JPS6347239B2 - - Google Patents
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- JPS6347239B2 JPS6347239B2 JP57025121A JP2512182A JPS6347239B2 JP S6347239 B2 JPS6347239 B2 JP S6347239B2 JP 57025121 A JP57025121 A JP 57025121A JP 2512182 A JP2512182 A JP 2512182A JP S6347239 B2 JPS6347239 B2 JP S6347239B2
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- transistor
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、シングルエンデイツドプツシユプル
(以下SEPPと略す)インバータを使用した誘導
加熱調理器に関する。
(以下SEPPと略す)インバータを使用した誘導
加熱調理器に関する。
従来この種誘導加熱調理器の駆動回路として、
誘導加熱コイルと共振コンデンサよりなる直列共
振回路を利用し、かつ共振コンデンサに並列にス
イツチング素子を接続して高周波インバータを構
成したものが知られている。かかる構成の調理器
では、スイツチング素子のオン期間及び上記直列
共振回路の共振周期によつてインバータの発振周
波数が変る。この周波数の変化、特にスイツチン
グ素子のオン期間の制御により負荷への入力が調
節される。このような周波数制御方式の調理器で
は、多口構成としたとき、雑音発生という問題が
生じる。すなわち、隣接する加熱口を同時に動作
させたとき、加熱される鍋の材質の差或は設定さ
れた入力の差により、当然インバータの発振周波
数もまた変つてくる。上記雑音は、各加熱口から
の磁界が互いに干渉し合つて、両者の周波数差に
応じて発生するものであり、周波数差が大きくな
るにしたがつて、大きくなる傾向がある。かかる
雑音発生は、使用者に不愉快を感じさせることか
ら商品価値を低下させる原因となつている。
誘導加熱コイルと共振コンデンサよりなる直列共
振回路を利用し、かつ共振コンデンサに並列にス
イツチング素子を接続して高周波インバータを構
成したものが知られている。かかる構成の調理器
では、スイツチング素子のオン期間及び上記直列
共振回路の共振周期によつてインバータの発振周
波数が変る。この周波数の変化、特にスイツチン
グ素子のオン期間の制御により負荷への入力が調
節される。このような周波数制御方式の調理器で
は、多口構成としたとき、雑音発生という問題が
生じる。すなわち、隣接する加熱口を同時に動作
させたとき、加熱される鍋の材質の差或は設定さ
れた入力の差により、当然インバータの発振周波
数もまた変つてくる。上記雑音は、各加熱口から
の磁界が互いに干渉し合つて、両者の周波数差に
応じて発生するものであり、周波数差が大きくな
るにしたがつて、大きくなる傾向がある。かかる
雑音発生は、使用者に不愉快を感じさせることか
ら商品価値を低下させる原因となつている。
本発明は、このような事情を考慮してなされた
もので、インバータの発振周波数を一定とし、か
つこの条件下で入力調節を可能としたもので、特
に多口誘導加熱調理器に適用して有益であるが、
一口誘導加熱調理器に応用しても何ら差支えな
い。
もので、インバータの発振周波数を一定とし、か
つこの条件下で入力調節を可能としたもので、特
に多口誘導加熱調理器に適用して有益であるが、
一口誘導加熱調理器に応用しても何ら差支えな
い。
本発明は、上記目的を達成するためにシングル
エンデイツドプツシユプル(SEPP)インバータ
を使用し、かつこのSEPPインバータは、誘導加
熱コイル及び共振コンデンサよりなる負荷回路の
一端が電源高電位側に接続されてなる。この点に
おいて従来の典型的なSEPPインバータがその負
荷回路の一端を低電位側(通常アース電位)に接
続されてなるのと異なつている。
エンデイツドプツシユプル(SEPP)インバータ
を使用し、かつこのSEPPインバータは、誘導加
熱コイル及び共振コンデンサよりなる負荷回路の
一端が電源高電位側に接続されてなる。この点に
おいて従来の典型的なSEPPインバータがその負
荷回路の一端を低電位側(通常アース電位)に接
続されてなるのと異なつている。
本発明はまたSEPPインバータの駆動源となる
交流電源の入力電流が負荷への入力に比例するこ
とを利用し、この入力電流を検知することにより
過大電力が入力することを防止し、正確な入力制
御を行なうことを目的とするものである。
交流電源の入力電流が負荷への入力に比例するこ
とを利用し、この入力電流を検知することにより
過大電力が入力することを防止し、正確な入力制
御を行なうことを目的とするものである。
第1図は本発明実施例に使用されるSEPPイン
バータ1の構成を示し、Q1,Q2は各々第1スイ
