JPS60169856A - オ−バ−コ−トされた電子写真像形成部材 - Google Patents
オ−バ−コ−トされた電子写真像形成部材Info
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- JPS60169856A JPS60169856A JP59282130A JP28213084A JPS60169856A JP S60169856 A JPS60169856 A JP S60169856A JP 59282130 A JP59282130 A JP 59282130A JP 28213084 A JP28213084 A JP 28213084A JP S60169856 A JPS60169856 A JP S60169856A
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- Japan
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- layer
- particles
- overcoat
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/047—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure characterised by the charge-generation layers or charge transport layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/0436—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure combining organic and inorganic layers
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y10S430/10—Donor-acceptor complex photoconductor
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の背景
本発明は電子写真に関し、特に改善されたオーバーコー
テンド電子写真像形成部材およびその電子写真像形成部
材を使用する方法に関する。
テンド電子写真像形成部材およびその電子写真像形成部
材を使用する方法に関する。
一般に、電子写真像形成方法は光導電性部材の像形成表
面上の静電潜像の形成および現像を包含する。光導電性
部材への像形成は通常、暗所で像形成表面を静電的に一
様帯電しそしてその部材な光線のような活性化電磁輻射
線のパターンに露出してその部材の照射領域の電荷を選
択的に消失させて像形成表面上に静電潜像を形成するこ
とによって行われる。それから、その静電潜像は光導電
性部材へ像様に引きつけられるトナー粒子を含有する現
像剤組成物によって現像される。得られたトナー像はし
ばしば適切な受像部材例えばペーパーに転写される。
面上の静電潜像の形成および現像を包含する。光導電性
部材への像形成は通常、暗所で像形成表面を静電的に一
様帯電しそしてその部材な光線のような活性化電磁輻射
線のパターンに露出してその部材の照射領域の電荷を選
択的に消失させて像形成表面上に静電潜像を形成するこ
とによって行われる。それから、その静電潜像は光導電
性部材へ像様に引きつけられるトナー粒子を含有する現
像剤組成物によって現像される。得られたトナー像はし
ばしば適切な受像部材例えばペーパーに転写される。
光導電性部材は同質または異質の無機または有機組成物
からなる単一層または多層の素子等である。異質組成物
を含有する光導電性部材の一例は米国特許第３．１２１
．００６号に記載されており、光導電性無機化合物の微
細粒子が電気絶縁性有機樹脂バインダー中に分散されて
いる。商品態様は通常、バインダー中に酸化亜鉛の粒子
が均一に分散されている被覆層を有する紙支持体からな
る。
からなる単一層または多層の素子等である。異質組成物
を含有する光導電性部材の一例は米国特許第３．１２１
．００６号に記載されており、光導電性無機化合物の微
細粒子が電気絶縁性有機樹脂バインダー中に分散されて
いる。商品態様は通常、バインダー中に酸化亜鉛の粒子
が均一に分散されている被覆層を有する紙支持体からな
る。
そこに開示されている有用なバインダー材料は光導電性
粒子によって発生した注入電荷担体を十分な距離輸送す
ることが不可能なものを包含している。従って、光導電
性粒子はサイクル操作のために必要な電荷消失を可能に
するために層全体にわたって粒子から粒子へと実質的に
連続していなければならない。従って、迅速放電のため
に十分な光導電性粒子対粒子接触を達成するには通常約
５０容量％の光導電性粒子を必要とする。このような比
較的高い光導電体濃度は樹脂バインダーの物理的連続性
に悪影響を与えることがあり、そしてバインダ一層の機
械的強度を有意に低下させることがある。
粒子によって発生した注入電荷担体を十分な距離輸送す
ることが不可能なものを包含している。従って、光導電
性粒子はサイクル操作のために必要な電荷消失を可能に
するために層全体にわたって粒子から粒子へと実質的に
連続していなければならない。従って、迅速放電のため
に十分な光導電性粒子対粒子接触を達成するには通常約
５０容量％の光導電性粒子を必要とする。このような比
較的高い光導電体濃度は樹脂バインダーの物理的連続性
に悪影響を与えることがあり、そしてバインダ一層の機
械的強度を有意に低下させることがある。
その他の公知の光導電性組成物は無定形セレン、ハロゲ
ンドープト無定形セレン、無定形セレン合金例えばセレ
ンヒ素、セレンテルル、セレンヒ素アンチモン、ハロゲ
ンドープトセレン合金、硫化カドミウム等である。一般
に、これ等無機光導電性物質は適切な導電性基体上に比
較的均質な層として付着される。これ等無機層のいくつ
かは周囲雰囲気中に時々見い出される特定の蒸気にさら
されたときに結晶化する傾向がある。さら九、セレン型
光受容体の表面は最終コピーに刷出されるキズを極めて
受けやすい。
ンドープト無定形セレン、無定形セレン合金例えばセレ
ンヒ素、セレンテルル、セレンヒ素アンチモン、ハロゲ
ンドープトセレン合金、硫化カドミウム等である。一般
に、これ等無機光導電性物質は適切な導電性基体上に比
較的均質な層として付着される。これ等無機層のいくつ
かは周囲雰囲気中に時々見い出される特定の蒸気にさら
されたときに結晶化する傾向がある。さら九、セレン型
光受容体の表面は最終コピーに刷出されるキズを極めて
受けやすい。
さらに他の公知の電子写真像形成部材はポリビニルカル
バゾール−２，４，７−ドリニトロフルオレノン組合わ
せ、フタロシアニン、キナクリドン、ピラゾロン等のよ
うな有機光導電体を付着させた導電性基体からなる。こ
れ等元受容体の成るもの例えば２，４．７−ドリニトロ
フルオレノンを含有するものは健康または安全上問題を
かかえている。
バゾール−２，４，７−ドリニトロフルオレノン組合わ
せ、フタロシアニン、キナクリドン、ピラゾロン等のよ
うな有機光導電体を付着させた導電性基体からなる。こ
れ等元受容体の成るもの例えば２，４．７−ドリニトロ
フルオレノンを含有するものは健康または安全上問題を
かかえている。
最近、例えば米国特許第４，２６５．９９０号に記載さ
れているように導電性基体上に設けられた光発生層と輸
送層からなる積層光応答性素子や、例えば米国特許第４
，２５１．＜５１２号に記載されているように正孔注入
層、正孔輸送層、光発生層および絶縁性有機樹脂のトッ
プコートを有するオーバーコーテッド光応答性材料が開
示されている。それ等特許に開示されている光発生層の
例は三方晶系セレンおよび種々の７タロシアニンであり
、そして正孔輸送層は不活性ポリカーボネート樹脂材料
中に分散された特定のジアミンを含有している。
れているように導電性基体上に設けられた光発生層と輸
送層からなる積層光応答性素子や、例えば米国特許第４
，２５１．＜５１２号に記載されているように正孔注入
層、正孔輸送層、光発生層および絶縁性有機樹脂のトッ
プコートを有するオーバーコーテッド光応答性材料が開
示されている。それ等特許に開示されている光発生層の
例は三方晶系セレンおよび種々の７タロシアニンであり
、そして正孔輸送層は不活性ポリカーボネート樹脂材料
中に分散された特定のジアミンを含有している。
それ等特許１０ち米国特許第４．２６５，９９０号およ
び第４，２５１，６１２号の各開示は全体的に本願の参
考になる。積層光応答性素子を包含するその他の代表的
特許は米国特許第３．０４．１，１６６号；第４．１１
５，１１６号：第４，０４７，９４９号および第４．０
８１．２７４号である。これ等特許は電荷発生層が輸送
層の下にある場合の正孔輸送層に対して負帯電を必要と
する系に関するものである。正孔輸送層の上にある元発
生層は正帯電を必要とするが、十分な感度を得るために
は約１〜２μ？ｎ以下でなければならないので急速にす
り減ってしまう。
び第４，２５１，６１２号の各開示は全体的に本願の参
考になる。積層光応答性素子を包含するその他の代表的
特許は米国特許第３．０４．１，１６６号；第４．１１
５，１１６号：第４，０４７，９４９号および第４．０
８１．２７４号である。これ等特許は電荷発生層が輸送
層の下にある場合の正孔輸送層に対して負帯電を必要と
する系に関するものである。正孔輸送層の上にある元発
生層は正帯電を必要とするが、十分な感度を得るために
は約１〜２μ？ｎ以下でなければならないので急速にす
り減ってしまう。
上記電子写真像形成部材はそれ等が意図した目的には適
するであろうが、改善された素子の必要性は依然存在す
る。例えば、多くの光導電性部材の像形成表面は摩耗、
周囲の気体、キズおよび付着物に感じやすく、それ等は
像形成部材の電子写真特性に悪影響を与える。
するであろうが、改善された素子の必要性は依然存在す
る。例えば、多くの光導電性部材の像形成表面は摩耗、
周囲の気体、キズおよび付着物に感じやすく、それ等は
像形成部材の電子写真特性に悪影響を与える。
被覆されていない光受容体の望ましくない特性を克服す
るためにオーバーコート層が提案されている。しかしな
がら、オーバーコート層の多くは電子写真像形成部材の
電子写真性能に悪影響を与える。
るためにオーバーコート層が提案されている。しかしな
がら、オーバーコート層の多くは電子写真像形成部材の
電子写真性能に悪影響を与える。
従来記載されているオーバーコート材料の成るタイプは
電気絶縁性である。例えば、有機高重合体とルイス酸を
含有する絶縁性オーバーコート層は米国特許第４，２２
５．６４８号に記載されている。
電気絶縁性である。例えば、有機高重合体とルイス酸を
含有する絶縁性オーバーコート層は米国特許第４，２２
５．６４８号に記載されている。
このオーバーコートは他の添加剤例えば顔料、染料およ
び硬膜剤を含有していてもよい。樹脂と有機アルミニウ
ム化合物の組合わせを含有する絶縁性オーバーコートは
米国特許第３，９６６．４７１号に記載されている。明
らかに、有機アルミニウム化合物は樹脂と反応してトナ
ー像の受像部材への転写を促進する。米国特許第４．１
９１，５６８号には、電子受容体化合物と共に又は無し
で樹脂と特定の電子供与体化合物を含有する絶縁性オー
バーコートが言及されている。電気絶縁性オーバーコー
ト層を使用する場合、その厚さは活性化輻射線による像
様露出中の光受容体の放電を可能にするために全く薄く
なければならない。その上、露出後に残留電荷が絶縁性
オーバーコート層の表面上に残る傾向がある。絶縁性コ
ートの厚さが増大すると残留電圧レベルが増す。これは
最終トナー像における望ましくない高背景部付着を起こ
させる。
び硬膜剤を含有していてもよい。樹脂と有機アルミニウ
ム化合物の組合わせを含有する絶縁性オーバーコートは
米国特許第３，９６６．４７１号に記載されている。明
らかに、有機アルミニウム化合物は樹脂と反応してトナ
ー像の受像部材への転写を促進する。米国特許第４．１
９１，５６８号には、電子受容体化合物と共に又は無し
で樹脂と特定の電子供与体化合物を含有する絶縁性オー
バーコートが言及されている。電気絶縁性オーバーコー
ト層を使用する場合、その厚さは活性化輻射線による像
様露出中の光受容体の放電を可能にするために全く薄く
なければならない。その上、露出後に残留電荷が絶縁性
オーバーコート層の表面上に残る傾向がある。絶縁性コ
ートの厚さが増大すると残留電圧レベルが増す。これは
最終トナー像における望ましくない高背景部付着を起こ
させる。
さらに、像形成表面上のキズはキズ領域と無キズ領域間
の電気的差異によって刷出される傾向がある。絶縁性コ
ートをできるだけ薄くすることによってこれ等問題を小
さくする試みがなされている。
の電気的差異によって刷出される傾向がある。絶縁性コ
ートをできるだけ薄くすることによってこれ等問題を小
さくする試みがなされている。
しかしながら、薄（１被膜は均一に付着させることが難
しくそして急速に摩耗しやすい。オーバーコートが摩耗
して厚さが変化すると、電荷密度は厚さに依存するので
光受容体の像形成特性も変化する。
しくそして急速に摩耗しやすい。オーバーコートが摩耗
して厚さが変化すると、電荷密度は厚さに依存するので
光受容体の像形成特性も変化する。
オーバーコート層上または中に電荷を蓄積しないように
低絶縁性のオーバーコート材料を使用することによって
オーバーコート層の欠点を克服する試みがなされている
。芳香族ジアミンを含有する導電性オーバーコートが開
示されている。例えば、芳香族シアミンは米国特許第４
．２９３．６３０号では遊離ハロゲンを生成可能な有機
ハロゲンと組合わされており；に、才力の名で１９８０
年４月２１日に出願された電子写真感光体 （Ｆｉｌｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ Ｐｈｏ
ｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｅ ｍｅｍｂｅｒ）と題する共願
中の米国特許出願第１４２，１９８号では有機プロトン
酸と組合わされ；そしてに、才力の名で１９８０年４月
２１日に出願された電子写真感光体と題する米国特許出
願第１４２，１６７号では酸化能力を有する塩と組合わ
されている。カーボンブラック、金属粉末、テトラアン
モニウム塩等も含めて保護オーバーコートを導電性にす
るために使用されている従来の添加剤の例は米国特許第
４，１９１．５６８号の導入部に言及されている。
低絶縁性のオーバーコート材料を使用することによって
オーバーコート層の欠点を克服する試みがなされている
。芳香族ジアミンを含有する導電性オーバーコートが開
示されている。例えば、芳香族シアミンは米国特許第４
．２９３．６３０号では遊離ハロゲンを生成可能な有機
ハロゲンと組合わされており；に、才力の名で１９８０
年４月２１日に出願された電子写真感光体 （Ｆｉｌｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ Ｐｈｏ
ｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｅ ｍｅｍｂｅｒ）と題する共願
中の米国特許出願第１４２，１９８号では有機プロトン
酸と組合わされ；そしてに、才力の名で１９８０年４月
２１日に出願された電子写真感光体と題する米国特許出
願第１４２，１６７号では酸化能力を有する塩と組合わ
されている。カーボンブラック、金属粉末、テトラアン
モニウム塩等も含めて保護オーバーコートを導電性にす
るために使用されている従来の添加剤の例は米国特許第
４，１９１．５６８号の導入部に言及されている。
樹脂と金属酸化物粒子を含有する導電性オーバーコート
はに、才力の名で１９８１年１１月１９日に出願された
保護層を有する電子写真部材の製造方法（Ｐｒｏｃｅｓ
ｓ Ｆｏｒ Ｆｏｒｍｉｎｇ ＡｎＪＣｌｅｃｔｒｏｐ
ｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ Ｍｅｍｂｅｒ Ｈａｖｉｎｇ
ａＰｒｏｔθｃｔｉｖｅ Ｌａｙｅｒ ）と題する共
願中の米国特許出願第３２２，７９２号に示されている
。導電性オーバコート層とその下の光導電層との界面に
電荷を捕獲するためのブロッキング層を使用することは
それ等導電性オーバコートの事例の多くに開示されてい
る。保護層は第四アンモニウム塩等のような適切な物質
をオーバーコート層に導入することによってより低絶縁
性にされてもよい。しかしながら、かかる物質の導電性
は周囲水分の吸着によって大きく変動する。さらに、非
常に乾燥した条件下では、このタイプのオーバーコート
層の導電性は上記の絶縁層に伴う悪影響をもってオーバ
コート層の外表面上への電荷蓄積が起る程度にまで低下
する。多湿条件下では、電荷移動が起り易／ く、最終的にぼやけた像を生ずる。
はに、才力の名で１９８１年１１月１９日に出願された
保護層を有する電子写真部材の製造方法（Ｐｒｏｃｅｓ
ｓ Ｆｏｒ Ｆｏｒｍｉｎｇ ＡｎＪＣｌｅｃｔｒｏｐ
ｈｏｔｏｇｒａｐｈｉｃ Ｍｅｍｂｅｒ Ｈａｖｉｎｇ
ａＰｒｏｔθｃｔｉｖｅ Ｌａｙｅｒ ）と題する共
願中の米国特許出願第３２２，７９２号に示されている
。導電性オーバコート層とその下の光導電層との界面に
電荷を捕獲するためのブロッキング層を使用することは
それ等導電性オーバコートの事例の多くに開示されてい
る。保護層は第四アンモニウム塩等のような適切な物質
をオーバーコート層に導入することによってより低絶縁
性にされてもよい。しかしながら、かかる物質の導電性
は周囲水分の吸着によって大きく変動する。さらに、非
常に乾燥した条件下では、このタイプのオーバーコート
層の導電性は上記の絶縁層に伴う悪影響をもってオーバ
コート層の外表面上への電荷蓄積が起る程度にまで低下
する。多湿条件下では、電荷移動が起り易／ く、最終的にぼやけた像を生ずる。
リノール酸とエチレンジアミンから構成された電荷輸送
層を有するオーバーコートは米国特許第３．７１．５，
８２０号に教示されている。電荷輸送錯体を生成するこ
とによって被膜の導電性を増大せしめるために電子受容
体化合物を添加してもよい。樹脂とメタロセンを含有す
るオーバコートは米国特許第４，３１５，９８０号に教
示されている。
層を有するオーバーコートは米国特許第３．７１．５，
８２０号に教示されている。電荷輸送錯体を生成するこ
とによって被膜の導電性を増大せしめるために電子受容
体化合物を添加してもよい。樹脂とメタロセンを含有す
るオーバコートは米国特許第４，３１５，９８０号に教
示されている。
少なくとも一部の樹脂がフェロセンと共に電荷輸送錯体
な生成することは明らかである。さらに、電子受容体を
オーバーコート層に添加してもよい。
な生成することは明らかである。さらに、電子受容体を
オーバーコート層に添加してもよい。
さらに、電気的特性を改善するために保護層の下に薄い
中間層を設けてもよい。米国特許第３，７１３，８２０
号および第４，３１５，９８０号は帯電中に生成された
コロナ生成酸化用化合物との反応による導電性の変化を
示している。
中間層を設けてもよい。米国特許第３，７１３，８２０
号および第４，３１５，９８０号は帯電中に生成された
コロナ生成酸化用化合物との反応による導電性の変化を
示している。
上記像形成部材のいくつかは特定の望ましい性質例えば
内側の光導電層の表面の保護を示すが、写真用像形成部
材を保護するための改善されたオ、−バーコード層の必
要性は依然存在する。
内側の光導電層の表面の保護を示すが、写真用像形成部
材を保護するための改善されたオ、−バーコード層の必
要性は依然存在する。
発明の概要
本発明によれば、少なくとも１層の光導電層；および電
荷輸送分子からなる絶縁性皮膜形成性連続相とその連続
相中に分散された微細な電荷注入賦与粒子とからなるオ
ーバーコート層；を有する電子写真像形成部材が提供さ
れる。必要ならば、光導電層とオーバーコート層間にバ
リヤ層が介在していてもよい。この電子写真像形成部材
はオーバーコート層の外側の像形成表面を暗所で一様に
帯電し、その電子写真像形成部材を横切って十分な電界
を印加して電荷注入賦与粒子を分極させることによって
電荷注入賦与粒子が電荷担体をオーバーコート層に注入
し、電荷担体が光導電層とオーバーコート層間の界面に
輸送され捕獲され、そしてオーバーコート層中の反対空
間電荷が電荷注入賦与粒子から像形成表面への電荷放出
によって緩和されるような電子写真像形成方法に使用す
ることができる。このオーバーコート層は像形成表面土
に一様な静電荷が付着する前には本質的に絶縁性である
。
荷輸送分子からなる絶縁性皮膜形成性連続相とその連続
相中に分散された微細な電荷注入賦与粒子とからなるオ
ーバーコート層；を有する電子写真像形成部材が提供さ
れる。必要ならば、光導電層とオーバーコート層間にバ
リヤ層が介在していてもよい。この電子写真像形成部材
はオーバーコート層の外側の像形成表面を暗所で一様に
帯電し、その電子写真像形成部材を横切って十分な電界
を印加して電荷注入賦与粒子を分極させることによって
電荷注入賦与粒子が電荷担体をオーバーコート層に注入
し、電荷担体が光導電層とオーバーコート層間の界面に
輸送され捕獲され、そしてオーバーコート層中の反対空
間電荷が電荷注入賦与粒子から像形成表面への電荷放出
によって緩和されるような電子写真像形成方法に使用す
ることができる。このオーバーコート層は像形成表面土
に一様な静電荷が付着する前には本質的に絶縁性である
。
本発明の方法および素子のより完全な理解は図面を参考
にすることによって得られる。
にすることによって得られる。
非常に高い絶縁耐力と良好な電気絶縁性を有するいずれ
か適する絶縁性皮膜形成性バインダーを本発明のオーバ
ーコートの連続電荷輸送相に使用してもよい。バインダ
ー自体は電荷輸送材料であってもよいし又は輸送分子を
固溶体で又は分子分散物として保持できる材料であって
もよい。固溶体は少なくとも１つの成分が別の成分中に
溶解され℃おりしかも均質固体相として存在する組成物
として定義される。分子分散物は少なくとも１つの成分
の粒子が別の成分中に分散されておりその粒子の分散物
が分子スケールである組□酸物として定義される。電荷
輸送材料でない代表的な皮膜形成性バインダー材料はポ
リカーボネート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレ
タン、ポリスチレン、ボリアリールエーテル、ボリアリ
ールスルホン、ポリシタジエン、ポリスルホン、ポリエ
ーテルスルホン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
イミド、ポリメチルペンテン、ポリフェニレンスルフィ
ド、ポリ酢酸ビニル、ポリシロキサン、ボ゛リアクリレ
ート、ポリビニルア士タール、ポリアミド、ポリイミド
、アミノ樹脂、フェニレンオキシド樹脂、テレフタル酸
樹脂、エポキシ樹脂、フェノールｍＪＪＬホリスチレン
ーアクリロニトリル共重合体、ポリ塩化ビニル、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体、アクリレート共重合体、ア
ルキド樹脂、セルロース系皮膜形成剤、ポリ（アミド−
イミド）、スチレン−ブタジェン共重合体、塩化ビニリ
デン−塩化ビニル共重合体、酢酸ビニル−塩化ヒニリデ
ン共重合体、スチレン−アルキド樹脂等のような熱可塑
性および熱硬化性樹脂である。
か適する絶縁性皮膜形成性バインダーを本発明のオーバ
ーコートの連続電荷輸送相に使用してもよい。バインダ
ー自体は電荷輸送材料であってもよいし又は輸送分子を
固溶体で又は分子分散物として保持できる材料であって
もよい。固溶体は少なくとも１つの成分が別の成分中に
溶解され℃おりしかも均質固体相として存在する組成物
として定義される。分子分散物は少なくとも１つの成分
の粒子が別の成分中に分散されておりその粒子の分散物
が分子スケールである組□酸物として定義される。電荷
輸送材料でない代表的な皮膜形成性バインダー材料はポ
リカーボネート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレ
タン、ポリスチレン、ボリアリールエーテル、ボリアリ
ールスルホン、ポリシタジエン、ポリスルホン、ポリエ
ーテルスルホン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ
イミド、ポリメチルペンテン、ポリフェニレンスルフィ
ド、ポリ酢酸ビニル、ポリシロキサン、ボ゛リアクリレ
ート、ポリビニルア士タール、ポリアミド、ポリイミド
、アミノ樹脂、フェニレンオキシド樹脂、テレフタル酸
樹脂、エポキシ樹脂、フェノールｍＪＪＬホリスチレン
ーアクリロニトリル共重合体、ポリ塩化ビニル、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体、アクリレート共重合体、ア
ルキド樹脂、セルロース系皮膜形成剤、ポリ（アミド−
イミド）、スチレン−ブタジェン共重合体、塩化ビニリ
デン−塩化ビニル共重合体、酢酸ビニル−塩化ヒニリデ
ン共重合体、スチレン−アルキド樹脂等のような熱可塑
性および熱硬化性樹脂である。
電荷輸送能力を有するいずれか適する皮膜形成性重合体
を本発明のオーバーコートの連続相のバインダーとして
使用してもよい。電荷輸送能力を有するバインダーは意
図した用途のスペクトル領域で実質的に非吸収性である
が、それ等が印加電界中で電荷注入賦与粒子によって注
入された電荷担体を輸送できると言うことで「゛活性」
である。
を本発明のオーバーコートの連続相のバインダーとして
使用してもよい。電荷輸送能力を有するバインダーは意
図した用途のスペクトル領域で実質的に非吸収性である
が、それ等が印加電界中で電荷注入賦与粒子によって注
入された電荷担体を輸送できると言うことで「゛活性」
である。
電荷輸送バインダーは正孔輸送皮膜形成性重合体であっ
ても又は電子輸送皮膜形成性重合体であってもよい。電
荷輸送皮膜形成性重合体は周知である。かかる電荷輸送
