JPS6344637A - 光学素子 - Google Patents
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- JPS6344637A JPS6344637A JP18983386A JP18983386A JPS6344637A JP S6344637 A JPS6344637 A JP S6344637A JP 18983386 A JP18983386 A JP 18983386A JP 18983386 A JP18983386 A JP 18983386A JP S6344637 A JPS6344637 A JP S6344637A
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Landscapes
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、新規な光学素子に関し、特に可溶性ポリマー
の光散乱性を利用した。光学素子に関する。
の光散乱性を利用した。光学素子に関する。
「従来の技術、及び発明が解決しようとする問題点」
近年、オフィス・オートメーション(OA)化の発展に
伴い9表示装置(デイスプレィ)の用途が事務機器の分
野にも広(進出している。このような表示装置において
は、長時間の使用にも目の疲労を感じさせないものが望
ましい。従来、かかる表示素子としては、電解発色表示
素子(E CD)。
伴い9表示装置(デイスプレィ)の用途が事務機器の分
野にも広(進出している。このような表示装置において
は、長時間の使用にも目の疲労を感じさせないものが望
ましい。従来、かかる表示素子としては、電解発色表示
素子(E CD)。
液晶表示素子(LCD)等の非発光型のものが知られて
いる。しかしながら、ECDは表示コントラストが低く
、LCDはさらに視野角が狭いという欠点があった。又
、これらを光シャッタ等の光変調素子として利用する場
合にも同様の欠点があった。
いる。しかしながら、ECDは表示コントラストが低く
、LCDはさらに視野角が狭いという欠点があった。又
、これらを光シャッタ等の光変調素子として利用する場
合にも同様の欠点があった。
本発明は、従来の素子におけるこのような欠点に鑑みな
されたもので1表示素子として視野角が広(、明瞭性に
優れ、長時間の使用にも目の疲労を感じさせない高品位
の素子、また、光変調素子 ゛としてコントラストが高
く、先入射角依存の小さい素子を提供することを目的と
するものである。
されたもので1表示素子として視野角が広(、明瞭性に
優れ、長時間の使用にも目の疲労を感じさせない高品位
の素子、また、光変調素子 ゛としてコントラストが高
く、先入射角依存の小さい素子を提供することを目的と
するものである。
「問題点を解決するための手段」
以下1本発明の基本構成を、実施例に対応する第1図を
用いて説明する。
用いて説明する。
図において、1は基板、2はポリマー液層、3は透明深
護板、8は発熱要素に該当する赤外線吸収層である。基
板1は、光学素子を透過型とした場合にはガラス類、プ
ラスチック類等の光を透すものが用いられ9反射型とし
た場合には、シリコンのような半導体類、セラミックス
類、アルミのような金属類、不透明プラスチック類等の
光を透さないもの、あるいは前記した透過性材料の表面
に金属被膜を蒸春させたもの等が用いられる。ポリマー
液層2はN−置換アクリルアミドポリマーを庁む溶液か
らなる液層であり、このポリマー液層を構成するN−置
換アクリルアミドポリマーとしては1例えば、N−イソ
プロピルアクリルアミド、N−イソプロピルメタクリル
アミド、N−エチルアクリルアミド+N n−プロピ
ルアクリルアミド、N−シクロプロピルアクリルアミド
tN。
護板、8は発熱要素に該当する赤外線吸収層である。基
板1は、光学素子を透過型とした場合にはガラス類、プ
ラスチック類等の光を透すものが用いられ9反射型とし
た場合には、シリコンのような半導体類、セラミックス
類、アルミのような金属類、不透明プラスチック類等の
光を透さないもの、あるいは前記した透過性材料の表面
に金属被膜を蒸春させたもの等が用いられる。ポリマー
