性の微粒子の種類および／または充
填密度に依存している。これらの微粒子は、熱分
解炭素にて被覆されており且つリン酸アルミニユ
ウム、酸化アルミニユウム、二酸化珪素、二酸化
チタン、、炭化鉄、酸化錫、酸化鉛、酸化―クロ
ム―（）、タルク、フエライトおよび／または
玄武岩より成る。導電性微粒子としては結合剤に
カーボンブラツクまたはグラフアイトを選択的に
混入してもよい。
導電性で耐火性の微粒子の種類および／または充
填密度に依存している。これらの微粒子は、熱分
解炭素にて被覆されており且つリン酸アルミニユ
ウム、酸化アルミニユウム、二酸化珪素、二酸化
チタン、、炭化鉄、酸化錫、酸化鉛、酸化―クロ
ム―（）、タルク、フエライトおよび／または
玄武岩より成る。導電性微粒子としては結合剤に
カーボンブラツクまたはグラフアイトを選択的に
混入してもよい。
更に結合剤中には、導電路の化学的メツキに有
効な触媒も存在している。“触媒”という表現は、
化学的に処理する浴で金属メツキを実現させる物
質または金属を意味する。化学的な金属メツキに
有効なこの種のフイラーは、結合剤の表面およ
び／または結合剤の小孔系中で触媒作用をする中
心を形成し、化学的―または電気的メツキ浴にお
いて良好に付着する金属層がこの中心の所に作ら
れる。触媒として銅および／または白金群の金属
または金属化合物を用いる。これらの触媒の熱分
解炭素で被覆された耐火性微粒子と別に結合剤に
混入していてもよい。他方、炭素で被覆されたこ
れらの微粒子も触媒と一緒に核化されて
（bekeimen）いてもよい。この場合、例えばこの
フイラーをバラバラの物質として、銅または白金
群の金属を含有する溶液中に浸漬する。この場
合、金属あるいは金属化合物の核（Keime）が
フイラー微粒子の表面に析出する。上記の群の金
属の替わりに、他の金属もフイラーの核化に役立
ち得る。これらの金属の選択はそれぞれ後で使用
する金属メツキ溶液に依存して行う。しかし酸化
銅（Ｉ）または硫酸銅の如き銅の金属化合物が銅
メツキの触媒として特に適している。フイラー材
料の核化は、フイラー微粒子を塩化銅（Ｉ）溶液
に浸漬しそしてフイラー微粒子表面に吸着された
塩化銅（Ｉ）を例えばNaOHの影響によつて、
水に実質的に不溶性の酸化銅（Ｉ）に転化するこ
とによつ実施するのが好ましい。
効な触媒も存在している。“触媒”という表現は、
化学的に処理する浴で金属メツキを実現させる物
質または金属を意味する。化学的な金属メツキに
有効なこの種のフイラーは、結合剤の表面およ
び／または結合剤の小孔系中で触媒作用をする中
心を形成し、化学的―または電気的メツキ浴にお
いて良好に付着する金属層がこの中心の所に作ら
れる。触媒として銅および／または白金群の金属
または金属化合物を用いる。これらの触媒の熱分
解炭素で被覆された耐火性微粒子と別に結合剤に
混入していてもよい。他方、炭素で被覆されたこ
れらの微粒子も触媒と一緒に核化されて
（bekeimen）いてもよい。この場合、例えばこの
フイラーをバラバラの物質として、銅または白金
群の金属を含有する溶液中に浸漬する。この場
合、金属あるいは金属化合物の核（Keime）が
フイラー微粒子の表面に析出する。上記の群の金
属の替わりに、他の金属もフイラーの核化に役立
ち得る。これらの金属の選択はそれぞれ後で使用
する金属メツキ溶液に依存して行う。しかし酸化
銅（Ｉ）または硫酸銅の如き銅の金属化合物が銅
メツキの触媒として特に適している。フイラー材
料の核化は、フイラー微粒子を塩化銅（Ｉ）溶液
に浸漬しそしてフイラー微粒子表面に吸着された
塩化銅（Ｉ）を例えばNaOHの影響によつて、
水に実質的に不溶性の酸化銅（Ｉ）に転化するこ
とによつ実施するのが好ましい。
前述の如く、抵抗値は結合剤中に導電性微粒子
の種類および充填密度に依存している。前に記し
た微粒子にて固有抵抗が0.5〜4000Ω・cmの範囲
で変化する抵抗層を製造することができる。
の種類および充填密度に依存している。前に記し
た微粒子にて固有抵抗が0.5〜4000Ω・cmの範囲
で変化する抵抗層を製造することができる。
プリント回路は、最初に抵抗層をアデイテイブ
法において、殊にスクリーン・アデイテイブ法
（Siebdruktechnik）において特定の平面パター
ンを用いて基体上に設けるようにして製造され
る。この場合、抵抗および導電路を備えている領
域に抵抗層を設ける。導電路のこれに適合する製
法には以下の二つの可能な方法がある： その一つの方法は、抵抗層で被覆されそしてそ
の抵抗層だけを有した基体の領域を金属メツキさ
れない塗料にてマスクすることにある。次いで導
電路を無電流下でおよび／または電気的にメツキ
する浴でメツキし、その際塗料で被覆されてない
抵抗層を銅メツキ、ニツケルメツキ、錫メツキ、
銀メツキまたは金メツキし、その結果、これらの
層は抵抗層よりも低いオーム値であるので、ハン
ダ付け可能な導電路が生じる。アデイテイブ法で
メツキした金属層を有するプリント回路の所また
は領域は導電路の機能を有しており、他方金属メ
ツキが阻止される領域は層抵抗の機能を有してい
る。
法において、殊にスクリーン・アデイテイブ法