皮膜形成性重合体の一部列挙の代表例は次の通りである
ニ ジフェニルジアミン〔例えばＪ、Ｆ、ヤヌス（Ｙａｎｕ
ｓ ）等の名で１９８０年１２月１２日に出願されたア
リールアミンの製造方法（ＰｒｏｃｅｓｓＦｏｒ Ｐｒ
ｅｐａｒｉｎｇ Ａｒｙｌａｍｉｎｅｓ ）と題する共
願中の米国特許出願筒２１５，６１０号に開示されてい
るＪやトリフェニルメタンポリアミン等から合成された
高分子バインダー重合体。
ても又は電子輸送皮膜形成性重合体であってもよい。電
荷輸送皮膜形成性重合体は周知である。かかる電荷輸送
皮膜形成性重合体の一部列挙の代表例は次の通りである
ニ ジフェニルジアミン〔例えばＪ、Ｆ、ヤヌス（Ｙａｎｕ
ｓ ）等の名で１９８０年１２月１２日に出願されたア
リールアミンの製造方法（ＰｒｏｃｅｓｓＦｏｒ Ｐｒ
ｅｐａｒｉｎｇ Ａｒｙｌａｍｉｎｅｓ ）と題する共
願中の米国特許出願筒２１５，６１０号に開示されてい
るＪやトリフェニルメタンポリアミン等から合成された
高分子バインダー重合体。
ポリビニルカルバゾールおよび米国特許第４．５０２，
５２１号に記載されているルイス酸の誘導体。
５２１号に記載されているルイス酸の誘導体。
ビニル芳香族重合体例えばポリビニルアントラセン、ポ
リアセナフチレン；ホルムアルデヒドと種々の芳香族と
の縮合生成物例えばホルムアルデヒドと６−ブロモピレ
ンの縮合物：２． ４． ７−ドリニトロンルオレノン
、および６，６−ジニトロ−Ｎ−ｔ−ブチル−ナフタル
イミド（米国特許第３，９７２．７１７号に記載されて
いる）。
リアセナフチレン；ホルムアルデヒドと種々の芳香族と
の縮合生成物例えばホルムアルデヒドと６−ブロモピレ
ンの縮合物：２． ４． ７−ドリニトロンルオレノン
、および６，６−ジニトロ−Ｎ−ｔ−ブチル−ナフタル
イミド（米国特許第３，９７２．７１７号に記載されて
いる）。
その他の輸送材料例えばポリ−１−ビニルピレン、ポリ
−９−ビニルアントラセン、ポリ−９−（４−ペンテニ
ル）−カルバゾール、ポリ〜９−（５−ヘキシル）−カ
ルバゾール、ポリメチレンピレン、ポリ−１−（ピレニ
ル）−ブタジェン；アルキル、ニトロ、アミン、ハロゲ
ン、およびヒｒロキシ置換重合体例えばポリ−３−アミ
ノカルバゾール、１．３−ジブロモ−ポリ−Ｎ−ビニル
カルバ・戸−ルおよび６，６−ゾプロモーボリーＮ−ビ
ニルカルバ・戸−ルおよび米国市許第３，８７０，５１
６号に記載されているようなその他の多数の透明な有機
知合体輸送拐料。
−９−ビニルアントラセン、ポリ−９−（４−ペンテニ
ル）−カルバゾール、ポリ〜９−（５−ヘキシル）−カ
ルバゾール、ポリメチレンピレン、ポリ−１−（ピレニ
ル）−ブタジェン；アルキル、ニトロ、アミン、ハロゲ
ン、およびヒｒロキシ置換重合体例えばポリ−３−アミ
ノカルバゾール、１．３−ジブロモ−ポリ−Ｎ−ビニル
カルバ・戸−ルおよび６，６−ゾプロモーボリーＮ−ビ
ニルカルバ・戸−ルおよび米国市許第３，８７０，５１
６号に記載されているようなその他の多数の透明な有機
知合体輸送拐料。
電荷輸送能力を有するバインダーに関する上記の特許お
よび係属中の特許出願の各々の開示は全体に本願の参考
になる。
よび係属中の特許出願の各々の開示は全体に本願の参考
になる。
皮膜形成性バインダーは少なくとも約１０１３Ω−砿の
電気抵抗率を有すべきである。それは連続フィルムを形
ＩＭ可能であるべきであり月つ内側の光導電層が感する
活性化放射線に対して実質的に透明であるべきである。
電気抵抗率を有すべきである。それは連続フィルムを形
ＩＭ可能であるべきであり月つ内側の光導電層が感する
活性化放射線に対して実質的に透明であるべきである。
云い換えると、透過された活性化放射線は内側の光導電
層・（１層または多層）中に電荷担体即ち電子−正孔対
を発生させることが可能であるべきである。利用される
具体的な光受答体妊依存して約１０％〜約１００％の範
囲の透明度で満足な結果を与えることができる。もつと
速いスピードのためには少なくとも約５０％の透明度が
好ましく、最適スピードは少なくとも８０％の透明度で
達成される。
層・（１層または多層）中に電荷担体即ち電子−正孔対
を発生させることが可能であるべきである。利用される
具体的な光受答体妊依存して約１０％〜約１００％の範
囲の透明度で満足な結果を与えることができる。もつと
速いスピードのためには少なくとも約５０％の透明度が
好ましく、最適スピードは少なくとも８０％の透明度で
達成される。
フィルム形成性バインダーとして作用し得る又はフィル
ム形成性バインダー中に可溶性もしくは分子スケールで
分散可能であるいずれか適する電荷輸送分子を本発明の
オーバーコートの連続相に利用してもよい。電荷輸送分
子は印加電界中で電荷注入賦与粒子によって注入された
電荷担体を輸送可能であるべきである、電荷担体分子は
正孔輸送分子であっても又は電子輸送分子であってもよ
い。電荷担体分子が上記のようにフィルム形成性バイン
ダーとして作用し得る場合には、必要ならばそれを用い
て電荷注入賦与粒子のための絶縁性バインダーとしても
そして別の電荷輸送分子を固溶体で又は分子分散として
導入する必要の無い連続電荷輸送相としても作用可能で
ある。電荷輸送材料は周知である。上記の電荷輸送能力
を有するフィルム形成重合体の他に、非フイルム形成性
の電荷輸送材料の一部列挙の代表例を次に挙げる：米国
特許第４．３０６．００８号、第４，３０４，８２９号
、第４，２３３．３８４号、米国特許第４．１１５，１
１６号、米国特許第４．２９９，８９７号、米国特許第
４．２６５．９９Ｑ号、および米国特許第４，０８１，
２７４号に記載されているタイプのシアミン輸送分子。
ム形成性バインダー中に可溶性もしくは分子スケールで
分散可能であるいずれか適する電荷輸送分子を本発明の
オーバーコートの連続相に利用してもよい。電荷輸送分
子は印加電界中で電荷注入賦与粒子によって注入された
電荷担体を輸送可能であるべきである、電荷担体分子は
正孔輸送分子であっても又は電子輸送分子であってもよ
い。電荷担体分子が上記のようにフィルム形成性バイン
ダーとして作用し得る場合には、必要ならばそれを用い
て電荷注入賦与粒子のための絶縁性バインダーとしても
そして別の電荷輸送分子を固溶体で又は分子分散として
導入する必要の無い連続電荷輸送相としても作用可能で
ある。電荷輸送材料は周知である。上記の電荷輸送能力
を有するフィルム形成重合体の他に、非フイルム形成性
の電荷輸送材料の一部列挙の代表例を次に挙げる：米国
特許第４．３０６．００８号、第４，３０４，８２９号
、第４，２３３．３８４号、米国特許第４．１１５，１
１６号、米国特許第４．２９９，８９７号、米国特許第
４．２６５．９９Ｑ号、および米国特許第４，０８１，
２７４号に記載されているタイプのシアミン輸送分子。
代表的なジアミン輸送分子はＮ、Ｎ’−ゾフェニルーＮ
、Ｎ’−ビス（アルキルフェニル）−（１，１’−ビフ
ェニルクー４．４’−ジアミン（そのアルキルは例えば
メチル、エチル、プロピル、ｎ−ブチル等である）、例
えば、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、ＩＪ’−ビス（３“
−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル〕−４，
４′−ジアミン、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビ
ス（４−メチルフェニル）−（１，１”−ビフェニル）
−４，４’−ジアミン、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ
’−ビス（２−メチルフェニル）−［１゜１′−ビフェ
ニル）−４，４’−ジアミン、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−
Ｎ、Ｎ’−ビス（３−エチルフェニル）−（１，１’−
ビフェニルＪ−４，４’−ジアミン、Ｎ、Ｎ’−ジフェ
ニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（４−エチルフェニル’）−［：
１．１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン、Ｎ、Ｎ
’−ゾフェニルーＮ、Ｎ’−ビス（４−ｎ−ブチルフェ
ニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミ
ン、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（６−クロ
ロフェニル）−［１゜１′−ビフェニル］−４，４’−
ジアミン、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ヒス（４
−クロロフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，
４’−ジアミン、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビ
ス（フェニルメチル１−（１，１’−ビフェニル）−４
，４’−ジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラフェニ
ル−〔２゜２′−ジメチル−１，１′−ビフェニル）−
４，４’−ジアミン、Ｎ、Ｎ、 Ｎ’、Ｎ’−テトラ−
（４−メチルフェニル）−Ｃ２，２’−ジメチル−１，
１′−ビフェニル）−４，４’−ジアミン、Ｎ、Ｎ’−
ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）−
（２，２’−ジメチル−１，１′−ビフェニル〕−４゜
４′−ジアミン、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビ
ス（２−メチルフェニル）−（２，２’−ジメチル−１
，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン、Ｎ。
、Ｎ’−ビス（アルキルフェニル）−（１，１’−ビフ
ェニルクー４．４’−ジアミン（そのアルキルは例えば
メチル、エチル、プロピル、ｎ−ブチル等である）、例
えば、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、ＩＪ’−ビス（３“
−メチルフェニル）−（１，１’−ビフェニル〕−４，
４′−ジアミン、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビ
ス（４−メチルフェニル）−（１，１”−ビフェニル）
−４，４’−ジアミン、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ
’−ビス（２−メチルフェニル）−［１゜１′−ビフェ
ニル）−４，４’−ジアミン、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−
Ｎ、Ｎ’−ビス（３−エチルフェニル）−（１，１’−
ビフェニルＪ−４，４’−ジアミン、Ｎ、Ｎ’−ジフェ
ニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（４−エチルフェニル’）−［：
１．１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン、Ｎ、Ｎ
’−ゾフェニルーＮ、Ｎ’−ビス（４−ｎ−ブチルフェ
ニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミ
ン、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（６−クロ
ロフェニル）−［１゜１′−ビフェニル］−４，４’−
ジアミン、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ヒス（４
−クロロフェニル）−（１，１’−ビフェニル）−４，
４’−ジアミン、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビ
ス（フェニルメチル１−（１，１’−ビフェニル）−４
，４’−ジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラフェニ
ル−〔２゜２′−ジメチル−１，１′−ビフェニル）−
４，４’−ジアミン、Ｎ、Ｎ、 Ｎ’、Ｎ’−テトラ−
（４−メチルフェニル）−Ｃ２，２’−ジメチル−１，
１′−ビフェニル）−４，４’−ジアミン、Ｎ、Ｎ’−
ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（４−メチルフェニル）−
（２，２’−ジメチル−１，１′−ビフェニル〕−４゜
４′−ジアミン、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビ
ス（２−メチルフェニル）−（２，２’−ジメチル−１
，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン、Ｎ。
Ｎ′−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（６−メチルフェニ
ル）−Ｃ２，２’−ゾ、メチルー１，１′−ビフェニル
３−４．４’−ジアミン、Ｎ、Ｎ’−ゾフェニルーＨ，
Ｎ’−ビス（６−メチルフェニル）−ヒレニル−１，６
−ジアミン等である。
ル）−Ｃ２，２’−ゾ、メチルー１，１′−ビフェニル
３−４．４’−ジアミン、Ｎ、Ｎ’−ゾフェニルーＨ，
Ｎ’−ビス（６−メチルフェニル）−ヒレニル−１，６
−ジアミン等である。
米国特許第４，３１５，９８２号、米国特許第４，２７
８．７４６号、および米国特許第３．８３７，８５１号
に開示されているようなビラ・戸リン輸送分子。代表的
なビラ・戸リン輸送分子は１−〔レビジル−（２） Ｊ
−（３） −（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−５−
（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ビラ・戸リン、１−（
キノリル−（２） Ｊ −３−（ｐ−ジエチルアミノフ
ェニル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾ
リン、１−〔ビリジルー（２） ） −３−（］）−ジ
エチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフ
ェニル）ビラ・戸リン、１−（（Ｉｓ−メトキシビリゾ
ル−（２）〕−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−
５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ビラ１戸リン、１
−フェニル−６−〔ｐ−ジメチルアミノスチリル〕−５
−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）ビラ・戸リン、１−
フェニル−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリルＪ−５−
（ｐ−ジエチルアミノスチリル）ｔう・戸リン等である
。
８．７４６号、および米国特許第３．８３７，８５１号
に開示されているようなビラ・戸リン輸送分子。代表的
なビラ・戸リン輸送分子は１−〔レビジル−（２） Ｊ
−（３） −（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−５−
（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ビラ・戸リン、１−（
キノリル−（２） Ｊ −３−（ｐ−ジエチルアミノフ
ェニル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾ
リン、１−〔ビリジルー（２） ） −３−（］）−ジ
エチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフ
ェニル）ビラ・戸リン、１−（（Ｉｓ−メトキシビリゾ
ル−（２）〕−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−
５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ビラ１戸リン、１
−フェニル−６−〔ｐ−ジメチルアミノスチリル〕−５
−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）ビラ・戸リン、１−
フェニル−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリルＪ−５−
（ｐ−ジエチルアミノスチリル）ｔう・戸リン等である
。
米国特許第４，２４５，０２１号−（記載されているよ
うな置換フルオレン電荷輸送分子。代表的なフルオレン
電荷輸送分子は９− （４’−ジメチルアミノベンジリ
デン）フルオレン、９−（４’−メトキシベンジリデン
）フルオレン、９−（２’、４’−ジメトキシベンジリ
デン）フルオレン、２−ニトロ−９−ベンジリデン−フ
ルオレン、２−ニトロ−９−（４’−ジエチルアミノベ
ンジリデン）フルオレン等である。
うな置換フルオレン電荷輸送分子。代表的なフルオレン
電荷輸送分子は９− （４’−ジメチルアミノベンジリ
デン）フルオレン、９−（４’−メトキシベンジリデン
）フルオレン、９−（２’、４’−ジメトキシベンジリ
デン）フルオレン、２−ニトロ−９−ベンジリデン−フ
ルオレン、２−ニトロ−９−（４’−ジエチルアミノベ
ンジリデン）フルオレン等である。
オキサジアゾール輸送分子例えば２．５−ビス（４−ジ
エチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾー
ル、ピラゾリン、イミダゾール、ドリア・戸−ル、およ
び西独特許第ＬＯ５８，８３６号、第１，０６０，２６
０号および第１．１２０，８７５号および米国特許第３
．８９５．９４４号に記載されているその他。
エチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾー
ル、ピラゾリン、イミダゾール、ドリア・戸−ル、およ
び西独特許第ＬＯ５８，８３６号、第１，０６０，２６
０号および第１．１２０，８７５号および米国特許第３
．８９５．９４４号に記載されているその他。
好ましいヒドラゾンは一般式
（式中、
Ｒ２は一０ＣＲ２０Ｈ３、−ＣＩ（３または−Ｈであり
、ＣＢ２０Ｈ２０Ｈ２ＣＨ３であり、そしてを有するも
のである。
、ＣＢ２０Ｈ２０Ｈ２ＣＨ３であり、そしてを有するも
のである。
この式によって包囲されるヒドラゾン輸送分子の代表例
はｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−（ジフェニル
ヒドラゾン）、０−エトキシ−ｐ−ジエチルアミノベン
ズアルデヒド−（ゾンエニルヒドラ１戸ン）、０−メチ
ル−ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−（ジフェニ
ルヒドラゾン）、０−メチル−ｐ−ジメチルアミノベン
ズアルデヒ）’ （ソフエニルヒドラ・戸ン） 、ｐ
−シフロヒ′ルアミノベンズ了ルヂヒドー（ジフェニル
ヒドラゾン）、ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−
（ベンジルフェニルヒドラ・戸ン）、ｐ−ジブチルアミ
ノベンズアルデヒド−（ジフェニルヒドラゾン）、ｐ−
ジエチルアミノベンズアルデヒド−（ジフェニルヒドラ
・ｔン）等であり、例えば米国特許第４．１５０，９８
７号に記載されている。他のヒドラ・戸ン輸送分子は１
−ナフタレンカルバルデヒド１−メチル−１−フェニル
上２２１戸ン、１−ナフタレンカルバルデヒド１．１−
フェニル上２２１戸ン、４−メトキシナフタレン−１−
カルバルデヒド１−メチル−１−フェニルヒドラゾンの
ような化合物、および例えば米国特許第４．３８５．１
０６号、米国特許第４．５３８，３８８号、米国特許第
４，６８７．１ ’４７号、米国特許第４，３９９．２
０８号、および米国特許第４，３９９．２０７号に記載
されているその他のヒドラ・ｌン輸送分子等である。
はｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−（ジフェニル
ヒドラゾン）、０−エトキシ−ｐ−ジエチルアミノベン
ズアルデヒド−（ゾンエニルヒドラ１戸ン）、０−メチ
ル−ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−（ジフェニ
ルヒドラゾン）、０−メチル−ｐ−ジメチルアミノベン
ズアルデヒ）’ （ソフエニルヒドラ・戸ン） 、ｐ
−シフロヒ′ルアミノベンズ了ルヂヒドー（ジフェニル
ヒドラゾン）、ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−
（ベンジルフェニルヒドラ・戸ン）、ｐ−ジブチルアミ
ノベンズアルデヒド−（ジフェニルヒドラゾン）、ｐ−
ジエチルアミノベンズアルデヒド−（ジフェニルヒドラ
・ｔン）等であり、例えば米国特許第４．１５０，９８
７号に記載されている。他のヒドラ・戸ン輸送分子は１
−ナフタレンカルバルデヒド１−メチル−１−フェニル
上２２１戸ン、１−ナフタレンカルバルデヒド１．１−
フェニル上２２１戸ン、４−メトキシナフタレン−１−
カルバルデヒド１−メチル−１−フェニルヒドラゾンの
ような化合物、および例えば米国特許第４．３８５．１
０６号、米国特許第４．５３８，３８８号、米国特許第
４，６８７．１ ’４７号、米国特許第４，３９９．２
０８号、および米国特許第４，３９９．２０７号に記載
されているその他のヒドラ・ｌン輸送分子等である。
別の好ましい電荷輸送分子は一般式
（式中、Ｒｏはメチル、エチル、２−ヒドロキシエチル
または２−クロロエチル基を表わし、そしてＲ２はメチ
ル、エチル、ベンジルまたはフェニル基を表わす） を有するカルバゾールフェニルヒドラゾンである。
または２−クロロエチル基を表わし、そしてＲ２はメチ
ル、エチル、ベンジルまたはフェニル基を表わす） を有するカルバゾールフェニルヒドラゾンである。
この式によって包囲される輸送分子の代表例は？−メチ
ルカルバ１戸−ルー３−力ルバルデヒｐ−１，１−ジフ
ェニルヒドラ−戸ン、９−エチルカルバゾール−６−カ
ルパルデヒドー１−メチル−１−フェニル上２２１戸ン
、９−エチルカルバ・戸−ル−３−カルバルデヒｌ’−
１−エチル−１−フ二二ルヒトラソン、９−エチルカル
バ１戸−ルー３−１フルパルプヒト−１−エチル−１−
ペンシル−１−フェニルヒドラゾン、９−エチルカルバ
ゾール−６−カルバゾールｈ”−１，１−ジフェニルヒ
Ｐ ラゾン、および、例えば米国特許第４，２５６．８
２１号に記載されているその他の適するカルバゾールフ
ェニルヒドラ・戸ン輸送分子である。同様のとドラ・戸
ン輸送分子は例えば米国特許第４，２９７，４２６号に
記載されている。
ルカルバ１戸−ルー３−力ルバルデヒｐ−１，１−ジフ
ェニルヒドラ−戸ン、９−エチルカルバゾール−６−カ
ルパルデヒドー１−メチル−１−フェニル上２２１戸ン
、９−エチルカルバ・戸−ル−３−カルバルデヒｌ’−
１−エチル−１−フ二二ルヒトラソン、９−エチルカル
バ１戸−ルー３−１フルパルプヒト−１−エチル−１−
ペンシル−１−フェニルヒドラゾン、９−エチルカルバ
ゾール−６−カルバゾールｈ”−１，１−ジフェニルヒ
Ｐ ラゾン、および、例えば米国特許第４，２５６．８
２１号に記載されているその他の適するカルバゾールフ
ェニルヒドラ・戸ン輸送分子である。同様のとドラ・戸
ン輸送分子は例えば米国特許第４，２９７，４２６号に
記載されている。
例えば米国特許第６．８２０，９８９号に記載されてい
るようなアルキル−ビス（Ｎ、Ｎ−ジアルキルアミノア
リールメタン）、シクロアルキル−ビス（Ｎ、Ｎ−ジア
ルキルアミノアリール）メタンおヨヒシクロアルケニル
ービス（Ｎ、Ｎ−ジアルキルアミノアリール）メタンの
ようなトリー置換メタン。
るようなアルキル−ビス（Ｎ、Ｎ−ジアルキルアミノア
リールメタン）、シクロアルキル−ビス（Ｎ、Ｎ−ジア
ルキルアミノアリール）メタンおヨヒシクロアルケニル
ービス（Ｎ、Ｎ−ジアルキルアミノアリール）メタンの
ようなトリー置換メタン。
１９８３年８月８日に出願された積層光応答性素子（Ｌ
ａｙｅｒｅｄ ｐｈｏｔｏｒｅｓｐｏｎｓｉｖｅ Ｄｅ
ｖｉａｅ ）と題する共願の米国特許出願第５２１．１
９８号に記載されているような、下記式を有する９−フ
ルオレニリデンメタン誘導体： Ｗ 式中、ＸおよびＹはシアノ基またはアルコキシカルボニ
ル基であり、Ａ、ＢおよびＷはアシル、アルコキシカル
ボニル、ニトロ、アルキルアミノカルボニルおよびそれ
等の誘導体からなる群から個別に選択された電子吸引性
基であり、ｍけ０〜２の数であり、そしてｎは数りまた
は１である。上記式によって包囲される代表的な９−フ
ルオレニリヂンメタン誘導体は（４−ｎ−ブトキシカル
ボニル−９−フルオレニリデン）マロノントリル、（４
−フエネトキシカルボニルー９−フルオし／ニリデン）
マロノントリル、（４−カルビトキシー９−フルオレニ
リデン）マロノントリル、（４−ｎ−ブトキシカルボニ
ル−２，７−シニトロー９−フルオレニリデン）マロネ
ート等である。
ａｙｅｒｅｄ ｐｈｏｔｏｒｅｓｐｏｎｓｉｖｅ Ｄｅ
ｖｉａｅ ）と題する共願の米国特許出願第５２１．１
９８号に記載されているような、下記式を有する９−フ
ルオレニリデンメタン誘導体： Ｗ 式中、ＸおよびＹはシアノ基またはアルコキシカルボニ
ル基であり、Ａ、ＢおよびＷはアシル、アルコキシカル
ボニル、ニトロ、アルキルアミノカルボニルおよびそれ
等の誘導体からなる群から個別に選択された電子吸引性
基であり、ｍけ０〜２の数であり、そしてｎは数りまた
は１である。上記式によって包囲される代表的な９−フ