液層2はN−置換アクリルアミドポリマーを庁む溶液か
らなる液層であり、このポリマー液層を構成するN−置
換アクリルアミドポリマーとしては1例えば、N−イソ
プロピルアクリルアミド、N−イソプロピルメタクリル
アミド、N−エチルアクリルアミド+N n−プロピ
ルアクリルアミド、N−シクロプロピルアクリルアミド
tN。
N−エチルメチルアクリルアミド、N−アクリルピロリ
ジン N−アクリルピペリジン等のモノマーから得られ
る重合体、あるいはそれらの間の共重合体、あるいは、
それらを主成分とする共重合体等が好適である。
ジン N−アクリルピペリジン等のモノマーから得られ
る重合体、あるいはそれらの間の共重合体、あるいは、
それらを主成分とする共重合体等が好適である。
さらに1本発明に用いられるポリマーは、その極限粘度
(メタノール溶液、25’C)が0.1〜1゜0の範囲
に入るような適度な重合度を有していることが望ましい
。
(メタノール溶液、25’C)が0.1〜1゜0の範囲
に入るような適度な重合度を有していることが望ましい
。
一方、このポリマー液層を構成する溶媒としては、水、
またはメタノール、エタノール、エチレングリコール、
グリセリン等のアルコール類、アセトン、メチルエチル
ケトン等のケトン類、ジメチルホルムアミド、ヘキサメ
チルホスホリルアミド、ジメチルアセトアミド等のアミ
ド頚、ピリジン、トリエチルアミン等のアミン類、ジメ
ナルスルホキシド等の含硫黄溶媒類などの有機溶媒と水
との混合溶媒、あるいはそれらの溶媒に塩化カリウム、
塩化ナトリウム、尿素等の溶質を添加した溶液等が好適
である。また、このポリマー講J2の厚さとしては、1
μm〜1000μmが適当であり。
またはメタノール、エタノール、エチレングリコール、
グリセリン等のアルコール類、アセトン、メチルエチル
ケトン等のケトン類、ジメチルホルムアミド、ヘキサメ
チルホスホリルアミド、ジメチルアセトアミド等のアミ
ド頚、ピリジン、トリエチルアミン等のアミン類、ジメ
ナルスルホキシド等の含硫黄溶媒類などの有機溶媒と水
との混合溶媒、あるいはそれらの溶媒に塩化カリウム、
塩化ナトリウム、尿素等の溶質を添加した溶液等が好適
である。また、このポリマー講J2の厚さとしては、1
μm〜1000μmが適当であり。
好ましくは1μm〜100μmが最適な範囲である。
発熱要素としては9例えば赤外線による吸収加熱を変調
手段として利用した場合には赤外線吸収層等が用いられ
る。この赤外線吸収層材料は。
手段として利用した場合には赤外線吸収層等が用いられ
る。この赤外線吸収層材料は。
それ自身は熱溶融し類い各種の公知の無機、あるいは有
機材料を製膜して得られるものであり。
機材料を製膜して得られるものであり。
かかる材料としては2例えばSi、 SIo、 S i
o2゜ZnS、 AS2 Ss 、 Al103. N
aF、 Zn5e、 Gd−Tb・l? 6.カーボン
ブラック、金属フタロシアニン等が好適に用いられる。
o2゜ZnS、 AS2 Ss 、 Al103. N
aF、 Zn5e、 Gd−Tb・l? 6.カーボン
ブラック、金属フタロシアニン等が好適に用いられる。
この赤外線吸収層8の膜厚としては、5ooz%〜10
000Xが好適な範囲である。また、透明保護板3とし
ては、ガラス類。
000Xが好適な範囲である。また、透明保護板3とし
ては、ガラス類。
プラスチック類、誘電体等の透明体が用いられる。
なお、コントラストの向上を図るため、基板1の表面に
可視光反射層、または可視光吸収層(図示せず)を設け
てもよい。
可視光反射層、または可視光吸収層(図示せず)を設け
てもよい。
「作 用」
次に、この光学素子の動作(作像、光変調)原理を、同
じく第1図を用いて説明する。なお、第1図は透過型の
例をしめす。
じく第1図を用いて説明する。なお、第1図は透過型の
例をしめす。
先ず、ポリマー液層2が加温されていない状態(すなわ
ち低温状態)では、可溶性ポリマーは溶媒中に溶解して
存在するため、ポリマー液層2の低温領域4に入射する
光線6−1は、はぼそのままポリマー液層2を通過して
基板1から射出する4、一方、情報信号に従って赤外線
吸収層8の所定位置が2例えば赤外線ビーム5の照射に