（Siebdruktechnik）において特定の平面パター
ンを用いて基体上に設けるようにして製造され
る。この場合、抵抗および導電路を備えている領
域に抵抗層を設ける。導電路のこれに適合する製
法には以下の二つの可能な方法がある： その一つの方法は、抵抗層で被覆されそしてそ
の抵抗層だけを有した基体の領域を金属メツキさ
れない塗料にてマスクすることにある。次いで導
電路を無電流下でおよび／または電気的にメツキ
する浴でメツキし、その際塗料で被覆されてない
抵抗層を銅メツキ、ニツケルメツキ、錫メツキ、
銀メツキまたは金メツキし、その結果、これらの
層は抵抗層よりも低いオーム値であるので、ハン
ダ付け可能な導電路が生じる。アデイテイブ法で
メツキした金属層を有するプリント回路の所また
は領域は導電路の機能を有しており、他方金属メ
ツキが阻止される領域は層抵抗の機能を有してい
る。
二番目の可能な方法は、抵抗層を備えている基
体の全ての領域を導電路の為の層でも被覆するも
のである。次いで導電路の為に準備された領域を
耐食性塗料にてマスクする。その後に導電路層
を、抵抗層が形成されるべき場所をエツチングさ
せて抵抗層だけを残す。
体の全ての領域を導電路の為の層でも被覆するも
のである。次いで導電路の為に準備された領域を
耐食性塗料にてマスクする。その後に導電路層
を、抵抗層が形成されるべき場所をエツチングさ
せて抵抗層だけを残す。
固有抵抗値に影響を及ぼす為には、結合剤にモ
リブデン、ニツケル、鉛、銀、金および／または
これらの混合物より成る＜15μmの大きさの微粒
子を更に追加的に混入することもできる。
リブデン、ニツケル、鉛、銀、金および／または
これらの混合物より成る＜15μmの大きさの微粒
子を更に追加的に混入することもできる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 特定の平面パターンを用いて非導電性基体上
に設けた導電性で且つハンダ付け可能な導電路を
有し且つ集積抵抗層を有するプリント回路を製造
するに当たつて、導電路の下に在りそして接合剤
として作用する抵抗層が有機系結合剤より成り、
該結合剤中に、抵抗値を決定する耐火性で且つ１
〜50重量％まで熱分解炭素にて被覆された＜
20μmの大きさの微粒子および／またはカーボン
ブラツクまたはグラフアイトが存在し且つ化学的
金属メツキに役立つ触媒が存在し、そして上記有
機系結合剤がカプロラクタムでブロツクされたポ
リウレタン樹脂とシリコーン樹脂および／または
アセタール樹脂および／またはビニルクロライド
―ビニルアセテート共重合体および／または飽和
ポリエステルとの混合物であることを特徴とす
る、上記プリント回路の製造方法。 ２ 有機系結合剤がイソホロン―ジイソシアネー
トとヒドロキシル基含有オキシエステルとの、カ
プロラクタムでブロツクされた付加物である特許
請求の範囲第１項記載の方法。 ３ 有機系結合剤が、メラミンホルムアルデヒド
―アルキツト樹脂および／またはエポキシ樹脂エ
ステルよりなる混合物を含有する、カプロラクタ
ムでブロツクされたポリウレタン樹脂とシリコー
ン樹脂および／またはアセタール樹脂および／ま
たはビニルクロライド―ビニルアセテート共重合
体および／または飽和ポリエステルとの混合物で
ある特許請求の範囲の範囲第１項記載の方法。 ４ 有機系結合剤が、メラミンホルムアルデヒド
―アルキツト樹脂および／またはエポキシ樹脂エ
ステルよりなる混合物を含有する、カプロラクタ
ムでブロツクされたイソホロン―ジイソシアネー
トとヒドロキシル基含有オキシエステルとの付加
物である特許請求の範囲の範囲第１項記載の方
法。 ５ 熱分解した炭素で被覆した耐熱微粒子がリン
酸アルミニユウム、酸化アルミニユウム、二酸化
珪素、二酸化チタン、炭化鉄、酸化錫、酸化鉛、
酸化―クロム―（）、タルク、フエライトおよ
び／または玄武岩より成る特許請求の範囲第１項
記載かた第４項までのいずれか一つに記載の方
法。 ６ 触媒が銅および／または白金群の金属または
金属化合物より成る微粒子である特許請求の範囲
第１項記載から第５項までのいずれか一つに記載
の方法。 ７ 熱分解炭素で被覆された耐熱性微粒子を触媒
と一緒に核化する特許請求の範囲第１項記載から
第６項までのいずれか一つに記載の方法。 ８ 抵抗層の抵抗率が0.5〜4000Ωcmの間で変化
する特許請求の範囲第１項記載の方法。 ９ 導電路を、無電流および／または電気的に処
理する浴で銅メツキ、ニツケルメツキ、錫メツ
キ、銀メツキまたは金メツキし、その際抵抗とし
て予定されている基体の領域を、金属メツキされ
ない塗料にてマスクする特許請求の範囲第１項か
ら第８項までのいずれか一つに記載の方法。 １０ 導電路および抵抗として予定された基体領
域に金属メツキを行い、次いで導電路として予定
された領域を耐食性塗料でマスクしそして抵抗と
して予定された領域の該金属化合物を除く特許請
求の範囲第１項から第９項までのいずれか一つに
記載の方法。 １１ 結合剤に＜15μmの大きさの微粒子の状態
のモリブデン、ニツケル、鉛、銀、金の粒子およ
びこれらの混合物を混入する特許請求の範囲第１
項から第１０項までのいずれか一つに記載の方