ツチング素子及び第2スイツチング素子となる第
1トランジスタ及び第2トランジスタで、ともに
npn型トランジスタが使用され直流電源間に直列
接続されている。第1、第2スイツチング素子と
しては、トランジスタのほか、GTO等を使用す
る事もできる。D1,D2は第1、第2トランジス
タQ1,Q2に逆並列に接続されたフリーホイルダ
イオード、2は、第1トランジスタQ1に並列に
接続された負荷回路で、誘導加熱コイルL1及び
共振コンデンサC1よりなる。鉄系金属よりなる
調理鍋は、誘導加熱コイルL1上に近接配置され
る。
バータ1の構成を示し、Q1,Q2は各々第1スイ
ツチング素子及び第2スイツチング素子となる第
1トランジスタ及び第2トランジスタで、ともに
npn型トランジスタが使用され直流電源間に直列
接続されている。第1、第2スイツチング素子と
しては、トランジスタのほか、GTO等を使用す
る事もできる。D1,D2は第1、第2トランジス
タQ1,Q2に逆並列に接続されたフリーホイルダ
イオード、2は、第1トランジスタQ1に並列に
接続された負荷回路で、誘導加熱コイルL1及び
共振コンデンサC1よりなる。鉄系金属よりなる
調理鍋は、誘導加熱コイルL1上に近接配置され
る。
第2図は、その動作波形図を示し、第1、第2
トランジスタQ1,Q2の各ベースには、オン・オ
フ信号A,Bが各々印加される。まず信号Bによ
り第2トランジスタQ2がオンとなると、駆動電
流I1が、誘導加熱コイルL1、共振コンデンサC1及
び第2トランジスタQ2を通つて流れ、第2トラ
ンジスタQ2がオフ、第1トランジスタQ1がオン
になると、誘導加熱コイルL1、共振コンデンサ
C1及びダイオードD1を通つて循環電流I2が流れ
る。この循環電流I2がゼロになると、負荷回路2
を流れる電流が反転し、第1トランジスタQ1、
共振コンデンサC1及び誘導加熱コイルL1を通つ
て駆動電流I3が流れる。続いて、再び第2トラン
ジスタQ2がオン、第1トランジスタQ1がオフと
なるが、しばらくの間ダイオードD2、共振コン
デンサC1及び誘導加熱コイルL1を通つて循環電
流I4が流れる。第3図は、第1トランジスタQ1の
オン・オフ期間割合を等しくし、他方、第2トラ
ンジスタQ2のオン期間を、第1トランジスタQ1
のオフ期間内においてデユーテイ制御した場合の
負荷電流波形を示し、第1トランジスタQ1のオ
フ期間を最大、ゼロを最小として任意に電流値を
制御することができる。第1トランジスタQ1は、
エミツタ電位が不安定に変化するために、そのデ
ユーテイ制御は難しく、これを行なうには複雑な
回路を必要とするが、第2トランジスタQ2は、
エミツタ電位が低電位(アース電位)に固定され
ているためにそのデユーテイ制御は容易である。
従つて発振起動時、第2トランジスタQ2のオン
期間が短い状態から開始することも容易に達成で
き起動時発生し易い大電流や、電流遮断時におけ
るサージ電圧によるトランジスタの負担を軽減で
きる。
トランジスタQ1,Q2の各ベースには、オン・オ
フ信号A,Bが各々印加される。まず信号Bによ
り第2トランジスタQ2がオンとなると、駆動電
流I1が、誘導加熱コイルL1、共振コンデンサC1及
び第2トランジスタQ2を通つて流れ、第2トラ
ンジスタQ2がオフ、第1トランジスタQ1がオン
になると、誘導加熱コイルL1、共振コンデンサ
C1及びダイオードD1を通つて循環電流I2が流れ
る。この循環電流I2がゼロになると、負荷回路2
を流れる電流が反転し、第1トランジスタQ1、
共振コンデンサC1及び誘導加熱コイルL1を通つ
て駆動電流I3が流れる。続いて、再び第2トラン
ジスタQ2がオン、第1トランジスタQ1がオフと
なるが、しばらくの間ダイオードD2、共振コン
デンサC1及び誘導加熱コイルL1を通つて循環電
流I4が流れる。第3図は、第1トランジスタQ1の
オン・オフ期間割合を等しくし、他方、第2トラ
ンジスタQ2のオン期間を、第1トランジスタQ1
のオフ期間内においてデユーテイ制御した場合の
負荷電流波形を示し、第1トランジスタQ1のオ
フ期間を最大、ゼロを最小として任意に電流値を
制御することができる。第1トランジスタQ1は、
エミツタ電位が不安定に変化するために、そのデ
ユーテイ制御は難しく、これを行なうには複雑な
回路を必要とするが、第2トランジスタQ2は、
エミツタ電位が低電位(アース電位)に固定され
ているためにそのデユーテイ制御は容易である。
従つて発振起動時、第2トランジスタQ2のオン
期間が短い状態から開始することも容易に達成で
き起動時発生し易い大電流や、電流遮断時におけ
るサージ電圧によるトランジスタの負担を軽減で
きる。
第4図及び第5図は、本発明実施例を示す。第
4図において1は前述のSEPPインバータ、Acは
交流電源、3は電源スイツチ、4はダイオードブ
リツジよりなる整流回路、CHはチヨークコイ
ル、C2は平滑用コンデンサで、この平滑用コン
デンサC2の端子間電圧が、SEPPインバータ1に
印加される。5は誘導加熱コイルL1に近接配置
される負荷となる調理鍋で鉄系金属にて構成され
る。6,7は第1、第2トランジスタQ1,Q2を
交互に導通させるべく駆動信号を与える第1、第
2駆動回路で、その駆動周波数は、一定の高周波
数例えば20KHzに設定されている。8は第1、第
2駆動回路6,7の動作を制御するデユーテイ制
御回路で、一定期間例えば1秒間を周期とし、こ
の間でのオン・オフ期間の割合を変えることによ
り負荷への入力が制御される。本例にあつては、
主たる入力制御はこのデユーテイ制御回路8によ
つて行なわれる。CT1は第2トランジスタQ2の
エミツタ側ラインに設けられた第1電流検知回路
としてはたらく第1カレントトランス、CT2は交
流電源2の1ラインに設けられた第2電流検知回
路としてはたらく第2カレントトランスであり、
各々電流検知信号IP1,IP2を得る。
4図において1は前述のSEPPインバータ、Acは
交流電源、3は電源スイツチ、4はダイオードブ
リツジよりなる整流回路、CHはチヨークコイ
ル、C2は平滑用コンデンサで、この平滑用コン
デンサC2の端子間電圧が、SEPPインバータ1に
印加される。5は誘導加熱コイルL1に近接配置
される負荷となる調理鍋で鉄系金属にて構成され
る。6,7は第1、第2トランジスタQ1,Q2を
交互に導通させるべく駆動信号を与える第1、第
2駆動回路で、その駆動周波数は、一定の高周波
数例えば20KHzに設定されている。8は第1、第
2駆動回路6,7の動作を制御するデユーテイ制
御回路で、一定期間例えば1秒間を周期とし、こ
の間でのオン・オフ期間の割合を変えることによ
り負荷への入力が制御される。本例にあつては、
主たる入力制御はこのデユーテイ制御回路8によ
つて行なわれる。CT1は第2トランジスタQ2の
エミツタ側ラインに設けられた第1電流検知回路
としてはたらく第1カレントトランス、CT2は交
流電源2の1ラインに設けられた第2電流検知回
路としてはたらく第2カレントトランスであり、
各々電流検知信号IP1,IP2を得る。
第5図において、COM1は比較器で側基準端
子には、平滑コンデンサC2の側端子電圧V1が
抵抗R1,R2,R3にて分圧されて印加される。ま
た側信号端子には第1カレントトランスCT1か
らの検知信号が抵抗R4にて電圧に変換されて印
加される。FF1は比較器COM1の出力がリセツト
端子に入力されるフリツプフロツプで、そのセツ
ト端子には、第1トランジスタQ1のオン信号立
上りに同期した“L”トリガパルスB′が入力さ
れる。なお、このフリツプフロツプFF1を含め、
後述するフリツプフロツプFF2,FF3は、全て
“L”レベルパルスにてトリガされるものである。
Q3はフリツプフロツプFF1のセツト出力が抵抗
R6を介してベースに入力されるトランジスタで、
コレクタは抵抗R7を介して定電圧VCC端子に、ま
たエミツタは接地されている。9は、トランジス
タQ3のコレクタ・エミツタ間に並列接続された
時定数回路で、抵抗R8及びコンデンサC3よりな
る。COM2はこの時定数回路9のコンデンサC3端
子電圧が側信号端子に入力される比較器で、そ
の側基準端子には電圧VCCが抵抗R9,R10にて
分圧されて入力される。FF2はセツト端子にデユ
ーテイオン信号に同期したトリガパルスが入力さ
れ、リセツト端子に比較器COM2の出力が加えら
れるフリツプフロツプ、10はこのフリツプフロ
ツプFF2のセツト出力信号及びフリツプフロツプ
FF1のセツト出力信号を2入力とするアンドゲー
ト、11はアンドゲート10の出力が“H”レベ
ルにあるとき動作可能状態となる単安定マルチバ
イブレータ、7は単安定マルチバイブレータ11
からパルス信号を受けて動作する前述の第2駆動
回路であり、その出力は第2トランジスタQ2の
ベースに加えられる。FF3はデユーテイオン信号
に同期したトリガパルスがセツト端子に入力さ
れ、比較器COM1の出力信号がリセツト端子に入
力されるフリツプフロツプ、Q4はこのフリツプ
フロツプFF3の出力が抵抗R11を介してベースに
入力されるトランジスタでエミツタが定電圧VDD
端子にコレクタが時定数回路12を経て単安定マ
ルチバイブレータ11に接続されている。時定数
回路12は抵抗R12,R13及びコンデンサC4より
なり単安定マルチバイブレータ11の“H”レベ
ル期間を決定する。単安定マルチバイブレータ1
1には、起動信号として、第1トランジスタQ1
の駆動信号Bの立下りに同期したパルス信号
B″が与えられる。それ故、この単安定マルチバ
イブレータ11は、第1トランジスタQ1のオフ
後時定数回路12にて決定される時間幅をもつ
“H”レベル信号を出力することとなり、この信
号が第2トランジスタQ2のオン信号Cとして使
用される。Q5は、トランジスタQ4のコレクタ・
エミツタ間に並列接続された他のトランジスタ、
14は、第2カレントトランスCT2の検知信号を
整流する整流回路、C5は、平滑コンデンサ、
COM3は平滑コンデンサC5の側端子電圧がその
側信号端子に入力される比較器で側基準端子
には、電圧VCCが抵抗R14,R15にて分圧されて加
えられる。15は、抵抗R16及びコンデンサC6に
て構成される時定数回路で、比較器COM3の出力
が入力される。時定数回路15の出力は抵抗R17
を介して、トランジスタQ5のベースに与えられ
る。
子には、平滑コンデンサC2の側端子電圧V1が
抵抗R1,R2,R3にて分圧されて印加される。ま
た側信号端子には第1カレントトランスCT1か
らの検知信号が抵抗R4にて電圧に変換されて印
加される。FF1は比較器COM1の出力がリセツト
端子に入力されるフリツプフロツプで、そのセツ
ト端子には、第1トランジスタQ1のオン信号立
上りに同期した“L”トリガパルスB′が入力さ
れる。なお、このフリツプフロツプFF1を含め、
後述するフリツプフロツプFF2,FF3は、全て
“L”レベルパルスにてトリガされるものである。
Q3はフリツプフロツプFF1のセツト出力が抵抗
R6を介してベースに入力されるトランジスタで、
コレクタは抵抗R7を介して定電圧VCC端子に、ま
たエミツタは接地されている。9は、トランジス
タQ3のコレクタ・エミツタ間に並列接続された
時定数回路で、抵抗R8及びコンデンサC3よりな
る。COM2はこの時定数回路9のコンデンサC3端
子電圧が側信号端子に入力される比較器で、そ
の側基準端子には電圧VCCが抵抗R9,R10にて
分圧されて入力される。FF2はセツト端子にデユ
ーテイオン信号に同期したトリガパルスが入力さ
れ、リセツト端子に比較器COM2の出力が加えら
れるフリツプフロツプ、10はこのフリツプフロ
ツプFF2のセツト出力信号及びフリツプフロツプ
FF1のセツト出力信号を2入力とするアンドゲー
ト、11はアンドゲート10の出力が“H”レベ
ルにあるとき動作可能状態となる単安定マルチバ
イブレータ、7は単安定マルチバイブレータ11
からパルス信号を受けて動作する前述の第2駆動
回路であり、その出力は第2トランジスタQ2の
ベースに加えられる。FF3はデユーテイオン信号
に同期したトリガパルスがセツト端子に入力さ
れ、比較器COM1の出力信号がリセツト端子に入
力されるフリツプフロツプ、Q4はこのフリツプ
フロツプFF3の出力が抵抗R11を介してベースに
入力されるトランジスタでエミツタが定電圧VDD
端子にコレクタが時定数回路12を経て単安定マ
ルチバイブレータ11に接続されている。時定数
回路12は抵抗R12,R13及びコンデンサC4より
なり単安定マルチバイブレータ11の“H”レベ
ル期間を決定する。単安定マルチバイブレータ1
1には、起動信号として、第1トランジスタQ1
の駆動信号Bの立下りに同期したパルス信号
B″が与えられる。それ故、この単安定マルチバ
イブレータ11は、第1トランジスタQ1のオフ
後時定数回路12にて決定される時間幅をもつ
“H”レベル信号を出力することとなり、この信
号が第2トランジスタQ2のオン信号Cとして使
用される。Q5は、トランジスタQ4のコレクタ・
エミツタ間に並列接続された他のトランジスタ、
14は、第2カレントトランスCT2の検知信号を
整流する整流回路、C5は、平滑コンデンサ、
COM3は平滑コンデンサC5の側端子電圧がその
側信号端子に入力される比較器で側基準端子
には、電圧VCCが抵抗R14,R15にて分圧されて加
えられる。15は、抵抗R16及びコンデンサC6に
て構成される時定数回路で、比較器COM3の出力
が入力される。時定数回路15の出力は抵抗R17
を介して、トランジスタQ5のベースに与えられ
る。
次に動作につき説明する。第6図において期間
T1は、正常な負荷に対する加熱動作が行なわれ
ている状態を示す。すなわち、まずデユーテイオ
ン信号Aの立上りに同期したパルス信号A′(信号
Aの立上り信号を“L”レベルパルスに変換した
信号)によりフリツプフロツプFF2,FF3がセツ
トされる。今の場合第1カレントトランスCT1の
検知信号IP1の電圧変換値は比較器COM1の側
基準端子電圧に達しないから、その出力Dは
“H”レベルのままである。したがつてフリツプ
フロツプFF1の出力Eは“H”、トランジスタQ3
はオン、時定数回路9出力Gは“L”、比較器
COM2の出力は“H”、フリツプフロツプFF2の
出力Iは“H”となる。この“H”レベル信号I
により単安定マルチバイブレータ11は動作可能
となる。即ち、信号Bの立上りに同期した信号
B″により単安定マルチバイブレータ11は、
“H”レベルとなり、この“H”レベル期間は、
時定数回路12の時定数により決まる。正常加熱
の場合この“H”レベル期間は、第1トランジス
タQ1のオフ期間に等しいかこれより僅か短かく
設定されている。今の場合フリツプフロツプFF3
はセツト状態にあるからその出力Fは“H”、そ
れ故トランジスタQ4はオフ状態にある。また第
2カレントトランスCT2の検知信号レベルは低い
から、比較器COM3の出力Jは“H”、時定数回
路15の出力Kは“H”であり、トランジスタ
Q5はオフ状態にある。かくして、時定数回路1
2の最大時定数にて単安定マルチバイブレータ1
1が発振し、第2駆動回路7が作動してSEPPイ
ンバータ1は発振駆動する。尚第1駆動回路6の
出力Bはそのオン・オフ期間が一対一に固定され
たものであり、発振器等により形成される。
T1は、正常な負荷に対する加熱動作が行なわれ
ている状態を示す。すなわち、まずデユーテイオ
ン信号Aの立上りに同期したパルス信号A′(信号
Aの立上り信号を“L”レベルパルスに変換した
信号)によりフリツプフロツプFF2,FF3がセツ
トされる。今の場合第1カレントトランスCT1の
検知信号IP1の電圧変換値は比較器COM1の側
基準端子電圧に達しないから、その出力Dは
“H”レベルのままである。したがつてフリツプ
フロツプFF1の出力Eは“H”、トランジスタQ3
はオン、時定数回路9出力Gは“L”、比較器
COM2の出力は“H”、フリツプフロツプFF2の
出力Iは“H”となる。この“H”レベル信号I
により単安定マルチバイブレータ11は動作可能
となる。即ち、信号Bの立上りに同期した信号
B″により単安定マルチバイブレータ11は、
“H”レベルとなり、この“H”レベル期間は、
時定数回路12の時定数により決まる。正常加熱
の場合この“H”レベル期間は、第1トランジス
タQ1のオフ期間に等しいかこれより僅か短かく
設定されている。今の場合フリツプフロツプFF3
はセツト状態にあるからその出力Fは“H”、そ
れ故トランジスタQ4はオフ状態にある。また第
2カレントトランスCT2の検知信号レベルは低い
から、比較器COM3の出力Jは“H”、時定数回
路15の出力Kは“H”であり、トランジスタ
Q5はオフ状態にある。かくして、時定数回路1
2の最大時定数にて単安定マルチバイブレータ1
1が発振し、第2駆動回路7が作動してSEPPイ
ンバータ1は発振駆動する。尚第1駆動回路6の
出力Bはそのオン・オフ期間が一対一に固定され
たものであり、発振器等により形成される。
次に負荷としてアルミニウム鍋(以下アルミ鍋
という)を使用した場合につき説明する。この場
合、第2トランジスタQ2に過大電流が流れると
いう現象が生じ、第2トランジスタQ2破壊の原
因となる。これは、無負荷或は小物負荷加熱時に
あつても同様である。なおこのとき、交流入力電
流は小さい。かかる状態の信号波形を第6図期間
T2に示す。第2トランジスタQ2に流れる電流が、
その定格電流値に基いて設定された電流値を越え
ると、第1カレントトランスCT1検知電圧レベル
は、基準レベルを越え比較器COM1の出力Dに
“L”レベルパルスを発生する。この“L”レベ
ルパルスによりフリツプフロツプFF1,FF3がと
もにリセツトされる。フリツプフロツプFF3のリ
セツトによりそのセツト出力信号Fは“L”レベ
ルに変りトランジスタQ4がオンとなる。このト
ランジスタQ4は、インピーダンス素子としては
たらき、時定数回路12の時定数を低下させる。
それ故、単安定マルチバイブレータ11の出力に
おける“H”レベル期間は短かくなり、第2トラ
ンジスタQ2のオン期間は短縮される(波形C)。
という)を使用した場合につき説明する。この場
合、第2トランジスタQ2に過大電流が流れると
いう現象が生じ、第2トランジスタQ2破壊の原
因となる。これは、無負荷或は小物負荷加熱時に
あつても同様である。なおこのとき、交流入力電
流は小さい。かかる状態の信号波形を第6図期間
T2に示す。第2トランジスタQ2に流れる電流が、
その定格電流値に基いて設定された電流値を越え
ると、第1カレントトランスCT1検知電圧レベル
は、基準レベルを越え比較器COM1の出力Dに
“L”レベルパルスを発生する。この“L”レベ
ルパルスによりフリツプフロツプFF1,FF3がと
もにリセツトされる。フリツプフロツプFF3のリ
セツトによりそのセツト出力信号Fは“L”レベ
ルに変りトランジスタQ4がオンとなる。このト
ランジスタQ4は、インピーダンス素子としては
たらき、時定数回路12の時定数を低下させる。
それ故、単安定マルチバイブレータ11の出力に
おける“H”レベル期間は短かくなり、第2トラ
ンジスタQ2のオン期間は短縮される(波形C)。
一方フリツプフロツプFF1のリセツトによりト
ランジスタQ3がオフとなり、時定数回路9を構
成するコンデンサC3への充電が始まる。フリツ
プフロツプFF1は、第1トランジスタQ1のオン信
号Bの立上りに同期した信号B′によつてセツト
されるから、コンデンサC3への充電は、過大電
流検知後、第1トランジスタQ1のオン時期まで
行なわれる。従つてこの充電期間は、第2トラン
ジスタQ2に流れる電流の上記所定値まで達する
時間が早ければ、この充電期間は長くなり、逆の
場合は短くなる。このコンデンサC3への充電が
繰返されその電圧レベルGが比較器COM2の側
基準端子電圧VreF1に達すると、比較器COM2の
出力Hは“L”レベルに変る。それ故アンドゲー
ト10出力Iは“L”レベルに反転し、単安定マ
ルチバイブレータ11の動作を禁止する。これに
より、第2トランジスタQ2はオフに固定され
SEPPインバータ1の発振は停止する。この停止
期間を第6図中T3で示す。このようにして、ア
ルミ鍋、ナイフ等の小物負荷が加熱されたとき、
及び無負荷のときは、まず第2トランジスタQ2
のオン期間が短縮されて、負荷への入力が低減さ
れる。かかる状態でなお、過大電流が検知されれ
ばSEPPインバータ1の発振は停止する。この場
合、負荷の材質或は大きさによつては、低入力状
態の侭加熱が続行される状態もあり得る。
ランジスタQ3がオフとなり、時定数回路9を構
成するコンデンサC3への充電が始まる。フリツ
プフロツプFF1は、第1トランジスタQ1のオン信
号Bの立上りに同期した信号B′によつてセツト
されるから、コンデンサC3への充電は、過大電
流検知後、第1トランジスタQ1のオン時期まで
行なわれる。従つてこの充電期間は、第2トラン
ジスタQ2に流れる電流の上記所定値まで達する
時間が早ければ、この充電期間は長くなり、逆の
場合は短くなる。このコンデンサC3への充電が
繰返されその電圧レベルGが比較器COM2の側
基準端子電圧VreF1に達すると、比較器COM2の
出力Hは“L”レベルに変る。それ故アンドゲー
ト10出力Iは“L”レベルに反転し、単安定マ
ルチバイブレータ11の動作を禁止する。これに
より、第2トランジスタQ2はオフに固定され
SEPPインバータ1の発振は停止する。この停止
期間を第6図中T3で示す。このようにして、ア
ルミ鍋、ナイフ等の小物負荷が加熱されたとき、
及び無負荷のときは、まず第2トランジスタQ2
のオン期間が短縮されて、負荷への入力が低減さ
れる。かかる状態でなお、過大電流が検知されれ
ばSEPPインバータ1の発振は停止する。この場
合、負荷の材質或は大きさによつては、低入力状
態の侭加熱が続行される状態もあり得る。
次に前述のケースと逆のケースすなわち、交流
入力電流が大きく、第2トランジスタQ2に流れ
る電流が小さい場合につき第7図に基いて説明す
る。かかる現象は鉄鍋の底を銅の層にて裏打ちし
た鍋に見られる。この場合、入力を仮に1500Wと
した場合であつても実際には、例えば1800Wの電
力が供給されることがあり、正確な入力制御を行
なうことができないばかりでなく、ヒユーズがと
んだりブレーカが遮断することも生じ、加熱動作
自体不可能となる場合がある。このような場合、
第2カレントトランスCT2の検知電流値が、予め
設定された入力電力の最大値を基準にして決定さ
れた値に達すると比較器COM3の出力信号Jは
“L”レベルに変る。この時まで充電状態にあつ
た時定数回路15のコンデンサC6は、その後
徐々に放電され、この電圧Kが所定値Vref2にま
で低下したとき、トランジスタQ5がオンとなる。
このトランジスタQ5は、時定数回路12の時定
数を低下させるインピーダンス素子としてはたら
き、第2トランジスタQ2駆動信号Cのオン期間
を短縮させ、負荷へ加わる入力を低下させるべく
作用する。かくして過大電力の供給は、抑制され
設定値に近い値で、電力供給を行なうことができ
る。
入力電流が大きく、第2トランジスタQ2に流れ
る電流が小さい場合につき第7図に基いて説明す
る。かかる現象は鉄鍋の底を銅の層にて裏打ちし
た鍋に見られる。この場合、入力を仮に1500Wと
した場合であつても実際には、例えば1800Wの電
力が供給されることがあり、正確な入力制御を行
なうことができないばかりでなく、ヒユーズがと
んだりブレーカが遮断することも生じ、加熱動作
自体不可能となる場合がある。このような場合、
第2カレントトランスCT2の検知電流値が、予め
設定された入力電力の最大値を基準にして決定さ
れた値に達すると比較器COM3の出力信号Jは
“L”レベルに変る。この時まで充電状態にあつ
た時定数回路15のコンデンサC6は、その後
徐々に放電され、この電圧Kが所定値Vref2にま
で低下したとき、トランジスタQ5がオンとなる。
このトランジスタQ5は、時定数回路12の時定
数を低下させるインピーダンス素子としてはたら
き、第2トランジスタQ2駆動信号Cのオン期間
を短縮させ、負荷へ加わる入力を低下させるべく
作用する。かくして過大電力の供給は、抑制され
設定値に近い値で、電力供給を行なうことができ
る。
ここで、時定数回路15の意義について述べ
る。本例では、第2カレントトランスCT2によつ
て過大入力電流が検知された後、トランジスタ
Q5がオンとなつて入力を低下するまで、時定数
回路15にて期間T3だけ遅延させている。仮に
いまこの時定数回路15を設けなかつた場合、過
大入力電流が検知されると、比較器COM3の
“L”レベル反転により、直ぐにトランジスタQ5
がオンとなり、第2トランジスタQ2のオン期間
を短縮する。これにより入力が低減されると、そ
の直後に過大電流は消減し、比較器COM3の出力
は、“H”レベルに復帰する。そうすると再びト
ランジスタQ5はオフとなり第2トランジスタQ2
のオン期間は長くなる。そして再び過大入力電流
が検知されて前述の動作が繰返されることとな
る。このようにして入力電力がSEPPインバータ
1の発振1周期毎に変化すると、ビート音が生じ
使用者に不愉快を感じさせる原因となる。時定数
回路15は、かかる欠点を克服したもので、第2
カレントトランスCT2による検知信号に対し、ト
ランジスタQ5の応答時期を遅延させかつ検知信
号を平均化して入力電力の変更周期を長くするこ
とにより上記ビート音の発生を阻止したものであ
る。本例の如く入力制御をデユーテイ制御によつ
て行なう場合、計算上はデユーテイ100%で最大
入力1500W、デユーテイ50%で750Wというよう
に設定できるが、実際には、交流入力の立上りが
緩やかであるため、オン期間を数%長くし、例え
ばデユーテイ52%で、750W、デユーテイ24%で
300Wというように設定すれば、より正確な入力
電力を得ることができる。
る。本例では、第2カレントトランスCT2によつ
て過大入力電流が検知された後、トランジスタ
Q5がオンとなつて入力を低下するまで、時定数
回路15にて期間T3だけ遅延させている。仮に
いまこの時定数回路15を設けなかつた場合、過
大入力電流が検知されると、比較器COM3の
“L”レベル反転により、直ぐにトランジスタQ5
がオンとなり、第2トランジスタQ2のオン期間
を短縮する。これにより入力が低減されると、そ
の直後に過大電流は消減し、比較器COM3の出力
は、“H”レベルに復帰する。そうすると再びト
ランジスタQ5はオフとなり第2トランジスタQ2
のオン期間は長くなる。そして再び過大入力電流
が検知されて前述の動作が繰返されることとな
る。このようにして入力電力がSEPPインバータ
1の発振1周期毎に変化すると、ビート音が生じ
使用者に不愉快を感じさせる原因となる。時定数
回路15は、かかる欠点を克服したもので、第2
カレントトランスCT2による検知信号に対し、ト
ランジスタQ5の応答時期を遅延させかつ検知信
号を平均化して入力電力の変更周期を長くするこ
とにより上記ビート音の発生を阻止したものであ
る。本例の如く入力制御をデユーテイ制御によつ
て行なう場合、計算上はデユーテイ100%で最大
入力1500W、デユーテイ50%で750Wというよう
に設定できるが、実際には、交流入力の立上りが
緩やかであるため、オン期間を数%長くし、例え
ばデユーテイ52%で、750W、デユーテイ24%で
300Wというように設定すれば、より正確な入力
電力を得ることができる。
本発明誘導加熱調理器は前述したように交流入
力電流を検知することによりこれが、最大入力電
力を基準にして設定された電流値を越えたとき第
2スイツチング素子のオン期間を短縮して負荷へ
加わる入力を低下させるものであるから、交流入
力電流のみ大きく流れる特殊な構造の鍋例えば鉄
鍋の底に銅層を形成した鍋に見られる定格電力を
越えた異常な大電力が供給されるのを防止するこ
とができる。これにより調理器の入力制御を正確
に行なうことが可能となり、また大電力入力によ
るブレーカの遮断等の事態は回避することができ
る。また、本発明では入力の低減動作は第1のス
イツチング素子を一定周期でON,OFFさせ、こ
の第1のスイツチング素子のOFF期間中の第2
のスイツチングのON時間を調整して行つている
のでこうした誘導加熱調理器を複数並置して使用
するに際して各インバータの発振周波数を一定の
等しい周波数に固定することにより各インバータ
の周波数差に起因する干渉音が防止される。
力電流を検知することによりこれが、最大入力電
力を基準にして設定された電流値を越えたとき第
2スイツチング素子のオン期間を短縮して負荷へ
加わる入力を低下させるものであるから、交流入
力電流のみ大きく流れる特殊な構造の鍋例えば鉄
鍋の底に銅層を形成した鍋に見られる定格電力を
越えた異常な大電力が供給されるのを防止するこ
とができる。これにより調理器の入力制御を正確
に行なうことが可能となり、また大電力入力によ
るブレーカの遮断等の事態は回避することができ
る。また、本発明では入力の低減動作は第1のス
イツチング素子を一定周期でON,OFFさせ、こ
の第1のスイツチング素子のOFF期間中の第2
のスイツチングのON時間を調整して行つている
のでこうした誘導加熱調理器を複数並置して使用
するに際して各インバータの発振周波数を一定の
等しい周波数に固定することにより各インバータ
の周波数差に起因する干渉音が防止される。
第1図は、本発明実施例を説明するための要部
回路図、第2図及び第3図は同例波形図、第4図
は、SEPPインバータ部及び電源部分を示す回路
図、第5図は制御部分を示す回路図、第6図及び
第7図は動作を説明するための波形図である。 1…SEPPインバータ、L1…誘導加熱コイル、
6,7…第1、第2駆動回路、8…デユーテイ制
御回路、11…単安定マルチバイブレータ。
回路図、第2図及び第3図は同例波形図、第4図
は、SEPPインバータ部及び電源部分を示す回路
図、第5図は制御部分を示す回路図、第6図及び
第7図は動作を説明するための波形図である。 1…SEPPインバータ、L1…誘導加熱コイル、
6,7…第1、第2駆動回路、8…デユーテイ制
御回路、11…単安定マルチバイブレータ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 交流電源、該交流電源電流を整流する整流回
路、該整流回路にて直流に変換された電源の高電
位側に第1スイツチング素子が、また低電位側に
第2スイツチング素子が直列に接続されてなるス
イツチング回路、上記第1スイツチング素子に並
列接続された誘導加熱コイル及び共振コンデンサ
よりなる直列回路、上記第1のスイツチング素子
を一定の周期でON,OFFするとともにこの第1
のスイツチング素子のOFF期間中に上記第2の
スイツチング素子をONさせる駆動回路、上記交
流電源の入力電流が予め設定された最大入力電力
値に基いて決定された電流値以上であるときこれ
を検知する電流検知回路、該検知回路の出力信号
により上記第2スイツチング素子の導通期間を短
縮させる入力低減回路を備えてなる誘導加熱調理
器。 2 交流電源、該交流電源電流を整流する整流回
路、該整流回路にて直流に変換された電源の高電
位側に第1スイツチング素子が、また低電位側に
第2スイツチング素子が直列に接続されてなるス
イツチング回路、上記第1スイツチング素子に並
列接続された誘導加熱コイル及び共振コンデンサ
よりなる直列回路、上記第1のスイツチング素子
を一定の周期でON,OFFするとともにこの第1
のスイツチング素子のOFF期間中に上記第2の
スイツチング素子をONさせる駆動回路、上記交
流電源の入力電流が予め設定された最大入力電力
値に基いて決定された電流値以上であるときこれ
を検知する電流検知回路、該検知回路の出力信号
により上記第2スイツチング素子の導通期間を短
縮させる入力低減回路、該入力低減回路と上記電
流検知回路の間に介挿された時定数回路を備え、
該時定数回路にて上記電流検知回路の出力を遅
延、平均化して上記入力低減回路に入力してなる
誘導加熱調理器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2512182A JPS58142781A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | 誘導加熱調理器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2512182A JPS58142781A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | 誘導加熱調理器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58142781A JPS58142781A (ja) | 1983-08-24 |
JPS6347239B2 true JPS6347239B2 (ja) | 1988-09-21 |
Family
ID=12157098
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2512182A Granted JPS58142781A (ja) | 1982-02-17 | 1982-02-17 | 誘導加熱調理器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58142781A (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60134295U (ja) * | 1984-02-17 | 1985-09-06 | 株式会社東芝 | 電磁調理器 |
JPH03114193A (ja) * | 1989-09-28 | 1991-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘導加熱調理器 |
JPH03114192A (ja) * | 1989-09-28 | 1991-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘導加熱調理器 |
JPH03119685A (ja) * | 1989-10-02 | 1991-05-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘導加熱調理器 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5165443A (ja) * | 1974-12-03 | 1976-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd |
-
1982
- 1982-02-17 JP JP2512182A patent/JPS58142781A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5165443A (ja) * | 1974-12-03 | 1976-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58142781A (ja) | 1983-08-24 |
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