ルオレニリヂンメタン誘導体は（４−ｎ−ブトキシカル
ボニル−９−フルオレニリデン）マロノントリル、（４
−フエネトキシカルボニルー９−フルオし／ニリデン）
マロノントリル、（４−カルビトキシー９−フルオレニ
リデン）マロノントリル、（４−ｎ−ブトキシカルボニ
ル−２，７−シニトロー９−フルオレニリデン）マロネ
ート等である。
その他の代表的な輸送材料は米国特許
第３，８７０．５１６号に記載されて℃−る多数の透明
有機非重合体輸送材料、および米国特許第４，３４６．
１５７号に記載されている非イオン性化合物等である。
有機非重合体輸送材料、および米国特許第４，３４６．
１５７号に記載されている非イオン性化合物等である。
皮膜形成性バインダーに可溶性のまたは分子スケールで
分散可能な電荷担体分子に関する上記特許および特許出
願の各々の開示は全体に本願の参考になる。
分散可能な電荷担体分子に関する上記特許および特許出
願の各々の開示は全体に本願の参考になる。
その他の桶送材料例えばポリ−１−ビニルピレン＃＋）
−９−ビニルアントラセン、ポリ−９−（４−ペンテニ
ル）−カルバゾール、ポリ−９−（５−ヘキシル）−カ
ルバ・戸−ル、ポリメチレンピレン、ボＩＪ、 −１−
（１ニレニル）−ブタジェン；アルキル、ニトロ、アミ
ノ、ハロゲンおよびヒドロキシ置換ポリマーのようなポ
リマー例えばポリ−６−アミノカルバ・戸−ルｓ １
＋ ３−シｉ、ロモーボＩＪ−Ｎ−ビニルカルバゾール
および３．６−シグロモーボリーＮ−ビニルカルバ 米国特許第３．８ ７ ０．５ １ ６号に記載されて
いるような多数のその他透明有機重合体または非重合体
の稲送材料。
−９−ビニルアントラセン、ポリ−９−（４−ペンテニ
ル）−カルバゾール、ポリ−９−（５−ヘキシル）−カ
ルバ・戸−ル、ポリメチレンピレン、ボＩＪ、 −１−
（１ニレニル）−ブタジェン；アルキル、ニトロ、アミ
ノ、ハロゲンおよびヒドロキシ置換ポリマーのようなポ
リマー例えばポリ−６−アミノカルバ・戸−ルｓ １
＋ ３−シｉ、ロモーボＩＪ−Ｎ−ビニルカルバゾール
および３．６−シグロモーボリーＮ−ビニルカルバ 米国特許第３．８ ７ ０．５ １ ６号に記載されて
いるような多数のその他透明有機重合体または非重合体
の稲送材料。
電荷輸送分子を絶縁性皮膜形成性バインダーと組合わせ
る場合、使用される電荷輸送分子の駄は具体的な屯荷槽
送材料およびその相溶性（例えば、オーバーコート層の
連続絶縁性皮膜形成性バインダー相中への浴解注）等に
依存して変動する。亀荷楢送成分と電荷発生成分を含有
する光受容体の電荷輸送媒体を形成するために通常使用
されている割合を用いて満足な結果が得られて（・る。
る場合、使用される電荷輸送分子の駄は具体的な屯荷槽
送材料およびその相溶性（例えば、オーバーコート層の
連続絶縁性皮膜形成性バインダー相中への浴解注）等に
依存して変動する。亀荷楢送成分と電荷発生成分を含有
する光受容体の電荷輸送媒体を形成するために通常使用
されている割合を用いて満足な結果が得られて（・る。
電荷輸送成分と電荷発生成分を含有する光受容体の電荷
輸送媒体を形成するために通常使用されている割合は上
記の列挙文献に記載されている。
輸送媒体を形成するために通常使用されている割合は上
記の列挙文献に記載されている。
オーバーコート層が絶縁性皮膜形成性バインダーとその
皮膜形成性バインダー中の固浴体状または分子分故物状
の電荷輸送分子だけから構成されている場合には、オー
バーコート層は帝亀後少なくとも像露出段階まで絶縁性
のままである。しかしながら、電荷担体輸送可能な絶縁
性皮膜連続相を含有するオーバーコート層中に十分な電
荷注入賦与粒子が分散されている場合には、電荷注入賦
与粒子を分極することによって電荷注入賦与粒子が電荷
担体をオーバーコート層の連続相に注入し、電荷担体が
オーバーコート層とその下の光導電）錯との間の界面に
輸送され捕獲されることを可能にし、そしてオーバーコ
ート層中の反対空間電荷が電荷注入賦与粒子からオーバ
ーコート層の像形成外表面への電荷数出処よって緩和さ
れるように十分な電界が印加されるまではオーバーコー
Ｈ−は絶縁体であると云う能力を必要とする。適する有
機または無機電荷注入賦与粒子はいずれも本発明のオー
バーコートに利用できる。（社）荷注入賦与粒子は正孔
注入賦与粒子であっても又は電子注入賦与粒子であって
もよい。粒子の濃度および全体の電界が電荷注入賦与粒
子を迅速に分極させそしてル荷担体をオーバーコート層
の連続相に注入させるのに十分である限りどの粒子も電
荷注入賦与粒子として作用できる。一般に、（５）荷注
入賦与粒子は電荷注入賦与性であるため忙約１ （］”
Ω儂の電気抵抗率を有する。代表的な無機の電荷注入賦
与粒子はカーギンブラック、二硫化モリブデン、酸化錫
、酸化アンチモン、酸化クロム、酸化亜鉛、酸化チタン
、酸化マグネシウム、二酸化マグネシウム、酸化アルミ
ニウム、その他金属酸化物、コロイド状シリカ、シラン
で処理されたコロイド状シリカ、グラファイト、感、ア
ルミニウム、ニッケル、鋼、銀、金、その他金属、それ
等の酸化物、硫化物、ハロゲン化物およびその他塩形態
、等である。
皮膜形成性バインダー中の固浴体状または分子分故物状
の電荷輸送分子だけから構成されている場合には、オー
バーコート層は帝亀後少なくとも像露出段階まで絶縁性
のままである。しかしながら、電荷担体輸送可能な絶縁
性皮膜連続相を含有するオーバーコート層中に十分な電
荷注入賦与粒子が分散されている場合には、電荷注入賦
与粒子を分極することによって電荷注入賦与粒子が電荷
担体をオーバーコート層の連続相に注入し、電荷担体が
オーバーコート層とその下の光導電）錯との間の界面に
輸送され捕獲されることを可能にし、そしてオーバーコ
ート層中の反対空間電荷が電荷注入賦与粒子からオーバ
ーコート層の像形成外表面への電荷数出処よって緩和さ
れるように十分な電界が印加されるまではオーバーコー
Ｈ−は絶縁体であると云う能力を必要とする。適する有
機または無機電荷注入賦与粒子はいずれも本発明のオー
バーコートに利用できる。（社）荷注入賦与粒子は正孔
注入賦与粒子であっても又は電子注入賦与粒子であって
もよい。粒子の濃度および全体の電界が電荷注入賦与粒
子を迅速に分極させそしてル荷担体をオーバーコート層
の連続相に注入させるのに十分である限りどの粒子も電
荷注入賦与粒子として作用できる。一般に、（５）荷注
入賦与粒子は電荷注入賦与性であるため忙約１ （］”
Ω儂の電気抵抗率を有する。代表的な無機の電荷注入賦
与粒子はカーギンブラック、二硫化モリブデン、酸化錫
、酸化アンチモン、酸化クロム、酸化亜鉛、酸化チタン
、酸化マグネシウム、二酸化マグネシウム、酸化アルミ
ニウム、その他金属酸化物、コロイド状シリカ、シラン
で処理されたコロイド状シリカ、グラファイト、感、ア
ルミニウム、ニッケル、鋼、銀、金、その他金属、それ
等の酸化物、硫化物、ハロゲン化物およびその他塩形態
、等である。
有機の電荷注入賦与粒子の代表例はフッ素化炭素粒子；
フタロシアニン顔料粒子；キナクリーン顔料粒子；テト
ラシアノキノジメタンと重合体第四アンモニウム塩の導
電性錯体、ポリ（２−ビニルビリデン）、ポリ（４−ビ
ニルビリデン）、ポリ（Ｎ−ビニルイミダゾール）、ポ
リ（４−ジメチルアミノスチレン）、およびイオンエン
ポリマー；ブラック臭素化ポリ（シクロペンタジェン）
：ポリ（アルキルビニルケトン）と塩化ホスホリルの重
合体反応生成物；金属ポリフタロシアニン；約２００°
Ｃの金属表面に付着したテトラシアノエチレン溶液相か
ら生成されたテトラニ） ＩＪル：チーグラー−ナツタ
触媒［Ｔｉ（ＱＣ，Ｎ９−ｎ）４−ＡＩ（Ｃ２Ｈ５）３
）の濃厚溶液の膜にアセチレンを暴露することによっ
て製造されたポリアセチレンのトランス異性体；ポリ（
ｐ−フェニレンオキシ−）；ビロールの藏解によって生
成されたポリピロール； ｙＪ’： １７ （フェニル
アセチレン）の熱分解によって生成された導電性ポリマ
ー；ポリイン（２００〜６ＵＵ’０で熱分解された）、
ポリ（アシルアセチレン）（４００〜８７０℃で熱分解
された）、重合体クツフ塩基（５００℃で熱分解された
）、およびポリアミノキノン（５０Ｇ℃で熱分解された
） ； Ｃｕ””Ｎ１（Ｓ２Ｃ２（ＯＮ）２）２２；銅
テトラシアノキノジメタン：カリウムテトラシアノキノ
ジメタン；ナトリウムテトラシアノキノジメタン；リチ
ウムテトラシアノキノジメタン；アントラセンとテトラ
７アノキノジメタンの錯体；ピレンとテトラシアノキノ
ジメタンの錯体：高スルホン化度のポリスチレンスルホ
ン酸（ナショナルスターチ＆ケミカル社から入手できる
パーサＴＬ−２）；その他の有機顔料粒子等である。
フタロシアニン顔料粒子；キナクリーン顔料粒子；テト
ラシアノキノジメタンと重合体第四アンモニウム塩の導
電性錯体、ポリ（２−ビニルビリデン）、ポリ（４−ビ
ニルビリデン）、ポリ（Ｎ−ビニルイミダゾール）、ポ
リ（４−ジメチルアミノスチレン）、およびイオンエン
ポリマー；ブラック臭素化ポリ（シクロペンタジェン）
：ポリ（アルキルビニルケトン）と塩化ホスホリルの重
合体反応生成物；金属ポリフタロシアニン；約２００°
Ｃの金属表面に付着したテトラシアノエチレン溶液相か
ら生成されたテトラニ） ＩＪル：チーグラー−ナツタ
触媒［Ｔｉ（ＱＣ，Ｎ９−ｎ）４−ＡＩ（Ｃ２Ｈ５）３
）の濃厚溶液の膜にアセチレンを暴露することによっ
て製造されたポリアセチレンのトランス異性体；ポリ（
ｐ−フェニレンオキシ−）；ビロールの藏解によって生
成されたポリピロール； ｙＪ’： １７ （フェニル
アセチレン）の熱分解によって生成された導電性ポリマ
ー；ポリイン（２００〜６ＵＵ’０で熱分解された）、
ポリ（アシルアセチレン）（４００〜８７０℃で熱分解
された）、重合体クツフ塩基（５００℃で熱分解された
）、およびポリアミノキノン（５０Ｇ℃で熱分解された
） ； Ｃｕ””Ｎ１（Ｓ２Ｃ２（ＯＮ）２）２２；銅
テトラシアノキノジメタン：カリウムテトラシアノキノ
ジメタン；ナトリウムテトラシアノキノジメタン；リチ
ウムテトラシアノキノジメタン；アントラセンとテトラ
７アノキノジメタンの錯体；ピレンとテトラシアノキノ
ジメタンの錯体：高スルホン化度のポリスチレンスルホ
ン酸（ナショナルスターチ＆ケミカル社から入手できる
パーサＴＬ−２）；その他の有機顔料粒子等である。
電荷注入賦与粒子の粒子サイズは約４５μｍ未満である
べきであるが、好ましくは約１０μｍ未満で且つ内側の
光導′成層を急速露光するために利用される光の波長未
満であるべきである。云い換えれは、粒子サイズはオー
バコート層をしてその下の光導′成層（単数または複数
）が感する光の波長に対して実質的に透明に維持するの
に十分でなければならない。約４ＵＯ［Ｊ入超の波長を
有する光源には約１００ｉ〜約５００１の粒子サイズが
適することがわかった。一般に、オーバーコート層はオ
ーバーコート層全重量に対して少なくとも約ｏ、ｉ縦量
係の１荷注入賦与粒子を含有すべきである。もつと低い
濃度では、顕著な残留電荷を生ずる傾向がある。低レベ
ルの残Ｉｌ￥亀荷は周知のように電気バイアスを印加す
ることによって現像中に補償することができる。使用さ
れる電荷注入賦与粒子の喰の上限はオーバーコート層を
通る必要な電荷の流れの相対鴬に依存するが、オーバー
コートの透明度を約１０チ未満の値に減少させず且つオ
ーバーコートを導電性にし過ぎない量であるべきである
。溶解されたＮ、シージフェニル−Ｎ。
べきであるが、好ましくは約１０μｍ未満で且つ内側の
光導′成層を急速露光するために利用される光の波長未
満であるべきである。云い換えれは、粒子サイズはオー
バコート層をしてその下の光導′成層（単数または複数
）が感する光の波長に対して実質的に透明に維持するの
に十分でなければならない。約４ＵＯ［Ｊ入超の波長を
有する光源には約１００ｉ〜約５００１の粒子サイズが
適することがわかった。一般に、オーバーコート層はオ
ーバーコート層全重量に対して少なくとも約ｏ、ｉ縦量
係の１荷注入賦与粒子を含有すべきである。もつと低い
濃度では、顕著な残留電荷を生ずる傾向がある。低レベ
ルの残Ｉｌ￥亀荷は周知のように電気バイアスを印加す
ることによって現像中に補償することができる。使用さ
れる電荷注入賦与粒子の喰の上限はオーバーコート層を
通る必要な電荷の流れの相対鴬に依存するが、オーバー
コートの透明度を約１０チ未満の値に減少させず且つオ
ーバーコートを導電性にし過ぎない量であるべきである
。溶解されたＮ、シージフェニル−Ｎ。
Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）１．１’−ビフェニ
ル−４，４′−ジアミン（電荷担体分子）を含有するポ
リカーボネート樹脂中に分数されたシリカ粒子（比較的
劣った電荷注入賦与材料）につ（・ては、満足な結果は
オーバーコート層の全型−叶に対して５０重量％もの高
濃度の電荷注入賦与粒子によって達成された。酸性輸送
分子の不在下では、ポリカーボネート樹脂中に分数され
たシリカ粒子がオーバーコート層全重堆に対して５０重
１代係であるオーバーコート層は印加電界中で絶縁性の
ままであった。有能なそして高導畦性の［ｌ、荷注入賦
与粒子を利用する場合には電荷注入賦与粒子の濃度はオ
ーバーコート層の全重吐に対して５０車量チよりかなり
低（すべきである。例えば、溶解されたＮ 、 Ｎ’−
ジフェニル−Ｎ 、 Ｎ’−ビス（６−メチルフェニル
） ｉ 、 ｉ’−ビフェニル−４，４′−ジアミンを
含有するポリカーボネート樹脂中に分数された、オーバ
ーコート層の全屯叶に対して５０車畦チ濃度のカーボン
ブラック電荷注入賦与粒子でシリカ粒子を置き換えた場
合、オーバーコート層は印加電界中で望ましくないこと
には導電性になる。一般に、オーバーコート層と光導電
層を横切って印加された約５Ｖ／μｍ超の電界中で電荷
注入賦与粒子が暗所で約１ｏ−１２秒未満で即時に分極
しそして電荷担体を約１Ｕμ秒未満で連続相に注入する
場合又はオーバコート層と光導電層を横切って印加され
た約５Ｖ／μｍ未満の電界中で電荷注入賦与粒子が暗所
で約Ｉ Ｌｌ−１２秒超で分極しモして電荷担体を約１
Ｕμ秒超で連続相に注入する場合に十分な濃度の電荷注
入賦与粒子が存在する。従って、約５Ｖ／μｍ〜約８０
ｖ／μｍの印加ｔＪＴ、界が暗所で導電性基体からオー
バーコートの外表面まで像形成部材を横切って印加され
そして゛保護オーバーコート上に約１０〜約２５０Ｖ／
／”’未満の残留電圧を形成する場合に電荷注入賦与粒
子は約１０−１２秒未満で分極しそして電荷担体を約１
０μ秒未満で連続電荷輸送相に注入する。電界はいずれ
か適する帯電技術によって印加される。
ル−４，４′−ジアミン（電荷担体分子）を含有するポ
リカーボネート樹脂中に分数されたシリカ粒子（比較的
劣った電荷注入賦与材料）につ（・ては、満足な結果は
オーバーコート層の全型−叶に対して５０重量％もの高
濃度の電荷注入賦与粒子によって達成された。酸性輸送
分子の不在下では、ポリカーボネート樹脂中に分数され
たシリカ粒子がオーバーコート層全重堆に対して５０重
１代係であるオーバーコート層は印加電界中で絶縁性の
ままであった。有能なそして高導畦性の［ｌ、荷注入賦
与粒子を利用する場合には電荷注入賦与粒子の濃度はオ
ーバーコート層の全重吐に対して５０車量チよりかなり
低（すべきである。例えば、溶解されたＮ 、 Ｎ’−
ジフェニル−Ｎ 、 Ｎ’−ビス（６−メチルフェニル
） ｉ 、 ｉ’−ビフェニル−４，４′−ジアミンを
含有するポリカーボネート樹脂中に分数された、オーバ
ーコート層の全屯叶に対して５０車畦チ濃度のカーボン
ブラック電荷注入賦与粒子でシリカ粒子を置き換えた場
合、オーバーコート層は印加電界中で望ましくないこと
には導電性になる。一般に、オーバーコート層と光導電
層を横切って印加された約５Ｖ／μｍ超の電界中で電荷
注入賦与粒子が暗所で約１ｏ−１２秒未満で即時に分極
しそして電荷担体を約１Ｕμ秒未満で連続相に注入する
場合又はオーバコート層と光導電層を横切って印加され
た約５Ｖ／μｍ未満の電界中で電荷注入賦与粒子が暗所
で約Ｉ Ｌｌ−１２秒超で分極しモして電荷担体を約１
Ｕμ秒超で連続相に注入する場合に十分な濃度の電荷注
入賦与粒子が存在する。従って、約５Ｖ／μｍ〜約８０
ｖ／μｍの印加ｔＪＴ、界が暗所で導電性基体からオー
バーコートの外表面まで像形成部材を横切って印加され
そして゛保護オーバーコート上に約１０〜約２５０Ｖ／
／”’未満の残留電圧を形成する場合に電荷注入賦与粒
子は約１０−１２秒未満で分極しそして電荷担体を約１
０μ秒未満で連続電荷輸送相に注入する。電界はいずれ
か適する帯電技術によって印加される。
代表的な帯電技術はコロナ帯電、ブラシ帯電、スタイラ
ス帯電、コンタクト帯電等である。
ス帯電、コンタクト帯電等である。
オーバーコート層の成分はいずれか適する通常の手段で
混合される。代表的な混合手段は攪拌棒、超音波パイプ
レーク−５磁気的攪拌器、ペイントシェーカー、サンド
ミル、ロールペブルミル、ソ子とは異なる物質である場
合には、電荷輸送分子が絶縁性皮膜形成性バインダー中
に溶解するが又は分子分数可能であるかのどちらかでな
ければならないと云うことは重要である。必要ならば、
皮膜形成性バインダーおよび電荷輸送分子のための溶剤
または混合溶剤を利用してもよい。好ましくは、溶剤ま
たは混合溶剤は絶縁性皮膜形成性バインダーおよび電荷
輸送分子の両方を溶解すべきである。選択される溶剤は
下層の光受容体に悪影響を与えるべきでない。例えば、
選択溶剤は下層の光受容体を溶解または結晶化すべきで
ない。
混合される。代表的な混合手段は攪拌棒、超音波パイプ
レーク−５磁気的攪拌器、ペイントシェーカー、サンド
ミル、ロールペブルミル、ソ子とは異なる物質である場
合には、電荷輸送分子が絶縁性皮膜形成性バインダー中
に溶解するが又は分子分数可能であるかのどちらかでな
ければならないと云うことは重要である。必要ならば、
皮膜形成性バインダーおよび電荷輸送分子のための溶剤
または混合溶剤を利用してもよい。好ましくは、溶剤ま
たは混合溶剤は絶縁性皮膜形成性バインダーおよび電荷
輸送分子の両方を溶解すべきである。選択される溶剤は
下層の光受容体に悪影響を与えるべきでない。例えば、
選択溶剤は下層の光受容体を溶解または結晶化すべきで
ない。
オーバーコート混合物は光導電性部材またはブロッキン
グ層を利用する場合にはそのブロッキング層に適用され
る。オーバーコート混合物はいずれか周知技術で適用さ
れてもよい。代表的な被覆技術は吹付け、ドローバ−塗
布、浸漬塗布、グラビア塗布、シルクスクリーン、エア
ナイフ塗布、リバースロール塗布、押出技術等である。
グ層を利用する場合にはそのブロッキング層に適用され
る。オーバーコート混合物はいずれか周知技術で適用さ
れてもよい。代表的な被覆技術は吹付け、ドローバ−塗
布、浸漬塗布、グラビア塗布、シルクスクリーン、エア
ナイフ塗布、リバースロール塗布、押出技術等である。
オーバーコートを乾燥するために適する通常の乾燥また
は硬化技術を利用してもよい。乾燥または硬化技術は下
層の光受容体を損傷しないように選択されるべきである
。例えば、無定形セレン光受容体を用いた場合にはオー
バーコート乾燥温度は無定形セレンの結晶を起こさせる
べきでない。
は硬化技術を利用してもよい。乾燥または硬化技術は下
層の光受容体を損傷しないように選択されるべきである
。例えば、無定形セレン光受容体を用いた場合にはオー
バーコート乾燥温度は無定形セレンの結晶を起こさせる
べきでない。
乾燥または硬化後のオーバーコート層の厚さは約１μｍ
未満１５μｍがよかろう。一般に、約１μｍ未満のオー
バーコート厚は下層の光受容体に十分な保護を与えそこ
なう。より大きな保護は少なくとも約５μｍのオーバー
コート厚によって与えられる。オーバーコート厚が約１
５μｍを越えると、最終トナー像の解像力が悪化し始め
る。より鮮明な像解像力は約８ｔｔｒＩＬ未満のオーバ
ーコート厚で得られる。従って、最適な保護および解像
力のためには６μｍ〜約８μｍのオーバーコート厚が好
ましい。
未満１５μｍがよかろう。一般に、約１μｍ未満のオー
バーコート厚は下層の光受容体に十分な保護を与えそこ
なう。より大きな保護は少なくとも約５μｍのオーバー
コート厚によって与えられる。オーバーコート厚が約１
５μｍを越えると、最終トナー像の解像力が悪化し始め
る。より鮮明な像解像力は約８ｔｔｒＩＬ未満のオーバ
ーコート厚で得られる。従って、最適な保護および解像
力のためには６μｍ〜約８μｍのオーバーコート厚が好
ましい。
環路の乾燥または硬化されたオーバーコートは帯電前に
実質的に絶縁性であるべきである。電荷注入賦与粒子か
ら輸送分子への注入を本質的に行わない十分低い電界中
で最終オーバーコートが少なくとも約１０１３０−ぼの
抵抗率を有する場合には満足な結果が達成される。より
明確に云うと、オーバコートは暗所で実質的に電気絶縁
性であり、従って電荷注入賦与粒子は約５Ｖ／μｍ未満
の印加電界が導電性基体からオーバコートの外表面まで
像形成部材を横切って印加された場合に約１０−１２秒
未満で分極しそして電荷担体を約１０μ秒未満で連続心
荷輸送相に注入することはない。最終の乾燥または硬化
されたオーバーコートはまたその下の光導成層が感する
スペクトル領域で実質的に非吸収性であるべきである。
実質的に絶縁性であるべきである。電荷注入賦与粒子か
ら輸送分子への注入を本質的に行わない十分低い電界中
で最終オーバーコートが少なくとも約１０１３０−ぼの
抵抗率を有する場合には満足な結果が達成される。より
明確に云うと、オーバコートは暗所で実質的に電気絶縁
性であり、従って電荷注入賦与粒子は約５Ｖ／μｍ未満
の印加電界が導電性基体からオーバコートの外表面まで
像形成部材を横切って印加された場合に約１０−１２秒
未満で分極しそして電荷担体を約１０μ秒未満で連続心
荷輸送相に注入することはない。最終の乾燥または硬化
されたオーバーコートはまたその下の光導成層が感する
スペクトル領域で実質的に非吸収性であるべきである。
表現「実質的に非吸収性」とは下層の光導成層が感する
スペクトル領域における透明度的１０％〜約１００％と
して定義される。下層の光導電層が感するスペクトル領
域で少なくとも約５０％の透明度はより速いスピードの
ために好ましく、そして最適スピードは少なくとも８０
％の透明度で達成された。
スペクトル領域における透明度的１０％〜約１００％と
して定義される。下層の光導電層が感するスペクトル領
域で少なくとも約５０％の透明度はより速いスピードの
ために好ましく、そして最適スピードは少なくとも８０
％の透明度で達成された。
必要ならは、オーバーコート層とその下の光導＋を層と
の間にブロッキング層を利用してもよい。
の間にブロッキング層を利用してもよい。
ブロッキング層は奄荷榴送分子が正孔輸送分子である正
帝亀覗子写真塚形成部材にとっては特に望ましい。オー
バーコート層を通ってオーバーコート層とその下の光導
電層との間の界面へ輸送された電荷担体を捕獲すること
ができそしてオーバーコート１−より大きな電気抵抗率
を有する適切なブロッキング層はいずれも利用できる。
帝亀覗子写真塚形成部材にとっては特に望ましい。オー
バーコート層を通ってオーバーコート層とその下の光導
電層との間の界面へ輸送された電荷担体を捕獲すること
ができそしてオーバーコート１−より大きな電気抵抗率
を有する適切なブロッキング層はいずれも利用できる。
代表的なブロッキング層は有機金属塩を含有するポリビ
ニルブチラール、オルガノシラン、エポキシ樹脂、ポリ
エステル、ポリアミド、ポリウレタン、塩化ビニリデン
樹脂、シリコーン樹脂、フルオロカーボン樹脂等である
。別の代表的なブロッキング層材料は米国特許第４．３
３８，３８７号および第４．２８６，０３３号に開示さ
れているようなセレン、セレンヒ素合金およびハロｒン
ドープトセレンヒ素合金；米国特許第４，２９１．１１
０号に開示されているような、含窒素シロキサンまたは
含窒素チタン化合物例えばトリメトキシシリルゾロピレ
ンジアミン、加水分解されたトリメトキシシリルゾロピ
ルエチレンジアミン、Ｎ−β−（アミノエチル）γ−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン、イソプロピル４−ア
ミノベンゼンスルホニル、ジ（ドデシルベンゼンスルホ
ニル）チタネート、イソプロピルジ（４−アミノベン・
戸イル）イソメテアロイルチタネート、イソプロピルト
リ（Ｎ−エチルアミノエチルアミノ）チタネート、イソ
ゾロビルトリアントラニルチタネート、イソゾロピルト
リ（Ｎ、Ｎ−ジメチルエチルアミノ）チタネート、チタ
ン−４−アミンベンゼンスルホネートオキシアセテート
、チタン４−アミノベンゾエートイソステアレートオキ
シアセテート、 ［Ｈ２Ｎ（ｃＨ２）４ ］ｃＨ３ｓｔ（ｏｃＨ，）２、
（ｒ−アミノブチル）メチルジェトキシシラン、および （Ｈ２Ｎ（ＣＨ２Ｊ３〕ＣＨ３８ｉ（ＯＣＨ３）２ （
γ−アミノプロピル）メチルジェトキシシラン：金４ア
セチルアセトネート化合物例えはチタンアセチルアセト
ネート、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）
、鉄トリス（アセチルアセトネート）、コバルトビス（
アセチルアセトネート）、銅ビス（アセチルアセトネー
ト）、マグネシウムビス（アセチルアセトネート）、マ
ンガン（Ｉｌｌビス（アセチルアセト＄−１）、ニッケ
ル＋ｔｎビスアセチルアセトネート）、バナジウムトリ
ス（アセチルアセトネート）、亜鉛ビス（アセチルアセ
トネート）、錫ビス（アセチルアセトネート）、金属ア
ルコラード例えばアルミニウムイソプロピラード、モノ
−５ｅｃ−デトキシアルミニウムジイソプロビラート、
アルミニウム日ｅｃ−ブチラード、エチルアセトアセテ
ートアルミニウムジイソデロピラート、バナジウムエチ
ラート、バナジウムｎ−プロピラード、バナジウムイソ
ブチラード、チタンオルトエステル例えばテトラメチル
オルトチタネート、テトラエチルオルトチタネート、テ
トラ−ｎ−プロピルオルトチタネート、テトライソプロ
ぎルオルトチタネート、テトラブチルオルトチタネート
、テトライソブチルオルトチタネート、テトラクレジル
チタネート、テトラステアリルチタネート、テトラ−２