よって外部から加熱された場合、この加熱部分に接触な
いし近接する領域のポリマー液層2も加温され、加温領
域4a内の可溶性ポリマーは析出し、光散乱性を示すよ
うになる。このため、前記加温領域4aに入射する光線
6−2は、散乱(拡散)する。この加温領域4aは、温
度が下がるとまた元の透光性の状態に戻る。
ち低温状態)では、可溶性ポリマーは溶媒中に溶解して
存在するため、ポリマー液層2の低温領域4に入射する
光線6−1は、はぼそのままポリマー液層2を通過して
基板1から射出する4、一方、情報信号に従って赤外線
吸収層8の所定位置が2例えば赤外線ビーム5の照射に
よって外部から加熱された場合、この加熱部分に接触な
いし近接する領域のポリマー液層2も加温され、加温領
域4a内の可溶性ポリマーは析出し、光散乱性を示すよ
うになる。このため、前記加温領域4aに入射する光線
6−2は、散乱(拡散)する。この加温領域4aは、温
度が下がるとまた元の透光性の状態に戻る。
以上の説明で明らかなように、可溶性ポリマーの散乱(
不透光)、非散乱(透光)の状態を熱的に制御すること
により、光変調や表示を行うことができる。
不透光)、非散乱(透光)の状態を熱的に制御すること
により、光変調や表示を行うことができる。
このような本発明の光学素子においては温度が上昇する
と速やかに光散乱性になることが必要で。
と速やかに光散乱性になることが必要で。
更に温度が下がると速やかに非散乱状態に変化すること
がのぞまれる。たとえばEC素子(エレクトロクロミー
素子)やLDC素子のように、数100m5−敗msと
いった信号応答性が要求されろ。
がのぞまれる。たとえばEC素子(エレクトロクロミー
素子)やLDC素子のように、数100m5−敗msと
いった信号応答性が要求されろ。
本発明者等は、N−置換アクリルアミドポリマーの粘度
と、信号応答速度との関係を種々検討したところ、メタ
ノール中、25℃の極限粘度が0,1〜1.0の範囲に
あるポリマー溶液を用いると加熱時の応答性(光散乱性
に変化する速度)および。
と、信号応答速度との関係を種々検討したところ、メタ
ノール中、25℃の極限粘度が0,1〜1.0の範囲に
あるポリマー溶液を用いると加熱時の応答性(光散乱性
に変化する速度)および。
放冷時のもどり性(非散乱性に変化する速度)が著しく
速いことを見い出した。すなわち、この極限粘度範囲に
あるポリマー溶液を用いると速やかに透光性が小さい値
になるが(光散乱性大)、この極限粘度範囲外のポリマ
ー溶液を用いると透光性が低下することにより素子とし
てのコントラストや、見掛けの応答性が減少する。この
ようなことが生じる原因は明らかではないが、熱相転移
によって不溶化と可溶化が生じる際に、系の粘度と分子
の濃度、および高分子化した場合の分子の溶解性が相互
に影響して生ずる結果と考えられる。
速いことを見い出した。すなわち、この極限粘度範囲に
あるポリマー溶液を用いると速やかに透光性が小さい値
になるが(光散乱性大)、この極限粘度範囲外のポリマ
ー溶液を用いると透光性が低下することにより素子とし
てのコントラストや、見掛けの応答性が減少する。この
ようなことが生じる原因は明らかではないが、熱相転移
によって不溶化と可溶化が生じる際に、系の粘度と分子
の濃度、および高分子化した場合の分子の溶解性が相互
に影響して生ずる結果と考えられる。
「実施例」
実施例1
第1図は本発明の第1の実施例を示す概略(構成図であ
る。第1図において、基板1および透明保護板3として
、厚さ0.3mm、大きさ50+nmX10皿の充分に
清浄なガラス板を使用し、基板1のガラス板表面上にス
パッタリング法により膜厚1500AのGd@TbII
FC(ガドリニウム・テルビウム・鉄)層を伸管して赤
外線吸収層8を形成した。
る。第1図において、基板1および透明保護板3として
、厚さ0.3mm、大きさ50+nmX10皿の充分に
清浄なガラス板を使用し、基板1のガラス板表面上にス
パッタリング法により膜厚1500AのGd@TbII
FC(ガドリニウム・テルビウム・鉄)層を伸管して赤
外線吸収層8を形成した。
この基板1の赤外線吸収&8の面と、透明保護板3とを
マイラーフィルムをスペーサーに用いて10μmの間隔
で向い合わせて接着して成形した。