法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2812497A DE2812497C3 (de) | 1978-03-22 | 1978-03-22 | Gedruckte Schaltung |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54135363A JPS54135363A (en) | 1979-10-20 |
| JPS6350878B2 true JPS6350878B2 (ja) | 1988-10-12 |
Family
ID=6035160
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3239379A Granted JPS54135363A (en) | 1978-03-22 | 1979-03-22 | Method of producing printed circuit |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4319217A (ja) |
| JP (1) | JPS54135363A (ja) |
| DE (1) | DE2812497C3 (ja) |
| FR (1) | FR2420897A1 (ja) |
| GB (1) | GB2026250B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0525648A (ja) * | 1991-07-15 | 1993-02-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマｃｖｄ成膜方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3130159A1 (de) * | 1981-07-30 | 1983-02-17 | Preh, Elektrofeinmechanische Werke, Jakob Preh, Nachf. Gmbh & Co, 8740 Bad Neustadt | "verfahren zur herstellung von leiterplatten" |
| JPS59227101A (ja) * | 1983-06-07 | 1984-12-20 | 株式会社日本自動車部品総合研究所 | 厚膜抵抗 |
| EP0268781A1 (de) * | 1986-09-30 | 1988-06-01 | Wilde Membran Impuls Technik GmbH | Additiv metallisierte elektrisch leitfähige Struktur |
| DE3733002A1 (de) * | 1986-09-30 | 1988-04-07 | Wilde Membran Impuls Tech | Additiv metallisierte elektrisch leitfaehige struktur |
| DE3916921C1 (ja) * | 1989-05-24 | 1990-10-11 | Preh-Werke Gmbh & Co Kg, 8740 Bad Neustadt, De | |
| EP0575003B1 (de) * | 1992-06-16 | 1999-02-17 | Philips Patentverwaltung GmbH | Elektrische Widerstandsschicht |
| DE4314665A1 (de) * | 1993-05-04 | 1994-11-10 | Hella Kg Hueck & Co | Schaltungsanordnung |
| GB2343996B (en) * | 1998-11-20 | 2003-03-26 | Nec Technologies | Current sensing resistor |
Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPS5145766A (ja) * | 1974-10-17 | 1976-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Teikotsukiinsatsuhaisenbanno seizoho |
Family Cites Families (11)
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|---|---|---|---|---|
| GB723437A (en) * | 1952-02-12 | 1955-02-09 | Frank Raymond Faber Ramsay | Gas or liquid fuel fired heater |
| NL221883A (ja) * | 1956-11-08 | 1900-01-01 | ||
| US3358362A (en) * | 1965-01-21 | 1967-12-19 | Int Resistance Co | Method of making an electrical resistor |
