JPS6343330B2 - - Google Patents
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- JPS6343330B2 JPS6343330B2 JP57198334A JP19833482A JPS6343330B2 JP S6343330 B2 JPS6343330 B2 JP S6343330B2 JP 57198334 A JP57198334 A JP 57198334A JP 19833482 A JP19833482 A JP 19833482A JP S6343330 B2 JPS6343330 B2 JP S6343330B2
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Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
Description
本発明は、電子機器材料等に用いられるグレー
ズドセラミツク基板に関する。 最近フアクシミリなどの電子機器などの開発に
伴ない、例えばサーマルヘツドなどに用いるグレ
ーズドセラミツク基板の需要が高まつている。か
かるグレーズドセラミツク基板は良好な回路配線
を得ることや、発熱体を均一につけることなどの
要求からグレーズ面の表面平滑度が良いことが望
まれ、また、勿論電気絶縁性が高いことも望まれ
ている。そして特にフアクシミリのサーマルヘツ
ドにおいては、フアクシミリの印字スピードが
益々高速化されるに伴ない温度の急激な上昇およ
ぴ降下という厳しい条件にさらされるようになつ
てきたために、上記の特性のほかに高度な耐熱性
も要求されるようになつてきている。 ところで従来のグレーズドセラミツク基板にお
いては、グレーズ表面の平滑性を保つ意味でアル
カリと鉛を含有している。そのため屈伏点が550
〜670℃程度となり、又、多数回の反復使用によ
り、アルカリと鉛の濃縮が起り電気絶縁性が低下
していた。アルカリと鉛を含有するグレーズでも
屈伏点を700℃以上にすることができるが、その
場合には平滑性が悪くなる。 本発明者は上記従来の欠点を改良するため、さ
きに、無鉛、無アルカリで表面平滑性も良く、屈
伏点も740℃付近と高いグレーズ組成物を開発し
たが、本発明においてはそれをさらに改良し、ア
ルカリと鉛を含有せずに良好な表面平滑度を有
し、しかも屈伏点が750℃以上であり耐熱性が良
好で、反復使用による電気絶縁性の低下もないグ
レーズ組成物を用いたグレーズドセラミツク基板
を提供するものである。すなわち本発明の要旨
は、SiO258〜63モル％、Al2O36〜12モル％、
CaOとSrOとBaOの少なくとも１種を20〜28モル
％、B2O33〜８モル％及び不可避的不純物からな
るグレーズ組成物を絶縁性セラミツク基板上に形
成したことを特徴とするグレーズドセラミツク基
板である。又、その実施態様として、グレーズ組
成物中にMgO、TiO2、ZnOの少くとも１種を６
モル％以下含んでもよい。 本発明のグレーズ組成物において、SiO2はガ
ラスを構成する主成分であり、その量が58モル％
未満で他の酸化物が増加するとグレーズ面に揮発
とコンホールが同時に起りやすくなる。また、63
モル％を越えると硬いグレーズとなつて中に発生
する泡が抜けにくくなる。 Al2O3は屈伏点を向上させ、かつアルカリ土類
と共存する場合に融剤として働きグレーズを融か
しやすくなる。その量が６モル％未満では屈伏点
が750℃より低くなるばかりでなく、ピンホール
が抜けがたくなる。12モル％を越えると1170〜
1260℃の必要焼成温度においてグレーズ表面が悪
くなる。 本発明では、アルカリ土類としてCaO、SrO、
BaOのどれを用いても表面平滑度の良いグレー
ズが得られることが判つた。そして、これらの酸
化物の総量が28モル％を越えると屈伏点が750℃
より低くなり、熱膨脹係数が大きくなる。場合に
よつては熱膨脹係数がセラミツク基板より大とな
つて、焼成時にクラツク（貫入）が入りやすくな
る。また、20モル％未満では溶解しにくくなり、
乳白色を呈するか、未融解のまま残り、所期の効
果を奏しない。 B2O3は強力な媒溶剤であるが、３モル％未満
ではその効果があらわれず、融解しにくくなる。
８モル％を越えると融解力が大きい屈伏点を750
℃から著しく下げてしまう。 本発明において、ZnO、MgO、TiO2は６モル
％までは添加してもグレーズの特性に全く影響を
与えないでそれぞれの性質を発揮させることがで
きる。 また、使用原料から必然的に混入してくる種々
の酸化物は、0.2モル％までは不可避的不純物と
して混入していても差支えない。 本発明では以上の組成によつて、それぞれの特
性が相俟つて、アルカリ、鉛を含有しないでも良
好な表面平滑度を有し、反復使用による電気絶縁
性の低下もなく、750℃以上の屈伏点を有する耐
熱性の高いグレーズが得られるのである。 本発明のグレーズをつくるためには、各組成原
