JPS63412B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS63412B2 JPS63412B2 JP60197789A JP19778985A JPS63412B2 JP S63412 B2 JPS63412 B2 JP S63412B2 JP 60197789 A JP60197789 A JP 60197789A JP 19778985 A JP19778985 A JP 19778985A JP S63412 B2 JPS63412 B2 JP S63412B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- catalyst
- rhodium
- carrier
- reaction
- sio
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 65
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 17
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 14
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 7
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 7
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 5
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 25
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 12
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 10
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 6
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 6
- ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N zinc nitrate Chemical compound [Zn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O ONDPHDOFVYQSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910017518 Cu Zn Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910017752 Cu-Zn Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910017943 Cu—Zn Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 5
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 5
- -1 methane Chemical class 0.000 description 5
- SONJTKJMTWTJCT-UHFFFAOYSA-K rhodium(iii) chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Rh+3] SONJTKJMTWTJCT-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 5
- IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N Acetaldehyde Chemical compound CC=O IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- PHFQLYPOURZARY-UHFFFAOYSA-N chromium trinitrate Chemical compound [Cr+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O PHFQLYPOURZARY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N copper(II) nitrate Chemical compound [Cu+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O XTVVROIMIGLXTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910021380 Manganese Chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- GLFNIEUTAYBVOC-UHFFFAOYSA-L Manganese chloride Chemical compound Cl[Mn]Cl GLFNIEUTAYBVOC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 238000005342 ion exchange Methods 0.000 description 3