−エチルへキシルチタネート、テトラノニルチタネート
、テトラセチルチタネート、イソプロピルトリイソステ
アロイルチタネート、インプロピルトリドデシルベンゼ
ンスルホニルチタネート、イソプロピルトリス（ジオク
チルピロホスフェート）チタネート、チタンキレート例
えばジイソゾロボキシチタンビス（オクタンジオール）
、ジイソプロポキシチタンビス（ヘキサンジオール）、
ジイソプロポキシチタンビス（アセチルアセトネート）
、チタンテトララクテート、テトライングロビルビス（
ジオクチルホスフィツト）チタネート、テトラオクチル
ビス（シトリデシルホスフィツト）チタネート、テトラ
（２，２−シリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジ
トリデシルホスフィツト）ビス（ジオクチルピロホスフ
ェート）オキシアセテートチタネート、トリノ（ジオク
チルピロホスフェート）エチレンチタネート、および例
えｋｆ１９８６年４月１６日に公開された英国特許出願
ＧＢ ２１０６６５９Ａに開示されているその他の適す
る有機チタン化合物である。米国特許第４．３３８，３
８７号、第４．２８６，０３３号および第４，２９１，
１１０号、および英国特許出願ＧＢ２１０６６５９Ａは
全体に本願の参考になる。チタン以外の金属の類似有機
金属塩もブロッキングｊ−に使用できる。これ等信の金
属はＦ、アルノクート・コツトンとデオフレイ・ウィル
キンソンの著書「アドバンスト・インオーがニック・ケ
ミストリー」第４版、第６１９〜６２１貞に規定されて
いるような第１および第２４移系からの遷移元素である
。チタン以外の金属のこれ等有機金属塩の例はジルコニ
ウムアセチルアセトネート、ジルコニウムｎ−ｆロ式キ
シド、ジルコニウムテトラ）キシド、ジルコニウムテト
ラ−ｎ−ブチレート、ジルコニウムテトラキス了セチル
アセトネート等である。ブロッキング層は連続であり且
つ約０．２μｍ未満の厚さを有して（・るべきである。
ニルブチラール、オルガノシラン、エポキシ樹脂、ポリ
エステル、ポリアミド、ポリウレタン、塩化ビニリデン
樹脂、シリコーン樹脂、フルオロカーボン樹脂等である
。別の代表的なブロッキング層材料は米国特許第４．３
３８，３８７号および第４．２８６，０３３号に開示さ
れているようなセレン、セレンヒ素合金およびハロｒン
ドープトセレンヒ素合金；米国特許第４，２９１．１１
０号に開示されているような、含窒素シロキサンまたは
含窒素チタン化合物例えばトリメトキシシリルゾロピレ
ンジアミン、加水分解されたトリメトキシシリルゾロピ
ルエチレンジアミン、Ｎ−β−（アミノエチル）γ−ア
ミノプロピルトリメトキシシラン、イソプロピル４−ア
ミノベンゼンスルホニル、ジ（ドデシルベンゼンスルホ
ニル）チタネート、イソプロピルジ（４−アミノベン・
戸イル）イソメテアロイルチタネート、イソプロピルト
リ（Ｎ−エチルアミノエチルアミノ）チタネート、イソ
ゾロビルトリアントラニルチタネート、イソゾロピルト
リ（Ｎ、Ｎ−ジメチルエチルアミノ）チタネート、チタ
ン−４−アミンベンゼンスルホネートオキシアセテート
、チタン４−アミノベンゾエートイソステアレートオキ
シアセテート、 ［Ｈ２Ｎ（ｃＨ２）４ ］ｃＨ３ｓｔ（ｏｃＨ，）２、
（ｒ−アミノブチル）メチルジェトキシシラン、および （Ｈ２Ｎ（ＣＨ２Ｊ３〕ＣＨ３８ｉ（ＯＣＨ３）２ （
γ−アミノプロピル）メチルジェトキシシラン：金４ア
セチルアセトネート化合物例えはチタンアセチルアセト
ネート、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）
、鉄トリス（アセチルアセトネート）、コバルトビス（
アセチルアセトネート）、銅ビス（アセチルアセトネー
ト）、マグネシウムビス（アセチルアセトネート）、マ
ンガン（Ｉｌｌビス（アセチルアセト＄−１）、ニッケ
ル＋ｔｎビスアセチルアセトネート）、バナジウムトリ
ス（アセチルアセトネート）、亜鉛ビス（アセチルアセ
トネート）、錫ビス（アセチルアセトネート）、金属ア
ルコラード例えばアルミニウムイソプロピラード、モノ
−５ｅｃ−デトキシアルミニウムジイソプロビラート、
アルミニウム日ｅｃ−ブチラード、エチルアセトアセテ
ートアルミニウムジイソデロピラート、バナジウムエチ
ラート、バナジウムｎ−プロピラード、バナジウムイソ
ブチラード、チタンオルトエステル例えばテトラメチル
オルトチタネート、テトラエチルオルトチタネート、テ
トラ−ｎ−プロピルオルトチタネート、テトライソプロ
ぎルオルトチタネート、テトラブチルオルトチタネート
、テトライソブチルオルトチタネート、テトラクレジル
チタネート、テトラステアリルチタネート、テトラ−２
−エチルへキシルチタネート、テトラノニルチタネート
、テトラセチルチタネート、イソプロピルトリイソステ
アロイルチタネート、インプロピルトリドデシルベンゼ
ンスルホニルチタネート、イソプロピルトリス（ジオク
チルピロホスフェート）チタネート、チタンキレート例
えばジイソゾロボキシチタンビス（オクタンジオール）
、ジイソプロポキシチタンビス（ヘキサンジオール）、
ジイソプロポキシチタンビス（アセチルアセトネート）
、チタンテトララクテート、テトライングロビルビス（
ジオクチルホスフィツト）チタネート、テトラオクチル
ビス（シトリデシルホスフィツト）チタネート、テトラ
（２，２−シリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジ
トリデシルホスフィツト）ビス（ジオクチルピロホスフ
ェート）オキシアセテートチタネート、トリノ（ジオク
チルピロホスフェート）エチレンチタネート、および例
えｋｆ１９８６年４月１６日に公開された英国特許出願
ＧＢ ２１０６６５９Ａに開示されているその他の適す
る有機チタン化合物である。米国特許第４．３３８，３
８７号、第４．２８６，０３３号および第４，２９１，
１１０号、および英国特許出願ＧＢ２１０６６５９Ａは
全体に本願の参考になる。チタン以外の金属の類似有機
金属塩もブロッキングｊ−に使用できる。これ等信の金
属はＦ、アルノクート・コツトンとデオフレイ・ウィル
キンソンの著書「アドバンスト・インオーがニック・ケ
ミストリー」第４版、第６１９〜６２１貞に規定されて
いるような第１および第２４移系からの遷移元素である
。チタン以外の金属のこれ等有機金属塩の例はジルコニ
ウムアセチルアセトネート、ジルコニウムｎ−ｆロ式キ
シド、ジルコニウムテトラ）キシド、ジルコニウムテト
ラ−ｎ−ブチレート、ジルコニウムテトラキス了セチル
アセトネート等である。ブロッキング層は連続であり且
つ約０．２μｍ未満の厚さを有して（・るべきである。
それより大きい厚さは望ましくない高残留酸圧を導く。
約０．０５７”’〜約０．１５ μＦＷのブロッキング
＋＠ Ｉｔ＠露光段階後の電荷中和を促進しそして十分
な電気性能を達成するので好ましい。
＋＠ Ｉｔ＠露光段階後の電荷中和を促進しそして十分
な電気性能を達成するので好ましい。
ブロッキング）−は吹付け、浸漬塗布、ｒロー／々−塗
布、グラビア塗布、シルクスクリーン塗布、エアナイフ
塗布、リバースロール塗布、真空蒸着等のようないずれ
か適する通常の手段によって適用されてもよい。
布、グラビア塗布、シルクスクリーン塗布、エアナイフ
塗布、リバースロール塗布、真空蒸着等のようないずれ
か適する通常の手段によって適用されてもよい。
薄い層を得る場合の便宜のためには、ブロッキング層は
好ましくは希釈溶液の形態で適用され、その溶剤は被膜
の付着後に真空、加熱等のような通常の手段によって除
去される。一般に、吹付は塗布のためにはブロッキング
層材料と溶剤の重量比は約０．０５二１００から約０．
５二１００までの間で満足である。
好ましくは希釈溶液の形態で適用され、その溶剤は被膜
の付着後に真空、加熱等のような通常の手段によって除
去される。一般に、吹付は塗布のためにはブロッキング
層材料と溶剤の重量比は約０．０５二１００から約０．
５二１００までの間で満足である。
どの適する光導電性部材が本発明のオーバーコート層で
オーバーコートされてもよい。一般に、光導電性部材は
光導電層１層以上と支持基体からなる。基体は不透明で
あっても実質的に透明であってもよく、そして必要な機
械的性質を有する多数の適切な材料から構成できる。従
って、この基体は無機または有機組成物のような非導電
性または４亀性材料の層から構成されてもよい。基体が
非導電性劇料からなる場合には、通常それは導電性組成
物で仮構される。この目的のためには、ポリエステル、
ポリカーボネート、ポリアミド、ポリウレタン等も宮め
て櫨々の公知樹脂を絶縁性非導電性材料として使用して
もよい。絶縁性または導電性基体は可撓性であっても又
は硬質であってもよく、例えばプレート、円筒状ドラム
、スクロール、無端可撓性ベルト等のような多数のさま
ざまな構造をとることができる。好ましくは、絶縁性基
体は無端可撓性ベルトの形態であり、そしてＥ、１．デ
ュポンドヌムール社から入手できるマイラーとして知ら
れている市販のポリエチレンテレフタレートポリエステ
ルからなる。
オーバーコートされてもよい。一般に、光導電性部材は
光導電層１層以上と支持基体からなる。基体は不透明で
あっても実質的に透明であってもよく、そして必要な機
械的性質を有する多数の適切な材料から構成できる。従
って、この基体は無機または有機組成物のような非導電
性または４亀性材料の層から構成されてもよい。基体が
非導電性劇料からなる場合には、通常それは導電性組成
物で仮構される。この目的のためには、ポリエステル、
ポリカーボネート、ポリアミド、ポリウレタン等も宮め
て櫨々の公知樹脂を絶縁性非導電性材料として使用して
もよい。絶縁性または導電性基体は可撓性であっても又
は硬質であってもよく、例えばプレート、円筒状ドラム
、スクロール、無端可撓性ベルト等のような多数のさま
ざまな構造をとることができる。好ましくは、絶縁性基
体は無端可撓性ベルトの形態であり、そしてＥ、１．デ
ュポンドヌムール社から入手できるマイラーとして知ら
れている市販のポリエチレンテレフタレートポリエステ
ルからなる。
基体層の厚さは経済的考慮も含めて多数の因子に左右さ
れるので、この層は最終光導電性デバイスに悪影響を与
えないことを条件に例えば２００μ超のかなりの厚さの
ものであっても又は５０μ未満の最小厚さのものであっ
てもよい。−態様において、この層の厚さは約６５μ〜
約１５０μ、好ましくは約７５μ〜約１２５μの範囲に
ある。
れるので、この層は最終光導電性デバイスに悪影響を与
えないことを条件に例えば２００μ超のかなりの厚さの
ものであっても又は５０μ未満の最小厚さのものであっ
てもよい。−態様において、この層の厚さは約６５μ〜
約１５０μ、好ましくは約７５μ〜約１２５μの範囲に
ある。
基体全体を構成する又は非導電性層上の被膜として存在
する導電性層または基板は例えばアルミニウム、チタン
、ニッケル、クロム、黄銅、金、ステンレス鋼、カーボ
ンブラック、グラファイト等も含めていずれの適する材
料から構成されてもよい。導′亀性層の厚さは光導電性
部材の所望の用途に応じてかなり広い範囲にわたって変
動ｏＪ能である。従って、４電性層は一般に厚さ約５０
λ単位から数個におよぶことがある。可撓性光応答性像
形成デバイスが必要な場合には、その厚さは約１（３０
久単位〜約７５１３＾単位、より好ましくは約１００λ
単位〜約２００λ単位にあってもよい。
する導電性層または基板は例えばアルミニウム、チタン
、ニッケル、クロム、黄銅、金、ステンレス鋼、カーボ
ンブラック、グラファイト等も含めていずれの適する材
料から構成されてもよい。導′亀性層の厚さは光導電性
部材の所望の用途に応じてかなり広い範囲にわたって変
動ｏＪ能である。従って、４電性層は一般に厚さ約５０
λ単位から数個におよぶことがある。可撓性光応答性像
形成デバイスが必要な場合には、その厚さは約１（３０
久単位〜約７５１３＾単位、より好ましくは約１００λ
単位〜約２００λ単位にあってもよい。
適する光導電性１−のいずれを本発明のオーバーコート
層でオーバーコートしてもよい。光導電性層（単数また
は複数）は無機であっても有機であってもよい。代表的
な無機光導電性材料は無定形セレン、セレン合金、ハロ
ｒンーーフトセレン合金、例エバセレンーテルル、セレ
ンーテルルーヒ素、セレンーヒ素等、カドミウムスルホ
セレン化物、カドミウムセレン化物、硫化カドミウム、
酸化亜鉛、二酸化チタン等のような周知の材料を包言す
る。代表的な有磯光導屯体はフタロシアニン、キナクリ
ドン、ピラゾロン、ポリビニルカルバゾール−２，４，
７−）リニトロフルオレノン、アントラセン等である。
層でオーバーコートしてもよい。光導電性層（単数また
は複数）は無機であっても有機であってもよい。代表的
な無機光導電性材料は無定形セレン、セレン合金、ハロ
ｒンーーフトセレン合金、例エバセレンーテルル、セレ
ンーテルルーヒ素、セレンーヒ素等、カドミウムスルホ
セレン化物、カドミウムセレン化物、硫化カドミウム、
酸化亜鉛、二酸化チタン等のような周知の材料を包言す
る。代表的な有磯光導屯体はフタロシアニン、キナクリ
ドン、ピラゾロン、ポリビニルカルバゾール−２，４，
７−）リニトロフルオレノン、アントラセン等である。
樹脂バインダー中に分散された粒子として多数の有機光
４電体を使用してもよい。
４電体を使用してもよい。
適切な多層光導電体はまたどれでも本発明のオーバーコ
ート層と共に使用できる。多層光導電体は少なくとも２
層の電気作用層即ち光発生または電荷発生層と゛電荷輸
送層からなる。光発生層の例は三方晶系セレン、種々の
７タロシアニン顔料例えば米国特許第３．３５７，９８
９号に記載されているＸ型無金属フタロシアニン、金属
フタロシアニ ８ン例えば鋼フタロシアニン、デュポン
社から商品名モナストラルレッド、モナストラルバイオ
レットおよびモナストラルレツドＹで入手できるキナク
リドン、米国特許第３，４４２．７８１号に開示されて
いる置換２．４−ジアミノ−トリアジン、アライドケミ
カルコーポレーションから商品名インドファストダブル
スカーレット、インドファストバイオレットレイクＢ、
インＰファストブリリアントスカーレットおよびインド
ファストオレンジで入手できる多核芳香族キノンである
。少なくとも２層の゛電気作用層を有する感光性部材の
例は米国特許第４．２６５，９９０号、米国特許第４
、２３３ 、３８４号、米国特許第４．３０６．００８
号、米国特許第４，２９９，８９７号、および１９８６
年２月１５日にレオンＡ、チューシャー、フランクＹ、
パンおよびアイアンＤ、モリスンの名で出願された［積
層光応答性像形成デバイス（Ｌａｙｅｒｅｄ Ｐｈｏｔ
ｏｒｅｓ−ｐＯｎｅｉｎｅ ＩＩｎａｇｉｎｇ Ｄｅｖ
ｉｃｅＩｇ） Ｊと題する共願中の米国特許出願第４６
６，７６４号に開示されている電荷発生層とジアミン含
有輸送層の部材：米国特許第５．８９５．ｊ４４号に開
示されている色素発生体ノーとオキサシア・戸−ル、ビ
ラ・戸ロン、イミダ・戸−ル、ブロモピレン、ニトロフ
ルオウレンオヨヒニトロナフタルイミド誘導体含有心荷
輸送層の部材；米国特許第４．１５０，９８７号に開示
されている発生体ノーとヒト２シン含有電荷輸送層部材
；米国特許第５，８３７，８５１号に開示されている発
生体層とトリアリールピラゾリン化合物含有電荷輸送層
部材；および傾似物である。これ等特許および出願の開
示は全体に本願の参考になる。
ート層と共に使用できる。多層光導電体は少なくとも２
層の電気作用層即ち光発生または電荷発生層と゛電荷輸
送層からなる。光発生層の例は三方晶系セレン、種々の
７タロシアニン顔料例えば米国特許第３．３５７，９８
９号に記載されているＸ型無金属フタロシアニン、金属
フタロシアニ ８ン例えば鋼フタロシアニン、デュポン
社から商品名モナストラルレッド、モナストラルバイオ
レットおよびモナストラルレツドＹで入手できるキナク
リドン、米国特許第３，４４２．７８１号に開示されて
いる置換２．４−ジアミノ−トリアジン、アライドケミ
カルコーポレーションから商品名インドファストダブル
スカーレット、インドファストバイオレットレイクＢ、
インＰファストブリリアントスカーレットおよびインド
ファストオレンジで入手できる多核芳香族キノンである
。少なくとも２層の゛電気作用層を有する感光性部材の
例は米国特許第４．２６５，９９０号、米国特許第４
、２３３ 、３８４号、米国特許第４．３０６．００８
号、米国特許第４，２９９，８９７号、および１９８６
年２月１５日にレオンＡ、チューシャー、フランクＹ、
パンおよびアイアンＤ、モリスンの名で出願された［積
層光応答性像形成デバイス（Ｌａｙｅｒｅｄ Ｐｈｏｔ
ｏｒｅｓ−ｐＯｎｅｉｎｅ ＩＩｎａｇｉｎｇ Ｄｅｖ
ｉｃｅＩｇ） Ｊと題する共願中の米国特許出願第４６
６，７６４号に開示されている電荷発生層とジアミン含
有輸送層の部材：米国特許第５．８９５．ｊ４４号に開
示されている色素発生体ノーとオキサシア・戸−ル、ビ
ラ・戸ロン、イミダ・戸−ル、ブロモピレン、ニトロフ
ルオウレンオヨヒニトロナフタルイミド誘導体含有心荷
輸送層の部材；米国特許第４．１５０，９８７号に開示
されている発生体ノーとヒト２シン含有電荷輸送層部材
；米国特許第５，８３７，８５１号に開示されている発
生体層とトリアリールピラゾリン化合物含有電荷輸送層
部材；および傾似物である。これ等特許および出願の開
示は全体に本願の参考になる。
好ましい多層光４１体は光導電性材料の層からなる電荷
発生層と、分子量約２０．１ Ｕ Ｌｌ〜約１２０．０
００のポリカーボネート樹脂材料中に一般式 （式中、Ｘは１〜約４個の炭素原子を有するアルキル基
および塩素からなる群から選択される）を有する１種以
上の化合物約２５〜約７５Ｊｆ量チが分散されている連
続電荷輸送層からなり、該光導電層は正孔の光発生と該
正孔の注入の能力を示し、そして該電荷輸送層は光導電
層が正孔を発生しそして光発生された正孔を注入するス
ペクトル領域で実質的に非吸収性であるが該光導１層か
ら光発生された正孔の注入を補佐しそして該亀荷惜送層
を通して該正孔を輸送することができる。電荷発生層の
光発生正孔の注入を補佐しそして亀荷桶送層を通して正
孔を輸送することができる電荷輸送層のその他の例は不
活性樹脂バインダー中に分故されたトリフェニルメタン
、ビス（４−ジエチルアミン−２−メチルフェニル）フ
ェニルメタン；４’ 、 ４’−ビス（ジエナルアミノ
）−’２’、７′−ジメチルトリフェニルメタン等であ
る。
発生層と、分子量約２０．１ Ｕ Ｌｌ〜約１２０．０
００のポリカーボネート樹脂材料中に一般式 （式中、Ｘは１〜約４個の炭素原子を有するアルキル基
および塩素からなる群から選択される）を有する１種以
上の化合物約２５〜約７５Ｊｆ量チが分散されている連
続電荷輸送層からなり、該光導電層は正孔の光発生と該
正孔の注入の能力を示し、そして該電荷輸送層は光導電
層が正孔を発生しそして光発生された正孔を注入するス
ペクトル領域で実質的に非吸収性であるが該光導１層か
ら光発生された正孔の注入を補佐しそして該亀荷惜送層
を通して該正孔を輸送することができる。電荷発生層の
光発生正孔の注入を補佐しそして亀荷桶送層を通して正
孔を輸送することができる電荷輸送層のその他の例は不
活性樹脂バインダー中に分故されたトリフェニルメタン
、ビス（４−ジエチルアミン−２−メチルフェニル）フ
ェニルメタン；４’ 、 ４’−ビス（ジエナルアミノ
）−’２’、７′−ジメチルトリフェニルメタン等であ
る。
′ｄ荷輸送層には、例えば米国特許第３．１２１．００
６号（その開示全体は本願の参考になる）に記載されて
いるものも含めて多数の不活性樹脂材料が使用できる。
６号（その開示全体は本願の参考になる）に記載されて
いるものも含めて多数の不活性樹脂材料が使用できる。
電荷輸送層用の樹脂バインダーは電荷発生層に使用され
る樹脂バインダーと同じであってもよい。代表的な有機
樹脂バインダーはポリカーボネート、ポリエステル、ポ
リアミド、ポリウレタン、ポリスチレン、ボリアリール
エーテル、ポリアリールスルホン、ポリブタジェン、ポ
リスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポ
リ・ゾロピレン、ボリイきド、ポリメチルペンテン、ポ
リフェニレンスルフィド、ポリ酢Ｍビニル、ポリシロキ
サン、ポリアクリレート、ポリビニルアセタール、ポリ
アミド、ポリイミド、アミン樹脂、フェニレンオキシド
樹脂、テレフタルｖｍ脂、エポキシ樹脂、フェノール樹
脂、ポリスｆＶ：／−アクリロニトリル共重合体、ポリ
塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、アクリ
レート共重合体、アルキド樹脂、セルロース系皮膜形成
剤、ポリ（アミドーイミｒ）、スチレン−ブタジェン共
重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、酢酸ビ
ニル−塩化ビニリデン共重合体、スチレン−アルキド樹
脂等のような熱可塑性および熱硬化性樹脂である。これ
等重合体はブロック共重合体であっても、ランダム共重
合体であってもまたは交互共重合体であってもよい。浸
れた結果は下記式のものからなる群から選択されたポリ
（ヒドロキシエーテル）材料からなる樹脂バインダー材
料を用いて達成できる二 Ｉ・ および Ｈ・ 式中、ＸおよびＹは脂肪族基および芳香族基からなる群
から個別に選択され、Ｚは水素、脂肪族基または芳香族
基であり、そしてｎは約５０から約２００までの数であ
る。
る樹脂バインダーと同じであってもよい。代表的な有機
樹脂バインダーはポリカーボネート、ポリエステル、ポ
リアミド、ポリウレタン、ポリスチレン、ボリアリール
エーテル、ポリアリールスルホン、ポリブタジェン、ポ
リスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエチレン、ポ
リ・ゾロピレン、ボリイきド、ポリメチルペンテン、ポ
リフェニレンスルフィド、ポリ酢Ｍビニル、ポリシロキ
サン、ポリアクリレート、ポリビニルアセタール、ポリ
アミド、ポリイミド、アミン樹脂、フェニレンオキシド
樹脂、テレフタルｖｍ脂、エポキシ樹脂、フェノール樹
脂、ポリスｆＶ：／−アクリロニトリル共重合体、ポリ
塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、アクリ
レート共重合体、アルキド樹脂、セルロース系皮膜形成
剤、ポリ（アミドーイミｒ）、スチレン−ブタジェン共
重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、酢酸ビ
ニル−塩化ビニリデン共重合体、スチレン−アルキド樹
脂等のような熱可塑性および熱硬化性樹脂である。これ
等重合体はブロック共重合体であっても、ランダム共重
合体であってもまたは交互共重合体であってもよい。浸
れた結果は下記式のものからなる群から選択されたポリ
（ヒドロキシエーテル）材料からなる樹脂バインダー材
料を用いて達成できる二 Ｉ・ および Ｈ・ 式中、ＸおよびＹは脂肪族基および芳香族基からなる群
から個別に選択され、Ｚは水素、脂肪族基または芳香族
基であり、そしてｎは約５０から約２００までの数であ
る。
これ等ポリ（ヒドロキシエーテル）（ソのいくつかはユ
ニオンカーバイド社から市販されている）は文献中では
一般にフェノキシ樹脂またはエポキシ樹脂として記載さ
れている。
ニオンカーバイド社から市販されている）は文献中では
一般にフェノキシ樹脂またはエポキシ樹脂として記載さ
れている。
ポリ（ヒドロキシエーテル）のための脂肪族基の例はメ
チル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル
、ヘプチル、デシル、ペンタデシル、エイコブシル等の
ような、炭素原予約１佃〜約３０個を有するもの等であ
る。好ましい脂肪族基はメチル、エチル、プロピル、お
よびグチルのような、炭素原予約１憫〜約６個を有する
アルキル基等である。芳香族基の具体例はフェニル、ナ
フチル、アンスリル等のような、炭素原予約６個〜約２
５ｉｌｉ５１を有するもの等であり、フェニルが好まし
い。脂肪族および芳香族基は例えばアルキル、ハｏｒン
、ニトロ、スルホ等も含めて種々の既知の置換基で置換
されていてもよい。
チル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル
、ヘプチル、デシル、ペンタデシル、エイコブシル等の
ような、炭素原予約１佃〜約３０個を有するもの等であ
る。好ましい脂肪族基はメチル、エチル、プロピル、お
よびグチルのような、炭素原予約１憫〜約６個を有する
アルキル基等である。芳香族基の具体例はフェニル、ナ
フチル、アンスリル等のような、炭素原予約６個〜約２
５ｉｌｉ５１を有するもの等であり、フェニルが好まし
い。脂肪族および芳香族基は例えばアルキル、ハｏｒン
、ニトロ、スルホ等も含めて種々の既知の置換基で置換
されていてもよい。
２置換基の例は水素並びにここに規定されているような
脂肪族、芳香族、置換脂肪族および置換芳香族基である
。さらに、２はカルボキシル、カルボニル、カーボネー
ト、およびその他の類似の基からなる群から選択されて
もよく、例えば、ポリ（ヒドロキシエーテル）の対応エ
ステルやカーボネートをもたらす。
脂肪族、芳香族、置換脂肪族および置換芳香族基である
。さらに、２はカルボキシル、カルボニル、カーボネー
ト、およびその他の類似の基からなる群から選択されて
もよく、例えば、ポリ（ヒドロキシエーテル）の対応エ
ステルやカーボネートをもたらす。
好ましいポリ（ヒト日キシエーテル）はＸおよびＹがア
ルキル基例えばメチルであり、２が水素またはカーボネ
ート基であり、そしてｎは約７５〜約１００の範囲の数
であるものである。特に好ましいポリ（ヒドロキシエー
テル）はベークライト、フェノキシ樹脂ＰＫＨＨＣユニ
オンカーバイド社から市販されており、そして２．２−
ビス（４−ヒドロキシフェニルプロパン）即ちビスフェ
ノールＡとエビクロロヒドリンの反応から得られる〕；
エポキシ樹脂、アラルダイトＲ６０９７（チバ社から市
販されている）、Ｚがカーボネート基であるポリ（ヒド
ロキシエーテル）のフェニルカーボネート（アライドケ
ミカル社から市販されている入並びにビスフェノールＡ
１テトラクロロビスフエノールＡ、テトラブロモビスフ
ェノールＡ１ ビスフェノールＦ１ ビスフェノールＡ
ＣＰ、ビスフェノールＬ１ ビスフェノールｖ１ ビス
フェノールｓ等から誘導されたポリ（ヒドロキシエーテ
ル）、等である。
ルキル基例えばメチルであり、２が水素またはカーボネ
ート基であり、そしてｎは約７５〜約１００の範囲の数
であるものである。特に好ましいポリ（ヒドロキシエー
テル）はベークライト、フェノキシ樹脂ＰＫＨＨＣユニ
オンカーバイド社から市販されており、そして２．２−
ビス（４−ヒドロキシフェニルプロパン）即ちビスフェ
ノールＡとエビクロロヒドリンの反応から得られる〕；
エポキシ樹脂、アラルダイトＲ６０９７（チバ社から市
販されている）、Ｚがカーボネート基であるポリ（ヒド
ロキシエーテル）のフェニルカーボネート（アライドケ
ミカル社から市販されている入並びにビスフェノールＡ
１テトラクロロビスフエノールＡ、テトラブロモビスフ
ェノールＡ１ ビスフェノールＦ１ ビスフェノールＡ
ＣＰ、ビスフェノールＬ１ ビスフェノールｖ１ ビス
フェノールｓ等から誘導されたポリ（ヒドロキシエーテ
ル）、等である。
光導電性組成物および／または顔料および樹脂バインダ
ー材料を庁有する光発生層は一般に厚さ約Ｕ・１μ〜約
５．０μの範囲にあり、好ましくは約０．６μ〜約１μ
の厚さを有する。本発明の対象物が達成されるのであれ
ばこれ等範囲以外の厚さを選択することも可能である。
ー材料を庁有する光発生層は一般に厚さ約Ｕ・１μ〜約
５．０μの範囲にあり、好ましくは約０．６μ〜約１μ
の厚さを有する。本発明の対象物が達成されるのであれ
ばこれ等範囲以外の厚さを選択することも可能である。
光発生組成物または顔料はさまざまな量でポリ（ヒドロ
キシエーテル）樹脂バインダー組成物中に存在するが、
しかしながら、一般に約１０容量チ〜約６０容量チの光
発生顔料が約４０容量チ〜約９０容量チのポリ（ヒドロ
キシエーテル）バインダー中に分散され、好ましくは約
２０容ｉ％〜約６０容ｉ％の光発生顔料が約７０容量チ
〜約８０容ｉ％のポリ（ヒドロキシエーテル）バインダ
ー組成物中に分散される。−態様においては、光発生顔
料約２５容量チがポリ（ヒドロキシエーテル）バインダ
ー組成物約７５容量チ中に分散されている。
キシエーテル）樹脂バインダー組成物中に存在するが、
しかしながら、一般に約１０容量チ〜約６０容量チの光
発生顔料が約４０容量チ〜約９０容量チのポリ（ヒドロ
キシエーテル）バインダー中に分散され、好ましくは約
２０容ｉ％〜約６０容ｉ％の光発生顔料が約７０容量チ
〜約８０容ｉ％のポリ（ヒドロキシエーテル）バインダ
ー組成物中に分散される。−態様においては、光発生顔
料約２５容量チがポリ（ヒドロキシエーテル）バインダ
ー組成物約７５容量チ中に分散されている。
他の代表的な光導成層は無定形セレン、セレン合金例え
ばセレンーヒ素、セレンーテルルーヒ素、セレン−テル
ル、セレンーヒ素−アンチモン、ハロヶ會ンドープトセ
レン合金、硫化カドミウム等である。
ばセレンーヒ素、セレンーテルルーヒ素、セレン−テル
ル、セレンーヒ素−アンチモン、ハロヶ會ンドープトセ
レン合金、硫化カドミウム等である。
一般に、輸送ノ媚の厚さは約５〜約１［ＪＯμであるが
、この範囲以外の厚さも使用できる。電荷輸送層は電荷
輸送１−上に置かれた静電荷が照明の不在下ではその上
に靜亀浩像を形成・保持させない程速い速度では導通し
ない程度に絶縁体であるべきである。一般に、電荷輸送
層対電荷発生層の厚さの比は好ましくは約２＝１乃至２
００ ： １場合によっては４００：１に保たれる。
、この範囲以外の厚さも使用できる。電荷輸送層は電荷
輸送１−上に置かれた静電荷が照明の不在下ではその上
に靜亀浩像を形成・保持させない程速い速度では導通し
ない程度に絶縁体であるべきである。一般に、電荷輸送
層対電荷発生層の厚さの比は好ましくは約２＝１乃至２
００ ： １場合によっては４００：１に保たれる。
図面を参考にすると、第１図は４成性基体１６によって
支持された光導成層１４上に電気絶縁性オーバーコート
１２を利用した従来の代表的なオーバーコーテッド光受
容体１０を図示している。
支持された光導成層１４上に電気絶縁性オーバーコート
１２を利用した従来の代表的なオーバーコーテッド光受
容体１０を図示している。
暗所で例えば正コロナ帯電によって一様帯電すると、得
られた帯電されたオーバーコーテッド光受容体１０は絶
縁性オーバーコート１２の外表面１８上に一様付ｙａ電
荷を有する。対応して反対の負電荷が導電性基体１６中
に光導成層との界面近くに形成される。
られた帯電されたオーバーコーテッド光受容体１０は絶
縁性オーバーコート１２の外表面１８上に一様付ｙａ電
荷を有する。対応して反対の負電荷が導電性基体１６中
に光導成層との界面近くに形成される。
第２図には、分散された導電性粒子２４を含有している
導電性オーバーコート２２が、導−性基体２８によって
支持された光４ｅ４１層２６の上に設けられている従来
の代表的なオーバーコートツに光受容体２０が示されて
いる。この電子写真像形成部材は暗所で例えば正コロナ
帯電によって一様帯′醒される。得られた帯電されたオ
ーバーコーテッド光受容体２０はオーバーコート層２２
中の光導成層２６との界面近くに正電荷を有する。対応
して反対の負電荷が導電性基体２８中に光導成層２６と
の界面近くに形成される。導電性オーバーコート層２２
中の導電性粒子２４はオーバーコート層を十分導電性に
して光導成層２６との界面近くの導電層中に一様電荷の
形成をもたらす。第２図に図示されている導電層２２は
導電性オーバーコート２２中に分散された導電性粒子２
４を官有するように記述されているが、導電性オーバー
コート２２は周知のように第四アンモニウム塩や電子供
与体と電子受容体の相互作用から生成された電荷輸送化
合物のような可溶性導螺性物質を用いて構成されてもよ
い。いずれの場合にも、暗所で一様帯電した後の電荷は
オーバーコート中に光導電層との界面近くに形成される
。
導電性オーバーコート２２が、導−性基体２８によって
支持された光４ｅ４１層２６の上に設けられている従来
の代表的なオーバーコートツに光受容体２０が示されて
いる。この電子写真像形成部材は暗所で例えば正コロナ
帯電によって一様帯′醒される。得られた帯電されたオ
ーバーコーテッド光受容体２０はオーバーコート層２２
中の光導成層２６との界面近くに正電荷を有する。対応
して反対の負電荷が導電性基体２８中に光導成層２６と
の界面近くに形成される。導電性オーバーコート層２２
中の導電性粒子２４はオーバーコート層を十分導電性に
して光導成層２６との界面近くの導電層中に一様電荷の
形成をもたらす。第２図に図示されている導電層２２は
導電性オーバーコート２２中に分散された導電性粒子２
４を官有するように記述されているが、導電性オーバー
コート２２は周知のように第四アンモニウム塩や電子供
与体と電子受容体の相互作用から生成された電荷輸送化
合物のような可溶性導螺性物質を用いて構成されてもよ
い。いずれの場合にも、暗所で一様帯電した後の電荷は
オーバーコート中に光導電層との界面近くに形成される
。
第６図および第４図には、新規なオーバーコーテッド光
受容体の好ましい態様が示されており、電子写真像形成
部材３０は導電性基体３６に支持された光導成層３４上
のオーバーコート層３２からなる。オーバーコート層３
２は連続亀荷輸送相３７と電荷注入賦与層３８からなる
。電子写真像形成部材３０が暗所で例えば正コロナ帯電
によって一様帯電されたとき、得られた帯電された電子
写真像形成部材３０は一様な正電荷を光導電層３４との
界面近くのオーバーコート層中にそして反対で且つ等し
い負電荷を光導電層３４との界面近くの導電性基体３６
中に担持する。
受容体の好ましい態様が示されており、電子写真像形成
部材３０は導電性基体３６に支持された光導成層３４上
のオーバーコート層３２からなる。オーバーコート層３
２は連続亀荷輸送相３７と電荷注入賦与層３８からなる
。電子写真像形成部材３０が暗所で例えば正コロナ帯電
によって一様帯電されたとき、得られた帯電された電子
写真像形成部材３０は一様な正電荷を光導電層３４との
界面近くのオーバーコート層中にそして反対で且つ等し
い負電荷を光導電層３４との界面近くの導電性基体３６
中に担持する。
電荷注入賦与粒子３８を含有させられたオーバコート層
３２の拡大図が第４図に図示されている。
３２の拡大図が第４図に図示されている。
本発明の電子写真像形成部材が例えば正コロナ帯電によ
って帯醒されると、オーバーコート層３２の外表面４０
と導′亀性基体３６との間に形成された電界は電荷注入
賦与粒子を直ちに分極させると考えられる。この分極は
第４図に示されている各電荷注入賦与粒子３８に−と十
の符号をもって抽かれている。正帯電の場合、十電荷と
して図示されている電荷は電荷輸送分子を含有するオー
バーコート層３２の連続相３Ｔ中に注入され、そして第
５図に示されているように帯電電界によってオーバーコ
ート層３２と光導電層３４との間の界面へ移動させられ
る。光受容体または（図示されていない）ブロッキング
層（両者ともここでは光導電層とオーバーコート層間の
界面として意味される）による這荷捕獲によって光導電
体への注入がなされないので電荷は界面で停止させられ
る。オーバーコート層内部の負空間電荷はオーバーコー
ト層３２の外側の像形成表面４０により近い電荷注入賦
与粒子３８からの電荷放出（正帯′亀に関する本ケース
においては正孔放出）によって緩和され、ついには第６
図に示されているようにオーバーコート層３２の外表面
の像形成表面４ａ近くのそれ等粒子だけが帯電されたま
ま残る。像様照射前の最終的に帯電された電子写真像形
成部材は第６図に図示されている。像様活性化照射露出
後の現像の際の現像′１界はオーバーコート層３２の電
荷再分布を起こさせるほど強くない。
って帯醒されると、オーバーコート層３２の外表面４０
と導′亀性基体３６との間に形成された電界は電荷注入
賦与粒子を直ちに分極させると考えられる。この分極は
第４図に示されている各電荷注入賦与粒子３８に−と十
の符号をもって抽かれている。正帯電の場合、十電荷と
して図示されている電荷は電荷輸送分子を含有するオー
バーコート層３２の連続相３Ｔ中に注入され、そして第
５図に示されているように帯電電界によってオーバーコ
ート層３２と光導電層３４との間の界面へ移動させられ
る。光受容体または（図示されていない）ブロッキング
層（両者ともここでは光導電層とオーバーコート層間の
界面として意味される）による這荷捕獲によって光導電
体への注入がなされないので電荷は界面で停止させられ
る。オーバーコート層内部の負空間電荷はオーバーコー
ト層３２の外側の像形成表面４０により近い電荷注入賦
与粒子３８からの電荷放出（正帯′亀に関する本ケース
においては正孔放出）によって緩和され、ついには第６
図に示されているようにオーバーコート層３２の外表面
の像形成表面４ａ近くのそれ等粒子だけが帯電されたま
ま残る。像様照射前の最終的に帯電された電子写真像形
成部材は第６図に図示されている。像様活性化照射露出
後の現像の際の現像′１界はオーバーコート層３２の電
荷再分布を起こさせるほど強くない。
図面には一様正帯電が示されているが、工帝藏の代りに
一様負帯電を用いてもよい。明白なことであるが、これ
等図面は本発明を単に概略的に説明したに過ぎず、実際
の像形成部材およびそれ等成分の相対的大きさおよび寸
法を指定するものではない。
一様負帯電を用いてもよい。明白なことであるが、これ
等図面は本発明を単に概略的に説明したに過ぎず、実際
の像形成部材およびそれ等成分の相対的大きさおよび寸
法を指定するものではない。
このように、本発明の新規なイメージング構造物は光導
電性像形成部材の優れた保護をもたらすと同時に皮膜形
成性バインダー、１藉輸送分子および電荷注入賦与粒子
の巾広い選択を可能圧する。
電性像形成部材の優れた保護をもたらすと同時に皮膜形
成性バインダー、１藉輸送分子および電荷注入賦与粒子
の巾広い選択を可能圧する。
入手可能な皮膜形成性バインダーの１１コ広い選択故に
、オーバーコートバインダーはオーバーコートの電気的
性能に大きな影響を与えることなくトナーとの摩擦帯電
関係や清掃性等にも適した選択がａＪ能である。さらに
、電荷注入賦与粒子が比較的低濃度であるので、オーバ
ーコートｊ−の強度が向上し、そしてオーバーコート層
の厚さのより大、きな寛容度がオーバーコート透明度に
あまりインパクトを与えずに可能となる。
、オーバーコートバインダーはオーバーコートの電気的
性能に大きな影響を与えることなくトナーとの摩擦帯電
関係や清掃性等にも適した選択がａＪ能である。さらに
、電荷注入賦与粒子が比較的低濃度であるので、オーバ
ーコートｊ−の強度が向上し、そしてオーバーコート層
の厚さのより大、きな寛容度がオーバーコート透明度に
あまりインパクトを与えずに可能となる。
次に、対照例と共に本発明の具体的な好ましい態様につ
いて詳しく記載するが、これ等実施例は単なる例示であ
って本発明の範囲を限定するためのものではない。部お
よびパーセントは別に指定しない限り重量による。実施
例に用いられたカーボンブラック顔料の電気抵抗率は製
造元から供給されたデータシートに示されているように
約１０−１Ω−傭〜約１０２Ω−傭であった。通常、粉
末の抵抗率は電極間のガラス管内で粉末を圧縮しそして
圧縮塊の電気抵抗を測定することによって塊状乾燥状態
で測定される。
いて詳しく記載するが、これ等実施例は単なる例示であ
って本発明の範囲を限定するためのものではない。部お
よびパーセントは別に指定しない限り重量による。実施
例に用いられたカーボンブラック顔料の電気抵抗率は製
造元から供給されたデータシートに示されているように
約１０−１Ω−傭〜約１０２Ω−傭であった。通常、粉
末の抵抗率は電極間のガラス管内で粉末を圧縮しそして
圧縮塊の電気抵抗を測定することによって塊状乾燥状態
で測定される。
実施例１〜４
ペイントシェーカ−（レッド・デビル・モデル、％５１
［ＪＯＸ；レッド・デビル社、ユニオン、Ｎ、Ｊ、州か
ら人手できる）中で３．２ｉＭ直径のステンレス鋼ショ
ットによって約９０分間、ポリカーボネート１１１ＦＩ
（マクロロン５７０５；モベイ・ケミカル社から人手で
きる）、ポリカーボネート叫密の直置に対し℃約９４嵐
敏％の塩化メチレン、ポリカーボネート四側の全恵敏に
対して約４０直縦獲のＮ 、 Ｎ’−ジフェニル−Ｎ
、 Ｎ’−ビス（６−メチルフェニル） １ 、１’−
ビフェニル−４，４’−シアミンおよび櫨々の瀘のカー
ボンブラック（モナーチ１３ＵＬＩ；キャボット社から
人手できる）を混合することによって１■々の破覆注組
成物バッチをｔＡ襄した。カーボンブラックの曜加蓋は
ポリカーボネート餠脂とＮ 、 Ｎ’−ジフェニル−Ｎ
、Ｗ−ビス（６−メチルフェニル） ｉ 、 ｉ’−ビ
フェニル−４，４′−シアミンを合わせた全体の点ｔに
対するものであった。この刀−ボンブラックは約ｂ ６
Ｌｌ ｒｎ”／ Ｉ ノ表面４Ｊｊ （Ｎ２ Ｓ、Ａ
、 ）、ｆＩｉ ｓｍμの粒子サイズ、約９０．５％の
固定炭湘、およびキャボット社から供給されたその他の
カーボンブラック“に比らべ℃中位の電気抵抗率を留し
℃いた。
［ＪＯＸ；レッド・デビル社、ユニオン、Ｎ、Ｊ、州か
ら人手できる）中で３．２ｉＭ直径のステンレス鋼ショ
ットによって約９０分間、ポリカーボネート１１１ＦＩ
（マクロロン５７０５；モベイ・ケミカル社から人手で
きる）、ポリカーボネート叫密の直置に対し℃約９４嵐
敏％の塩化メチレン、ポリカーボネート四側の全恵敏に
対して約４０直縦獲のＮ 、 Ｎ’−ジフェニル−Ｎ
、 Ｎ’−ビス（６−メチルフェニル） １ 、１’−
ビフェニル−４，４’−シアミンおよび櫨々の瀘のカー
ボンブラック（モナーチ１３ＵＬＩ；キャボット社から
人手できる）を混合することによって１■々の破覆注組
成物バッチをｔＡ襄した。カーボンブラックの曜加蓋は
ポリカーボネート餠脂とＮ 、 Ｎ’−ジフェニル−Ｎ
、Ｗ−ビス（６−メチルフェニル） ｉ 、 ｉ’−ビ
フェニル−４，４′−シアミンを合わせた全体の点ｔに
対するものであった。この刀−ボンブラックは約ｂ ６
Ｌｌ ｒｎ”／ Ｉ ノ表面４Ｊｊ （Ｎ２ Ｓ、Ａ
、 ）、ｆＩｉ ｓｍμの粒子サイズ、約９０．５％の
固定炭湘、およびキャボット社から供給されたその他の
カーボンブラック“に比らべ℃中位の電気抵抗率を留し
℃いた。
この被横注組成物は乾燥時に表に列挙され℃いる被覆厚
になるような湿潤皮膜厚を付層させるために１．（Ｊ
０２インチ間隙の塗布バーを真補したガードナードロー
バ−コーター（パシフィック・ケイエンテイフイツクか
ら入手できる）によつ℃ブラシ粗面化アルミニウムシー
トに適用され、そし℃約ＩＬｌ［Ｊ’Ｕの強制エアオー
ブン内で豹１時間乾燥されＣ（存在するならば）付層被
膜全体に一様に分散された種々の濃度のカーボンブラッ
クＭ科と共にポリカーボネート樹脂バインダー中にｍ屏
されたシアミンをき有する被膜を形成した。被覆された
アルミニウムシートについての物理的および電気的試験
の結果は以下に示されている：実施例６および４の被膜
に関する、約４０００’Ａ〜約７００ＯＡの波長の光の
透過率はプルマック・インダストリーズ喪の濃度計を用
いＣｆｉｌ＋定された。その計器をまず写真段階表によ
って校正してから透過率を測定した。実施例６の被膜の
透過率は９９％であり、そし℃実ａ例４の被膜の透過率
は約８８％であった。帯電蓋、暗減衰および残留電圧は
センローモデル１５２Ａコロトロン電源、ケイトレイ６
１［ＪＣ’成位差位差計よびヒユーレット・パッカード
ア４０２Ａレコーダーからなる実験蚕静電走食装置によ
つ℃測定された。オーバーコーテッドサンダルは電荷を
付層させるためにコロトロンの下を、それから表面上の
電荷、減衰速度および残留電圧を測定するために電位差
６↑グローブの下を機械的に＃動させられた。
になるような湿潤皮膜厚を付層させるために１．（Ｊ
０２インチ間隙の塗布バーを真補したガードナードロー
バ−コーター（パシフィック・ケイエンテイフイツクか
ら入手できる）によつ℃ブラシ粗面化アルミニウムシー
トに適用され、そし℃約ＩＬｌ［Ｊ’Ｕの強制エアオー
ブン内で豹１時間乾燥されＣ（存在するならば）付層被
膜全体に一様に分散された種々の濃度のカーボンブラッ
クＭ科と共にポリカーボネート樹脂バインダー中にｍ屏
されたシアミンをき有する被膜を形成した。被覆された
アルミニウムシートについての物理的および電気的試験
の結果は以下に示されている：実施例６および４の被膜
に関する、約４０００’Ａ〜約７００ＯＡの波長の光の
透過率はプルマック・インダストリーズ喪の濃度計を用
いＣｆｉｌ＋定された。その計器をまず写真段階表によ
って校正してから透過率を測定した。実施例６の被膜の
透過率は９９％であり、そし℃実ａ例４の被膜の透過率
は約８８％であった。帯電蓋、暗減衰および残留電圧は
センローモデル１５２Ａコロトロン電源、ケイトレイ６
１［ＪＣ’成位差位差計よびヒユーレット・パッカード
ア４０２Ａレコーダーからなる実験蚕静電走食装置によ
つ℃測定された。オーバーコーテッドサンダルは電荷を
付層させるためにコロトロンの下を、それから表面上の
電荷、減衰速度および残留電圧を測定するために電位差
６↑グローブの下を機械的に＃動させられた。
これ等実施例は約２１．０秒後の残留゛亀圧がカーボン
ブラック電荷注入賦与粒子の蓋の変化によって劇的に変
動すると云うことを明白に豆証している。艮好な結果は
カーボンブラック約０．１重量％で達成され、そし℃優
れた結果は１重緻鋒はどの少址のカーボンブラックによ
つ℃達成された。
ブラック電荷注入賦与粒子の蓋の変化によって劇的に変
動すると云うことを明白に豆証している。艮好な結果は
カーボンブラック約０．１重量％で達成され、そし℃優
れた結果は１重緻鋒はどの少址のカーボンブラックによ
つ℃達成された。
実施ｆ１１５〜７
Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ 、 Ｎ’−ビス（６−メチ
ルフェニル） １ 、１’−ビフェニル−４，４′−シ
アミンを全く使用せずに、先の実施例に記載されている
材料および手順を繰り返して稙々の濃度Ｏカーボンブラ
ックの被膜をゾラシ租面化アルミニウムクート上に形成
した。これ等コーテッドシートについ℃の電気的測定は
実施例１〜４における上記手順および装置を用いて行わ
れた。それ等試験結果は下記に示され℃いる： カーボンブラックの濃度が増大すると帝′＃ｌＬ敏と残
留゛電圧かい（らか減少することが観察されたが、電荷
輸送材料Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（６−
メチルフェニル） １ 、１’−ビフェニル−４゜４′
−ジアミンの不在は明らかに許容できない高残留電圧を
生ぜしめ、それは電荷輸送材料の不在下のそれ咎カーボ
ンブラック濃度ではオーバーコートが実質的に絶縁性で
あると云うことを表わし℃いる。
ルフェニル） １ 、１’−ビフェニル−４，４′−シ
アミンを全く使用せずに、先の実施例に記載されている
材料および手順を繰り返して稙々の濃度Ｏカーボンブラ
ックの被膜をゾラシ租面化アルミニウムクート上に形成
した。これ等コーテッドシートについ℃の電気的測定は
実施例１〜４における上記手順および装置を用いて行わ
れた。それ等試験結果は下記に示され℃いる： カーボンブラックの濃度が増大すると帝′＃ｌＬ敏と残
留゛電圧かい（らか減少することが観察されたが、電荷
輸送材料Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（６−
メチルフェニル） １ 、１’−ビフェニル−４゜４′
−ジアミンの不在は明らかに許容できない高残留電圧を
生ぜしめ、それは電荷輸送材料の不在下のそれ咎カーボ
ンブラック濃度ではオーバーコートが実質的に絶縁性で
あると云うことを表わし℃いる。
実施汐ｌｌ ８〜１４
カーボンブラック（カドジエンブラックＥＣ：ＡＲＭＡ
Ｋ社、シカゴ、工１１．州から人手できる）でモナーク
１６００カーボンフ゛ラックを置き換えた以外は実施例
１〜７に関し℃記載された手順を＃ｉ！９返した。ジア
ミン電荷輸送材料およびカーボンブラックの一度は次の
表に示され℃いるように変動させた： ｍ膜が′１荷憎送分子と微＃Ｉ電荷注入賦与粒子の組合
わせをき有した場合、特に実施例１１および１２で用い
られた濃度レベルでは、得られた残留電圧は劇的に減少
した。
Ｋ社、シカゴ、工１１．州から人手できる）でモナーク
１６００カーボンフ゛ラックを置き換えた以外は実施例
１〜７に関し℃記載された手順を＃ｉ！９返した。ジア
ミン電荷輸送材料およびカーボンブラックの一度は次の
表に示され℃いるように変動させた： ｍ膜が′１荷憎送分子と微＃Ｉ電荷注入賦与粒子の組合
わせをき有した場合、特に実施例１１および１２で用い
られた濃度レベルでは、得られた残留電圧は劇的に減少
した。
カーボンブラックの代りにＳｎ ／ Ｓｂ 東故比８５
／１５の５ｎ０２ ／ ５ｂ９ｏ３ ｍ科（三ｆ金ｍか
も人手できる）を使用し、ナしてＮ、Ｗ−ジンエニルー
Ｎ、Ｉｌ＋’−ビス（６−メチルフェニル） １ 、１
’−ビフェニル−４，４′−シアミンの代りにビス−（
４−ジエチルアミン−２−メチルフェニル）−フェニル
メタンを使用したこと以外は実施列８〜１４に記載され
℃いる手順を繰り返した。また、先の実施例に利用され
ているペイントシェーカーの代りにロールミルで破ｅａ
＝成物の成分を４８時間粉砕することによって分散した
。材料（バインダー電荷注入賦与粒子および電荷輸送分
子）は９帖カラスヒースを牛分元塙した４オンスガ５
、ｉ ９ヤーに入れ℃ツートン・ケミカル・プロセス・
グロダクツ・デビゾヨン・ロールミル上に置いた。付ノ
ｉ１は強＋１ｔｌＪエアオーグン内で１ｏｏ’ｃで２時
間乾燥された。実施汐１１１５．１７．１９および２１
では破種注組成物の１寸庸前に、ブロッキング層がブラ
シ粗面化アルミニウムシートに適用された。
／１５の５ｎ０２ ／ ５ｂ９ｏ３ ｍ科（三ｆ金ｍか
も人手できる）を使用し、ナしてＮ、Ｗ−ジンエニルー
Ｎ、Ｉｌ＋’−ビス（６−メチルフェニル） １ 、１
’−ビフェニル−４，４′−シアミンの代りにビス−（
４−ジエチルアミン−２−メチルフェニル）−フェニル
メタンを使用したこと以外は実施列８〜１４に記載され
℃いる手順を繰り返した。また、先の実施例に利用され
ているペイントシェーカーの代りにロールミルで破ｅａ
＝成物の成分を４８時間粉砕することによって分散した
。材料（バインダー電荷注入賦与粒子および電荷輸送分
子）は９帖カラスヒースを牛分元塙した４オンスガ５
、ｉ ９ヤーに入れ℃ツートン・ケミカル・プロセス・
グロダクツ・デビゾヨン・ロールミル上に置いた。付ノ
ｉ１は強＋１ｔｌＪエアオーグン内で１ｏｏ’ｃで２時
間乾燥された。実施汐１１１５．１７．１９および２１
では破種注組成物の１寸庸前に、ブロッキング層がブラ
シ粗面化アルミニウムシートに適用された。
ブロッキングノーはエタノール混合物全重数に対し”Ｃ
約２点７％の、ポリエテレンイミン（ＰＥＩ ）繊合体
（フルギーヤットＰ−６００％ キャルボナ・ケミカル
社、ミシガンから人手できる）とゾルコニウムアセチル
アセトネート（ＺｒＡｃ ）の１：１（ｉ緻で）混合物
を含仔する組成物であった。
約２点７％の、ポリエテレンイミン（ＰＥＩ ）繊合体
（フルギーヤットＰ−６００％ キャルボナ・ケミカル
社、ミシガンから人手できる）とゾルコニウムアセチル
アセトネート（ＺｒＡｃ ）の１：１（ｉ緻で）混合物
を含仔する組成物であった。
実測された残留電圧から明白７よように、優れた結果は
ポリ刀−ボネート餌８汀に浴ノ眸された微細゛畦荷注入
賦与拉子と電荷・両送分子の組会わせによって潜られ、
ブロッキング層を利用した場合にはい（つかの試験丈ン
グルではわずかの改善を伴った。
ポリ刀−ボネート餌８汀に浴ノ眸された微細゛畦荷注入
賦与拉子と電荷・両送分子の組会わせによって潜られ、
ブロッキング層を利用した場合にはい（つかの試験丈ン
グルではわずかの改善を伴った。
ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）−フ
ェニル−メタンの代すに２，５−ビス（４−７エチルア
ミノフエニル）−１，３，４−オキサゾアゾールを使用
したこと以外は実施例１５〜２２の＋順および材料を味
り返した。下記に示されているように種々の鼠の゛電荷
注入賦与粒子、亀荷傾込分子およびグロッキングハーを
利用した： 破膜に電荷注入賦与粒子と亀荷領送分子肉者−の組合わ
せを利用したとぎに、実測残留電圧は顕著に減少した。
ェニル−メタンの代すに２，５−ビス（４−７エチルア
ミノフエニル）−１，３，４−オキサゾアゾールを使用
したこと以外は実施例１５〜２２の＋順および材料を味
り返した。下記に示されているように種々の鼠の゛電荷
注入賦与粒子、亀荷傾込分子およびグロッキングハーを
利用した： 破膜に電荷注入賦与粒子と亀荷領送分子肉者−の組合わ
せを利用したとぎに、実測残留電圧は顕著に減少した。
いくつかの場合には、ブロッキングノーを用いたときに
やや改善が蜆祭された。
やや改善が蜆祭された。
２．５−ビス（４−７エテルアミノフエニル）−１，３
，４オキサゾアゾールの代りにｐ−ジエチルアミノベン
ズアルデヒド−（シンエニルヒドラゾン）を１更用した
こと以外は実施汐０２６〜６ｕの十ノ幀および材料を＠
返した。下記に示され℃いるよ５に種々の皇の亀＃注入
賦与粒子、電荷輸送分子およびブロッキング１−を利用
した：゛亀荷注入賦与粒子と電荷鷲送分子両者の組会わ
せを利用したとぎに、実測残留′電圧は顕著に減少した
。いくつ力）の場合には、ブロッキング層を用いたグレ
ートとブロッキング層を用いないグレートの交錯した結
果が威＠された。
，４オキサゾアゾールの代りにｐ−ジエチルアミノベン
ズアルデヒド−（シンエニルヒドラゾン）を１更用した
こと以外は実施汐０２６〜６ｕの十ノ幀および材料を＠
返した。下記に示され℃いるよ５に種々の皇の亀＃注入
賦与粒子、電荷輸送分子およびブロッキング１−を利用
した：゛亀荷注入賦与粒子と電荷鷲送分子両者の組会わ
せを利用したとぎに、実測残留′電圧は顕著に減少した
。いくつ力）の場合には、ブロッキング層を用いたグレ
ートとブロッキング層を用いないグレートの交錯した結
果が威＠された。
実施例６ソ〜４Ｕ
Ｎ、ダーシフェニルーＮ、Ｎ’−ビス（５−メチルフェ
ニル） １ 、１’−ビフェニル−４，４′−シアミン
の代りにシーエチルカルバゾール−５−カルボアルデヒ
ド−１−メチル−１−フェニルヒＦラゾンを使用したこ
と以外は実施例８〜１４に関連して記載された手順およ
び材料を繰り返した。また、乾燥は室温で周囲条件下で
一晩中乾燥すること罠よって行われた。実施ｆｌＩ６ソ
では電荷輸送分子を使用しなかった。
ニル） １ 、１’−ビフェニル−４，４′−シアミン
の代りにシーエチルカルバゾール−５−カルボアルデヒ
ド−１−メチル−１−フェニルヒＦラゾンを使用したこ
と以外は実施例８〜１４に関連して記載された手順およ
び材料を繰り返した。また、乾燥は室温で周囲条件下で
一晩中乾燥すること罠よって行われた。実施ｆｌＩ６ソ
では電荷輸送分子を使用しなかった。
、７ ．６ＬＩＯ１０，５７５
４０４［Ｊ １．Ｕ ６．７ ＋７ ＋ＩＬＩＬＩ ［
，１＋ＩＬＩＵ、７ 、ＩＯ０，１０ 電荷注入賦与粒子と電荷輸送分子両者の組合わせによっ
て実測残留電圧はｗＡ著に減少した。
，１＋ＩＬＩＵ、７ 、ＩＯ０，１０ 電荷注入賦与粒子と電荷輸送分子両者の組合わせによっ
て実測残留電圧はｗＡ著に減少した。
実施例４１〜４４
強制エアオープンの代りに水銀、ＩＱ５０インチの圧力
の真受炉内で７５’Ｏ”ＩｅｌｆＪ２時間オーバーコー
ト層を乾燥したこと以外は実施ｆ１１８〜１４に関して
記載され℃いる手順および材料を繰返した。下記のよう
に種々の量の電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子がオリ用
された： 電荷注入賦与粒子と電荷輸送分子の組合わせを有するオ
ーバーコート層では、実測残留電圧の顕著な減少が観察
された。
の真受炉内で７５’Ｏ”ＩｅｌｆＪ２時間オーバーコー
ト層を乾燥したこと以外は実施ｆ１１８〜１４に関して
記載され℃いる手順および材料を繰返した。下記のよう
に種々の量の電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子がオリ用
された： 電荷注入賦与粒子と電荷輸送分子の組合わせを有するオ
ーバーコート層では、実測残留電圧の顕著な減少が観察
された。
カーボンブラック（モナーテ１３００）の代りにカーボ
ンブラック（ラヴエン５ＤＯ［Ｊ、コロンビアン・ケミ
カル社から入手できる）を使用し、そして室温で周囲条
件下で週末まで乾燥したこと以外は実施例４１〜４４に
関して記載された手順および材料を繰り返した。カーボ
ンブラックは約８３ ｍ２／１１の表面積（Ｎ２８．Ａ
、 ）、約２４ ｍμの粒子サイズ、約９５％の固定炭
素、およびキャボット社から供給されるその他のカーボ
ンブラックに比らべて尚い電気抵抗率を有していた。酸
性幅送分子を有する被膜と有ざない被膜が次のよプに比
較されている： 電荷輸送分子と゛電荷注入賦与粒子の組合わせでは、特
に実施例４６および４７に用いられている濃度の゛電荷
注入賦与粒子で、残留電圧の十分な減少が観察された。
ンブラック（ラヴエン５ＤＯ［Ｊ、コロンビアン・ケミ
カル社から入手できる）を使用し、そして室温で周囲条
件下で週末まで乾燥したこと以外は実施例４１〜４４に
関して記載された手順および材料を繰り返した。カーボ
ンブラックは約８３ ｍ２／１１の表面積（Ｎ２８．Ａ
、 ）、約２４ ｍμの粒子サイズ、約９５％の固定炭
素、およびキャボット社から供給されるその他のカーボ
ンブラックに比らべて尚い電気抵抗率を有していた。酸
性幅送分子を有する被膜と有ざない被膜が次のよプに比
較されている： 電荷輸送分子と゛電荷注入賦与粒子の組合わせでは、特
に実施例４６および４７に用いられている濃度の゛電荷
注入賦与粒子で、残留電圧の十分な減少が観察された。
また、実施例４５の負帯電でも比軟的低い残留゛電圧が
＠察された。実施例４７に記載された被膜の光透過率は
実施例６および４に記載され℃いる手順によつ℃測定さ
れたときｆＩ７８％であった。
＠察された。実施例４７に記載された被膜の光透過率は
実施例６および４に記載され℃いる手順によつ℃測定さ
れたときｆＩ７８％であった。
実施例５１〜５６
カーボンブラック（モナーチ１６ｏｏ）の代りにグラフ
ァイト粒子（ミクログラファイト／１６７８５；アスバ
リーグラファイトミルズ社から人手できる）を使用した
こと以外は実施例６９および４００手順および材料を繰
返した。製品カタログは０．８．０〜Ｕ、９ Ｕａｍ
Ａ、Ｐ、Ｄ、 （フィッシャー”ｊ７”／ ｉｔイザー
で測定したとき）の粉末度を表示し℃いたが、そのグラ
ファイトを柑いて潜られた分散物はグラファイトの大き
な粒子サイズの凝集体のために一様でなかった。平均粒
子サイズは約２μｍ〜約５μｍの範囲にあった。′電荷
輸送分子を有するオーバーコート組成物と葡さないオー
バーコート組成物との比較を、グラファイトの量を変動
させながら有った： 透過率は実施例１〜４に記載されている装置帖よび方法
を用いて測定された。電荷注入賦与粒子と電荷輸送分子
の組合わせを利用したときに残留電圧の大きな減少が観
察された。最良の結果は負帯電を用いて得られた。
ァイト粒子（ミクログラファイト／１６７８５；アスバ
リーグラファイトミルズ社から人手できる）を使用した
こと以外は実施例６９および４００手順および材料を繰
返した。製品カタログは０．８．０〜Ｕ、９ Ｕａｍ
Ａ、Ｐ、Ｄ、 （フィッシャー”ｊ７”／ ｉｔイザー
で測定したとき）の粉末度を表示し℃いたが、そのグラ
ファイトを柑いて潜られた分散物はグラファイトの大き
な粒子サイズの凝集体のために一様でなかった。平均粒
子サイズは約２μｍ〜約５μｍの範囲にあった。′電荷
輸送分子を有するオーバーコート組成物と葡さないオー
バーコート組成物との比較を、グラファイトの量を変動
させながら有った： 透過率は実施例１〜４に記載されている装置帖よび方法
を用いて測定された。電荷注入賦与粒子と電荷輸送分子
の組合わせを利用したときに残留電圧の大きな減少が観
察された。最良の結果は負帯電を用いて得られた。
グラファイト（ミクログラファイトＡ７８５ ）の代り
にフッ瀦化グラファイト粒子（フルオ日グラファイトＲ
Ｔ−１−１８；約１．６０−備の抵抗率を有する：ペン
パルト社から人手できる）を使用したこと以外は実施例
５１〜５６に関して記載された手順および材料を繰り返
した。電荷輸送分子を有する破機ａ組成物と有ざない被
覆性組成物は、電荷注入賦与粒子の址を変動させながら
、次のように比較された： 電荷輸送分子と亀荷庄人賦与粒子の組合わせでは残ｖＭ
電圧のかなりの減少が鋼祭された。最良の結果は負コロ
ナ帯電を用いて得られた。
にフッ瀦化グラファイト粒子（フルオ日グラファイトＲ
Ｔ−１−１８；約１．６０−備の抵抗率を有する：ペン
パルト社から人手できる）を使用したこと以外は実施例
５１〜５６に関して記載された手順および材料を繰り返
した。電荷輸送分子を有する破機ａ組成物と有ざない被
覆性組成物は、電荷注入賦与粒子の址を変動させながら
、次のように比較された： 電荷輸送分子と亀荷庄人賦与粒子の組合わせでは残ｖＭ
電圧のかなりの減少が鋼祭された。最良の結果は負コロ
ナ帯電を用いて得られた。
カーボンブラック（ラヴエン５０００）の代りにフッ素
化グラファイト（フルオログラファイトＲＪ−３−１５
１；ペンパルト社かも人手でき、２４６Ω−（３）の抵
抗率を侍する）を使用したこと以外は実施１＃！Ｉ ４
５〜５υの＋順および材料を繰り返した。電荷悔送分子
を督する破ｇｉ性組成物と有さない岐榎注組成物は、グ
ラファイトの皺を変動させなから、ドｄ己のように比較
され℃いる：電荷輛送分子と電荷注入賦与粒子の組合わ
せを含有１″る破膜では残留電圧の大きな減少が観察さ
れた。最良の結果は貴コロナ帝゛邂を用いて得られた。
化グラファイト（フルオログラファイトＲＪ−３−１５
１；ペンパルト社かも人手でき、２４６Ω−（３）の抵
抗率を侍する）を使用したこと以外は実施１＃！Ｉ ４
５〜５υの＋順および材料を繰り返した。電荷悔送分子
を督する破ｇｉ性組成物と有さない岐榎注組成物は、グ
ラファイトの皺を変動させなから、ドｄ己のように比較
され℃いる：電荷輛送分子と電荷注入賦与粒子の組合わ
せを含有１″る破膜では残留電圧の大きな減少が観察さ
れた。最良の結果は貴コロナ帝゛邂を用いて得られた。
実施例６９〜７４
７ツ累化グラフアイト（フルオログラファイトＲＪ−３
−１３１）の代りにフッ素化グラファイト（フルオログ
ラファイトＲＴ−４−１４Ａ；ペンパルト社から人手で
き、９Ｘ１０’Ω−ｃｍ （１）抵抗率を有し℃いる）
を使用したこと以外は実ｍ同６６〜６８の手順および材
料を繰り返した。亀荷輔送分子を有するものと何さない
ものとのオーバーコートは、グラファイトの４０）変動
をもつ℃、Ｆ記のように比較され℃いる： ′電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組会わせを一含有
する被膜では残留′電圧の大きな減少が観察された。最
良の結果は負コロナ帯電を用いて得られた。
−１３１）の代りにフッ素化グラファイト（フルオログ
ラファイトＲＴ−４−１４Ａ；ペンパルト社から人手で
き、９Ｘ１０’Ω−ｃｍ （１）抵抗率を有し℃いる）
を使用したこと以外は実ｍ同６６〜６８の手順および材
料を繰り返した。亀荷輔送分子を有するものと何さない
ものとのオーバーコートは、グラファイトの４０）変動
をもつ℃、Ｆ記のように比較され℃いる： ′電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組会わせを一含有
する被膜では残留′電圧の大きな減少が観察された。最
良の結果は負コロナ帯電を用いて得られた。
フッ累化グラファイト（フルオログラファイトＲ，ｒ−
１−１３１）の代りに二酸化クロム粒す（デュポン社か
ら人手できる）を使用したこと以外は実施例６６〜６８
の手順と材料を繰返した。
１−１３１）の代りに二酸化クロム粒す（デュポン社か
ら人手できる）を使用したこと以外は実施例６６〜６８
の手順と材料を繰返した。
電荷輸送分子を有する破覆註組成物と有さない被覆性組
成物は、酸付注人賦与粒子の量を変動させながら、仄の
ように比較された： 電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子のｍ会わせでは残留電
圧のかなりの減少が観祭された。最良の結果は負コロナ
帯電を用いて得られた。透過率はオーバーコートをポリ
エステルフィルム（マイラー；Ｌｌ、デュポン社から人
手できるバに適用した後で実施例１〜４に記載されてい
る装置および方法によつ℃測定された。
成物は、酸付注人賦与粒子の量を変動させながら、仄の
ように比較された： 電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子のｍ会わせでは残留電
圧のかなりの減少が観祭された。最良の結果は負コロナ
帯電を用いて得られた。透過率はオーバーコートをポリ
エステルフィルム（マイラー；Ｌｌ、デュポン社から人
手できるバに適用した後で実施例１〜４に記載されてい
る装置および方法によつ℃測定された。
実施例８１〜８６
Ｃｒ ０２粒子の代りにＦ”８３０４粒子（ウィリアム
ガマグネチツクオキシＰＭＯ−４２５＋２；チャス・ゾ
フイツツアー＆カンパニーの無機物、Ｍ科および金栖部
閂から人手できる）を使用したこと以外は実施例７５〜
８００手順と材料を繰り返した。′電荷輸送分子を膏す
る破機注組成物と有さない破覆注組成物は、電荷注入賦
与粒子の鴬を変動させながら、次のように比較された： ゛電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせでは残ｖ
１ｉ屯圧のかなりの減少が観察された。最良の結果は賀
コロ六帝亀を用い℃饅られた。透過率はオーバーコート
をポリエステルフィルム（マイラー；Ｅ！ｉ、１．デュ
ポン社から人手できる）、に適用した後で笑施汐Ｉ１１
〜４に記載されている装置および方法によつ℃測定され
た。
ガマグネチツクオキシＰＭＯ−４２５＋２；チャス・ゾ
フイツツアー＆カンパニーの無機物、Ｍ科および金栖部
閂から人手できる）を使用したこと以外は実施例７５〜
８００手順と材料を繰り返した。′電荷輸送分子を膏す
る破機注組成物と有さない破覆注組成物は、電荷注入賦
与粒子の鴬を変動させながら、次のように比較された： ゛電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせでは残ｖ
１ｉ屯圧のかなりの減少が観察された。最良の結果は賀
コロ六帝亀を用い℃饅られた。透過率はオーバーコート
をポリエステルフィルム（マイラー；Ｅ！ｉ、１．デュ
ポン社から人手できる）、に適用した後で笑施汐Ｉ１１
〜４に記載されている装置および方法によつ℃測定され
た。
実施例８７〜９２
Ｆ’ｅ３０４粒子の代りにＴｌＯ２粒子（チタノツクス
−２Ｕ ８１ ； Ｎ、Ｌ、インダストリーズ、ハイタ
クン、Ｎ、Ｊ、州から人中でき、その９９．９９％は４
４μｌｎ未満の粒子サイズを有する）を使用したこと以
外は実施例８１〜８６り手順と材料を株り返した。
−２Ｕ ８１ ； Ｎ、Ｌ、インダストリーズ、ハイタ
クン、Ｎ、Ｊ、州から人中でき、その９９．９９％は４
４μｌｎ未満の粒子サイズを有する）を使用したこと以
外は実施例８１〜８６り手順と材料を株り返した。
電荷輸送分子な自する岐覆注組成物と有さない被覆性組
成物は、電荷注入賦与粒子の鼠を変動させながら、次の
よ５に比較された： 電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせでは残留電
圧のかなりの減少が観察された。
成物は、電荷注入賦与粒子の鼠を変動させながら、次の
よ５に比較された： 電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせでは残留電
圧のかなりの減少が観察された。
実施例９６〜９８
Ｔ１０粒子の代りにＺｎＯ粒子（Ｈｃ−２５８；粒子サ
イズ約０．８μｍ１ニユ一シヤーシージンク社、ベツレ
ヘム、Ｐａ、から入手できる）を使用したこと以外は実
施例８７〜９２の手続および材料を繰返した。これ等粒
子は２０００ ｐ−日、ｊで圧縮されたときに１０”Ω
−鑞のオーダーの電気抵抗率を有している。電荷輸送分
子を有する被覆性組成物と有さない被覆性組成物は、電
荷注入賦与粒子の量を変動させながら、次のように比較
された：電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせで
は残留電圧のかなりの減少が観察された。
イズ約０．８μｍ１ニユ一シヤーシージンク社、ベツレ
ヘム、Ｐａ、から入手できる）を使用したこと以外は実
施例８７〜９２の手続および材料を繰返した。これ等粒
子は２０００ ｐ−日、ｊで圧縮されたときに１０”Ω
−鑞のオーダーの電気抵抗率を有している。電荷輸送分
子を有する被覆性組成物と有さない被覆性組成物は、電
荷注入賦与粒子の量を変動させながら、次のように比較
された：電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせで
は残留電圧のかなりの減少が観察された。
実施例９９〜１０５
フッ素化グラファイト粒子の代りにＭｏ８２粒子（セラ
ック−Ｍ−１１０４；約１ＰＬの平均粒子サイズを有し
、七うンク社、ミルウオーキー、Ｗｉｅ州から入手でき
る）を使用したこと以外は実施例５７〜６２に関して記
載されている手順と材料を繰り返した。電荷輸送分子を
有する被覆性組成物と有さない被覆性組成物は、電荷注
入賦与粒子の量を変動させながら、次のように比較され
た：電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせでは残
留電圧のかなｐの減少が観察された。最良の結果は負コ
ロナ帯′亀を用いて得られた。
ック−Ｍ−１１０４；約１ＰＬの平均粒子サイズを有し
、七うンク社、ミルウオーキー、Ｗｉｅ州から入手でき
る）を使用したこと以外は実施例５７〜６２に関して記
載されている手順と材料を繰り返した。電荷輸送分子を
有する被覆性組成物と有さない被覆性組成物は、電荷注
入賦与粒子の量を変動させながら、次のように比較され
た：電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせでは残
留電圧のかなｐの減少が観察された。最良の結果は負コ
ロナ帯′亀を用いて得られた。
実施例１０６〜１１４
グラファイト粒子の代ＣＫシリコン粉末を使用したこと
以外は実施例５１〜５６に関して記載されている手順と
材料を繰シ返した。電荷注入賦与粒子の量を変動させな
がら、電荷輸送分子を有する被覆性組成物と有さない被
覆性組成物を、さらに電荷輸送分子も電荷注入賦与粒子
も有さない被覆性組成物を下記に比較している： ｒ−、ｈ トｈ １％ ｌ’、 ｋ ＋’−，Ｉ’。
以外は実施例５１〜５６に関して記載されている手順と
材料を繰シ返した。電荷注入賦与粒子の量を変動させな
がら、電荷輸送分子を有する被覆性組成物と有さない被
覆性組成物を、さらに電荷輸送分子も電荷注入賦与粒子
も有さない被覆性組成物を下記に比較している： ｒ−、ｈ トｈ １％ ｌ’、 ｋ ＋’−，Ｉ’。
＋ ・ 十 拳 ＋ 、 ＋ ・ ＋
Ｃ１００００
電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせでは残留電
圧のかなりの減少が観察された。実施例１１３において
、電荷権送分子も電荷注入賦与粒子も有さない組成物に
ついての帯電量と残留電圧はかかる添加剤を有さない被
膜の絶縁特性を示している。最良の結果は負コロナ帯電
を用いて得られた。
圧のかなりの減少が観察された。実施例１１３において
、電荷権送分子も電荷注入賦与粒子も有さない組成物に
ついての帯電量と残留電圧はかかる添加剤を有さない被
膜の絶縁特性を示している。最良の結果は負コロナ帯電
を用いて得られた。
実施例１１５〜１１７
カーボンブラック粒子の代シに、表面の約７０チがシラ
ン処理されているコロイド状シリカ粒子（アエロジルｎ
−９７２ｓデグサ社、テテルボロ、Ｎ、Ｊ、州から入手
できる）使用したこと以外は実施例１〜４に関して記載
されている手順と材料を繰υ返した。アエロジルＲ−９
７２の電気抵抗率は製造元のデータシートによれば約５
０〜約６５ｋｇ ／ ｍ３の充填密度で約１０Ｘ１０”
ｎ−儂であった。ポリカーボネート樹脂の重量に対して
約４０重量％のジアミンと種々の量の電荷注入賦与粒子
を有する被覆性組成物は以下に比較されている：、７
．９７５ １．５ ．９３０ １１６ ４０ ７．３ 、＋７ ＋２２０ ２５ ＋１
８０．７ ．１００ ２０ ．８０ 電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせでは残留電
圧のかなυの減少が観察された。最良の結果は負コロナ
帯電を用いて得られた。実施例１１６および１１７の被
膜は透明ポリエステルウェブ上の被膜として実験された
ときに不透明であった。
ン処理されているコロイド状シリカ粒子（アエロジルｎ
−９７２ｓデグサ社、テテルボロ、Ｎ、Ｊ、州から入手
できる）使用したこと以外は実施例１〜４に関して記載
されている手順と材料を繰υ返した。アエロジルＲ−９
７２の電気抵抗率は製造元のデータシートによれば約５
０〜約６５ｋｇ ／ ｍ３の充填密度で約１０Ｘ１０”
ｎ−儂であった。ポリカーボネート樹脂の重量に対して
約４０重量％のジアミンと種々の量の電荷注入賦与粒子
を有する被覆性組成物は以下に比較されている：、７
．９７５ １．５ ．９３０ １１６ ４０ ７．３ 、＋７ ＋２２０ ２５ ＋１
８０．７ ．１００ ２０ ．８０ 電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせでは残留電
圧のかなυの減少が観察された。最良の結果は負コロナ
帯電を用いて得られた。実施例１１６および１１７の被
膜は透明ポリエステルウェブ上の被膜として実験された
ときに不透明であった。
実施例１１８〜１２２
実施例１１９と１２０においてはカーボンブラック粒子
の代υに、炭素原子８個のシランで処理されているコロ
イド状シリカ粒子（アエロジルＲ−ＳＯＳ；デグサ社、
テテルボロ、Ｎ、Ｊ、州から入手できる）を使用し、そ
して実施例１２１と１２２においてはカーボンブラック
粒子の代りに、表面の約９０〜９５％が６官能価シラン
で処理されているコロイド状シリカ粒子（アエロジルＲ
−８１２；デグサ社、テテルポロ、Ｎ、Ｊ、州から入手
できる）を使用したこと以外は実施例１〜４に関して記
載されている手順および材料を繰シ返した。ポリカーボ
ネート樹脂の重量に対して約４０重量−のジアミンと種
々の量の電荷注入賦与粒子を有する被覆性組成物は以下
に比較されている：、７ ＞、１’０００ ５ ．９９
５ １１９ ４０ ８．７ ＋７ ＋２５０ ４０ ＋１８
０．７ ．１５０ ３０ ．１００ １２０、５０ １１．７ ＋７ ＋８０ １８ ＋６０
．７ ．４０ １０ ．２５ １２１ ４０ ６．７ ＋７ ＋３４０ ４０ ＋２７
０．７ ．２８０ ４０ ．２１０ 電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせでは残留電
圧のかなりの減少が観察された。最良の結果は負コロナ
帯電を用いて得られた。実施例１２０と１２２の被膜は
非常に白かった。
の代υに、炭素原子８個のシランで処理されているコロ
イド状シリカ粒子（アエロジルＲ−ＳＯＳ；デグサ社、
テテルボロ、Ｎ、Ｊ、州から入手できる）を使用し、そ
して実施例１２１と１２２においてはカーボンブラック
粒子の代りに、表面の約９０〜９５％が６官能価シラン
で処理されているコロイド状シリカ粒子（アエロジルＲ
−８１２；デグサ社、テテルポロ、Ｎ、Ｊ、州から入手
できる）を使用したこと以外は実施例１〜４に関して記
載されている手順および材料を繰シ返した。ポリカーボ
ネート樹脂の重量に対して約４０重量−のジアミンと種
々の量の電荷注入賦与粒子を有する被覆性組成物は以下
に比較されている：、７ ＞、１’０００ ５ ．９９
５ １１９ ４０ ８．７ ＋７ ＋２５０ ４０ ＋１８
０．７ ．１５０ ３０ ．１００ １２０、５０ １１．７ ＋７ ＋８０ １８ ＋６０
．７ ．４０ １０ ．２５ １２１ ４０ ６．７ ＋７ ＋３４０ ４０ ＋２７
０．７ ．２８０ ４０ ．２１０ 電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせでは残留電
圧のかなりの減少が観察された。最良の結果は負コロナ
帯電を用いて得られた。実施例１２０と１２２の被膜は
非常に白かった。
実施例１２６〜１２５
電荷輸送分子を含有しない被膜に、炭素原子８個のシラ
ンで処理されたコロイド状シリカ粒子（アエロジルＲ−
８０５）、表面の約７０％が一シランで処理されている
コロイド状シリカ粒子（アエロジルＲ−９７２）、また
は表面の約９０〜９５チが６官能価シランで処理されて
いるコロイド状シリカ粒子（アエロジルＲ−８１２）を
約４０重量％含有する被覆性組成物を用いたこと以外は
実施例１１８〜１２２に関して記載した手順および材料
を繰り返した。これ等被覆性組成物は以下に比較されて
いる： 、７ 、．７１０ ７０ ．６０Ｄ Ｉ２４ Ｒ９７２６，ろ ＋７ ＋８８０ ７０ ＋７
８０．７ ．８５０ ７０ ．７００ １２５ Ｒ８１２７，０＋７ ＞１［［１０、＞１００
０．７ ＞、１０００ 、＞、１０００ 元の帯電量と残留電圧との差は実施例１２６と１２４で
はわずかであり、そして実施例１２５では無視できた。
ンで処理されたコロイド状シリカ粒子（アエロジルＲ−
８０５）、表面の約７０％が一シランで処理されている
コロイド状シリカ粒子（アエロジルＲ−９７２）、また
は表面の約９０〜９５チが６官能価シランで処理されて
いるコロイド状シリカ粒子（アエロジルＲ−８１２）を
約４０重量％含有する被覆性組成物を用いたこと以外は
実施例１１８〜１２２に関して記載した手順および材料
を繰り返した。これ等被覆性組成物は以下に比較されて
いる： 、７ 、．７１０ ７０ ．６０Ｄ Ｉ２４ Ｒ９７２６，ろ ＋７ ＋８８０ ７０ ＋７
８０．７ ．８５０ ７０ ．７００ １２５ Ｒ８１２７，０＋７ ＞１［［１０、＞１００
０．７ ＞、１０００ 、＞、１０００ 元の帯電量と残留電圧との差は実施例１２６と１２４で
はわずかであり、そして実施例１２５では無視できた。
これは明らかに電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合
わせの相乗効果を立証するものである。
わせの相乗効果を立証するものである。
実施例１２６〜１６１
ポリカーボネート樹脂（マクロロン５７０５；モベイ・
ケミカル社から入手できる）、ポリカーボネート樹脂の
重量に対して約９４Ｍ量チの塩化メチレン、ポリカーボ
ネート樹脂の全重量に対して約４０重量−〇Ｎ 、 Ｎ
’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（６−メチルフェニル
）１．１’−ビフェニル−４、４’−ジアミンおよび種
々の濃度の、インジウム−錫酸化物混合物の粒子を、ロ
ールミルで４８時間混合することによって種々の被覆性
組成物バッチを調製した。インジウム−錫酸化物混合物
の粒子の添加量はポリカーボネート樹脂とＮ。
ケミカル社から入手できる）、ポリカーボネート樹脂の
重量に対して約９４Ｍ量チの塩化メチレン、ポリカーボ
ネート樹脂の全重量に対して約４０重量−〇Ｎ 、 Ｎ
’−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（６−メチルフェニル
）１．１’−ビフェニル−４、４’−ジアミンおよび種
々の濃度の、インジウム−錫酸化物混合物の粒子を、ロ
ールミルで４８時間混合することによって種々の被覆性
組成物バッチを調製した。インジウム−錫酸化物混合物
の粒子の添加量はポリカーボネート樹脂とＮ。
Ｎ′−ジフェニル−Ｎ、、Ｎ’−ビス（６−メチルフェ
ニル）１．１’−ビフェニル−４，４′−ジアミンを合
わせた全体の重量に対するものであった。実施例１２６
〜１２８におけるインジウムと酸化錫の混合物の粒子（
タイ７°５５８２／１）は約 、粒子サイズを有してお
り、そして実施例１２９〜１６１におけるインジウムと
酸化錫の混合物の粒子（タイプ５５８２／２）は約０．
１５Ω−儂の抵抗率と約１．９２μｍのＡＰＳフィッシ
ャー粒子サイズを有していた。材料（バインダー、電荷
注入賦与粒子および電荷輸送分子）は９關ガラスピーズ
を半分充填した４オンスガラスジヤーに入れてツートン
・ケミカル・プロセス・ゾロダクツ・デビジョン・ロー
ルミル上に置いた。この被覆性組成物は乾燥時に表に列
挙されている被覆厚になるような湿潤及膜厚を付着させ
るために２ミル間隙の塗布バーを具備したガードナード
ローバ−コーター（パシフィック・サイエンティフィッ
クから入手できる）によってブラシ粗面化アルミニウム
シートに適用され、そして周囲温度で一晩乾燥されて付
着被膜全体に一様に分散された種々濃度のインジウム−
錫酸化物粒子と共にポリカーボネート樹脂バインダー中
に溶解されたジアミンを含有する被膜を形成した。
ニル）１．１’−ビフェニル−４，４′−ジアミンを合
わせた全体の重量に対するものであった。実施例１２６
〜１２８におけるインジウムと酸化錫の混合物の粒子（
タイ７°５５８２／１）は約 、粒子サイズを有してお
り、そして実施例１２９〜１６１におけるインジウムと
酸化錫の混合物の粒子（タイプ５５８２／２）は約０．
１５Ω−儂の抵抗率と約１．９２μｍのＡＰＳフィッシ
ャー粒子サイズを有していた。材料（バインダー、電荷
注入賦与粒子および電荷輸送分子）は９關ガラスピーズ
を半分充填した４オンスガラスジヤーに入れてツートン
・ケミカル・プロセス・ゾロダクツ・デビジョン・ロー
ルミル上に置いた。この被覆性組成物は乾燥時に表に列
挙されている被覆厚になるような湿潤及膜厚を付着させ
るために２ミル間隙の塗布バーを具備したガードナード
ローバ−コーター（パシフィック・サイエンティフィッ
クから入手できる）によってブラシ粗面化アルミニウム
シートに適用され、そして周囲温度で一晩乾燥されて付
着被膜全体に一様に分散された種々濃度のインジウム−
錫酸化物粒子と共にポリカーボネート樹脂バインダー中
に溶解されたジアミンを含有する被膜を形成した。
電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせでは残留電
圧のかなシの減少が観察された。最良の結果は負コロナ
帯電を用いて得られた。
圧のかなシの減少が観察された。最良の結果は負コロナ
帯電を用いて得られた。
実施例１６２〜１６７
被覆性組成物が電荷輸送分子を含有しないこと以外は実
施例１２６〜１６１に関して記載した手順および材料を
繰や返した。実施例１６２〜１６４におけるインジウム
−錫酸化物混合物の粒子は約０．６Ω−のの抵抗率を有
し、そして実施例１３５〜１６７におけるインジウム−
錫酸化物混合物の粒子は約０．１５Ω−鑞の抵抗率を有
していた。これ等被覆性組成物は以下に比較されている
：元の帯電量と残留電圧との差は実施例１６２〜１６６
ではわずかであり、そして実施例１６７では無視できた
。実施例１１６のように電荷輸送分子と電荷注入賦与粒
子を含有し７ない被膜の電圧の低下は明らかに電荷輸送
分子と電荷注入賦与粒子の組合わせの相乗効果を立証す
るものである。
施例１２６〜１６１に関して記載した手順および材料を
繰や返した。実施例１６２〜１６４におけるインジウム
−錫酸化物混合物の粒子は約０．６Ω−のの抵抗率を有
し、そして実施例１３５〜１６７におけるインジウム−
錫酸化物混合物の粒子は約０．１５Ω−鑞の抵抗率を有
していた。これ等被覆性組成物は以下に比較されている
：元の帯電量と残留電圧との差は実施例１６２〜１６６
ではわずかであり、そして実施例１６７では無視できた
。実施例１１６のように電荷輸送分子と電荷注入賦与粒
子を含有し７ない被膜の電圧の低下は明らかに電荷輸送
分子と電荷注入賦与粒子の組合わせの相乗効果を立証す
るものである。
実施例１６８〜１７４
インジウム−錫酸化物混合物の代りにｓｎ／ｓｂ重量比
８Ｖ１５の５ｎ０２／ Ｅｉｂ２０３顔料（三菱金属か
ら入手できる）を使用したこと以外は実施例１２６〜１
６１に関して記載した手順および材料を繰り返した。ポ
リカーボネート樹脂の重量に対して種々の量のジアミン
を含有する被覆性組成物は、オーバーコート厚を変動さ
せて、以下に比較されている： Ｃ１０００００℃ロ ロｏ ｏＯ １’−ｂｌＳ＋Ｉ−ｂＮｌ’ｓト＋’ｂｋ 、ｒ−ｓｌ
’ｂ ｋｒ−ｓ＋ φ ＋ −＋ ・ ＋ ・ ＋ ―
＋−の の の ＣＤ ０ ０ ０ Ｃ１０Ｃ１００ （イ） 寸 寸 寸 ヘ ヘ ヘ０ り口 ヘヘ Ｃ１Ｃ） Ｌｌ”） Ｃ） −Ｃ）
−−１１ １７′）０ ００ ００ 拳 −へ０Ｉ７）Ｏの ｈ
寸 ｈ 寸 の へ ヘ ヘ Ｏの ■ ０（イ） ００ １ｊ’）Ｃ１叩ＯＯＯの０ ０旧Ｎ の ０ ０ ０ ０ ０ ０ 実施例１６８〜１６４における電荷輸送分子と′電荷注
入賦与粒子の組合わせでは、電荷輸送分子または電荷注
入賦与粒子のどちらかを除いた実施例１６５〜１７４と
比らべて、帯電量と残留電圧のかなりの低下が観察され
た。最良の結果は負コロナ帯電を用いて観察された。
８Ｖ１５の５ｎ０２／ Ｅｉｂ２０３顔料（三菱金属か
ら入手できる）を使用したこと以外は実施例１２６〜１
６１に関して記載した手順および材料を繰り返した。ポ
リカーボネート樹脂の重量に対して種々の量のジアミン
を含有する被覆性組成物は、オーバーコート厚を変動さ
せて、以下に比較されている： Ｃ１０００００℃ロ ロｏ ｏＯ １’−ｂｌＳ＋Ｉ−ｂＮｌ’ｓト＋’ｂｋ 、ｒ−ｓｌ
’ｂ ｋｒ−ｓ＋ φ ＋ −＋ ・ ＋ ・ ＋ ―
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−−１１ １７′）０ ００ ００ 拳 −へ０Ｉ７）Ｏの ｈ
寸 ｈ 寸 の へ ヘ ヘ Ｏの ■ ０（イ） ００ １ｊ’）Ｃ１叩ＯＯＯの０ ０旧Ｎ の ０ ０ ０ ０ ０ ０ 実施例１６８〜１６４における電荷輸送分子と′電荷注
入賦与粒子の組合わせでは、電荷輸送分子または電荷注
入賦与粒子のどちらかを除いた実施例１６５〜１７４と
比らべて、帯電量と残留電圧のかなりの低下が観察され
た。最良の結果は負コロナ帯電を用いて観察された。
実施例１７５〜１８５
キャボット社から入手できるカーボンブラック（モナー
チ１３００）、塩化メチレン、種々のバインダー、およ
び種々の輸送添加剤をロールミル内で４８時間混合する
こと忙よって種々の被覆性組成物バッチを調製した。バ
インダーと輸送添加剤を合わせた全重量に対して約１重
ｉｔ％のカーボンブラックが添加された。このカーボン
ブラックは約５６０１ｒＬ”／ｉの表ｌ１ｉｉｌｉ槓（
Ｎ２Ｓ、Ａ、）、約１６ｍμの粒子サイズ、約９０．５
％の固定炭素、およびキャボット社から供給されたその
他のカーボンブラックに比らべて中位の電気抵抗率を有
していた。エルバサイ）２０４６はＬ １．デュポンド
ヌムール社から入手できるΩ−ブチル／インゾチ今メタ
クリレート（５０１５０重量部）共重合体であり：エチ
ルセルロースはハーキュルズ社から入手できるタイプ１
０であり； ＶＹＮ８−３はユニオンカーバイド社から
入手できる塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体であり；
ｇＡＢｌ ７１−２はイーストマンコダック社から入手
できる酢酪酸セルロースであす；ルストレツクスＨｙ−
７７７はモンサント社から入手できるポリスチレンであ
り；プリオライド８８Ｄはグツドイヤータイヤ＆ラバー
社から入手できるスチレンブタジェン共重合体であり；
プリオライドＡＣ−Ｌはグツドイヤータイヤ＆ラバー社
から入手できるスチレンアクリレート共重合体であり；
シリオライドＶＴ’ Ｌはグツドイヤータイヤ＆ラバー
社から入手できるビニルトルエンシタジエン共重合体で
あり； ＵＤＥＬ ｐ １７００はユニオンカーバイド
社から入手できるポリスルホンであり；シリオライドＶ
ＴＡＣ−Ｌはグツドイヤータイヤ＆ラバー社から入手で
きるビニルトルエンシタジエン共重合体であり；および
アーデルＤ−１００はユニオンカーバイド社から入手で
きるポリアクリレートである。輸送添加剤Ａは２，５−
ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３゜４−オ
キテジデールであり、輸送添加剤ＢはＮ。
チ１３００）、塩化メチレン、種々のバインダー、およ
び種々の輸送添加剤をロールミル内で４８時間混合する
こと忙よって種々の被覆性組成物バッチを調製した。バ
インダーと輸送添加剤を合わせた全重量に対して約１重
ｉｔ％のカーボンブラックが添加された。このカーボン
ブラックは約５６０１ｒＬ”／ｉの表ｌ１ｉｉｌｉ槓（
Ｎ２Ｓ、Ａ、）、約１６ｍμの粒子サイズ、約９０．５
％の固定炭素、およびキャボット社から供給されたその
他のカーボンブラックに比らべて中位の電気抵抗率を有
していた。エルバサイ）２０４６はＬ １．デュポンド
ヌムール社から入手できるΩ−ブチル／インゾチ今メタ
クリレート（５０１５０重量部）共重合体であり：エチ
ルセルロースはハーキュルズ社から入手できるタイプ１
０であり； ＶＹＮ８−３はユニオンカーバイド社から
入手できる塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体であり；
ｇＡＢｌ ７１−２はイーストマンコダック社から入手
できる酢酪酸セルロースであす；ルストレツクスＨｙ−
７７７はモンサント社から入手できるポリスチレンであ
り；プリオライド８８Ｄはグツドイヤータイヤ＆ラバー
社から入手できるスチレンブタジェン共重合体であり；
プリオライドＡＣ−Ｌはグツドイヤータイヤ＆ラバー社
から入手できるスチレンアクリレート共重合体であり；
シリオライドＶＴ’ Ｌはグツドイヤータイヤ＆ラバー
社から入手できるビニルトルエンシタジエン共重合体で
あり； ＵＤＥＬ ｐ １７００はユニオンカーバイド
社から入手できるポリスルホンであり；シリオライドＶ
ＴＡＣ−Ｌはグツドイヤータイヤ＆ラバー社から入手で
きるビニルトルエンシタジエン共重合体であり；および
アーデルＤ−１００はユニオンカーバイド社から入手で
きるポリアクリレートである。輸送添加剤Ａは２，５−
ビス（４−ジエチルアミノフェニル）−１，３゜４−オ
キテジデールであり、輸送添加剤ＢはＮ。
Ｎ′−ジフェニル−Ｎ 、 Ｎ’−ビス（３−メチルフ
ェニル）１．１’−ビフェニル−４，４′−ジアミンで
あり、そして輸送添加剤Ｃはビス（４−ジエチルアミノ
ル２−メチルフェニル）フェニルメタンｔある。材料（
バインダー、電荷注入賦与粒子および電荷輸送分子）
Ｉｔ′！、９ ＊ｔｘガラスピーズを半分充填した４オ
ンスがラスシャーに入れてツートン・ケミカル・グロセ
ス・プロダクツ・デビジョン・ロールミル上に置いた。
ェニル）１．１’−ビフェニル−４，４′−ジアミンで
あり、そして輸送添加剤Ｃはビス（４−ジエチルアミノ
ル２−メチルフェニル）フェニルメタンｔある。材料（
バインダー、電荷注入賦与粒子および電荷輸送分子）
Ｉｔ′！、９ ＊ｔｘガラスピーズを半分充填した４オ
ンスがラスシャーに入れてツートン・ケミカル・グロセ
ス・プロダクツ・デビジョン・ロールミル上に置いた。
この被覆性組成物は乾燥時に表に列挙されている被覆厚
になるような湿潤皮膜厚を付着させるために２ミル間隙
の塗布バーを具備したガードナードローバ−コーター（
パシフィック・サイエンティフィックから入手できる）
によってブラシ粗面化アルミニウムシートに適用され、
そして約１．００″Ｃの強制エアオーブン内で１時間乾
燥されて被膜を形成した。コーテッＶアルミニウムシー
トについての物理的および電気的試験の結果は以下に記
載されている： ＬＯＣＩ Ｌｊ”）へ Ｏへ Ｌｎｌｊ”） ＬＯＯＬ
ｆｌＯ？−ｒへ ＧＱ Ｉｆｌ ｌｆｌ ｏ ｌｌ１１□−ｒ ｒ 「
１ 電荷輸送分子、バインダーおよび電荷注入賦与粒子の種
々の組合わせでは残留電圧のかなりの減少が観察された
。一般に、最良の結果は負コロナ帯電を用いて得られた
。
になるような湿潤皮膜厚を付着させるために２ミル間隙
の塗布バーを具備したガードナードローバ−コーター（
パシフィック・サイエンティフィックから入手できる）
によってブラシ粗面化アルミニウムシートに適用され、
そして約１．００″Ｃの強制エアオーブン内で１時間乾
燥されて被膜を形成した。コーテッＶアルミニウムシー
トについての物理的および電気的試験の結果は以下に記
載されている： ＬＯＣＩ Ｌｊ”）へ Ｏへ Ｌｎｌｊ”） ＬＯＯＬ
ｆｌＯ？−ｒへ ＧＱ Ｉｆｌ ｌｆｌ ｏ ｌｌ１１□−ｒ ｒ 「
１ 電荷輸送分子、バインダーおよび電荷注入賦与粒子の種
々の組合わせでは残留電圧のかなりの減少が観察された
。一般に、最良の結果は負コロナ帯電を用いて得られた
。
実施例１８６〜１９８
輸送添加剤Ａ、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェ
ニル）−１，３，４−オキサジゾール；輸送添加剤Ｂ、
Ｎ、Ｎ’−ゾフェニルーＮ 、 Ｎ’−ビス（３−メチ
ルフェニル＞ １ 、１’−ピフェニル−４，４′−ジ
アミン；または輸送添加剤Ｃ１ビス（４−ジエチルアミ
ノ−２−メチルフェニル）フェニルメタンを含有せずに
、ブラシ粗面化アルミニウムシート上に被膜を形成する
ために、実施例１７５〜１８５に記載されている材料お
よび手順を繰り返した。これ等コーテッドシートについ
ての電気的測定は実施例１〜４に関連して先に記載され
た手順および装置を用いて行われた。これ等試験の結果
は以下に示されている： 対応実施例１７５〜１８５と比らべたときの輸送化合物
を含有しない実施例１８６〜１９６における被膜の残留
電荷量の差は、電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合
わせからもたらされる残留電圧の顕著な低下を立証する
ものである。
ニル）−１，３，４−オキサジゾール；輸送添加剤Ｂ、
Ｎ、Ｎ’−ゾフェニルーＮ 、 Ｎ’−ビス（３−メチ
ルフェニル＞ １ 、１’−ピフェニル−４，４′−ジ
アミン；または輸送添加剤Ｃ１ビス（４−ジエチルアミ
ノ−２−メチルフェニル）フェニルメタンを含有せずに
、ブラシ粗面化アルミニウムシート上に被膜を形成する
ために、実施例１７５〜１８５に記載されている材料お
よび手順を繰り返した。これ等コーテッドシートについ
ての電気的測定は実施例１〜４に関連して先に記載され
た手順および装置を用いて行われた。これ等試験の結果
は以下に示されている： 対応実施例１７５〜１８５と比らべたときの輸送化合物
を含有しない実施例１８６〜１９６における被膜の残留
電荷量の差は、電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合
わせからもたらされる残留電圧の顕著な低下を立証する
ものである。
実施例１９７〜２０２
ペイントシェーカー（レッド争デビル・モデル４５１０
０Ｘ；レッド・デビル社、ユニオン、Ｎ、Ｊ、州から入
手できる）中で６．２順直径のステンレス鋼ショットに
よって約９０分間、ポリアクリル樹脂（アーデルＤ−１
００、ユニオンカーバイド社から入手できる）、ポリア
クリル樹脂の重量に対して約９４重量−の塩化メチノン
、ポリアクリル樹脂の全重量に対して約４０重量−〇Ｎ
。
０Ｘ；レッド・デビル社、ユニオン、Ｎ、Ｊ、州から入
手できる）中で６．２順直径のステンレス鋼ショットに
よって約９０分間、ポリアクリル樹脂（アーデルＤ−１
００、ユニオンカーバイド社から入手できる）、ポリア
クリル樹脂の重量に対して約９４重量−の塩化メチノン
、ポリアクリル樹脂の全重量に対して約４０重量−〇Ｎ
。
Ｎ′−ジフエモルーＮ 、 Ｎ’−ビス（６−メチルフ
ェニル＞ ｉ 、 ｉ’−ビフェニル−４，４′−シア
ミンおよび種々の濃度のバナジルフタルシアニル（ｖｐ
ａ ）顔料を混合することによって種々の被覆性組成物
バッチを調製した。バナジルフタロシアニン顔料粒子の
添加量はポリアクリル樹脂とＮ 、 Ｎ’−ジフエニル
ーＮ 、 Ｎ’−ビス（６−メチルフェニル）−１゜１
′−ビフェニル−４，４′−シアミンを合わせた全体の
重量に対するものであった。この被覆性組成物は乾燥時
に表に列挙されている被覆厚になるような湿潤炭膜厚を
付着させるために２ミル間隙の塗布バーを具備したガー
ドナードローバ−コーター（パシフィック・サイエンテ
ィフィックから入手できる）によってゾラシ粗面化アル
ミニウムシートに適用され、そして約１２０℃の強制エ
アオープン内で約１時間乾燥されて（存在するならば）
付着被膜全体に一様に分散された種々の濃度のバナジル
フタロシアニン顔料と共にポリアクリル樹脂バインダー
中に溶解されたシアミンを含有する被膜を形成した。被
覆されたアルミニウムシートについての物理的および電
気的試験の結果は以下に示されている： ０ い 的 ０ 唖 ■ ０ ■ 膿 ００Ｌｎ ｈ
寸 （く １９７ ２５ ７．５ ＋７ ＋１２５ ２３ ＋１０
２・７ ・６５ １０ ．５５ １９８ ２０ ６．０ ＋７ １４０ ２５ ＋１１５
．７ ．７０ １２ ・５８ １９９ １５ ６．５ ＋７ １６０ ３８ ＋１２２
．７ ．９８ ２３ ・７５ ２００ １０ ６．５ ＋７ ＋２１５ ３７ ＋１７
８．７ ．１２２ ２４ ．９８ ２０１ ５ ６．０ ＋７ ＋２５８ ４３ ＋２１５
．７ ．２０２ ４２ ・１６０ 被膜が電荷輸送分子と微細電荷注入賦与粒子の組合わせ
を含有した場合、得られる残留電圧は減少した。
ェニル＞ ｉ 、 ｉ’−ビフェニル−４，４′−シア
ミンおよび種々の濃度のバナジルフタルシアニル（ｖｐ
ａ ）顔料を混合することによって種々の被覆性組成物
バッチを調製した。バナジルフタロシアニン顔料粒子の
添加量はポリアクリル樹脂とＮ 、 Ｎ’−ジフエニル
ーＮ 、 Ｎ’−ビス（６−メチルフェニル）−１゜１
′−ビフェニル−４，４′−シアミンを合わせた全体の
重量に対するものであった。この被覆性組成物は乾燥時
に表に列挙されている被覆厚になるような湿潤炭膜厚を
付着させるために２ミル間隙の塗布バーを具備したガー
ドナードローバ−コーター（パシフィック・サイエンテ
ィフィックから入手できる）によってゾラシ粗面化アル
ミニウムシートに適用され、そして約１２０℃の強制エ
アオープン内で約１時間乾燥されて（存在するならば）
付着被膜全体に一様に分散された種々の濃度のバナジル
フタロシアニン顔料と共にポリアクリル樹脂バインダー
中に溶解されたシアミンを含有する被膜を形成した。被
覆されたアルミニウムシートについての物理的および電
気的試験の結果は以下に示されている： ０ い 的 ０ 唖 ■ ０ ■ 膿 ００Ｌｎ ｈ
寸 （く １９７ ２５ ７．５ ＋７ ＋１２５ ２３ ＋１０
２・７ ・６５ １０ ．５５ １９８ ２０ ６．０ ＋７ １４０ ２５ ＋１１５
．７ ．７０ １２ ・５８ １９９ １５ ６．５ ＋７ １６０ ３８ ＋１２２
．７ ．９８ ２３ ・７５ ２００ １０ ６．５ ＋７ ＋２１５ ３７ ＋１７
８．７ ．１２２ ２４ ．９８ ２０１ ５ ６．０ ＋７ ＋２５８ ４３ ＋２１５
．７ ．２０２ ４２ ・１６０ 被膜が電荷輸送分子と微細電荷注入賦与粒子の組合わせ
を含有した場合、得られる残留電圧は減少した。
実施例２０６〜２０８
Ｎ 、 Ｎ’−ジフェニル−Ｎ 、 Ｎ’−ビス（６−
メチルフェニル）１．１’−ビフェニル−４，４′−ジ
アミンを削除したこと以外は実施例８〜４に記載されて
いる手順を繰り返した。オーバーコーテッドアルミニウ
ムシートについての物理的および電気的試験の結果は以
下に示されている： ２０３ ２５ ６．０ ＋７ ＋８０ ３８ ＋４２．
７ ．２０ ２ ．１８ ２０４ ２０ ６．５ ＋７ １３８ ５６ ＋８２．
７ ．１０ １０ ．２５ ２０５ １５ ６．０ ＋７ ５３０ ６０ ＋４７０
．７ ．１００ ４２ ．５８ ２０６ １０ ６．５ ＋７ ＋６８０ １５ ＋６６
５．７ ．６２２ ３７ ．５８５ ２０７ ５ ７．０ ・＋７ ＋７４２ ４ ＋７３８
．７ ．７４２ ２２ ．７２０ ２０８ ０ ６．５ ＋７ ＋８１０ １０ ＋８００
．７ ．８９９ ２４ ．８７５ 対応実施例１９９〜２０２と比らべた時の輸送化合物を
含有しない実施例２０５〜２０８における被膜の残留電
荷量の差は電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせ
からもたらされる残留電圧の顕著な減少を立証するもの
である。実施例１９７と１９８に対応する実施例２０６
と２０４は残留電圧、が殆んど減少していないが、それ
は電荷輸送材料として機能するｖｐｃ顔料のせいである
。この顔料は可視およびＩＲ領領域わたる光線を吸収す
るので、顔料電荷輸送が支配的になる濃度では被膜は不
透明である。
メチルフェニル）１．１’−ビフェニル−４，４′−ジ
アミンを削除したこと以外は実施例８〜４に記載されて
いる手順を繰り返した。オーバーコーテッドアルミニウ
ムシートについての物理的および電気的試験の結果は以
下に示されている： ２０３ ２５ ６．０ ＋７ ＋８０ ３８ ＋４２．
７ ．２０ ２ ．１８ ２０４ ２０ ６．５ ＋７ １３８ ５６ ＋８２．
７ ．１０ １０ ．２５ ２０５ １５ ６．０ ＋７ ５３０ ６０ ＋４７０
．７ ．１００ ４２ ．５８ ２０６ １０ ６．５ ＋７ ＋６８０ １５ ＋６６
５．７ ．６２２ ３７ ．５８５ ２０７ ５ ７．０ ・＋７ ＋７４２ ４ ＋７３８
．７ ．７４２ ２２ ．７２０ ２０８ ０ ６．５ ＋７ ＋８１０ １０ ＋８００
．７ ．８９９ ２４ ．８７５ 対応実施例１９９〜２０２と比らべた時の輸送化合物を
含有しない実施例２０５〜２０８における被膜の残留電
荷量の差は電荷輸送分子と電荷注入賦与粒子の組合わせ
からもたらされる残留電圧の顕著な減少を立証するもの
である。実施例１９７と１９８に対応する実施例２０６
と２０４は残留電圧、が殆んど減少していないが、それ
は電荷輸送材料として機能するｖｐｃ顔料のせいである
。この顔料は可視およびＩＲ領領域わたる光線を吸収す
るので、顔料電荷輸送が支配的になる濃度では被膜は不
透明である。
実施例２０９
ニッケル基体、樹脂界面、および０．３６重量饅ヒ素と
１００ ｐｐｍ塩素と残余セレンのセレン合金からなる
セレン合金光受容体をビンクス吹付は塗布器忙よってブ
ロッキング層とオーバーコート組成物で被覆した。ブロ
ッキング層はジルコニウムアセチルラクトネート約１．
０ｇ、インゾロビルアルコール（ＩＰＡ） ４６８ ｇ
トインプチルアルコール１８０ｇの混合溶剤中に溶解
されたポリＣニルブチラール（シトパルＢ−７２；モン
サント社から入手できる）約１．０ｇを含有していた。
１００ ｐｐｍ塩素と残余セレンのセレン合金からなる
セレン合金光受容体をビンクス吹付は塗布器忙よってブ
ロッキング層とオーバーコート組成物で被覆した。ブロ
ッキング層はジルコニウムアセチルラクトネート約１．
０ｇ、インゾロビルアルコール（ＩＰＡ） ４６８ ｇ
トインプチルアルコール１８０ｇの混合溶剤中に溶解
されたポリＣニルブチラール（シトパルＢ−７２；モン
サント社から入手できる）約１．０ｇを含有していた。
ＩＰＡは約５重量％の水を含有していた。得られた乾燥
被膜厚は約０．０５μ専であった。ペイントシェーカー
（Ｖラドデビルモデル４５１００Ｘ；ンツドデビル社、
ユニオン、Ｎ、Ｊ、州から入手できる）で３．２朋直径
のステンレス鋼ショットを用いて約９０分間混合するこ
とによって調製されたオーバーコート即ち、０．２８ｇ
ブラックパールＬカーボンブラック、約０．０７．９フ
ルオラドＦＣ−４３０フルオロ力−ボン分散剤（３Ｍ社
製）、約１６．６ｇポリカーボネート樹脂（マクロロン
５７０５；モーペイケミカル社から入手できる）、約１
１．２９Ｎ、Ｎ’ −−ジフェニル−Ｎ 、 Ｎ’−ビ
ス（ローメチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４
，４′−アミン、および５２１ｇ塩化メチレンと５９３
．９１．１．２−トリクロロエタンからなる溶液４０．
９でブロッキング層を被覆した。乾燥された吹付は付着
オーバーコート層は約４μ扉の厚さを有していた。
被膜厚は約０．０５μ専であった。ペイントシェーカー
（Ｖラドデビルモデル４５１００Ｘ；ンツドデビル社、
ユニオン、Ｎ、Ｊ、州から入手できる）で３．２朋直径
のステンレス鋼ショットを用いて約９０分間混合するこ
とによって調製されたオーバーコート即ち、０．２８ｇ
ブラックパールＬカーボンブラック、約０．０７．９フ
ルオラドＦＣ−４３０フルオロ力−ボン分散剤（３Ｍ社
製）、約１６．６ｇポリカーボネート樹脂（マクロロン
５７０５；モーペイケミカル社から入手できる）、約１
１．２９Ｎ、Ｎ’ −−ジフェニル−Ｎ 、 Ｎ’−ビ
ス（ローメチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４
，４′−アミン、および５２１ｇ塩化メチレンと５９３
．９１．１．２−トリクロロエタンからなる溶液４０．
９でブロッキング層を被覆した。乾燥された吹付は付着
オーバーコート層は約４μ扉の厚さを有していた。
オーバーコートされた光受容体サンプルは定電流コロナ
帯電器によって帯電され、そのサンプルの電圧は０．５
秒後にチャート記録計で測定された。
帯電器によって帯電され、そのサンプルの電圧は０．５
秒後にチャート記録計で測定された。
そのサンプルはタングステンランプによって光放電され
、そしてその残留電圧は帯電から２．５秒後、露光から
０．１秒後に測定された。元の非コーテッド元受容体（
対照）のサンプルもまた同じように帯電されそして試験
された。オーバコーテッド光受容体と非オーバーコーテ
ッド光受容体の試験データを電荷受容（Ｄｖ。）および
光照射後残留電圧（ＤｖＲ）について比較した。オニバ
ーニーテッド光受容体のＶ。から非オーバコーテッド光
受容体の■。を差し引いた値即ちＤｖｏは１７０ｖであ
った。オーバーコーテッド光受容体のｖＲから非オーバ
ーコーテッド光受容体のｖＲを差し引いた値即ちＤｖＲ
はｉｏ、ｏｖであった。この比較はブロッキング層が電
荷注入を防止するのに有効であることを示している。さ
らに、電荷受容はオーバーコートによって増大されるの
で、そのデバイスは残留電圧の増大よりも７０Ｖ大きい
値に帯電された。
、そしてその残留電圧は帯電から２．５秒後、露光から
０．１秒後に測定された。元の非コーテッド元受容体（
対照）のサンプルもまた同じように帯電されそして試験
された。オーバコーテッド光受容体と非オーバーコーテ
ッド光受容体の試験データを電荷受容（Ｄｖ。）および
光照射後残留電圧（ＤｖＲ）について比較した。オニバ
ーニーテッド光受容体のＶ。から非オーバコーテッド光
受容体の■。を差し引いた値即ちＤｖｏは１７０ｖであ
った。オーバーコーテッド光受容体のｖＲから非オーバ
ーコーテッド光受容体のｖＲを差し引いた値即ちＤｖＲ
はｉｏ、ｏｖであった。この比較はブロッキング層が電
荷注入を防止するのに有効であることを示している。さ
らに、電荷受容はオーバーコートによって増大されるの
で、そのデバイスは残留電圧の増大よりも７０Ｖ大きい
値に帯電された。
フルオラドＦＣ−４３０の代りにシルウェットＬ−７５
００（ユニオンカーバイｒ社から入手できる）を分散剤
として使用したこと以外は実施例２０９に記載されてい
る手順を繰り返した。対照サンプルと比較したこのサン
プルの電気的測定はＤｖ。＝ ６０ ＶおよびＤＶＲ＝
４５ Ｖであツタ。この比較はオーバーコーテッド光
受容体が非オーバーコーテッド光受容体の帯電量より１
５Ｖ大きい電荷受容を有していたことを示している。
００（ユニオンカーバイｒ社から入手できる）を分散剤
として使用したこと以外は実施例２０９に記載されてい
る手順を繰り返した。対照サンプルと比較したこのサン
プルの電気的測定はＤｖ。＝ ６０ ＶおよびＤＶＲ＝
４５ Ｖであツタ。この比較はオーバーコーテッド光
受容体が非オーバーコーテッド光受容体の帯電量より１
５Ｖ大きい電荷受容を有していたことを示している。
実施例２１１
ブロッキング層を削除したこと以外は同じ材料を用いて
実施例２０９に記載されている手順を繰り返した。この
サンプルと対照サンプルの電気測定の比較はＤＶｏ＝
−４８０ＶおよびＤＶＲ−８５Ｖであった。この比較は
オーバーコーテッド光受容体が光受容体への電荷注入を
意味する非オーバーコーテッド光受容体の帯電量より５
６５■小さい電荷受容を有していたこと、およびブロッ
キング層がこの光受容体に電荷を捕獲するのに必要であ
ることを示している。
実施例２０９に記載されている手順を繰り返した。この
サンプルと対照サンプルの電気測定の比較はＤＶｏ＝
−４８０ＶおよびＤＶＲ−８５Ｖであった。この比較は
オーバーコーテッド光受容体が光受容体への電荷注入を
意味する非オーバーコーテッド光受容体の帯電量より５
６５■小さい電荷受容を有していたこと、およびブロッ
キング層がこの光受容体に電荷を捕獲するのに必要であ
ることを示している。
実施例２１２
ヒ素−塩素−セレン合金光受容体の代りにゼロックス２
８３０コピアからのセレン−テルル合金光受容体を使用
したこと以外は同じ材料を用いて実施例２０９に記載さ
れている千厘を繰り返したこのサンプルと対照サンプル
の電気測定の比較はＤＶｏ＝１００ＶおよびＤｖＲ＝６
０ｖであった。この比較はオーバーコーテッド光受容体
が非オーバーコーテッド光受容体の帯電量より４０Ｖ大
きい電荷受容を有していたことを示す。
８３０コピアからのセレン−テルル合金光受容体を使用
したこと以外は同じ材料を用いて実施例２０９に記載さ
れている千厘を繰り返したこのサンプルと対照サンプル
の電気測定の比較はＤＶｏ＝１００ＶおよびＤｖＲ＝６
０ｖであった。この比較はオーバーコーテッド光受容体
が非オーバーコーテッド光受容体の帯電量より４０Ｖ大
きい電荷受容を有していたことを示す。
実施例２１６
実施例２１２で記載したオーバーコーテッドドラムをゼ
ロックス２８６０コピアに装着して、５０％ＲＨと７０
゛Ｆの周囲の相対湿度・温度条件で数千コピー作製する
ようにサイクル操作した。
ロックス２８６０コピアに装着して、５０％ＲＨと７０
゛Ｆの周囲の相対湿度・温度条件で数千コピー作製する
ようにサイクル操作した。
得られたコピーはきれいで、背景部トナー付着を有さす
、７本／龍の解像力を有していた。８０％ＲＨと８０″
Ｉ？で試験を繰り返しても良好な鮮映な像が得られた。
、７本／龍の解像力を有していた。８０％ＲＨと８０″
Ｉ？で試験を繰り返しても良好な鮮映な像が得られた。
さらに、ドラム表面は全く引掻傷を有さす、そしてワイ
パーブレードクリーナーで容易にクリーニングされた。
パーブレードクリーナーで容易にクリーニングされた。
トナー像の転写効率も高く且つ完全であった。
実施例２１４
ヒ素−塩素−セレン合金元受容体の代りに多層光受容体
を使用したこと以外は同じ材料を用いて実施例２０９に
記載されている手順を繰り返した多層光受容体は次のよ
うにして製造された：まず、陽極酸化されたアルミニウ
ム基体上に、ポリカーボネート樹脂（メルロンＭ−３９
；モーベイケミカル社から入手できる）の全重量に対し
て３５重量饅のＮ 、 Ｎ’−ジフェニル−Ｎ 、 Ｎ
’−ビス（６−メチルフェニル）１．１’−ビフェニル
−４，４’−シアミンがポリカーボネート樹脂中に分散
されている輸送層を１５μｍ厚で形成した。その輸送層
上に１μｍ厚の発生層を形成した。発生層はポリエステ
ル樹脂（ＰＫ−１ｏｏ；グツドイヤータイヤ＆ラバー社
から入手できる）中に分散されたバナジルフタロシアニ
ン顔料粒子６０重量％を含有していた。ブロッキング層
厚は約０．０５μｍであり、そしてオーバーコート厚は
約６．９５μｍであつた。このサンプルと、非オーバー
コーテッド−多層光受容体の対照サンプルとの電気測定
の比較はＤＶ −−１８０ＶおよびＤＶＲ７４０Ｖであ
った。
を使用したこと以外は同じ材料を用いて実施例２０９に
記載されている手順を繰り返した多層光受容体は次のよ
うにして製造された：まず、陽極酸化されたアルミニウ
ム基体上に、ポリカーボネート樹脂（メルロンＭ−３９
；モーベイケミカル社から入手できる）の全重量に対し
て３５重量饅のＮ 、 Ｎ’−ジフェニル−Ｎ 、 Ｎ
’−ビス（６−メチルフェニル）１．１’−ビフェニル
−４，４’−シアミンがポリカーボネート樹脂中に分散
されている輸送層を１５μｍ厚で形成した。その輸送層
上に１μｍ厚の発生層を形成した。発生層はポリエステ
ル樹脂（ＰＫ−１ｏｏ；グツドイヤータイヤ＆ラバー社
から入手できる）中に分散されたバナジルフタロシアニ
ン顔料粒子６０重量％を含有していた。ブロッキング層
厚は約０．０５μｍであり、そしてオーバーコート厚は
約６．９５μｍであつた。このサンプルと、非オーバー
コーテッド−多層光受容体の対照サンプルとの電気測定
の比較はＤＶ −−１８０ＶおよびＤＶＲ７４０Ｖであ
った。
〇 −
この比較はオーバーコーテッド光受容体が非オーバーコ
ーテッド元受容体の電圧より約２２０■低い値に帯電さ
れたことを示している。これはブロッキング層中のピン
ホールまたは他の欠陥に帰着する積層光受容体上の不完
全被覆によるブロッキング層からのい（らかの電荷漏洩
のせいである。
ーテッド元受容体の電圧より約２２０■低い値に帯電さ
れたことを示している。これはブロッキング層中のピン
ホールまたは他の欠陥に帰着する積層光受容体上の不完
全被覆によるブロッキング層からのい（らかの電荷漏洩
のせいである。
実施例２１５
ブロッキング層の厚さが約０．１５μｍであったこと以
外は同じ材料を用いて実施例２１４に記載されている手
順を繰り返した。このサンプルと非オーバーコーテッド
多層元受容体の対照サンプルとの電気的測定の比較はＤ
Ｖ。＝９５■およびＤｖＲ＝５０■であった。この比較
は、ブロッキング層が十分な厚さ又は被覆量で適用され
るとブロッキング層がオーバーコートから積層光受容体
への電荷注入を有効に阻止すると云うことを示している
。
外は同じ材料を用いて実施例２１４に記載されている手
順を繰り返した。このサンプルと非オーバーコーテッド
多層元受容体の対照サンプルとの電気的測定の比較はＤ
Ｖ。＝９５■およびＤｖＲ＝５０■であった。この比較
は、ブロッキング層が十分な厚さ又は被覆量で適用され
るとブロッキング層がオーバーコートから積層光受容体
への電荷注入を有効に阻止すると云うことを示している
。
ヒ素−塩素一セレン合金光受容体の代りに多層光受容体
を使用したこと以外は同じ材料を用いて実施例２１１記
載の手順を繰り返した。多層光受容体は次のように作製
された：まず、陽極酸化されたアルミニウム基体上に、
ポリビニルカルバゾールバインダー中に分散された三方
晶系セレン粒子２０重量−を含有する１、２μｍ厚の発
生層を形成した。ポリカーボネート樹脂中に溶解された
、ポリカーボネート樹脂全重量に対して５０重量％のＮ
、 Ｎ’−ジフェニル−Ｎ 、 Ｎ’−ビス（６−メ
チルフェニル）１．１’−ビフェニル−４，４′−ジア
ミンの２０μｍ厚の輸送層を発生層上に形成した。
を使用したこと以外は同じ材料を用いて実施例２１１記
載の手順を繰り返した。多層光受容体は次のように作製
された：まず、陽極酸化されたアルミニウム基体上に、
ポリビニルカルバゾールバインダー中に分散された三方
晶系セレン粒子２０重量−を含有する１、２μｍ厚の発
生層を形成した。ポリカーボネート樹脂中に溶解された
、ポリカーボネート樹脂全重量に対して５０重量％のＮ
、 Ｎ’−ジフェニル−Ｎ 、 Ｎ’−ビス（６−メ
チルフェニル）１．１’−ビフェニル−４，４′−ジア
ミンの２０μｍ厚の輸送層を発生層上に形成した。
このサンプルと多層光受容体の非コーテッド対照サンプ
ルとの１気的測定の比較はＤＶｏ＝ −８０ＶおよびＤ
ｖＲ＝１０■であった。この比較はオーバーコーテッド
光受容体が非オーバーコーテッド元受容体の電圧より約
７０Ｖ低い値に帯電されると云うことを示している。こ
の場合、電荷受容の減少はオーバーコートから多層光受
容体の輸送層への注入賦与粒子の浸透のせいであり、そ
れによりオーバーコートの厚さは有効に増大し、そして
輸送層の厚さは減少した。
ルとの１気的測定の比較はＤＶｏ＝ −８０ＶおよびＤ
ｖＲ＝１０■であった。この比較はオーバーコーテッド
光受容体が非オーバーコーテッド元受容体の電圧より約
７０Ｖ低い値に帯電されると云うことを示している。こ
の場合、電荷受容の減少はオーバーコートから多層光受
容体の輸送層への注入賦与粒子の浸透のせいであり、そ
れによりオーバーコートの厚さは有効に増大し、そして
輸送層の厚さは減少した。
実施例２１７
実施例２１５に記載されている手順を同じ材料で繰り返
し、そしてこのサンプルのサイクル中での帯電および残
留電圧についての電気的測定を行った。サイクル中の帯
電および残留電圧は次の通りであった： １ ９００Ｖ ５０Ｖ １０ ９８０Ｖ １００Ｖ １００ １．０００’Ｖ １１０Ｖ １．０００ ９４０Ｖ １１ｆｆＶ １０．０００ ８２０Ｖ １００Ｖ これ等結果は電荷輸送分子と注入賦与粒子を含有するオ
ーバーコートを有する光受容体のサイクル中の帯電およ
び残留電圧の安定性を立証している。
し、そしてこのサンプルのサイクル中での帯電および残
留電圧についての電気的測定を行った。サイクル中の帯
電および残留電圧は次の通りであった： １ ９００Ｖ ５０Ｖ １０ ９８０Ｖ １００Ｖ １００ １．０００’Ｖ １１０Ｖ １．０００ ９４０Ｖ １１ｆｆＶ １０．０００ ８２０Ｖ １００Ｖ これ等結果は電荷輸送分子と注入賦与粒子を含有するオ
ーバーコートを有する光受容体のサイクル中の帯電およ
び残留電圧の安定性を立証している。
実施例２１８
９９．８％七Ｖンと０．２％ヒ素と２０１）９ｍドープ
塩素のセレン合金の約３μ厚の層を支持するアルミニウ
ム基体を有するセレン光受容体は、ポリカーボネート樹
脂（マクロロン；モーペイケミカル社から入手できる）
中に溶解された約４０重量％のＮ 、 Ｎ’−ジフェニ
ル−Ｎ 、 Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）１．１
’−ビフェニル−４，４′−ジアミンを含有する２０μ
ｍ厚の層でオーバーコートされた。同じようにして同じ
材料を用いて、しかしオーバーコート中にさらに約１重
量−のカーボンブラックモナーチ１３００（キャボット
社から入手できる）を含有する別のサンプルを作製した
。
塩素のセレン合金の約３μ厚の層を支持するアルミニウ
ム基体を有するセレン光受容体は、ポリカーボネート樹
脂（マクロロン；モーペイケミカル社から入手できる）
中に溶解された約４０重量％のＮ 、 Ｎ’−ジフェニ
ル−Ｎ 、 Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）１．１
’−ビフェニル−４，４′−ジアミンを含有する２０μ
ｍ厚の層でオーバーコートされた。同じようにして同じ
材料を用いて、しかしオーバーコート中にさらに約１重
量−のカーボンブラックモナーチ１３００（キャボット
社から入手できる）を含有する別のサンプルを作製した
。
オーバーコートの上面に電荷の発生部位を設けるために
両サンプルを９９％セレンと０．２％ヒ素と２０ｐｐｍ
ドープ塩素のセＶン合金層の別の薄い層で被覆した。こ
れ等サンプルはコロナ帯電によって付着させられた印加
電荷の１０％未満を放電させるパルス窒素レーず−から
の１ナノ秒未満のパルスで露光された。カーボンブラッ
ク粒子を含有しないサンプルは高電圧に帯電されそして
デバイス全体を通しての正孔走行はデバイス表面の電圧
をレーザーパルス後の時間の函数として測定すること（
通常、ゼログラフィツク飛翔時間と称されている手法）
によって容易に解明できた。
両サンプルを９９％セレンと０．２％ヒ素と２０ｐｐｍ
ドープ塩素のセＶン合金層の別の薄い層で被覆した。こ
れ等サンプルはコロナ帯電によって付着させられた印加
電荷の１０％未満を放電させるパルス窒素レーず−から
の１ナノ秒未満のパルスで露光された。カーボンブラッ
ク粒子を含有しないサンプルは高電圧に帯電されそして
デバイス全体を通しての正孔走行はデバイス表面の電圧
をレーザーパルス後の時間の函数として測定すること（
通常、ゼログラフィツク飛翔時間と称されている手法）
によって容易に解明できた。
オーバーコート層中にカーボンブラックを含有するサン
プルでは同じ帯電条件下で小さな電圧のみ現出し、そし
て走行時間（ｔｒａｎｓｉｔ ｔｉｍｅ ）信号は観察
できなかった。明白な走行時間信号の欠除は電荷が電荷
注入賦与粒子から２０μｍのオーバーコート層の内部全
体に注入されることを表わし、そしてさらにここに記載
されている内部輸送機構を立証するものである。レーデ
−発生電荷をより速いタイムスケールで解明することに
よって最上部の薄いセレン合金層中の輸送を測定したと
き、両サンプルにおいて同一の走行パルスが観察された
。従って、両サンプルにおいて上層のセレン合金層中に
現出した電界は同一であった。このように、電荷輸送分
子と′電荷注入賦与粒子の組合わせを含有する下層のｊ
−中に分布された電荷のために上層のセレン合金層には
外部電界は存在しない。云い換えると、電荷輸送分子と
電荷注入賦与粒子の組合わせを含有するオーバーコート
中には負の内部空間電荷が存在しなかった。この実施例
は連続的に分極、注入および正孔輸送させて電荷注入賦
与粒子に残る負電荷を表面に「わき上が」らせて表面で
コロナ付着電荷と再結合する輸送機構ビ証明するもので
ある。オーバーコート層内部に残った負電荷は最上部の
合金層内に別の電界を形成し、そして別の走行パルスを
生ずる。
プルでは同じ帯電条件下で小さな電圧のみ現出し、そし
て走行時間（ｔｒａｎｓｉｔ ｔｉｍｅ ）信号は観察
できなかった。明白な走行時間信号の欠除は電荷が電荷
注入賦与粒子から２０μｍのオーバーコート層の内部全
体に注入されることを表わし、そしてさらにここに記載
されている内部輸送機構を立証するものである。レーデ
−発生電荷をより速いタイムスケールで解明することに
よって最上部の薄いセレン合金層中の輸送を測定したと
き、両サンプルにおいて同一の走行パルスが観察された
。従って、両サンプルにおいて上層のセレン合金層中に
現出した電界は同一であった。このように、電荷輸送分
子と′電荷注入賦与粒子の組合わせを含有する下層のｊ
−中に分布された電荷のために上層のセレン合金層には
外部電界は存在しない。云い換えると、電荷輸送分子と
電荷注入賦与粒子の組合わせを含有するオーバーコート
中には負の内部空間電荷が存在しなかった。この実施例
は連続的に分極、注入および正孔輸送させて電荷注入賦
与粒子に残る負電荷を表面に「わき上が」らせて表面で
コロナ付着電荷と再結合する輸送機構ビ証明するもので
ある。オーバーコート層内部に残った負電荷は最上部の
合金層内に別の電界を形成し、そして別の走行パルスを
生ずる。
本開示を閲読した当業者にとっては本発明の他の変形例
が可能であろう。それ等は本発明の範囲に包含される。
が可能であろう。それ等は本発明の範囲に包含される。
第１図は光受容体を絶縁層でオーバーコートした場合の
電荷分布を表わす。 第２図はバインダー中に粒子を含有する導電層によって
オーバーコートされた光受容体を使用した場合の電荷分
布を表わす。 第６図は本発明のオーバーコート態様でオーバコートさ
れた光受容体を使用したときの電荷分布を表わす。 第４図は本発明のオーバーコート態様における電荷注入
賦与粒子の分極を表わす。 第５図は連続相輸送媒体に注入されそして電界によって
光受容体−オーバコート界面に移動させられた電荷を表
わす。 第６図は電荷注入賦与粒子からの放出によるオーバーコ
ート内部の空間電荷の緩和を表わす。 代理人 浅 村 皓 第１頁の続き ０発 明 者 マーチン エイ、アブ アメコーウイツ
ツ ン ［相］発明者 マーリン イー、シャ アメーフエ グ
リ リカ合衆国ニューヨーク州ウェブスター、ゲイトストサ
ークル １１９８ リカ合衆国ニューヨーク州ペンフィールド、バレー一ン
ドライブ ２７３
電荷分布を表わす。 第２図はバインダー中に粒子を含有する導電層によって
オーバーコートされた光受容体を使用した場合の電荷分
布を表わす。 第６図は本発明のオーバーコート態様でオーバコートさ
れた光受容体を使用したときの電荷分布を表わす。 第４図は本発明のオーバーコート態様における電荷注入
賦与粒子の分極を表わす。 第５図は連続相輸送媒体に注入されそして電界によって
光受容体−オーバコート界面に移動させられた電荷を表
わす。 第６図は電荷注入賦与粒子からの放出によるオーバーコ
ート内部の空間電荷の緩和を表わす。 代理人 浅 村 皓 第１頁の続き ０発 明 者 マーチン エイ、アブ アメコーウイツ
ツ ン ［相］発明者 マーリン イー、シャ アメーフエ グ
リ リカ合衆国ニューヨーク州ウェブスター、ゲイトストサ
ークル １１９８ リカ合衆国ニューヨーク州ペンフィールド、バレー一ン
ドライブ ２７３
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）少なくとも１層の光導電層；および電荷輸送分子
からなる皮膜形成性連続相と該連続相中に分散された微
細な電荷注入賦与粒子とからなり、該光導電層が感する
活性化輻射線に対して実質的に透明であり且つ低電界中
で実質的に絶縁性であるオーバーコート層： からなる電子写真像形成部材。 （２）該光導電層と該オーバーコート層間に介在するブ
ロッキング層を特徴する特許請求の範囲第１項の電子写
真像形成部材。 （３）該電荷注入賦与粒子は約１０μｍ未満で且つ該光
導電層が感する光の波長未満の粒子サイズを有する、特
許請求の範囲第１項の電子写真像形成部材。 （４）該連続相は該電荷輸送分子を溶解または分子分散
して有する絶縁性の皮膜形成性バインダーからなる、特
許請求の範囲第１項の電子写真像形成部材。 （５）該連続相は電気絶縁性で電荷輸送性の皮膜形成性
バインダーからなる、特許請求の範囲第１項の電子写真
像形成部材。 （６）該絶縁性オーバーコート層は暗所で約１０１３Ω
−儂 より大きい抵抗率を有し、且つ、該オーバーコー
ト層と該光導電層を横切って印加された約５Ｖ／ｌｔｍ
超の電界中では該電荷注入賦与粒子が暗所で約１０−１
２秒未満で分極して約１０μ秒未満で電荷担体を該連続
相に注入しそして該オーバーコート層と該光導電層を横
切って印加された約５ Ｖ／μｍ未満の電界中では該電
荷注入賦与粒子が暗所で約１０″′１２秒超で分極して
約１０μ秒超で電荷担体を該蓮続相に注入するに十分な
電荷注入賦与粒子からなる、特許請求の範囲第１項の電
子写真像形成部材。 （７）該電気絶縁性オーバーコート層は約１μｍ〜約１
５μｍの厚さを有する、特許請求の範囲第１項の電子写
真像形成部材。 （８）該電荷輸送分子は一般式 （式中、又は１〜約４個の炭素原子を有するアルキル基
および塩素からなる群から選択される）を有する化合物
１種以上からなる、特許請求の範囲第１項の電子写真像
形成部材。 （９）該電荷輸送分子は一般式 （式中、Ｒ１はメチル、エチル、２−ヒドロキシエチル
および２−クロロエチル基からなる群から選択され、モ
してＲ２はメチル、エチル、ベンジルおよびフェニル基
からなる群から選択される）を有する化合物１種以上か
らなる、特許請求の範囲第１項の電子写真像形成部材。 α〔該電荷輸送分子は一般式 （式中、 Ｒ２は一０ＣＨ２ＣＨ３、−ＣＨ３または−Ｈであり、
ＣＨ２ＣＨ２Ｃ！Ｈ２Ｃ！Ｈ３であり、そしてを有する
化合物１種以上からなる、特許請求の範囲第１項の電子
写真像形成部材。 （Ｉｌｌ 該電荷輸送分子はオキサシア・戸−ル化合物
からなる、特許請求の範囲第１項の電子写真像形成部材
。 （１２１ｆａｌ少なくとも１層の光導電層；および電荷
輸送分子からなる皮膜形成性連続相と該連続相中に分散
された微細な電荷注入賦与粒子とからなり、該光導電層
が感する活性化輻射線に対して実質的に透明でありそし
て該光導電層から遠い方の側に像形成表面を有するオー
バーコート層；からなる電子写真像形成部材を用意し、
（ｂ）該光導電層の、該オーバーコート層から遠い方の
側の面を導電性基体と接触させ、（Ｃ）暗所で該像形成
表面上に実質的に一様な静電荷を付着させ、そしてｆｄ
ｌ該電子電子写真像形成部材切って十分な電界を印加し
て該電荷注入賦与粒子を分極させることを包含し、それ
によって該電荷注入賦与粒子は電荷担体を該連続相に注
入し、該電荷担体は暗所で該光導電層と該オーバーコー
ト層間の界面に輸送され捕獲さ札そして該オーバーコー
ト層内の反対空間電荷は該電荷注入賦与粒子から該像形
成表面への電荷放出によって緩和される、電子写真像形
成方法。 （１３） 該電荷担体は該光導電層と該オーバーコート
層間に介在するブロッキング層に捕獲される、特許請求
の範囲第１２項の電子写真像形成方法。 （１４１該電子写真像形成部材を横切る該電界は該像形
成表面上の該一様静電荷と該光導電層の該オーバーコー
ト層に反対側の面へ連続する電気的に接地された導電部
材との間に形成される、特許請求の範囲第１２項の電子
写真像形成方法。 ａ句 該オーバーコート層は該注入賦与粒子が電荷担体
を該連続相に注入する前およびした後で電気絶縁性であ
り、そして該電荷担体は暗所で該光導電層と該オーバコ
ート層間の界面に輸送され捕獲される、特許請求の範囲
第１２項の電子写真像形成方法。 αｅ 該絶縁性オーバーコート層は暗所で約１０工３Ω
−礪より大きい抵抗率を有し、且つ、該オーバーコート
層と該光導電層を横切って印加された約５Ｖ／μｍ超の
電界中では該電荷注入賦与粒子が暗所で約１０−１２秒
未満で分極して約１０μ秒未満で電荷担体を該連続相に
注入しそして該オーバーコート層と該光導電層を横切っ
て印加された約５Ｖ／μ東未満の電界中では該電荷注入
賦与粒子が暗所で約１０−１２秒超で分極して約１０μ
秒超で電荷担体を該連続相に注入するに十分な電荷注入
賦与粒子からなる、特許請求の範囲第１２項の電子写真
像形成方法。
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