料は酸化物、水酸化物あるいは炭酸塩のいずれの
形で用いても良いが、溶融し易いように微粉砕原
料や化合物を使用した方が良い。これらの原料を
よく混合し、耐火るつぼ中で1280〜1450℃で20〜
40分間溶融後、水中に投入して急冷し、フリツト
ガラスを得る。 これをセラミツク基板に施すには、水中に懸濁
させ、スプレー方式によつてセラミツク基板上に
付着させるか、エチルセルローズの如き有機バイ
ンダと混合し、印刷方式によつてセラミツク基板
上に印刷し、これを1170〜1260℃で焼成すればよ
い。 本発明の対象となるセラミツク基板としては、
アルミナ基板およびこれと同程度の膨脹係数（70
×90×10-7）を有するセラミツク基板が好適であ
る。 つぎに実施例について述べる。 下記表に本発明の実施例No.１〜No.９に用いるグ
レーズ組成物と比較例（従来品）の組成を示す
が、これらのグレーズ組成物を水中に懸濁させ、
スプレーによつてアルミナ基板上に施し、これを
1170〜1260℃で焼成して、グレーズドセラミツク
基板を作製し、その試験結果を併せて表中に示
す。
ズドセラミツク基板に関する。 最近フアクシミリなどの電子機器などの開発に
伴ない、例えばサーマルヘツドなどに用いるグレ
ーズドセラミツク基板の需要が高まつている。か
かるグレーズドセラミツク基板は良好な回路配線
を得ることや、発熱体を均一につけることなどの
要求からグレーズ面の表面平滑度が良いことが望
まれ、また、勿論電気絶縁性が高いことも望まれ
ている。そして特にフアクシミリのサーマルヘツ
ドにおいては、フアクシミリの印字スピードが
益々高速化されるに伴ない温度の急激な上昇およ
ぴ降下という厳しい条件にさらされるようになつ
てきたために、上記の特性のほかに高度な耐熱性
も要求されるようになつてきている。 ところで従来のグレーズドセラミツク基板にお
いては、グレーズ表面の平滑性を保つ意味でアル
カリと鉛を含有している。そのため屈伏点が550
〜670℃程度となり、又、多数回の反復使用によ
り、アルカリと鉛の濃縮が起り電気絶縁性が低下
していた。アルカリと鉛を含有するグレーズでも
屈伏点を700℃以上にすることができるが、その
場合には平滑性が悪くなる。 本発明者は上記従来の欠点を改良するため、さ
きに、無鉛、無アルカリで表面平滑性も良く、屈
伏点も740℃付近と高いグレーズ組成物を開発し
たが、本発明においてはそれをさらに改良し、ア
ルカリと鉛を含有せずに良好な表面平滑度を有
し、しかも屈伏点が750℃以上であり耐熱性が良
好で、反復使用による電気絶縁性の低下もないグ
レーズ組成物を用いたグレーズドセラミツク基板
を提供するものである。すなわち本発明の要旨
は、SiO258〜63モル％、Al2O36〜12モル％、
CaOとSrOとBaOの少なくとも１種を20〜28モル
％、B2O33〜８モル％及び不可避的不純物からな
るグレーズ組成物を絶縁性セラミツク基板上に形
成したことを特徴とするグレーズドセラミツク基
板である。又、その実施態様として、グレーズ組
成物中にMgO、TiO2、ZnOの少くとも１種を６
モル％以下含んでもよい。 本発明のグレーズ組成物において、SiO2はガ
ラスを構成する主成分であり、その量が58モル％
未満で他の酸化物が増加するとグレーズ面に揮発
とコンホールが同時に起りやすくなる。また、63
モル％を越えると硬いグレーズとなつて中に発生
する泡が抜けにくくなる。 Al2O3は屈伏点を向上させ、かつアルカリ土類
と共存する場合に融剤として働きグレーズを融か
しやすくなる。その量が６モル％未満では屈伏点
が750℃より低くなるばかりでなく、ピンホール
が抜けがたくなる。12モル％を越えると1170〜
1260℃の必要焼成温度においてグレーズ表面が悪
くなる。 本発明では、アルカリ土類としてCaO、SrO、
BaOのどれを用いても表面平滑度の良いグレー
ズが得られることが判つた。そして、これらの酸
化物の総量が28モル％を越えると屈伏点が750℃
より低くなり、熱膨脹係数が大きくなる。場合に
よつては熱膨脹係数がセラミツク基板より大とな
つて、焼成時にクラツク（貫入）が入りやすくな
る。また、20モル％未満では溶解しにくくなり、
乳白色を呈するか、未融解のまま残り、所期の効
果を奏しない。 B2O3は強力な媒溶剤であるが、３モル％未満
ではその効果があらわれず、融解しにくくなる。
８モル％を越えると融解力が大きい屈伏点を750
℃から著しく下げてしまう。 本発明において、ZnO、MgO、TiO2は６モル
％までは添加してもグレーズの特性に全く影響を
与えないでそれぞれの性質を発揮させることがで
きる。 また、使用原料から必然的に混入してくる種々
の酸化物は、0.2モル％までは不可避的不純物と
して混入していても差支えない。 本発明では以上の組成によつて、それぞれの特
性が相俟つて、アルカリ、鉛を含有しないでも良
好な表面平滑度を有し、反復使用による電気絶縁
性の低下もなく、750℃以上の屈伏点を有する耐
熱性の高いグレーズが得られるのである。 本発明のグレーズをつくるためには、各組成原
料は酸化物、水酸化物あるいは炭酸塩のいずれの
形で用いても良いが、溶融し易いように微粉砕原
料や化合物を使用した方が良い。これらの原料を
よく混合し、耐火るつぼ中で1280〜1450℃で20〜
40分間溶融後、水中に投入して急冷し、フリツト
ガラスを得る。 これをセラミツク基板に施すには、水中に懸濁
させ、スプレー方式によつてセラミツク基板上に
付着させるか、エチルセルローズの如き有機バイ
ンダと混合し、印刷方式によつてセラミツク基板
上に印刷し、これを1170〜1260℃で焼成すればよ
い。 本発明の対象となるセラミツク基板としては、
アルミナ基板およびこれと同程度の膨脹係数（70
×90×10-7）を有するセラミツク基板が好適であ
る。 つぎに実施例について述べる。 下記表に本発明の実施例No.１〜No.９に用いるグ
レーズ組成物と比較例（従来品）の組成を示す
が、これらのグレーズ組成物を水中に懸濁させ、
スプレーによつてアルミナ基板上に施し、これを
1170〜1260℃で焼成して、グレーズドセラミツク
基板を作製し、その試験結果を併せて表中に示
す。
【表】
【表】
上記表で明らかなとおり、本発明に用いるグレ
ーズ組成物はアルカリと鉛を含有せず所定のグレ
ーズ組成物であるため、屈伏点が760〜800℃と比
較例品のグレーズ組成物に比べ90〜140℃と高く
なつており、耐熱性が向上している。又、これら
グレーズ組成物を施した本発明品をフアクシミリ
のサーマルヘツドとして連続パルス試験を行つた
ところ、108パルス以上を過ぎてもグレーズにク
ラツグが発生せず、電気絶縁性が低下するような
ことはなかつた。さらに、本発明品の表面平滑性
は良好で、うねりを生ずるようなことがなく、複
雑、細密な回路配線でも良好に設けることができ
る。
ーズ組成物はアルカリと鉛を含有せず所定のグレ
ーズ組成物であるため、屈伏点が760〜800℃と比
較例品のグレーズ組成物に比べ90〜140℃と高く
なつており、耐熱性が向上している。又、これら
グレーズ組成物を施した本発明品をフアクシミリ
のサーマルヘツドとして連続パルス試験を行つた
ところ、108パルス以上を過ぎてもグレーズにク
ラツグが発生せず、電気絶縁性が低下するような
ことはなかつた。さらに、本発明品の表面平滑性
は良好で、うねりを生ずるようなことがなく、複
雑、細密な回路配線でも良好に設けることができ
る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ SiO258〜63モル％、Al2O36〜12モル％、
CaOとSrOとBaOの少なくとも１種を20〜28モル
％、B2O33〜８モル％及び不可避的不純物からな
るグレーズ組成物を絶縁性セラミツク基板上に形
成したことを特徴とするグレーズドセラミツク基
板。 ２ ZnOとMgOとTiO2の少なくとも１種を６モ
ル％以下含む特許請求の範囲第１項記載のグレー
ズドセラミツク基板。 ３ 絶縁性セラミツク基板がアルミナ基板または
これと同程度の熱膨脹係数を有する基板である特
許請求の範囲第１項又は第２項記載のグレーズド
セラミツク基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19833482A JPS5988337A (ja) | 1982-11-13 | 1982-11-13 | グレーズドセラミック基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19833482A JPS5988337A (ja) | 1982-11-13 | 1982-11-13 | グレーズドセラミック基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5988337A JPS5988337A (ja) | 1984-05-22 |
| JPS6343330B2 true JPS6343330B2 (ja) | 1988-08-30 |
Family
ID=16389379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19833482A Granted JPS5988337A (ja) | 1982-11-13 | 1982-11-13 | グレーズドセラミック基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5988337A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010092981A (ko) * | 2000-03-28 | 2001-10-27 | 김형순 | 타일용 유약 및 그 제조방법 |
| JP5109225B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2012-12-26 | 旭硝子株式会社 | 無アルカリガラスおよび液晶ディスプレイパネル |