- 229940099607 manganese chloride Drugs 0.000 description 3
- 235000002867 manganese chloride Nutrition 0.000 description 3
- 239000011565 manganese chloride Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical class C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910017813 Cu—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005909 Kieselgur Substances 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N acetaldehyde Chemical compound [14CH]([14CH3])=O IKHGUXGNUITLKF-XPULMUKRSA-N 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- IENXJNLJEDMNTE-UHFFFAOYSA-N acetic acid;ethane-1,2-diamine Chemical compound CC(O)=O.NCCN IENXJNLJEDMNTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005273 aeration Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- SLUNEGLMXGHOLY-UHFFFAOYSA-N benzene;hexane Chemical compound CCCCCC.C1=CC=CC=C1 SLUNEGLMXGHOLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001728 carbonyl compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000010779 crude oil Substances 0.000 description 1
- 125000000058 cyclopentadienyl group Chemical group C1(=CC=CC1)* 0.000 description 1
- JGUQDUKBUKFFRO-CIIODKQPSA-N dimethylglyoxime Chemical class O/N=C(/C)\C(\C)=N\O JGUQDUKBUKFFRO-CIIODKQPSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000012263 liquid product Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N methane;hydrate Chemical compound C.O VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 238000004451 qualitative analysis Methods 0.000 description 1
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DANYXEHCMQHDNX-UHFFFAOYSA-K trichloroiridium Chemical compound Cl[Ir](Cl)Cl DANYXEHCMQHDNX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明はエタノールの製造方法に関する。更に
詳しくは、(イ)ロジウムを担体担持してなる触媒、
(ロ)ロジウム及びリチウム又はマンガンを担体担持
してなる触媒、(ハ)ロジウム、マンガン、イリジウ
ム及び/又はリチウムを担体担持してなる触媒の
いずれかと(ニ)銅、亜鉛及び/又はクロムからなる
触媒との存在下、一酸化炭素と水素とを反応させ
ることからなる、エタノールの製造法に関する。 〔従来の技術及び発明が解決しようとする問題
点〕 エタノール、アセトアルデヒド等の炭素数2の
含酸素化合物は従来ナフサを原料とする石油化学
的方法によつて製造されてきた。しかし、近年の
原油の高騰により、製造価格の著しい上昇が起り
原料転換の必要性が生じている。 一方、豊富で且つ安価に入手可能な一酸化炭素
及び水素の混合ガスより炭素数2の含酸素化合物
を製造する方法が種々検討されている。則ち、一
酸化炭素と水素の混合ガスを、ロジウムを主成分
とし、マンガン、チタン、ジルコニウム、タング
ステンなどの金属もしくは金属酸化物より成る触
媒の存在下に反応させて、炭素数2の含酸素化合
物を選択的に製造する方法は公知である。 しかしながら、かかる方法も副生する炭化水
素、例えばメタン等の量が多く、含酸素化合物の
選択率が低いものや含酸素化合物の選択率が高い
場合には主生成物の選択性が低いものであつた。
更に高価な貴金属であるロジウムあたりの目的化
合物の生成量がまだまだ少く、経済的にもプロセ
ス的にも完成された技術が提供されていないのが
実情である。 更に炭素数2の含酸素化合物を高収量で高選択
的に製造することを目的としたロジウムにマンガ
ンを添加した触媒及びその改良法(特開昭52−
14706、56−8333、56−8334号)が提案されてい
るが、いずれの方法もアセトアルデヒド、酢酸を
主生成物とするものであり、エタノールの収率、
選択性などは著しく低い欠点を有している。 以上述べた如く、一酸化炭素及び水素を含有す
る気体よりエタノールを主成分とする含酸素化合
物を効率よく経済性よく製造する方法は提供され
ていない。 本発明者らはエタノールを選択的に製造する方
法について鋭意検討を重ねた結果、前述した如く
アセトアルデヒドや酢酸の製造用触媒として知ら
れていたロジウム系触媒と亜鉛及び/又はクロム
を含有する銅触媒とを組合せることによりエタノ
ールを高選択的に製造できることを見出し本発明
を完成した。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は前記した如く(イ)〜(ハ)のいずれかの触媒
と、(ニ)の触媒との存在下、一酸化炭素及び水素を
反応させてエタノールを製造するものである。 以下、本発明を順次詳述する。 本発明において用いられる触媒は前述の如く、
(イ)〜(ハ)のいずれかの触媒と、(ニ)の触媒とからなる
二者の触媒を主たる構成成分とする両者の触媒は
各々別途に調製したものを使用することが必要で
あり、使用に際しては混合あるいは(イ)〜(ハ)の触媒
を上層に(ニ)の触媒を下層に充填して使用すること
ができる。触媒の調製にあたつては通常、貴金属
触媒において行われる如く担体上に上記の成分を
分散させた触媒を用いる。 本発明において用いられる触媒は貴金属常法を
用いて調製することができる。例えば含浸法、浸
漬法、イオン交換法、共沈法、混練法等によつて
調製できる。 前記触媒を構成する諸成分の原料化合物として
は、酸化物、塩化物、硝酸塩、炭酸塩等の無機
塩、酢酸塩、シユウ酸塩、アセチルアセトナート
塩、ジメチルグリオキシム塩、エチレンジアミン
酢酸塩等有機塩又はキレート化物、カルボニル化
合物、シクロペンタジエニル化合物、アンミン錯
体、金属アルコキシド化合物、アルキル金属化合
物等通常貴金属触媒を調製する際に用いられる化
合物を使用することができる。 以下に含浸法に例をとり触媒の調製法を説明す
る。 上記の金属化合物を水、メタノール、エタノー
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ヘキサン
ベンゼン、トルエン等の溶媒に溶解し、その溶液
に担体を加え浸漬し、溶媒を留去、乾燥し、必要
とあれば加熱等の処理を行い、担体に金属化合物
を担持する。 担持の手法としては、原料化合物を同一溶媒に
同時に溶解した混合溶液を作り、担体に同時に担
持する方法、各成分を遂次的に担体に担持する方
法、あるいは各成分を必要に応じて還元、熱処理
等の処理を行いながら遂次的、段階的に担持する
方法などの各手法を用いることができる。尚、前
記した如く二者の触媒はそれぞれ別個にこれらの
手法を用いて調製する。 その他の調製法、例えば担体のイオン交換能を
利用したイオン交換によつて金属を担持する方
法、共沈法によつて触媒を調製する方法なども本
発明方法に用いられる触媒の調製手法として採用
できる。 上述の手法によつて調製された触媒は通常還元
処理を行うことにより活性化し次いで反応に供せ
られる。還元を行うには水素を含有する気体によ
り昇温下で行うことが簡便であつて好ましい。こ
の際還元温度として、ロジウムの還元される温
度、即ち100℃程度の温度条件でも還元処理がで
きるのであるが、好ましくは200℃〜600℃の温度
下で還元処理を行う。この際触媒の各成分の分散
を十分に行わせる目的で低温より徐々にあるいは
段階的に昇温しながら水素還元を行つてもよい。
また還元剤を用いて、化学的に還元を行うことも
できる。たとえば、一酸化炭素と水を用いたり、
ヒドラジン、水素化ホウ素化合物、水素化アルミ
ニウム化合物などの還元剤を用いた還元処理を行
つてもよい。 本発明において用いられる担体は好ましくは比
表面積10〜1000m2/g、細孔径10Å以上を有する
ものであれば通常担体として知られているものを
使用することができる。具体的な担体としては、
シリカ、珪酸塩、シリカゲル、モレキユラーシー
ブ、ケイソウ土等のシリカ系担体、アルミナ、活
性炭などがあげられるがシリカ系の担体が好まし
い。(イ)〜(ニ)触媒いずれの場合も触媒中の各成分の
濃度と組成比は広い範囲でかえることができる。 ロジウムの担体に対する比率は、担体の比表面
積を考慮して重量比で0.0001〜0.5、好ましくは
0.001〜0.3である。また、(イ)〜(ハ)触媒において、
助触媒金属の比率はロジウムに対して原子比で
各々0.001〜10、好ましくは0.01〜5の範囲であ
る。更に(ニ)の触媒において、亜鉛及びクロムの比
率は銅に対し原子比で各々0.1〜50、好ましくは
1〜10の範囲である。(ニ)触媒は共沈法や担体担持
法により調製される。 本発明は、たとえば固定床の流通式反応装置に
適用することができる。すなわち反応器内に触媒
を充填し、原料ガスを送入して反応を行わせる。
生成物は分離し、未反応の原料ガスは精製したの
ちに循環再使用することも可能である。 また、本発明は流動床式の反応装置にも適用で
きる。すなわち原料ガスと流動化した触媒を同伴
させて反応を行わせることもできる。更には本発
明は溶媒中に触媒を分散させ、原料ガスを送入し
反応を行うことからなる液相不均一反応にも適用
できる。 本発明を実施するに際して採用される条件は、
エタノールを主成分とする含酸素化合物を高収
率・高選択率で製造することを目的として種々の
反応条件の因子を有機的に組合せて選択される。
反応圧力は常圧(すなわち0Kg/cm2ゲージ)でも
当該目的化合物を高選択率・高収率で製造できる
のであるが、空時収率を高める目的で加圧下にお
いて反応を行うことができる。 従つて反応圧力としては0Kg/cm2ゲージ〜350
Kg/cm2ゲージ、好ましくは0Kg/cm2ゲージ〜250
Kg/cm2ゲージの圧力下で行う。反応温度は150℃
〜450℃、好ましくは180℃〜350℃である。反応
温度が高い場合には、炭化水素の副生量が増加す
るため原料の送入速度を早くする必要がある。従
つて、空間速度(原料ガス送入量×触媒容量)
は、標準状態(0℃、1気圧)換算で10h-1〜
106h-1の範囲より、反応圧力と反応温度、原料ガ
ス組成との関係より適宜選択される。 当該原料ガスの組成は、主として一酸化炭素と
水素を含有しているガスであつて、窒素、アルゴ
ン、ヘリウム、メタン等の不活性ガスあるいは反
応条件下において気体の状態であれば炭化水素や
炭酸ガスや水を含有していてもよい。一酸化炭素
と水素の混合比はCO/H2比で0.1〜10、好ましく
は0.2〜5(容積比)である。 以下実施例によつて本発明を更に詳細に説明す
る。 実施例 1 塩化ロジウム(RhCl3・3H2O)0.48g(1.82m
mol)を溶解させたエタノール溶液中に、予め
300℃で2時間高真空下で焼成脱気したシリカゲ
ル(Davison#57、Davison社製)3.7g(10ml)
を加え浸漬した。次いでロータリーエバポレータ
ーを用いてエタノールを留去し乾固した後、更に
真空乾燥した。その後、パイレツクス反応管に充
填し、常圧で水素及び窒素の混合ガス(H2:60
ml/分、N2:60ml/分の通気下、400℃で4時間
活性化処理を行い、Rh/SiO2触媒を調製した。
次いで、硝酸銅(Cu(NO3)2・3H2O)1.895g、
硝酸亜鉛(Zn(NO3)2・6H2O)1.085gを溶解さ
せた水溶液中に焼成脱気したシリカゲル3.7g
(10ml)を加え浸漬した。上記と同様の調製法及
び活性化処理を行いてCu−Zn/SiO2触媒を調製
した。このようにして得られたRh/SiO2触媒
(触媒8ml)、Cu−Zn/SiO2触媒(2ml)を高圧
流通式反応装置の反応管(チタン製)に、上層、
下層になる様に充填し、常圧水素ガスの流通下
(200ml/分)、300℃で2時間程度再還元処理した
後、一酸化炭素と水素の混合ガスを送入し、所定
の反応条件下で反応を行つた。反応生成物の分析
は、液状生成物については水に溶解し補集し、気
体生成物については直接ガス採取し、ガスクロ分
析を行い、定性及び定量分析し、生成物の分布を
求めた。結果を表1に示した。 実施例 2 塩化ロジウム0.480g、塩化リチウム(LiCl・
H2O)0.022gを溶解させたエタノール溶液及び
硝酸塩銅1.895g、硝酸クロム(Cr(NO3)・
9H2O)1.460gを溶解させた水溶液を300℃焼成
脱気したシリカゲル10mlに各々浸漬した後、実施
例1と同様の処理によりRh−Li/SiO2、Cu−
Cr/SiO2触媒を調製した。Rh−Li/SiO2(触媒
2ml)、Cu−Cr/SiO2触媒(0.5ml)を高圧流通
式反応装置の反応管に上層、下層に充填し、実施
例1と同様の方法で活性試験を行つた。結果を表
1に示した。 実施例 3 塩化ロジウム0.480g、塩化マンガン
(MnCl2・4H2O)0.018gを溶解させたエタノー
ル溶解を300℃焼成脱気シリカ10ml浸漬した。他
方、硝酸銅1.895g、硝酸亜鉛2.333gを溶解させ
た水溶液を300℃焼成脱気したシリカゲル10ml浸
漬した。各々を実施例1と同様の処理により、
Rh−Mn/SiO2、Cu−Zn/SiO2を調製した。Rh
−Mn/SiO2触媒(2ml)とCu−Zn/SiO2触媒
(2ml)を高圧流通式反応装置の反応管に上層、
下層に充填し、実施例1と同様の方法で活性試験
を行つた。結果を表1に示した。 実施例 4 塩化ロジウム0.480g、塩化マンガン0.011g、
塩化リチウム0.033gを溶解させたエタノール溶
液を300℃焼成脱気したシリカゲル10mlに浸漬し
た後、実施例1と同様の処理により、Rh−Mn−
Li/SiO2触媒を調製した。Rh−Mn−Li/SiO2
触媒(2ml)、実施例2で調製したCu−Cr−SiO2
触媒(2ml)を高圧流通式反応装置の反応管に上
層、下層に充填し、実施例1と同様の方法で活性
試験を行つた。結果を表1に示した。 実施例 5 塩化ロジウム0.480g、塩化マンガン0.011g、
塩化イリジウム(IrCl4・H2O)0.064g塩化リチ
ウム0.033gを溶解させたエタノール溶液を300℃
焼成脱気したシリカゲル10mlに浸漬した。他方、
硝酸銅1.895g、硝酸亜鉛2.333g硝酸クロム0.730
gを溶解させた水溶液をシリカ10mlに浸漬した。
実施例1と同様の処理により、Rh−Mn−Ir−
Li/SiO2、Cu−Zn−Cr/SiO2触媒を調製した。
Rh−Mn−Ir−Li/SiO2触媒(2ml)とCu−Zn
−Cr/SiO2触媒(2ml)を高圧流通式反応装置
の反応管に上層、下層に充填し実施例1と同様の
方法で活性試験を行つた。結果を表1に示した。 比較例 1 実施例1で調製したRh/SiO2触媒(10ml)を
高圧流通式反応装置の反応管に充填し、実施例1
と同様の方法で活性試験を行つた。結果を表1に
示した。 比較例 2 実施例2で調製したRh−Li/SiO2触媒(2ml)
を高圧流通式反応装置の反応管に充填し、実施例
1と同様の方法で活性試験を行つた結果を表1に
示した。 比較例 3 実施例4で調製したRh−Mn−Li/SiO2触媒
(2ml)を高圧流通式反応装置の反応管に充填し、
実施例1と同様の方法で活性試験を行つた。結果
を表1に示した。
詳しくは、(イ)ロジウムを担体担持してなる触媒、
(ロ)ロジウム及びリチウム又はマンガンを担体担持
してなる触媒、(ハ)ロジウム、マンガン、イリジウ
ム及び/又はリチウムを担体担持してなる触媒の
いずれかと(ニ)銅、亜鉛及び/又はクロムからなる
触媒との存在下、一酸化炭素と水素とを反応させ
ることからなる、エタノールの製造法に関する。 〔従来の技術及び発明が解決しようとする問題
点〕 エタノール、アセトアルデヒド等の炭素数2の
含酸素化合物は従来ナフサを原料とする石油化学
的方法によつて製造されてきた。しかし、近年の
原油の高騰により、製造価格の著しい上昇が起り
原料転換の必要性が生じている。 一方、豊富で且つ安価に入手可能な一酸化炭素
及び水素の混合ガスより炭素数2の含酸素化合物
を製造する方法が種々検討されている。則ち、一
酸化炭素と水素の混合ガスを、ロジウムを主成分
とし、マンガン、チタン、ジルコニウム、タング
ステンなどの金属もしくは金属酸化物より成る触
媒の存在下に反応させて、炭素数2の含酸素化合
物を選択的に製造する方法は公知である。 しかしながら、かかる方法も副生する炭化水
素、例えばメタン等の量が多く、含酸素化合物の
選択率が低いものや含酸素化合物の選択率が高い
場合には主生成物の選択性が低いものであつた。
更に高価な貴金属であるロジウムあたりの目的化
合物の生成量がまだまだ少く、経済的にもプロセ
ス的にも完成された技術が提供されていないのが
実情である。 更に炭素数2の含酸素化合物を高収量で高選択
的に製造することを目的としたロジウムにマンガ
ンを添加した触媒及びその改良法(特開昭52−
14706、56−8333、56−8334号)が提案されてい
るが、いずれの方法もアセトアルデヒド、酢酸を
主生成物とするものであり、エタノールの収率、
選択性などは著しく低い欠点を有している。 以上述べた如く、一酸化炭素及び水素を含有す
る気体よりエタノールを主成分とする含酸素化合
物を効率よく経済性よく製造する方法は提供され
ていない。 本発明者らはエタノールを選択的に製造する方
法について鋭意検討を重ねた結果、前述した如く
アセトアルデヒドや酢酸の製造用触媒として知ら
れていたロジウム系触媒と亜鉛及び/又はクロム
を含有する銅触媒とを組合せることによりエタノ
ールを高選択的に製造できることを見出し本発明
を完成した。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明は前記した如く(イ)〜(ハ)のいずれかの触媒
と、(ニ)の触媒との存在下、一酸化炭素及び水素を
反応させてエタノールを製造するものである。 以下、本発明を順次詳述する。 本発明において用いられる触媒は前述の如く、
(イ)〜(ハ)のいずれかの触媒と、(ニ)の触媒とからなる
二者の触媒を主たる構成成分とする両者の触媒は
各々別途に調製したものを使用することが必要で
あり、使用に際しては混合あるいは(イ)〜(ハ)の触媒
を上層に(ニ)の触媒を下層に充填して使用すること
ができる。触媒の調製にあたつては通常、貴金属
触媒において行われる如く担体上に上記の成分を
分散させた触媒を用いる。 本発明において用いられる触媒は貴金属常法を
用いて調製することができる。例えば含浸法、浸
漬法、イオン交換法、共沈法、混練法等によつて
調製できる。 前記触媒を構成する諸成分の原料化合物として
は、酸化物、塩化物、硝酸塩、炭酸塩等の無機
塩、酢酸塩、シユウ酸塩、アセチルアセトナート
塩、ジメチルグリオキシム塩、エチレンジアミン
酢酸塩等有機塩又はキレート化物、カルボニル化
合物、シクロペンタジエニル化合物、アンミン錯
体、金属アルコキシド化合物、アルキル金属化合
物等通常貴金属触媒を調製する際に用いられる化
合物を使用することができる。 以下に含浸法に例をとり触媒の調製法を説明す
る。 上記の金属化合物を水、メタノール、エタノー
ル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ヘキサン
ベンゼン、トルエン等の溶媒に溶解し、その溶液
に担体を加え浸漬し、溶媒を留去、乾燥し、必要
とあれば加熱等の処理を行い、担体に金属化合物
を担持する。 担持の手法としては、原料化合物を同一溶媒に
同時に溶解した混合溶液を作り、担体に同時に担
持する方法、各成分を遂次的に担体に担持する方
法、あるいは各成分を必要に応じて還元、熱処理
等の処理を行いながら遂次的、段階的に担持する
方法などの各手法を用いることができる。尚、前
記した如く二者の触媒はそれぞれ別個にこれらの
手法を用いて調製する。 その他の調製法、例えば担体のイオン交換能を
利用したイオン交換によつて金属を担持する方
法、共沈法によつて触媒を調製する方法なども本
発明方法に用いられる触媒の調製手法として採用
できる。 上述の手法によつて調製された触媒は通常還元
処理を行うことにより活性化し次いで反応に供せ
られる。還元を行うには水素を含有する気体によ
り昇温下で行うことが簡便であつて好ましい。こ
の際還元温度として、ロジウムの還元される温
度、即ち100℃程度の温度条件でも還元処理がで
きるのであるが、好ましくは200℃〜600℃の温度
下で還元処理を行う。この際触媒の各成分の分散
を十分に行わせる目的で低温より徐々にあるいは
段階的に昇温しながら水素還元を行つてもよい。
また還元剤を用いて、化学的に還元を行うことも
できる。たとえば、一酸化炭素と水を用いたり、
ヒドラジン、水素化ホウ素化合物、水素化アルミ
ニウム化合物などの還元剤を用いた還元処理を行
つてもよい。 本発明において用いられる担体は好ましくは比
表面積10〜1000m2/g、細孔径10Å以上を有する
ものであれば通常担体として知られているものを
使用することができる。具体的な担体としては、
シリカ、珪酸塩、シリカゲル、モレキユラーシー
ブ、ケイソウ土等のシリカ系担体、アルミナ、活
性炭などがあげられるがシリカ系の担体が好まし
い。(イ)〜(ニ)触媒いずれの場合も触媒中の各成分の
濃度と組成比は広い範囲でかえることができる。 ロジウムの担体に対する比率は、担体の比表面
積を考慮して重量比で0.0001〜0.5、好ましくは
0.001〜0.3である。また、(イ)〜(ハ)触媒において、
助触媒金属の比率はロジウムに対して原子比で
各々0.001〜10、好ましくは0.01〜5の範囲であ
る。更に(ニ)の触媒において、亜鉛及びクロムの比
率は銅に対し原子比で各々0.1〜50、好ましくは
1〜10の範囲である。(ニ)触媒は共沈法や担体担持
法により調製される。 本発明は、たとえば固定床の流通式反応装置に
適用することができる。すなわち反応器内に触媒
を充填し、原料ガスを送入して反応を行わせる。
生成物は分離し、未反応の原料ガスは精製したの
ちに循環再使用することも可能である。 また、本発明は流動床式の反応装置にも適用で
きる。すなわち原料ガスと流動化した触媒を同伴
させて反応を行わせることもできる。更には本発
明は溶媒中に触媒を分散させ、原料ガスを送入し
反応を行うことからなる液相不均一反応にも適用
できる。 本発明を実施するに際して採用される条件は、
エタノールを主成分とする含酸素化合物を高収
率・高選択率で製造することを目的として種々の
反応条件の因子を有機的に組合せて選択される。
反応圧力は常圧(すなわち0Kg/cm2ゲージ)でも
当該目的化合物を高選択率・高収率で製造できる
のであるが、空時収率を高める目的で加圧下にお
いて反応を行うことができる。 従つて反応圧力としては0Kg/cm2ゲージ〜350
Kg/cm2ゲージ、好ましくは0Kg/cm2ゲージ〜250
Kg/cm2ゲージの圧力下で行う。反応温度は150℃
〜450℃、好ましくは180℃〜350℃である。反応
温度が高い場合には、炭化水素の副生量が増加す
るため原料の送入速度を早くする必要がある。従
つて、空間速度(原料ガス送入量×触媒容量)
は、標準状態(0℃、1気圧)換算で10h-1〜
106h-1の範囲より、反応圧力と反応温度、原料ガ
ス組成との関係より適宜選択される。 当該原料ガスの組成は、主として一酸化炭素と
水素を含有しているガスであつて、窒素、アルゴ
ン、ヘリウム、メタン等の不活性ガスあるいは反
応条件下において気体の状態であれば炭化水素や
炭酸ガスや水を含有していてもよい。一酸化炭素
と水素の混合比はCO/H2比で0.1〜10、好ましく
は0.2〜5(容積比)である。 以下実施例によつて本発明を更に詳細に説明す
る。 実施例 1 塩化ロジウム(RhCl3・3H2O)0.48g(1.82m
mol)を溶解させたエタノール溶液中に、予め
300℃で2時間高真空下で焼成脱気したシリカゲ
ル(Davison#57、Davison社製)3.7g(10ml)
を加え浸漬した。次いでロータリーエバポレータ
ーを用いてエタノールを留去し乾固した後、更に
真空乾燥した。その後、パイレツクス反応管に充
填し、常圧で水素及び窒素の混合ガス(H2:60
ml/分、N2:60ml/分の通気下、400℃で4時間
活性化処理を行い、Rh/SiO2触媒を調製した。
次いで、硝酸銅(Cu(NO3)2・3H2O)1.895g、
硝酸亜鉛(Zn(NO3)2・6H2O)1.085gを溶解さ
せた水溶液中に焼成脱気したシリカゲル3.7g
(10ml)を加え浸漬した。上記と同様の調製法及
び活性化処理を行いてCu−Zn/SiO2触媒を調製
した。このようにして得られたRh/SiO2触媒
(触媒8ml)、Cu−Zn/SiO2触媒(2ml)を高圧
流通式反応装置の反応管(チタン製)に、上層、
下層になる様に充填し、常圧水素ガスの流通下
(200ml/分)、300℃で2時間程度再還元処理した
後、一酸化炭素と水素の混合ガスを送入し、所定
の反応条件下で反応を行つた。反応生成物の分析
は、液状生成物については水に溶解し補集し、気
体生成物については直接ガス採取し、ガスクロ分
析を行い、定性及び定量分析し、生成物の分布を
求めた。結果を表1に示した。 実施例 2 塩化ロジウム0.480g、塩化リチウム(LiCl・
H2O)0.022gを溶解させたエタノール溶液及び
硝酸塩銅1.895g、硝酸クロム(Cr(NO3)・
9H2O)1.460gを溶解させた水溶液を300℃焼成
脱気したシリカゲル10mlに各々浸漬した後、実施
例1と同様の処理によりRh−Li/SiO2、Cu−
Cr/SiO2触媒を調製した。Rh−Li/SiO2(触媒
2ml)、Cu−Cr/SiO2触媒(0.5ml)を高圧流通
式反応装置の反応管に上層、下層に充填し、実施
例1と同様の方法で活性試験を行つた。結果を表
1に示した。 実施例 3 塩化ロジウム0.480g、塩化マンガン
(MnCl2・4H2O)0.018gを溶解させたエタノー
ル溶解を300℃焼成脱気シリカ10ml浸漬した。他
方、硝酸銅1.895g、硝酸亜鉛2.333gを溶解させ
た水溶液を300℃焼成脱気したシリカゲル10ml浸
漬した。各々を実施例1と同様の処理により、
Rh−Mn/SiO2、Cu−Zn/SiO2を調製した。Rh
−Mn/SiO2触媒(2ml)とCu−Zn/SiO2触媒
(2ml)を高圧流通式反応装置の反応管に上層、
下層に充填し、実施例1と同様の方法で活性試験
を行つた。結果を表1に示した。 実施例 4 塩化ロジウム0.480g、塩化マンガン0.011g、
塩化リチウム0.033gを溶解させたエタノール溶
液を300℃焼成脱気したシリカゲル10mlに浸漬し
た後、実施例1と同様の処理により、Rh−Mn−
Li/SiO2触媒を調製した。Rh−Mn−Li/SiO2
触媒(2ml)、実施例2で調製したCu−Cr−SiO2
触媒(2ml)を高圧流通式反応装置の反応管に上
層、下層に充填し、実施例1と同様の方法で活性
試験を行つた。結果を表1に示した。 実施例 5 塩化ロジウム0.480g、塩化マンガン0.011g、
塩化イリジウム(IrCl4・H2O)0.064g塩化リチ
ウム0.033gを溶解させたエタノール溶液を300℃
焼成脱気したシリカゲル10mlに浸漬した。他方、
硝酸銅1.895g、硝酸亜鉛2.333g硝酸クロム0.730
gを溶解させた水溶液をシリカ10mlに浸漬した。
実施例1と同様の処理により、Rh−Mn−Ir−
Li/SiO2、Cu−Zn−Cr/SiO2触媒を調製した。
Rh−Mn−Ir−Li/SiO2触媒(2ml)とCu−Zn
−Cr/SiO2触媒(2ml)を高圧流通式反応装置
の反応管に上層、下層に充填し実施例1と同様の
方法で活性試験を行つた。結果を表1に示した。 比較例 1 実施例1で調製したRh/SiO2触媒(10ml)を
高圧流通式反応装置の反応管に充填し、実施例1
と同様の方法で活性試験を行つた。結果を表1に
示した。 比較例 2 実施例2で調製したRh−Li/SiO2触媒(2ml)
を高圧流通式反応装置の反応管に充填し、実施例
1と同様の方法で活性試験を行つた結果を表1に
示した。 比較例 3 実施例4で調製したRh−Mn−Li/SiO2触媒
(2ml)を高圧流通式反応装置の反応管に充填し、
実施例1と同様の方法で活性試験を行つた。結果
を表1に示した。
【表】
【表】
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 ロジウムを担体担持してなる触媒と、銅、亜
鉛及び/又はクロムからなる触媒との存在下、一
酸化炭素と水素とを反応させることからなるエタ
ノールの製造法。 2 ロジウム及びリチウム又はマンガンを担体担
持してなる触媒と、銅、亜鉛及び/又はクロムか
らなる触媒との存在下、一酸化炭素と水素とを反
応させることからなる、エタノールの製造法。 3 ロジウム、マンガン、イリジウム及び/又は
リチウムを担体担持してなる触媒と、銅、亜鉛及
び/又はクロムからなる触媒の存在下、一酸化炭
素と水素とを反応させることからなる、エタノー
ルの製造法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60197789A JPS6259227A (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | エタノ−ルの製造法 |
GB08602390A GB2171925B (en) | 1985-02-02 | 1986-01-31 | Process for the manufacture of ethanol based, oxygen-containing carbon compounds |
US06/941,072 US4758600A (en) | 1985-02-02 | 1986-12-12 | Process for the manufacture of ethanol |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60197789A JPS6259227A (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 | エタノ−ルの製造法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6259227A JPS6259227A (ja) | 1987-03-14 |
JPS63412B2 true JPS63412B2 (ja) | 1988-01-07 |
Family
ID=16380377
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60197789A Granted JPS6259227A (ja) | 1985-02-02 | 1985-09-09 | エタノ−ルの製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6259227A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012001441A (ja) * | 2010-06-14 | 2012-01-05 | Sekisui Chem Co Ltd | エタノール製造方法、およびエタノール製造システム |
CN103420791B (zh) * | 2012-05-16 | 2015-09-09 | 中国石油化工股份有限公司 | 合成气加氢制乙醇的方法 |
-
1985
- 1985-09-09 JP JP60197789A patent/JPS6259227A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6259227A (ja) | 1987-03-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6049617B2 (ja) | エタノ−ルなどの含酸素化合物を製造する方法 | |
JPS63412B2 (ja) | ||
JPS6341373B2 (ja) | ||
JPS6119608B2 (ja) | ||
JPS6353169B2 (ja) | ||
JPS6238335B2 (ja) | ||
JPS63413B2 (ja) | ||
JPS6353168B2 (ja) | ||
JPS6210486B2 (ja) | ||
JPS6238333B2 (ja) | ||
JPS6238334B2 (ja) | ||
JPS6238343B2 (ja) | ||
JPS63416B2 (ja) | ||
JPS643857B2 (ja) | ||
JPS63414B2 (ja) | ||
JPS6119611B2 (ja) | ||
JPS6049616B2 (ja) | エタノ−ルを主成分とする含酸素化合物の製造法 | |
JPS6238337B2 (ja) | ||
JPS6238336B2 (ja) | ||
JPS6049615B2 (ja) | エタノ−ルを主成分とする含酸素化合物の製造方法 | |
JPS6238340B2 (ja) | ||
JPS6238341B2 (ja) | ||
JPS6238339B2 (ja) | ||
JPS6218530B2 (ja) | ||
JPS6238338B2 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |