JPS6340310B2 - - Google Patents
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- JPS6340310B2 JPS6340310B2 JP55114049A JP11404980A JPS6340310B2 JP S6340310 B2 JPS6340310 B2 JP S6340310B2 JP 55114049 A JP55114049 A JP 55114049A JP 11404980 A JP11404980 A JP 11404980A JP S6340310 B2 JPS6340310 B2 JP S6340310B2
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0436—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure combining organic and inorganic layers
-
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- G03G5/0433—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子写真感光体、詳しく言えばカール
ソンプロセスの電子写真方式において、正帯電で
用いることのできる機能分離型感光体に関するも
のである。
ソンプロセスの電子写真方式において、正帯電で
用いることのできる機能分離型感光体に関するも
のである。
従来用いられている電子写真用感光体は、導電
性基板上にSe、Se−Te合金、Se−As合金等を蒸
着して感光層を形成したもの、PVK(ポリビニル
カルバゾール)−TNF(2,4,7−トリニトロ
−9−フルオレノン)のような有機光導電体、
CdSやZnO等の無機光導電体を結着材中に分散し
たもの等が代表的なものでありこれらはいずれも
単層として用いられている。これらの感光体は、
表面近傍で光生成された電荷を基板側へ輸送する
ことによつて静電潜像を形成するもので、感光体
の表面状態が画質に大きく影響する。電子写真方
式においては、感光体表面は帯電、現像、転写、
クリーニングの各工程で物理・化学的な衝撃にさ
らされているので損傷を受け易く、画質に悪影響
を及ぼして感光体の寿命を短くしていた。
性基板上にSe、Se−Te合金、Se−As合金等を蒸
着して感光層を形成したもの、PVK(ポリビニル
カルバゾール)−TNF(2,4,7−トリニトロ
−9−フルオレノン)のような有機光導電体、
CdSやZnO等の無機光導電体を結着材中に分散し
たもの等が代表的なものでありこれらはいずれも
単層として用いられている。これらの感光体は、
表面近傍で光生成された電荷を基板側へ輸送する
ことによつて静電潜像を形成するもので、感光体
の表面状態が画質に大きく影響する。電子写真方
式においては、感光体表面は帯電、現像、転写、
クリーニングの各工程で物理・化学的な衝撃にさ
らされているので損傷を受け易く、画質に悪影響
を及ぼして感光体の寿命を短くしていた。
これに対して電荷発生層と電荷輸送層との機能
を分離した公知の感光体は導電性支持体上に電荷
発生層と電荷輸送層とを積層した構成であり、光
により電荷発生層で生成された電荷担体は電荷輸
送層へ注入され、その内部を流れることによつて
静電潜像を形成する。電荷発生層は電荷輸送層を
比較して機械的強度が弱く損傷を受けやすい。従
つて電荷輸送層が上層で電荷発生層が下層である
ような構成であれば損傷を受けにくく、かつ損傷
を受けた場合でも画質への悪影響は相対的に少な
い。また電荷発生層と電荷輸送層とを分離するこ
とによつて、感度、帯電性、残留電位等の特性を
改善することができる。なぜならば、一般に、電
荷発生能が高い材料では、暗減衰率が高く、キヤ
リヤー移動度、従つて電荷輸送能が低いという特
性があり、逆に電荷輸送能が高い材料では電荷発
生能が低いという特性があり、両者の性能は互い
に相反するが、電荷発生層をその機能を有する範
囲内で、かつ感光体全体の特性を損わない範囲内
で薄くすることができるからである。即ち、電荷
輸送層の機能は、電荷発生層から注入された電荷
を輸送すること、電荷発生層に固有の分光感度域
に対して実質的に透明であること、帯電された電
荷をその表面に有効に保持することであり、この
層では電荷発生を行なう必要はないので、キヤリ
ヤー移動度、暗減衰、残留電位等の特性にすぐれ
た材料を選択することができるからである。この
ような特性を有する、可視光に対して透明な電荷
輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール及び
その誘導体等の高分子有機半導体、オキサジアゾ
ール誘導体、トリフエニルアミン誘導体、ピラゾ
リン誘導体等からなる低分子有機半導体を有機結
着剤中に溶解分散したもの等が知られている。こ
れらの電荷輸送物質はP型であり、したがつて正
孔を輸送することはできるが電子を輸送すること
ができない。このため、導電性支持体、電荷発生
層、電荷輸送層からなる感光体をこれらのP型電
荷輸送層で構成した場合、その帯電極性は負とな
る。しかしながら負極性コロナ帯電を用いると、
オゾンの大量発生によつて感光体が劣化したり人
体に悪影響をおよぼし、また帯電ムラが生じやす
い等欠点がある。このため正帯電で用いることの
できる機能分離型感光体の実現が望まれている。
このためには可視光に対し透明なN型電荷輸送層
が必要であり、2,4,7−トリニトロ9−フル
オレノンのような電子吸引性物質を有機結着剤中
に分散したものが提案されている。しかし、電荷
輸送性、透明性、化学的安定性等の点で満足すべ
きものは得られていない。
を分離した公知の感光体は導電性支持体上に電荷
発生層と電荷輸送層とを積層した構成であり、光
により電荷発生層で生成された電荷担体は電荷輸
送層へ注入され、その内部を流れることによつて
静電潜像を形成する。電荷発生層は電荷輸送層を
比較して機械的強度が弱く損傷を受けやすい。従
つて電荷輸送層が上層で電荷発生層が下層である
ような構成であれば損傷を受けにくく、かつ損傷
を受けた場合でも画質への悪影響は相対的に少な
い。また電荷発生層と電荷輸送層とを分離するこ
とによつて、感度、帯電性、残留電位等の特性を
改善することができる。なぜならば、一般に、電
荷発生能が高い材料では、暗減衰率が高く、キヤ
リヤー移動度、従つて電荷輸送能が低いという特
性があり、逆に電荷輸送能が高い材料では電荷発
生能が低いという特性があり、両者の性能は互い
に相反するが、電荷発生層をその機能を有する範
囲内で、かつ感光体全体の特性を損わない範囲内
で薄くすることができるからである。即ち、電荷
輸送層の機能は、電荷発生層から注入された電荷
を輸送すること、電荷発生層に固有の分光感度域
に対して実質的に透明であること、帯電された電
荷をその表面に有効に保持することであり、この
層では電荷発生を行なう必要はないので、キヤリ
ヤー移動度、暗減衰、残留電位等の特性にすぐれ
た材料を選択することができるからである。この
ような特性を有する、可視光に対して透明な電荷
輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール及び
その誘導体等の高分子有機半導体、オキサジアゾ
ール誘導体、トリフエニルアミン誘導体、ピラゾ
リン誘導体等からなる低分子有機半導体を有機結
着剤中に溶解分散したもの等が知られている。こ
れらの電荷輸送物質はP型であり、したがつて正
孔を輸送することはできるが電子を輸送すること
ができない。このため、導電性支持体、電荷発生
層、電荷輸送層からなる感光体をこれらのP型電
荷輸送層で構成した場合、その帯電極性は負とな
る。しかしながら負極性コロナ帯電を用いると、
オゾンの大量発生によつて感光体が劣化したり人
体に悪影響をおよぼし、また帯電ムラが生じやす
い等欠点がある。このため正帯電で用いることの
できる機能分離型感光体の実現が望まれている。
このためには可視光に対し透明なN型電荷輸送層
が必要であり、2,4,7−トリニトロ9−フル
オレノンのような電子吸引性物質を有機結着剤中
に分散したものが提案されている。しかし、電荷
輸送性、透明性、化学的安定性等の点で満足すべ
きものは得られていない。
本発明は、電荷輸送性、透明性、化学的安定性
に優れたN型電荷輸送材料を電荷輸送層として、
導電性支持体上に有機系電荷発生層、電荷輸送層
を順次積層し、正帯電のカールソンプロセスで用
いる感光体を提供することを目的とする。
に優れたN型電荷輸送材料を電荷輸送層として、
導電性支持体上に有機系電荷発生層、電荷輸送層
を順次積層し、正帯電のカールソンプロセスで用
いる感光体を提供することを目的とする。
本発明の目的は、無機N型半導体を超微粒子に
すると透明になるという発見に基づき、導電性支
持体上に、電荷発生層と電荷輸送層とを順次積層
してなる電子写真感光体において、前電荷発生層
は有機光導電体を含む層であり、前記電荷輸送層
は電気的に不活性な有機樹脂結着材料中に平均粒
径が0.1μ以下の無機N型半導体粒子を均一に分散
した層であることを特徴とする感光体により達成
することができる。
すると透明になるという発見に基づき、導電性支
持体上に、電荷発生層と電荷輸送層とを順次積層
してなる電子写真感光体において、前電荷発生層
は有機光導電体を含む層であり、前記電荷輸送層
は電気的に不活性な有機樹脂結着材料中に平均粒
径が0.1μ以下の無機N型半導体粒子を均一に分散
した層であることを特徴とする感光体により達成
することができる。
本発明で用いるN型電荷輸送層は、平均粒径
0.1μm以下の超微細無機N型半導体粒子を電気的
に不活性な有機樹脂結着材料中に均一に分散して
なるものである。無機N型半導体としては、
ZnO、TiO2、ZnS、CdS、ZnxCd1-xS、アモルフ
アスSi等を用いることができる。結着剤は可視光
に対して実質的に透明で機械的強度、接着性、表
面硬度、耐磨耗性に優れ、吸水率の小さい樹脂の
中から選ぶことができる。溶剤耐性が要求される
場合には硬化型樹脂を用いることが望ましい。具
体的にはポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、アク
リル樹脂、アルキツド樹脂、ポリエステル樹脂、
ポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、フツ素樹脂、環
化ブタジエンゴム等をあげることができる。
0.1μm以下の超微細無機N型半導体粒子を電気的
に不活性な有機樹脂結着材料中に均一に分散して
なるものである。無機N型半導体としては、
ZnO、TiO2、ZnS、CdS、ZnxCd1-xS、アモルフ
アスSi等を用いることができる。結着剤は可視光
に対して実質的に透明で機械的強度、接着性、表
面硬度、耐磨耗性に優れ、吸水率の小さい樹脂の
中から選ぶことができる。溶剤耐性が要求される
場合には硬化型樹脂を用いることが望ましい。具
体的にはポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、アク
リル樹脂、アルキツド樹脂、ポリエステル樹脂、
ポリカーボネート樹脂、シリコーン樹脂、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体樹脂、フツ素樹脂、環
化ブタジエンゴム等をあげることができる。
電荷発生層としては、フタロシアニン系顔料、
トリスアゾ系顔料、シアニン系顔料、ジスアゾ系
顔料、インジゴイド系顔料等の有機光導電体の結
着材中への分散膜を用いることができる。電荷輸
送層を構成する無機N型半導体と有機結着材との
割合は、重量比で10/90〜80/20が望ましい。ま
た各層の膜厚は、電荷発生層0.1〜5μm、電荷輸
送層5〜60μmが望ましい。
トリスアゾ系顔料、シアニン系顔料、ジスアゾ系
顔料、インジゴイド系顔料等の有機光導電体の結
着材中への分散膜を用いることができる。電荷輸
送層を構成する無機N型半導体と有機結着材との
割合は、重量比で10/90〜80/20が望ましい。ま
た各層の膜厚は、電荷発生層0.1〜5μm、電荷輸
送層5〜60μmが望ましい。
本発明では導電性支持体としては、アルミニウ
ム、銅、ニツケル等の金属、カーボンの分散層を
樹脂フイルムに塗布したもの、導電処理した紙等
を用いることができる。また必要に応じて導電性
支持体と電荷発生層との間に電荷注入を阻止する
ため、及び接着性を改善するための中間層を設け
てもよい。
ム、銅、ニツケル等の金属、カーボンの分散層を
樹脂フイルムに塗布したもの、導電処理した紙等
を用いることができる。また必要に応じて導電性
支持体と電荷発生層との間に電荷注入を阻止する
ため、及び接着性を改善するための中間層を設け
てもよい。
無機N型半導体は熱的及び化学的に安定で、耐
久性においても優れている。従つてこの半導体を
分散した電荷輸送層も熱的及び化学的に安定して
おり、機械的強度、耐久性の点でも優れ、本発明
の感光体はきわめて長寿命である。また本発明の
感光体はフレキシブルであるため、ドラム状で用
いることもベルト状で用いることもできる。
久性においても優れている。従つてこの半導体を
分散した電荷輸送層も熱的及び化学的に安定して
おり、機械的強度、耐久性の点でも優れ、本発明
の感光体はきわめて長寿命である。また本発明の
感光体はフレキシブルであるため、ドラム状で用
いることもベルト状で用いることもできる。
以下に実施例および参考例をあげて本発明を説
明する。
明する。
参考例
導電性支持体上にSe−Te合金の蒸着膜を0.5μ
の厚さに設けた。
の厚さに設けた。
次に平均粒径0.08μのZnO粉末100重量部、ポリ
エステル樹脂(バイロン200、東洋紡製)65重量
部及びジクロルメタン100重量部をボールミルに
て70時間分散した。この分散混合物にシクロヘキ
サノンを適量加えて、上記電荷発生層の上にスプ
レーコートして20μの電荷輸送層とした。
エステル樹脂(バイロン200、東洋紡製)65重量
部及びジクロルメタン100重量部をボールミルに
て70時間分散した。この分散混合物にシクロヘキ
サノンを適量加えて、上記電荷発生層の上にスプ
レーコートして20μの電荷輸送層とした。
この感光体について正帯電、露光、現像、転
写、クリーニングの工程をくり返したところ、良
好なコピー画像が得られた。
写、クリーニングの工程をくり返したところ、良
好なコピー画像が得られた。
実施例
ε型銅フタロシアニン(東洋インキ製)3重量
部、ポリウレタン樹脂(レタン4000、関西ペイン
ト製)10重量部及び酢酸−n−ブチル100重量部
をボールミルにて5時間分散混合し、これを導電
性支持体上にスプレーコートして1μの電荷発生
層を得た。
部、ポリウレタン樹脂(レタン4000、関西ペイン
ト製)10重量部及び酢酸−n−ブチル100重量部
をボールミルにて5時間分散混合し、これを導電
性支持体上にスプレーコートして1μの電荷発生
層を得た。
次に平均粒径0.04μのTiO2粉末100重量部、ポ
リウレタン樹脂(レタン4000、関西ペイント製)、
60重量部及びセルソルブアセテート80重量部をボ
ールミルにて65時間分散した。これを前記電荷発
生層の上にスプレーコートして20μの電荷輸送層
とした。
リウレタン樹脂(レタン4000、関西ペイント製)、
60重量部及びセルソルブアセテート80重量部をボ
ールミルにて65時間分散した。これを前記電荷発
生層の上にスプレーコートして20μの電荷輸送層
とした。
この感光体について参考例と同様にして複写工
程をくり返したところ良好なコピー画像が得られ
た。
程をくり返したところ良好なコピー画像が得られ
た。
Claims (1)
- 1 導電性支持体上に、電荷発生層と電荷輸送層
とを順次積層してなる電子写真感光体において、
前記電荷発生層は有機光導電体を含む層であり、
前記電荷輸送層は電気的に不活性な有機樹脂結着
材料中に平均粒径が0.1μ以下の無機N型半導体粒
子を均一に分散した層であることを特徴とする感
光体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11404980A JPS5738436A (en) | 1980-08-21 | 1980-08-21 | Electrophotographic receptor |
US06/293,898 US4382118A (en) | 1980-08-21 | 1981-08-18 | Electrophotographic member with transport layer having inorganic n-type particles |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11404980A JPS5738436A (en) | 1980-08-21 | 1980-08-21 | Electrophotographic receptor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5738436A JPS5738436A (en) | 1982-03-03 |
JPS6340310B2 true JPS6340310B2 (ja) | 1988-08-10 |
Family
ID=14627747
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11404980A Granted JPS5738436A (en) | 1980-08-21 | 1980-08-21 | Electrophotographic receptor |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4382118A (ja) |
JP (1) | JPS5738436A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2595574B2 (ja) * | 1987-11-06 | 1997-04-02 | ミノルタ株式会社 | 感光体 |
JP2825558B2 (ja) * | 1989-10-25 | 1998-11-18 | 株式会社日立製作所 | 組成物及びこの樹脂組成物を使用した多層プリント回路板の製造方法 |
US5120628A (en) * | 1989-12-12 | 1992-06-09 | Xerox Corporation | Transparent photoreceptor overcoatings |
US5310612A (en) * | 1991-03-11 | 1994-05-10 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image-holding member and production method thereof, method for forming image-forming master using the image-holding member and the forming apparatus, and image-forming method using them |
US20080305416A1 (en) * | 2007-06-11 | 2008-12-11 | Xerox Corporation | Photoconductors containing fillers in the charge transport |
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US11876140B2 (en) | 2013-05-02 | 2024-01-16 | First Solar, Inc. | Photovoltaic devices and method of making |
CN104183663B (zh) | 2013-05-21 | 2017-04-12 | 第一太阳能马来西亚有限公司 | 光伏器件及其制备方法 |
US10062800B2 (en) | 2013-06-07 | 2018-08-28 | First Solar, Inc. | Photovoltaic devices and method of making |
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US3948657A (en) * | 1968-11-07 | 1976-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Photosensitive matter for electrophotography and method of the production thereof |
US3816117A (en) * | 1972-09-25 | 1974-06-11 | Eastman Kodak Co | Multilayer electrophotographic element containing high contrast and opaque barrier layers |
JPS5160529A (en) * | 1974-11-22 | 1976-05-26 | Konishiroku Photo Ind | Denshishashinkankozairyo |
-
1980
- 1980-08-21 JP JP11404980A patent/JPS5738436A/ja active Granted
-
1981
- 1981-08-18 US US06/293,898 patent/US4382118A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4382118A (en) | 1983-05-03 |
JPS5738436A (en) | 1982-03-03 |
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