| GB1108967A (en) * | 1965-08-23 | 1968-04-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Carbon film resistor composition |
| DE1640635A1 (de) * | 1966-07-28 | 1970-12-10 | Kupfer Asbest Co | Verfahren zur Herstellung gedruckter Schaltungen und Basismaterial hierzu |
| US3686139A (en) * | 1970-03-10 | 1972-08-22 | Globe Union Inc | Resistive coating compositions and resistor elements produced therefrom |
| DE2044484B2 (de) * | 1970-09-08 | 1973-09-27 | Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart | Haftvermittler fur die Herstellung gedruckter Schaltungen nach der Aufbau methode |
| US3801364A (en) * | 1971-02-03 | 1974-04-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method for making printed circuits which include printed resistors |
| GB1377413A (en) * | 1972-03-20 | 1974-12-18 | Universal Oil Prod Co | Semiconducting material and method of manufacture and use thereof |
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| AU475305B2 (en) * | 1973-12-14 | 1976-08-19 | Caddock, Richard Elliot | Method and apparatus for manufacturing cylindrical resistors by thick-film silk-screening |
-
1978
- 1978-03-22 DE DE2812497A patent/DE2812497C3/de not_active Expired
-
1979
- 1979-03-21 FR FR7907160A patent/FR2420897A1/fr active Granted
- 1979-03-22 US US06/022,843 patent/US4319217A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-03-22 GB GB7910035A patent/GB2026250B/en not_active Expired
- 1979-03-22 JP JP3239379A patent/JPS54135363A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5145766A (ja) * | 1974-10-17 | 1976-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Teikotsukiinsatsuhaisenbanno seizoho |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0525648A (ja) * | 1991-07-15 | 1993-02-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマｃｖｄ成膜方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2420897B3 (ja) | 1981-12-18 |
| GB2026250A (en) | 1980-01-30 |
| US4319217A (en) | 1982-03-09 |
| GB2026250B (en) | 1982-04-07 |
| FR2420897A1 (fr) | 1979-10-19 |
| DE2812497C3 (de) | 1982-03-11 |
| DE2812497B2 (de) | 1981-05-21 |
| JPS54135363A (en) | 1979-10-20 |
| DE2812497A1 (de) | 1979-09-27 |
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