マイラーフィルムをスペーサーに用いて10μmの間隔
で向い合わせて接着して成形した。
次に、N−イソプロピルメタクリルアミド5gと、メタ
ノール50m1にアゾビスイソブチロニトリル40mg
を溶解させた溶液IQm/と、メタノール40ゴを混合
溶解した。これを凍結脱気後ガラスアンプル中に封じ込
み、50″Cの水溶液中にて20時間加熱した。次いで
放冷後全量を5ooxzのエーテル中に撹はんしながら
注入し、沈殿するポリマーを日別した。得られたポリマ
ーを乾燥した後296の水溶液を作り、基板1と透明保
護板3との隙間に充填、封入して、ポリマー液層を形成
し、光学素子を作製した。尚、ここで用いたポリマーの
メタノール中25℃での極限粘度は、0.42であった
。
ノール50m1にアゾビスイソブチロニトリル40mg
を溶解させた溶液IQm/と、メタノール40ゴを混合
溶解した。これを凍結脱気後ガラスアンプル中に封じ込
み、50″Cの水溶液中にて20時間加熱した。次いで
放冷後全量を5ooxzのエーテル中に撹はんしながら
注入し、沈殿するポリマーを日別した。得られたポリマ
ーを乾燥した後296の水溶液を作り、基板1と透明保
護板3との隙間に充填、封入して、ポリマー液層を形成
し、光学素子を作製した。尚、ここで用いたポリマーの
メタノール中25℃での極限粘度は、0.42であった
。
このようにして得られた光学素子に、出力20m W
、波長830nmの半導体レーザビームを。
、波長830nmの半導体レーザビームを。
情報信号に従って素子裏面から赤外線吸収層8に焦点を
合わせてスキャニング照射したところ、ポリマー液層2
の所定領域が透光性から不透光性1こ変化することが確
認された。これは、ポリマー液層2の被照射領域におい
て、半導体レーザービームを吸収して熱に変換して、相
接触するポリマー液層を加熱するためであると考えられ
る。なお。
合わせてスキャニング照射したところ、ポリマー液層2
の所定領域が透光性から不透光性1こ変化することが確
認された。これは、ポリマー液層2の被照射領域におい
て、半導体レーザービームを吸収して熱に変換して、相
接触するポリマー液層を加熱するためであると考えられ
る。なお。
半導体レーザービームによる加熱時間は一瞬であり、ポ
リマー液層2はすぐに元の透光性の状態を示した。
リマー液層2はすぐに元の透光性の状態を示した。
上記レーザービームによる照射実験を繰り返し行った結
果、再現性及び信号応答性のいずれにおいても、実用上
十分であることが判明した。
果、再現性及び信号応答性のいずれにおいても、実用上
十分であることが判明した。
実施例2
第2図は本発明の第2の実施例を示す概略構成図である
。この実施例は、前記実施例1で用いた赤外線吸収層8
の代わりに2発熱要素として抵抗発熱体層7を基板1の
表面上に配置し、電源10からの電流によって前記抵抗
発熱体層7の加熱を制御するように構成したものである
。抵抗発熱体層7の素材としては、ホウ化ハフニウム、
窒化タンタル等の金属化合物、ニクロム等の合金、また
はI T O(Indium Tin 0xide)等
の透明酸化物等が用いられ、膜厚としては500〜50
00Aの範囲が最適である。また、抵抗発熱体Fr!I
7の表面には2図に示すように、ポリマー液層2との間
に絶縁層(保護膜)9が形成される。
。この実施例は、前記実施例1で用いた赤外線吸収層8
の代わりに2発熱要素として抵抗発熱体層7を基板1の
表面上に配置し、電源10からの電流によって前記抵抗
発熱体層7の加熱を制御するように構成したものである
。抵抗発熱体層7の素材としては、ホウ化ハフニウム、
窒化タンタル等の金属化合物、ニクロム等の合金、また
はI T O(Indium Tin 0xide)等
の透明酸化物等が用いられ、膜厚としては500〜50
00Aの範囲が最適である。また、抵抗発熱体Fr!I
7の表面には2図に示すように、ポリマー液層2との間
に絶縁層(保護膜)9が形成される。
次に9本実施例で用いるポリマー液の作成方法として、
以下のごと(行いそれを用いた素子の特性を表−1にま
とめて示した。
以下のごと(行いそれを用いた素子の特性を表−1にま
とめて示した。
アゾビスイソブチロニトリル32.0mgをアセトニト
リル5Qmlに溶解し、ガラスアンプル中にこの溶液5
.0Mをとり、更にN−イソブロビルアクリルアミド2
.Ogとアセトニトリル15mJを加えた。次いで凍結
脱気を行った後アンプルを封じ。
リル5Qmlに溶解し、ガラスアンプル中にこの溶液5
.0Mをとり、更にN−イソブロビルアクリルアミド2
.Ogとアセトニトリル15mJを加えた。次いで凍結
脱気を行った後アンプルを封じ。
50゛Cの水浴中にて20時間加熱した。反応終了後放
冷してから、溶液の全量を250αのエーテル中に撹は
んしながら注入し、沈殿するポリマーを口利した。得ら
れたポリマー粉末をエーテル洗浄後、ベンゼン200+
++jri月こ投入し、20℃の室温で一晩撹はんした
。静置後上層をデカンテーションにより取り出し、これ
を蒸発乾固してポリマー固体を得た。これを第1分画と
した。下層に残った不溶分ポリマーに再びベンゼン20
011!1’f−加え、35’Cの浴上で一晩撹はんし
た。静置後上層をデカンテーションにより取り出し、後
は上記と同様にしてポリマー固体を得、これを第2分画
とした。下層に残ったポリマーに再びベンゼン200d
を加え、75℃の浴上で一晩撹はんした。静置後上層を
デカンテーションにより取り出し、溶媒を蒸発乾固して
ポリマー固体を得た。これを第3分画とした。残った下
層の不溶分を乾燥して第4分画とした。これら四種のポ
リマーの196水溶液を作成し、前記第1図および第2
図に示した素子のポリマー液層2に封入した。発熱抵抗
体層にITOを、電極層にアルミニウムを用い、保護層
9に二酸化ケイ素を用いて、この上にポリマー液層を0
.2 mm厚にして電流加熱を行ない、665nmの光
における光透過率の経時変化を測定した。ガラス基板は
温調器により18.8±0.4 ”Cに保持し。
冷してから、溶液の全量を250αのエーテル中に撹は
んしながら注入し、沈殿するポリマーを口利した。得ら
れたポリマー粉末をエーテル洗浄後、ベンゼン200+
++jri月こ投入し、20℃の室温で一晩撹はんした
。静置後上層をデカンテーションにより取り出し、これ
を蒸発乾固してポリマー固体を得た。これを第1分画と
した。下層に残った不溶分ポリマーに再びベンゼン20
011!1’f−加え、35’Cの浴上で一晩撹はんし
た。静置後上層をデカンテーションにより取り出し、後
は上記と同様にしてポリマー固体を得、これを第2分画
とした。下層に残ったポリマーに再びベンゼン200d
を加え、75℃の浴上で一晩撹はんした。静置後上層を
デカンテーションにより取り出し、溶媒を蒸発乾固して
ポリマー固体を得た。これを第3分画とした。残った下
層の不溶分を乾燥して第4分画とした。これら四種のポ
リマーの196水溶液を作成し、前記第1図および第2
図に示した素子のポリマー液層2に封入した。発熱抵抗
体層にITOを、電極層にアルミニウムを用い、保護層
9に二酸化ケイ素を用いて、この上にポリマー液層を0
.2 mm厚にして電流加熱を行ない、665nmの光
における光透過率の経時変化を測定した。ガラス基板は
温調器により18.8±0.4 ”Cに保持し。
透明ヒーターは、 400I(z、 8Vp−pのサ
イン波を400m5印加した。
イン波を400m5印加した。
得られた結果を表−1に示した。表−1から明らかなよ
うに、ポリマーの極限粘度(メタノール中25℃)が本
発明の範囲にあるものは熱応答性および、光の透過率変
化が大きく実用性のある光学素子として有用であった。
うに、ポリマーの極限粘度(メタノール中25℃)が本
発明の範囲にあるものは熱応答性および、光の透過率変
化が大きく実用性のある光学素子として有用であった。
表−1
より求めた熱応答速度
畳3加熱時の665 nm光における最小透過率以下1
本実施例を更に詳細に説明する。
本実施例を更に詳細に説明する。
第2図において、抵抗発熱層7につながるスイッチ20
は閉状態となっているため、抵抗発熱体層7には電流は
流れない、したがって、入射する光線6−1は、はぼそ
のままポリマー液層2と抵抗発熱体層7を通過して基板
側に射出する。ただし抵抗発熱体層7が不透明な場合に
は、抵抗発熱体87の表面で正反射し、透明保護板3か
ら射出する反射タイプの素子となる。
は閉状態となっているため、抵抗発熱体層7には電流は
流れない、したがって、入射する光線6−1は、はぼそ
のままポリマー液層2と抵抗発熱体層7を通過して基板
側に射出する。ただし抵抗発熱体層7が不透明な場合に
は、抵抗発熱体87の表面で正反射し、透明保護板3か
ら射出する反射タイプの素子となる。
一方、抵抗発熱体層Hこつながるスイッチ2 (Xは閉
状態とな−ているため、抵抗発熱体層ブ塾電源10から
の電流によって加熱される。このため。
状態とな−ているため、抵抗発熱体層ブ塾電源10から
の電流によって加熱される。このため。
入射する光線6−2は、前述した様に散乱する。
このように、赤外線吸収層8の代わりに抵抗発熱体層7
を発熱要素としてもその効果は同様であり、光学素子と
して作像、光変調を行なうことが可能である。
を発熱要素としてもその効果は同様であり、光学素子と
して作像、光変調を行なうことが可能である。
実施例3
第3図は本発明の第2および第3の実施例を示す基板の
斜視図である。本実施例1こおいて、基板1および透明
保護板3は、前記実施例1と同様なものを使用した。先
ず、第3図に示される基板1の表面上に、厚さ100O
Aの窒化タンタル膜をスパッタリング法により形成し、
続いてこの製膜面にホトレジストを塗布し、基板1の短
辺(10mm)に平行になるように20本1 ramの
ストライプ状パターンを焼付は後、エツチング処理によ
り余分の窒化タンタル膜を選択的に除去して、残りを抵
抗発熱層11とした。次に、その上に厚さ2000Aの
アルミニウム膜をスパッタリング法により積層し。
斜視図である。本実施例1こおいて、基板1および透明
保護板3は、前記実施例1と同様なものを使用した。先
ず、第3図に示される基板1の表面上に、厚さ100O
Aの窒化タンタル膜をスパッタリング法により形成し、
続いてこの製膜面にホトレジストを塗布し、基板1の短
辺(10mm)に平行になるように20本1 ramの
ストライプ状パターンを焼付は後、エツチング処理によ
り余分の窒化タンタル膜を選択的に除去して、残りを抵
抗発熱層11とした。次に、その上に厚さ2000Aの
アルミニウム膜をスパッタリング法により積層し。
同様の処理工程を経て、所定のパターニングを行い、第
3図に示すストライプ状の電極層12を得た。この時、
さらに発熱部分(40μm×26μm)を得るために抵
抗発熱体層のアルミニウムを一部除去した。
3図に示すストライプ状の電極層12を得た。この時、
さらに発熱部分(40μm×26μm)を得るために抵
抗発熱体層のアルミニウムを一部除去した。
次に、その上に絶縁層13として厚さ2μmのSiO2
膜をスパッタリング法により積層した。ただし、抵抗発
熱層11の両端部は、後でリード線をつけるために、5
io2膜がつかないように遮蔽して行った。この抵抗発
熱層11を設けた基板1と、透明保護板3とをマイラー
フィルムをスペーサーとして用いて20μmの間隔で向
かい合わせて接着した。次に、実施例2で作成したN−
イソフロビルアクリルアミドポリマーのm3分画の2%
水溶液を基板1と透明保護板3とも隙間に充填・封入し
てポリマー液層2を形成し、光学素子を作製した。
膜をスパッタリング法により積層した。ただし、抵抗発
熱層11の両端部は、後でリード線をつけるために、5
io2膜がつかないように遮蔽して行った。この抵抗発
熱層11を設けた基板1と、透明保護板3とをマイラー
フィルムをスペーサーとして用いて20μmの間隔で向
かい合わせて接着した。次に、実施例2で作成したN−
イソフロビルアクリルアミドポリマーのm3分画の2%
水溶液を基板1と透明保護板3とも隙間に充填・封入し
てポリマー液層2を形成し、光学素子を作製した。
このようにして得られた光学素子の任意の組合せの抵抗
発熱層11に9周波数1kHzの電気パルス信号(パル
ス高2oV、パルス長5rnsec)全情報信号に応じ
て入力したところ、情報信号に対応する所定の位置が、
不透光性を示して応答し。
発熱層11に9周波数1kHzの電気パルス信号(パル
ス高2oV、パルス長5rnsec)全情報信号に応じ
て入力したところ、情報信号に対応する所定の位置が、
不透光性を示して応答し。
情報信号に応じた書き込みが可能であることが確認され
た。
た。
上記各実施例において明らかなように9本発明の光学素
子は透過型2反射型のいずれの場合にも。
子は透過型2反射型のいずれの場合にも。
良好な特性を得ることができる。
「発明の効果」
以上説明したように1本発明による光学素子は散乱特性
に優れているため、コントラストの高い明瞭かつ高解像
の画像を得ることができ、視野角の制限もな(すことが
できる。したがって9表示装置として長時間使用した場
合でも目の疲れを感じさせることがない。また、ポリマ
ー液層がわずかな加熱で変調するので1表示装置の消費
電力を節減させることができる。さらには高周波変調も
可能である。
に優れているため、コントラストの高い明瞭かつ高解像
の画像を得ることができ、視野角の制限もな(すことが
できる。したがって9表示装置として長時間使用した場
合でも目の疲れを感じさせることがない。また、ポリマ
ー液層がわずかな加熱で変調するので1表示装置の消費
電力を節減させることができる。さらには高周波変調も
可能である。
第1図は本発明の第1の実施例を示す概略構成図、第2
図は本発明の第2の実施例を示す概略構成図、第3図は
本発明の第2の実施例を示す基板の斜視図である。 1、基板 2.ポリマー液層3、透明保護
板 7.抵抗発熱体層8、赤外線吸収層 11.
抵抗発熱層12、電極層 特許出願人 工業技術院長 飯塚 幸三指定代理
人 工業技術院繊維高分子材料研究所長闘犬 昭 透明 ポリマー液層 保護板 第 −図 第 2 図 第 3 図
図は本発明の第2の実施例を示す概略構成図、第3図は
本発明の第2の実施例を示す基板の斜視図である。 1、基板 2.ポリマー液層3、透明保護
板 7.抵抗発熱体層8、赤外線吸収層 11.
抵抗発熱層12、電極層 特許出願人 工業技術院長 飯塚 幸三指定代理
人 工業技術院繊維高分子材料研究所長闘犬 昭 透明 ポリマー液層 保護板 第 −図 第 2 図 第 3 図
Claims (2)
- (1)メタノール中25℃の極限粘度が0.1〜1.0
の範囲にある、N−置換アクリルアミドポリマー水溶液
を、少なくとも一方の基板の表面に発熱要素を形成した
一対の基板間に挟持してなる光学素子。 - (2)該N−置換アクリルアミドポリマーが、ポリ−N
−イソプロピルアクリルアミド又は、ポリ−N−イソプ
ロピルメタクリルアミドである特許請求の範囲第一項の
光学素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18983386A JPS6344637A (ja) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | 光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18983386A JPS6344637A (ja) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | 光学素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6344637A true JPS6344637A (ja) | 1988-02-25 |
JPH0135327B2 JPH0135327B2 (ja) | 1989-07-25 |
Family
ID=16247972
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18983386A Granted JPS6344637A (ja) | 1986-08-13 | 1986-08-13 | 光学素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6344637A (ja) |
-
1986
- 1986-08-13 JP JP18983386A patent/JPS6344637A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0135327B2 (ja) | 1989-07-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |