JPS6346763A - 固体撮像素子およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像素子およびその製造方法Info
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Classifications
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
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- H01L27/148—Charge coupled imagers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、固体撮像素子およびその製造方法に関し、特
に電荷結合素子を用いた固体撮像素子およびその製造方
法に関する。
に電荷結合素子を用いた固体撮像素子およびその製造方
法に関する。
近年、固体撮ｆ！Ａ素子は、高密度・多画素化される開
面にある。特に、電荷結き素子を用いた固体撮像素子は
、ｒ、５度、Ｓ 、、／’ Ｎがよいため、高性能な高
解（象度撮像素子が実現され得るものと考えられ、大き
な期待がよせられている。しかしながら、従来の電荷結
合素子による固体撮像素子では、素子の高密度・多画素
化にともなうスミアの増加、チップサイズの大型化にと
らなう転送電極抵抗の増加などの問題があった。
面にある。特に、電荷結き素子を用いた固体撮像素子は
、ｒ、５度、Ｓ 、、／’ Ｎがよいため、高性能な高
解（象度撮像素子が実現され得るものと考えられ、大き
な期待がよせられている。しかしながら、従来の電荷結
合素子による固体撮像素子では、素子の高密度・多画素
化にともなうスミアの増加、チップサイズの大型化にと
らなう転送電極抵抗の増加などの問題があった。
第３図は、従来の代表的なインクライン型固体撮像素子
の単位セル断面図を示す。
の単位セル断面図を示す。
本例では、簡ｍのため、Ｎチャネル素子について説明す
る。図において、１はＰ型半導体基板、２は酸化シリコ
ン膜、３は多結晶シリコン層からなる転送電極、４はア
ルミニウムからなる遮光膜、５は半導体基板１と反対導
電型の半導体層で埋め込みチャネルによる垂直レジスタ
を形成する。６は半導体基板１と反対導電型の半導体領
域で、ホトダイオードを構成する。７はチャネルストッ
プ領域である。８は遮光膜４の開口部で、光はこの領域
を経由して素子に入射する。
る。図において、１はＰ型半導体基板、２は酸化シリコ
ン膜、３は多結晶シリコン層からなる転送電極、４はア
ルミニウムからなる遮光膜、５は半導体基板１と反対導
電型の半導体層で埋め込みチャネルによる垂直レジスタ
を形成する。６は半導体基板１と反対導電型の半導体領
域で、ホトダイオードを構成する。７はチャネルストッ
プ領域である。８は遮光膜４の開口部で、光はこの領域
を経由して素子に入射する。
ところで、このような従来の素子を高密度化りようとす
ると、・ビ・黙約に単位セル寸法が減少し、単位セルの
各領域の寸法も減少する。これにもとなう素子の光感度
の低下を避けるため、遮光膜４の開口部８の面積をでき
る限り大きくとる必要が生じる。また、この開口部８の
表面形状は、素子形成過程で凹面状に形成されてしまう
。一方、転送電極と遮光膜にはさまれた領域の酸化シリ
コン膜２の厚みは、素子表面の平坦化をはかるため、１
μｍη以上と極めて厚くする必要がある。このようなこ
とから、開口部８に入射した光は、表面で屈折あるいは
回折され、・ピ・ずしもホトダイオードに１００ ？ｔ
：到達せず、一部は、転送電極上部の酸化シリコン１模
側へ折り曲げられる。転送電極は、半透明な多結晶シリ
コン層３で形成されているため、この曲げられた光は、
半透明な多結晶シリコン層３を透過して垂直レジスタの
埋め込みチャネルへ直接入射し、スミアとなって現ｔし
る。高密度化された素子では、遮光膜４の開口部８の面
積が他の領域に比べて相対的に大きくなるため、スミア
量も増加するという不都合を生じている。
ると、・ビ・黙約に単位セル寸法が減少し、単位セルの
各領域の寸法も減少する。これにもとなう素子の光感度
の低下を避けるため、遮光膜４の開口部８の面積をでき
る限り大きくとる必要が生じる。また、この開口部８の
表面形状は、素子形成過程で凹面状に形成されてしまう
。一方、転送電極と遮光膜にはさまれた領域の酸化シリ
コン膜２の厚みは、素子表面の平坦化をはかるため、１
μｍη以上と極めて厚くする必要がある。このようなこ
とから、開口部８に入射した光は、表面で屈折あるいは
回折され、・ピ・ずしもホトダイオードに１００ ？ｔ
：到達せず、一部は、転送電極上部の酸化シリコン１模
側へ折り曲げられる。転送電極は、半透明な多結晶シリ
コン層３で形成されているため、この曲げられた光は、
半透明な多結晶シリコン層３を透過して垂直レジスタの
埋め込みチャネルへ直接入射し、スミアとなって現ｔし
る。高密度化された素子では、遮光膜４の開口部８の面
積が他の領域に比べて相対的に大きくなるため、スミア
量も増加するという不都合を生じている。
一方、このような従来の素子を多画素化しようとすると
、チップサイズの大型化が避けられず、転送電極の電極
抵抗と電極負荷容量が増加する。
、チップサイズの大型化が避けられず、転送電極の電極
抵抗と電極負荷容量が増加する。
通常の多結晶シリコンを用いた電極では、層抵抗として
２０〜４０Ω程度であるなめ、高解像度で大型のチップ
サイズの素子では、−電極あたりの抵抗は、２０〜４０
にΩにもなる。また、負荷容量は、数Ｉ Ｑｐｐにも達
する。このような電極抵抗と負荷容量の増加は、転送電
極へ印加するパルスの歪を発生ずる。すなわち、このよ
うな高抵抗の転送電極と負荷容量は、一種の分布定数回
路とみなせ、素子両端部から印加されたパルスは、素子
中央部へむかって伝播されるにしたがい、波形歪を発生
し、素子中央部では正常なパルス電圧が印加されない、
あるいは、複数のパルス間の位相がすれるなどの望まし
くない現象となって現れる。このようなことは、素子の
転送効率の低下、転送電荷量の減少などの不都合な現象
をひきおこす。
２０〜４０Ω程度であるなめ、高解像度で大型のチップ
サイズの素子では、−電極あたりの抵抗は、２０〜４０
にΩにもなる。また、負荷容量は、数Ｉ Ｑｐｐにも達
する。このような電極抵抗と負荷容量の増加は、転送電
極へ印加するパルスの歪を発生ずる。すなわち、このよ
うな高抵抗の転送電極と負荷容量は、一種の分布定数回
路とみなせ、素子両端部から印加されたパルスは、素子
中央部へむかって伝播されるにしたがい、波形歪を発生
し、素子中央部では正常なパルス電圧が印加されない、
あるいは、複数のパルス間の位相がすれるなどの望まし
くない現象となって現れる。このようなことは、素子の
転送効率の低下、転送電荷量の減少などの不都合な現象
をひきおこす。
また、固体撮像素子を高速で駆動しようとしたときには
、転送電極が高抵抗の場合には発熱するなどの工部きも
生じる。
、転送電極が高抵抗の場合には発熱するなどの工部きも
生じる。
このような従来の問題を解決するには、転送電極の抵抗
を低減するなどの対策が必要とされるが、従来の手法で
は、低抵抗で多層の転送電極を形成することは不可能で
あった。
を低減するなどの対策が必要とされるが、従来の手法で
は、低抵抗で多層の転送電極を形成することは不可能で
あった。
以上述べたように、従来技術では素子が高密度化された
ときに、アルミニウム遮光膜の開口部からの入遮光が垂
直レジスタ側へ回り込み、半透明の多結晶シリコン層に
よる転送電極を透過して、直接、垂直レジスタのチャネ
ルへ入射することによるスミアが大幅に増加する。また
、転送電極が、比較的高抵抗の多結晶シリコン層により
形成されているため、印加パルス電圧が歪み、素子の転
送効率の低下、転送電荷量の減少などのぞましくない現
象を生ぜしめていた。また、電極抵抗を低減しかつ多層
の転送電極を形成することは絶縁耐圧の問題により困難
であった。
ときに、アルミニウム遮光膜の開口部からの入遮光が垂
直レジスタ側へ回り込み、半透明の多結晶シリコン層に
よる転送電極を透過して、直接、垂直レジスタのチャネ
ルへ入射することによるスミアが大幅に増加する。また
、転送電極が、比較的高抵抗の多結晶シリコン層により
形成されているため、印加パルス電圧が歪み、素子の転
送効率の低下、転送電荷量の減少などのぞましくない現
象を生ぜしめていた。また、電極抵抗を低減しかつ多層
の転送電極を形成することは絶縁耐圧の問題により困難
であった。
本発明の目的は、スミアを低減し、低抵抗で絶縁耐圧の
よい多層の転送電極を有する固体撮像素子とその製造方
法を提供することにある。
よい多層の転送電極を有する固体撮像素子とその製造方
法を提供することにある。
本願第１の発明の固体撮像素子は、光電変換部と電荷転
送部間又は電荷転送部内における電荷の移動を制御する
転送電極が絶縁膜な介し、て半導体基板上に設けられて
なる固体撮（象素子において、前記転送電極は少なくと
しその内部に金属又は金属シリサイドからなる中間層と
有する多結晶シリコン層からなるものである６ 本願筒２の発明の固体撮像素子の製造方法は、光電変換
部と電荷転送部間又は電荷転送部内における電荷の移動
を制御する転送電極が絶縁膜を介して半導体基板上に設
けられてなる固体撮像素子の製造方法において、前記転
送電極の形成は、前記半導体基板表面にゲート絶縁膜を
形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に第１の多結晶シ
リコン層、金属層又は金属シリサイド層及び第２の多結
晶シリコン層を順次被着したのち選択的に除去して所定
形状に整形する工程と、前記金属層又は金属シリサイド
層の側面部分を所定量除去したのち前記第１及び第２の
多結晶シリコン層の露出面を酸化する工程とを含んで構
成される。
送部間又は電荷転送部内における電荷の移動を制御する
転送電極が絶縁膜な介し、て半導体基板上に設けられて
なる固体撮（象素子において、前記転送電極は少なくと
しその内部に金属又は金属シリサイドからなる中間層と
有する多結晶シリコン層からなるものである６ 本願筒２の発明の固体撮像素子の製造方法は、光電変換
部と電荷転送部間又は電荷転送部内における電荷の移動
を制御する転送電極が絶縁膜を介して半導体基板上に設
けられてなる固体撮像素子の製造方法において、前記転
送電極の形成は、前記半導体基板表面にゲート絶縁膜を
形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に第１の多結晶シ
リコン層、金属層又は金属シリサイド層及び第２の多結
晶シリコン層を順次被着したのち選択的に除去して所定
形状に整形する工程と、前記金属層又は金属シリサイド
層の側面部分を所定量除去したのち前記第１及び第２の
多結晶シリコン層の露出面を酸化する工程とを含んで構
成される。
本発明による固体撮像素子およびその製造方法では、比
較的高抵抗の多結晶シリコン層による転送電極内部に、
低抵抗で不透明な金属層あるいはシリサイド層を設ける
ことにより、入射光の回り込みの回避と転送電極の低抵
抗化がもたらされる。
較的高抵抗の多結晶シリコン層による転送電極内部に、
低抵抗で不透明な金属層あるいはシリサイド層を設ける
ことにより、入射光の回り込みの回避と転送電極の低抵
抗化がもたらされる。
し実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は、本願筒１の発明の一実施例の主要部を示す半
導体チップの断面図で、インクライン転送型固体撮像素
子の単位セル部を示している。
導体チップの断面図で、インクライン転送型固体撮像素
子の単位セル部を示している。
この実施例は、Ｎ型領域６を素子とするホトダイオード
からなる光電変換部とＮ型埋め込みチャネル５を要素と
する電荷転送部間及びこの電荷転送部内における電荷の
移動を制御する転送電極１０がグー１〜絶縁膜２ａを介
してＰ型半導体基板１上に設けられてなるインクライン
転送型の固体撮像素子において、転送電極１０はその内
部にＭＯからなる中間層１２を有する多結晶シリコン層
１１からなっているというものである。
からなる光電変換部とＮ型埋め込みチャネル５を要素と
する電荷転送部間及びこの電荷転送部内における電荷の
移動を制御する転送電極１０がグー１〜絶縁膜２ａを介
してＰ型半導体基板１上に設けられてなるインクライン
転送型の固体撮像素子において、転送電極１０はその内
部にＭＯからなる中間層１２を有する多結晶シリコン層
１１からなっているというものである。
なお、アルミニウムの遮光膜が酸化シリコン膜２を介し
て転送電極１０上部を覆って設けられていてもよいが、
必ずしもその必要はない。
て転送電極１０上部を覆って設けられていてもよいが、
必ずしもその必要はない。
この実施例では、転送電極１０がＭＯからなる中間層１
２を含んで構成されているので遮光作用含有しているた
め別に遮光膜を設ける必要がなく、転送電極上部の酸化
シリコン膜を厚くして表面を平坦化する必要はない。又
遮光作用を有する中間層１２が半導体基板１表面に近接
して配置されている。従って、酸化シリコン膜２の凹面
形状による入射光の屈折現象は大幅に回避できる。また
、たとえ何らかの原因で入射光が屈折し、転送電極に直
接照射されたとしても、転送電極が不透明のため、光が
転送電極を透過することがなく、垂直レジスタに直接光
が漏れ込むことはない。このようなことから、従来発生
していたスミアが大幅に抑制される。また、転送電極が
、多結晶シリコン内部に低抵抗の中間層１２を埋め込ん
だ構成となっているため、転送電極抵抗を大幅に低減で
きる。このため、従来素子で問題となっていたパルス伝
播にともなう波形の歪や劣化が抑止され、転送効率の低
下、転送電荷量の減少などは防止され、大幅に特性が改
善される。
２を含んで構成されているので遮光作用含有しているた
め別に遮光膜を設ける必要がなく、転送電極上部の酸化
シリコン膜を厚くして表面を平坦化する必要はない。又
遮光作用を有する中間層１２が半導体基板１表面に近接
して配置されている。従って、酸化シリコン膜２の凹面
形状による入射光の屈折現象は大幅に回避できる。また
、たとえ何らかの原因で入射光が屈折し、転送電極に直
接照射されたとしても、転送電極が不透明のため、光が
転送電極を透過することがなく、垂直レジスタに直接光
が漏れ込むことはない。このようなことから、従来発生
していたスミアが大幅に抑制される。また、転送電極が
、多結晶シリコン内部に低抵抗の中間層１２を埋め込ん
だ構成となっているため、転送電極抵抗を大幅に低減で
きる。このため、従来素子で問題となっていたパルス伝
播にともなう波形の歪や劣化が抑止され、転送効率の低
下、転送電荷量の減少などは防止され、大幅に特性が改
善される。
第２図（ａ）〜（ｄ）は本願筒２の発明の一実施例を説
明するために工程順に配列した半導体チップの断面図で
ある。まず、第２図（ａ＞に示すように、シリコン単結
晶からなるＰ型半導体基板１の表面を酸化してゲート絶
縁ｖ、２ａを形成したのち、厚さ１０００人の第１の多
結晶シリコン層１１ａ、厚さ５００人のＭ。層１２ａ、
厚さ１７００人の第２の多結晶シリコン層１１ｂを被着
し、次に、第２図（ｂ）に示すように、これらの導電層
を選択的に除去して短冊状に整形する。次に、第２図（
ｃ）に示すように短冊状に残されたＭＯ層１２ａの側面
部分を５００人程度除去する９次に、第２図（ｄ）に示
すように、導電層で覆われていない部分のゲー）・絶縁
膜を除去したのち、酸化処理を行う。こうして第１層目
の転送電極が形成されるが、同様の手法により、第２層
目、第３層目の転送電極を形成することができる。
明するために工程順に配列した半導体チップの断面図で
ある。まず、第２図（ａ＞に示すように、シリコン単結
晶からなるＰ型半導体基板１の表面を酸化してゲート絶
縁ｖ、２ａを形成したのち、厚さ１０００人の第１の多
結晶シリコン層１１ａ、厚さ５００人のＭ。層１２ａ、
厚さ１７００人の第２の多結晶シリコン層１１ｂを被着
し、次に、第２図（ｂ）に示すように、これらの導電層
を選択的に除去して短冊状に整形する。次に、第２図（
ｃ）に示すように短冊状に残されたＭＯ層１２ａの側面
部分を５００人程度除去する９次に、第２図（ｄ）に示
すように、導電層で覆われていない部分のゲー）・絶縁
膜を除去したのち、酸化処理を行う。こうして第１層目
の転送電極が形成されるが、同様の手法により、第２層
目、第３層目の転送電極を形成することができる。
こうして形成された転送電極は多結晶シリコン層−Ｍ□
層−多結晶シリコン層の３層構造になっている。第１図
に示したようにＭｏ層をあんことして内部に有する多結
晶シリコン層を形成するには、Ｍｏ層をパターニングし
てから第２の多結晶シリコン層を被着すればよいのであ
る。又、Ｍｏの代りにＡｆｆ”’Ｗなどを用いて金属層
を形成してもよい。更には、金属層の一部又は全部を、
熱処理によって金属シリサイドに変換してもよい。
層−多結晶シリコン層の３層構造になっている。第１図
に示したようにＭｏ層をあんことして内部に有する多結
晶シリコン層を形成するには、Ｍｏ層をパターニングし
てから第２の多結晶シリコン層を被着すればよいのであ
る。又、Ｍｏの代りにＡｆｆ”’Ｗなどを用いて金属層
を形成してもよい。更には、金属層の一部又は全部を、
熱処理によって金属シリサイドに変換してもよい。
いずれにせよ、本発明による製造方法のポイントは、金
属あるいは金属シリサイドからなる中間層の側面部分を
除去したのちに酸化工程を行うことにある。一般に、金
属あるいはそのシリサイドは、熱酸化ではその表面に酸
化ｖ、牙影形成ることは困難であり、また、たとえ形成
されたとしても酸化膜厚は非常に薄く、絶縁耐圧が低い
という欠点がある。このため、前述したような側面部分
の除去工程がない場合には、酸化後、上層に第２層目の
転送電極を形成したとしても、金属層あるいはシリサイ
ド層のｆ！’Ｉ１１面部分は、はとんど酸化されていな
いため、下層の第１層目の転送電極との間で絶縁不良を
起こし、実用上の使用は困難となる。すなわち、多層の
重ね合わせ転送電極の形成が不可能となる。これに対し
、本発明では、予め酸化前に、金属層あるいはシリサイ
ド層の側面部分金除去した後、酸化工程にはいる。この
とき、第１および第２の多結晶シリコン層の側面部分に
は金属層あるいはシリサイド層のない間隙部が形成され
るが、この部分の多結晶シリコン表面は、酸化工程で第
１の多結晶シリコン層に関しては上側から、第２の多結
晶シリコン層に関しては下側から酸化される。また、両
多結晶シリコン層の表面部分および側面部分も同時に酸
化され、最終的には第２図（ｄ）に示すごとく電極表面
には、側面部分ち含めて比較的厚い酸化膜が形成される
ことになり、後工程で上層の転送電極を形成したとして
ら、充分な絶縁耐圧を有することになる。
属あるいは金属シリサイドからなる中間層の側面部分を
除去したのちに酸化工程を行うことにある。一般に、金
属あるいはそのシリサイドは、熱酸化ではその表面に酸
化ｖ、牙影形成ることは困難であり、また、たとえ形成
されたとしても酸化膜厚は非常に薄く、絶縁耐圧が低い
という欠点がある。このため、前述したような側面部分
の除去工程がない場合には、酸化後、上層に第２層目の
転送電極を形成したとしても、金属層あるいはシリサイ
ド層のｆ！’Ｉ１１面部分は、はとんど酸化されていな
いため、下層の第１層目の転送電極との間で絶縁不良を
起こし、実用上の使用は困難となる。すなわち、多層の
重ね合わせ転送電極の形成が不可能となる。これに対し
、本発明では、予め酸化前に、金属層あるいはシリサイ
ド層の側面部分金除去した後、酸化工程にはいる。この
とき、第１および第２の多結晶シリコン層の側面部分に
は金属層あるいはシリサイド層のない間隙部が形成され
るが、この部分の多結晶シリコン表面は、酸化工程で第
１の多結晶シリコン層に関しては上側から、第２の多結
晶シリコン層に関しては下側から酸化される。また、両
多結晶シリコン層の表面部分および側面部分も同時に酸
化され、最終的には第２図（ｄ）に示すごとく電極表面
には、側面部分ち含めて比較的厚い酸化膜が形成される
ことになり、後工程で上層の転送電極を形成したとして
ら、充分な絶縁耐圧を有することになる。
なお、以上の説明では、インクライン型電荷結合素子を
中心として説明したが、本発明は、池の固体撮像素子た
とえばフレーム転送型電荷結合素子にも適用し得る。
中心として説明したが、本発明は、池の固体撮像素子た
とえばフレーム転送型電荷結合素子にも適用し得る。
辺上説明したように本発明の固体撮像素子は、転送電極
に金属又は金属シリサイドからなる中間層を設けること
により、転送電極を不透明に出来るのでスミアを大幅に
抑制できるし、転送電極の低抵抗１ヒにより、駆動パル
スの波形歪による転送効率の低下や転送電荷量の減少を
改溶でき、高速駆動時の発熱を防止できるという効果が
ある。
に金属又は金属シリサイドからなる中間層を設けること
により、転送電極を不透明に出来るのでスミアを大幅に
抑制できるし、転送電極の低抵抗１ヒにより、駆動パル
スの波形歪による転送効率の低下や転送電荷量の減少を
改溶でき、高速駆動時の発熱を防止できるという効果が
ある。
又、本発明の固体撮像素子の製造方法は、金属又は金属
シリサイド層の側面部分を所定量除去したのち多結晶シ
リコン層の表面を酸化させることにより、絶縁膜に囲ま
れた転送電極を形成できるので、充分な絶縁耐圧を有す
る高性能の固体撮像素子の製作が可能となる効果がある
４
シリサイド層の側面部分を所定量除去したのち多結晶シ
リコン層の表面を酸化させることにより、絶縁膜に囲ま
れた転送電極を形成できるので、充分な絶縁耐圧を有す
る高性能の固体撮像素子の製作が可能となる効果がある
４
第１図は本願第１の発明の一実施例の主要部を示す半導
体チップの断面図、第２図＜ａ）〜（ｄ）は本願第２の
発明の一実施例を説明するために工程１１１１′ｉに配
列し、た半導体チップの断面図、第３図は従来のインク
ライン転送型撮像素子の主要部を示す半導体チップの断
面図である。 １・・・Ｐ型半導体基板、２・・・酸化シリコン膜、２
ａ・・・ゲーｌ〜絶縁膜、３・・多結晶シリコン層、４
・・遮光膜、Ｎ型埋め込みチャネル、６・Ｎ型領域、７
・・・Ｐｏをチャネルスｌ−ツブ領域、８・・・開口部
、１０・・・転送電極、１１・・・多結晶シリコン層、
】ｌａ・・・第１の多結晶シリコン層、ｌｌｂ・・・第
２の多結晶シリコン層、１２・・・中間層、１２ ａ・
・・Ｍ。 層。 第２区
体チップの断面図、第２図＜ａ）〜（ｄ）は本願第２の
発明の一実施例を説明するために工程１１１１′ｉに配
列し、た半導体チップの断面図、第３図は従来のインク
ライン転送型撮像素子の主要部を示す半導体チップの断
面図である。 １・・・Ｐ型半導体基板、２・・・酸化シリコン膜、２
ａ・・・ゲーｌ〜絶縁膜、３・・多結晶シリコン層、４
・・遮光膜、Ｎ型埋め込みチャネル、６・Ｎ型領域、７
・・・Ｐｏをチャネルスｌ−ツブ領域、８・・・開口部
、１０・・・転送電極、１１・・・多結晶シリコン層、
】ｌａ・・・第１の多結晶シリコン層、ｌｌｂ・・・第
２の多結晶シリコン層、１２・・・中間層、１２ ａ・
・・Ｍ。 層。 第２区
Claims (2)
- （１）光電変換部と電荷転送部間又は電荷転送部内にお
ける電荷の移動を制御する転送電極が絶縁膜を介して半
導体基板上に設けられてなる固体撮像素子において、前
記転送電極は少なくともその内部に金属又は金属シリサ
イドからなる中間層を有する多結晶シリコン層からなる
ことを特徴とする固体撮像素子。 - （２）光電変換部と電荷転送部間又は電荷転送部内にお
ける電荷の移動を制御する転送電極が絶縁膜を介して半
導体基板上に設けられてなる固体撮像素子の製造方法に
おいて、前記転送電極の形成は、前記半導体基板表面に
ゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上に
第１の多結晶シリコン層、金属層又は金属シリサイド層
及び第２の多結晶シリコン層を順次被着したのち選択的
に除去して所定形状に整形する工程と、前記金属層又は
金属シリサイド層の側面部分を所定量除去したのち前記
第１及び第２の多結晶シリコン層の露出面を酸化する工
程とを含むことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61191381A JPS6346763A (ja) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61191381A JPS6346763A (ja) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6346763A true JPS6346763A (ja) | 1988-02-27 |
Family
ID=16273647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61191381A Pending JPS6346763A (ja) | 1986-08-15 | 1986-08-15 | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6346763A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02230770A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-13 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
| US5102816A (en) * | 1990-03-27 | 1992-04-07 | Sematech, Inc. | Staircase sidewall spacer for improved source/drain architecture |
| US6724062B2 (en) | 1998-12-28 | 2004-04-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor energy detector |
| US6995349B2 (en) | 2002-12-17 | 2006-02-07 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid-state image pickup device and method for manufacturing the same |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5679450A (en) * | 1979-11-30 | 1981-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | Electrode and wiring of semiconductor device |
| JPS6149465A (ja) * | 1984-08-17 | 1986-03-11 | Matsushita Electronics Corp | 固体撮像装置 |
-
1986
- 1986-08-15 JP JP61191381A patent/JPS6346763A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5679450A (en) * | 1979-11-30 | 1981-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | Electrode and wiring of semiconductor device |
| JPS6149465A (ja) * | 1984-08-17 | 1986-03-11 | Matsushita Electronics Corp | 固体撮像装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02230770A (ja) * | 1989-03-03 | 1990-09-13 | Nec Corp | 固体撮像装置 |
| US5102816A (en) * | 1990-03-27 | 1992-04-07 | Sematech, Inc. | Staircase sidewall spacer for improved source/drain architecture |
| US6724062B2 (en) | 1998-12-28 | 2004-04-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor energy detector |
| US6995349B2 (en) | 2002-12-17 | 2006-02-07 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Solid-state image pickup device and method for manufacturing the same |
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