| TWI467706B (zh) | 2009-04-09 | 2015-01-01 | Ind Tech Res Inst | 陶瓷基板及其製造方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3501322A (en) * | 1967-08-16 | 1970-03-17 | Corning Glass Works | Glazed ceramic substrate for electronic microcircuits |
| JPS5292224A (en) * | 1976-01-28 | 1977-08-03 | Nippon Electric Glass Co | Composite of glass for glazing |
| JPS5654253A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-14 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Glaze composition for alumina substrate |
| JPS57118077A (en) * | 1981-01-06 | 1982-07-22 | Central Glass Co Ltd | Manufacture of glazed ceramic substrate |
| JPS5867091A (ja) * | 1981-10-19 | 1983-04-21 | 日本特殊陶業株式会社 | グレ−ズドセラミツクス基板 |
| JPS598638A (ja) * | 1982-07-06 | 1984-01-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | グレ−ズ組成物 |
| JPS6124345A (ja) * | 1984-07-12 | 1986-02-03 | Yaskawa Electric Mfg Co Ltd | 信号出力ゲ−ト制御方式 |
| JPS6159557A (ja) * | 1984-08-30 | 1986-03-27 | Toshiba Corp | 仮想記憶制御装置 |
| JPS6215493A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-23 | 株式会社東芝 | 使用済燃料輸送・貯蔵容器 |
-
1982
- 1982-11-13 JP JP19833482A patent/JPS5988337A/ja active Granted
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3501322A (en) * | 1967-08-16 | 1970-03-17 | Corning Glass Works | Glazed ceramic substrate for electronic microcircuits |
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| JPS5654253A (en) * | 1979-10-11 | 1981-05-14 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Glaze composition for alumina substrate |
| JPS57118077A (en) * | 1981-01-06 | 1982-07-22 | Central Glass Co Ltd | Manufacture of glazed ceramic substrate |
| JPS5867091A (ja) * | 1981-10-19 | 1983-04-21 | 日本特殊陶業株式会社 | グレ−ズドセラミツクス基板 |
| JPS598638A (ja) * | 1982-07-06 | 1984-01-17 | Ngk Spark Plug Co Ltd | グレ−ズ組成物 |
| JPS6124345A (ja) * | 1984-07-12 | 1986-02-03 | Yaskawa Electric Mfg Co Ltd | 信号出力ゲ−ト制御方式 |
| JPS6159557A (ja) * | 1984-08-30 | 1986-03-27 | Toshiba Corp | 仮想記憶制御装置 |
| JPS6215493A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-23 | 株式会社東芝 | 使用済燃料輸送・貯蔵容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5988337A (ja) | 1984-05-22 |
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